JPH05291241A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPH05291241A JPH05291241A JP13553892A JP13553892A JPH05291241A JP H05291241 A JPH05291241 A JP H05291241A JP 13553892 A JP13553892 A JP 13553892A JP 13553892 A JP13553892 A JP 13553892A JP H05291241 A JPH05291241 A JP H05291241A
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- JP
- Japan
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- semiconductor substrate
- semiconductor device
- electrode
- dielectric layer
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】 （修正有）
［目的］ 半導体基体の表面における電界集中を抑制し
て半導体装置の高耐圧化を充分に図ることを目的とす
る。 ［構成］ 半導体基体の表面側に第１の電極３を、その
裏面側に第２の電極４を設けた半導体装置において、半
導体基体の表面に接して、半導体基体表面との界面準位
が低い誘電体層５を設けるようにする。
て半導体装置の高耐圧化を充分に図ることを目的とす
る。 ［構成］ 半導体基体の表面側に第１の電極３を、その
裏面側に第２の電極４を設けた半導体装置において、半
導体基体の表面に接して、半導体基体表面との界面準位
が低い誘電体層５を設けるようにする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、高耐圧化を図った半導
体装置に関する。
体装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、半導体装置を高耐圧化する手段と
して、フィールドプレート構造やガードリング構造をと
ることによって、半導体基体中における電界集中を緩和
する方法がとられてきた。
して、フィールドプレート構造やガードリング構造をと
ることによって、半導体基体中における電界集中を緩和
する方法がとられてきた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】解決しようとする問題
点は、半導体基体に化合物半導体、特にガリウム砒素Ｇ
ａＡｓを用いた半導体基体の表面側に第１の電極を、そ
の裏面側に第２の電極を設けた半導体装置では、その半
導体基体の表面準位が高く、表面に電界が集中しやすく
て、フィールドプレート構造やガードリング構造によっ
ては充分な高耐圧化を図ることができないことである。
点は、半導体基体に化合物半導体、特にガリウム砒素Ｇ
ａＡｓを用いた半導体基体の表面側に第１の電極を、そ
の裏面側に第２の電極を設けた半導体装置では、その半
導体基体の表面準位が高く、表面に電界が集中しやすく
て、フィールドプレート構造やガードリング構造によっ
ては充分な高耐圧化を図ることができないことである。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明は、半導体基体の
表面における電界集中を抑制して高耐圧化を充分に図る
べく、半導体基体の表面に接して半導体基体表面との界
面準位が低い誘電体層を設けて、半導体基体の表面電位
を低下させるようにしている。
表面における電界集中を抑制して高耐圧化を充分に図る
べく、半導体基体の表面に接して半導体基体表面との界
面準位が低い誘電体層を設けて、半導体基体の表面電位
を低下させるようにしている。
【０００５】
【実施例】本発明による半導体装置にあっては、図１に
示すように、ガリウム砒素ＧａＡｓのｎ（＋）層１１お
よびｎ層１２からなる高抵抗半導体基体１の表面側に拡
散によって形成されたｐ型領域２の部分に対向してフィ
ールドプレート構造をもった金属電極３が、またその半
導体基体１の裏面側には裏面電極４がそれぞれ設けられ
ており、半導体基体１の表面側において、金属電極３の
当接部分以外で、半導体基体１の表面に接して、その表
面準位を抑制する物質、例えばアルミガリウム砒素から
なる半導体基体１の表面との界面準位が低い誘電体層５
が形成され、さらにその上にＳｉＯ２，ＳｉＯＮ，Ｓｉ
Ｎなどからなる保護膜６が形成されており、その保護膜
６上に金属電極３のフィールドプレート部分が接するよ
うに構成されている。
示すように、ガリウム砒素ＧａＡｓのｎ（＋）層１１お
よびｎ層１２からなる高抵抗半導体基体１の表面側に拡
散によって形成されたｐ型領域２の部分に対向してフィ
ールドプレート構造をもった金属電極３が、またその半
導体基体１の裏面側には裏面電極４がそれぞれ設けられ
ており、半導体基体１の表面側において、金属電極３の
当接部分以外で、半導体基体１の表面に接して、その表
面準位を抑制する物質、例えばアルミガリウム砒素から
なる半導体基体１の表面との界面準位が低い誘電体層５
が形成され、さらにその上にＳｉＯ２，ＳｉＯＮ，Ｓｉ
Ｎなどからなる保護膜６が形成されており、その保護膜
６上に金属電極３のフィールドプレート部分が接するよ
うに構成されている。
【０００６】しかして、このように構成された本発明に
よる半導体装置によれば、誘電体層５によって半導体基
体１の表面での準位形成が緩和され、電界集中が起きに
くくなり、フィールドプレート手段を用いた高耐圧化に
有効となる。
よる半導体装置によれば、誘電体層５によって半導体基
体１の表面での準位形成が緩和され、電界集中が起きに
くくなり、フィールドプレート手段を用いた高耐圧化に
有効となる。
【０００７】図中、７は空乏層を示している。
【０００８】それに対して、図３に示す従来構造の半導
体装置では、フィールドプレート構造をもった金属電極
３の当接部分以外で、半導体基体１の表面に接して、そ
の表面安定化のために保護膜６しか設けられていないの
で、特にガリウム砒素ＧａＡｓでは半導体基体１の表面
に形成される準位により生ずる電界集中が顕著となり、
フィールドプレー卜手段を導入しても充分な高耐圧化を
図ることが困難となっている。
体装置では、フィールドプレート構造をもった金属電極
３の当接部分以外で、半導体基体１の表面に接して、そ
の表面安定化のために保護膜６しか設けられていないの
で、特にガリウム砒素ＧａＡｓでは半導体基体１の表面
に形成される準位により生ずる電界集中が顕著となり、
フィールドプレー卜手段を導入しても充分な高耐圧化を
図ることが困難となっている。
【０００９】図２は本発明の他の実施例を示すもので、
この場合は、ガリウム砒素ＧａＡｓのｎ（＋）層１１お
よびｎ層１２からなる半導体基体１の表面側に拡散によ
って形成されたｐ型領域２の部分に対向して金属電極８
が、またその半導体基体１の裏面側には裏面電極４がそ
れぞれ設けられ、その半導体基体１にｐ型のガードリン
グ９が形成されたものにあって、半導体基体１の表面側
において、金属電極８の当接部分以外で、半導体基体１
の表面に接して、その表面準位を抑制する物質、例えば
アルミガリウム砒素からなる半導体基体１の表面との界
面準位が低い誘電体層５が形成され、さらにその上にＳ
ｉＯ２，ＳｉＯＮ，ＳｉＮなどからなる保護膜６が形成
されている。
この場合は、ガリウム砒素ＧａＡｓのｎ（＋）層１１お
よびｎ層１２からなる半導体基体１の表面側に拡散によ
って形成されたｐ型領域２の部分に対向して金属電極８
が、またその半導体基体１の裏面側には裏面電極４がそ
れぞれ設けられ、その半導体基体１にｐ型のガードリン
グ９が形成されたものにあって、半導体基体１の表面側
において、金属電極８の当接部分以外で、半導体基体１
の表面に接して、その表面準位を抑制する物質、例えば
アルミガリウム砒素からなる半導体基体１の表面との界
面準位が低い誘電体層５が形成され、さらにその上にＳ
ｉＯ２，ＳｉＯＮ，ＳｉＮなどからなる保護膜６が形成
されている。
【００１０】このように構成されたものにあっても、前
記実施例の場合と同様に、誘電体層５によって半導体基
体１の表面での準位形成が緩和され、電界集中が起きに
くくなり、ガードリング９を用いた高耐圧化に有効とな
る。
記実施例の場合と同様に、誘電体層５によって半導体基
体１の表面での準位形成が緩和され、電界集中が起きに
くくなり、ガードリング９を用いた高耐圧化に有効とな
る。
【００１１】本発明は、以上説明した半導体基体１とし
てガリウム砒素ＧａＡｓを用いたものに限らず、他の半
導体基体を用いた場合にも同様に実施することにより高
耐圧化を有効に図ることができることはいうまでもな
い。
てガリウム砒素ＧａＡｓを用いたものに限らず、他の半
導体基体を用いた場合にも同様に実施することにより高
耐圧化を有効に図ることができることはいうまでもな
い。
【００１２】
【発明の効果】以上、本発明による半導体装置によれ
ば、半導体基体の表面に接して半導体基体表面との界面
準位が低い誘電体層を設けることにより、半導体基体１
の表面での準位形成を緩和して電界集中が起きにくくな
るようにすることができ、簡単な手段により高耐圧化を
有効に図ることができるという利点を有している。
ば、半導体基体の表面に接して半導体基体表面との界面
準位が低い誘電体層を設けることにより、半導体基体１
の表面での準位形成を緩和して電界集中が起きにくくな
るようにすることができ、簡単な手段により高耐圧化を
有効に図ることができるという利点を有している。
【図１】本発明の一実施例による半導体装置を示す正断
面図である。
面図である。
【図２】本発明の他の実施例による半導体装置を示す正
断面図である。
断面図である。
【図３】従来の半導体装置を示す正断面図である。
１ 半導体基体 ２ ｐ型領域 ３ フィールドプレート構造をもった金属電極 ４ 裏面電極 ５ 誘電体層 ６ 保護膜 ７ 空乏層 ８ 金属電極 ９ ガードリング
Claims (3)
- 【請求項１】 半導体基体の表面側に第１の電極を、そ
の裏面側に第２の電極を設けた半導体装置において、半
導体基体の表面に接して、半導体基体表面との界面準位
が低い誘電体層を設けたことを特徴とする半導体装置。 - 【請求項２】 誘電体層上に保護膜を形成するととも
に、第１の電極をフィールドプレート構造とし、そのフ
ィールドプレート部分が保護膜上に当接するようにした
ことを特徴とする前記第１項の記載による半導体装置。 - 【請求項３】 誘電体層上に保護膜を形成するととも
に、半導体基体中にガードリングを形成したことを特徴
とする前記１項の記載による半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13553892A JPH05291241A (ja) | 1992-04-10 | 1992-04-10 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13553892A JPH05291241A (ja) | 1992-04-10 | 1992-04-10 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05291241A true JPH05291241A (ja) | 1993-11-05 |
Family
ID=15154125
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13553892A Pending JPH05291241A (ja) | 1992-04-10 | 1992-04-10 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05291241A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6316794B1 (en) | 1998-04-22 | 2001-11-13 | Fuji Electric Co., Ltd. | Lateral high voltage semiconductor device with protective silicon nitride film in voltage withstanding region |
| JP2005203658A (ja) * | 2004-01-19 | 2005-07-28 | Sanken Electric Co Ltd | 半導体装置 |
-
1992
- 1992-04-10 JP JP13553892A patent/JPH05291241A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6316794B1 (en) | 1998-04-22 | 2001-11-13 | Fuji Electric Co., Ltd. | Lateral high voltage semiconductor device with protective silicon nitride film in voltage withstanding region |
| US6558983B2 (en) | 1998-04-22 | 2003-05-06 | Fuji Electric Co., Ltd. | Semiconductor apparatus and method for manufacturing the same |
| JP2005203658A (ja) * | 2004-01-19 | 2005-07-28 | Sanken Electric Co Ltd | 半導体装置 |
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