JPS5992575A - 半導体集積回路装置におけるシヨツトキバリアダイオ−ド - Google Patents
半導体集積回路装置におけるシヨツトキバリアダイオ−ドInfo
- Publication number
- JPS5992575A JPS5992575A JP57201971A JP20197182A JPS5992575A JP S5992575 A JPS5992575 A JP S5992575A JP 57201971 A JP57201971 A JP 57201971A JP 20197182 A JP20197182 A JP 20197182A JP S5992575 A JPS5992575 A JP S5992575A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- high concentration
- layer
- type
- region
- schottky barrier
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
- H10D8/00—Diodes
- H10D8/60—Schottky-barrier diodes
Landscapes
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は、半導体集積回路装置におけるショットキバ
リアダイオード（以下、ＳＢＤという）に関する。
リアダイオード（以下、ＳＢＤという）に関する。
半導体集積回路装置、特にバイポーラ型のものにおいて
は、高速動作の実現等のためＳＢＤが多用されている。
は、高速動作の実現等のためＳＢＤが多用されている。
たとえば、高速バイポーラメモリにＳＢＤを用いる場合
、順方向立上り電圧を制御するというＳＢＤ本来の機能
を得る他に、ＳＢＤの接合容量をスピードアップコンデ
ンサとして使用したり、あるいは耐α線ソフトエラー強
度を高めたりする方法が採られる。このような場合、Ｓ
ＢＤの接合容量を大きくすることを要し、そのため、イ
オン打込み法によって接合界面に高濃度層を形成してい
る。
、順方向立上り電圧を制御するというＳＢＤ本来の機能
を得る他に、ＳＢＤの接合容量をスピードアップコンデ
ンサとして使用したり、あるいは耐α線ソフトエラー強
度を高めたりする方法が採られる。このような場合、Ｓ
ＢＤの接合容量を大きくすることを要し、そのため、イ
オン打込み法によって接合界面に高濃度層を形成してい
る。
ところで、このような高濃度層を有するＳＢＤにおいて
、第１図に示すように、ａのような正常特性を示すこと
なく、ｂのような負性抵抗特性を示すという問題が生じ
た。
、第１図に示すように、ａのような正常特性を示すこと
なく、ｂのような負性抵抗特性を示すという問題が生じ
た。
したがって、この発明は、そのような負性抵抗特性の発
生を確実に抑え、ＳＢＤ特性の制御性を改善することを
目的とするものである。
生を確実に抑え、ＳＢＤ特性の制御性を改善することを
目的とするものである。
以下、この発明の内容を明らかにする。
第２図はこの発明によるＳＢＤの構造を示し、（Ａ）が
平面図、（Ｂ）が断面図である。
平面図、（Ｂ）が断面図である。
シリコン半導体母体１は、Ｐ型の半導体基板２の上にＮ
＋型の埋込み層３とＮ−型のエピタキシャル層４とを有
している。このシリコン半導体母体１上、ＳＢＤは、ア
イソレーションのための選択酸化膜５の内側に形成され
ている。
＋型の埋込み層３とＮ−型のエピタキシャル層４とを有
している。このシリコン半導体母体１上、ＳＢＤは、ア
イソレーションのための選択酸化膜５の内側に形成され
ている。
ＳＢＤは金属と半導体との間に形成されるショットキ障
壁を利用したダイオードであり、この場合、電極材料層
６が金属に相当し、エピタキシャル層４の表面のＮ＋型
の高濃度層７が半導体に相当する。前述した負性抵抗特
性は、接合界面近傍に高濃度層７がある場合にのみ発生
する。高濃度層７の不純物濃度はたとえば２Ｘ１０１７
ｃｍ−３である。負性抵抗特性が発生するメカニズムに
ついて半導体物理の観点から説明することは困鐙である
が、各種の実験から、高濃度層７が負性抵抗特性を発生
させていることを明らかにすることができた。
壁を利用したダイオードであり、この場合、電極材料層
６が金属に相当し、エピタキシャル層４の表面のＮ＋型
の高濃度層７が半導体に相当する。前述した負性抵抗特
性は、接合界面近傍に高濃度層７がある場合にのみ発生
する。高濃度層７の不純物濃度はたとえば２Ｘ１０１７
ｃｍ−３である。負性抵抗特性が発生するメカニズムに
ついて半導体物理の観点から説明することは困鐙である
が、各種の実験から、高濃度層７が負性抵抗特性を発生
させていることを明らかにすることができた。
この発明では、高濃度層７に起因する負性抵抗特性の発
生を抑えるため、ＳＢＤ接合面８の一部分にＰ＋型の高
濃度領域９を形成する構造を採る。
生を抑えるため、ＳＢＤ接合面８の一部分にＰ＋型の高
濃度領域９を形成する構造を採る。
このＰ＋型の高濃度領域９が負性抵抗特性を抑止しうろ
ことも、実験的に確認されたものである。
ことも、実験的に確認されたものである。
Ｐ＋型の高濃度領域９はアライメントの容易性などを考
慮した場合、ＳＢＤ接合而８面周辺部に配置するのが良
い。なお、高濃度領域９については、高濃度層７との相
殺があるので、高濃度層７よりも不純物濃度を高くする
ことを要する。
慮した場合、ＳＢＤ接合而８面周辺部に配置するのが良
い。なお、高濃度領域９については、高濃度層７との相
殺があるので、高濃度層７よりも不純物濃度を高くする
ことを要する。
コンタクト周辺部にＰ＋領域を形成する構造としては、
ガードリングと呼ばれるものが既に知られている。しか
し、ガードリングは、ＰＮ接合の周辺部におけるリーク
電流成分を除去するという機能から、コンタクト周辺の
全域にわたるものであり、その分だけ余分な面積を要し
、高集積化が大きく進んだ段階では採用しえない。その
点、こ３− の発明における前記Ｐ＋型の高濃度領域９は、その機能
をガードリングと異にしていることは勿論のこと、構造
的にもＳＢＤ接合面８の周辺の少なくとも一部がＰ＋型
の高濃度領域９に対して開放されているので、その開放
されている分だけ集積度の面からも有利である。
ガードリングと呼ばれるものが既に知られている。しか
し、ガードリングは、ＰＮ接合の周辺部におけるリーク
電流成分を除去するという機能から、コンタクト周辺の
全域にわたるものであり、その分だけ余分な面積を要し
、高集積化が大きく進んだ段階では採用しえない。その
点、こ３− の発明における前記Ｐ＋型の高濃度領域９は、その機能
をガードリングと異にしていることは勿論のこと、構造
的にもＳＢＤ接合面８の周辺の少なくとも一部がＰ＋型
の高濃度領域９に対して開放されているので、その開放
されている分だけ集積度の面からも有利である。
次に、前記Ｐ＋型の高濃度領域９の形成について、実際
のバイポーラ型の半導体集積回路装置との関連において
、好ましい実施例を説明する。
のバイポーラ型の半導体集積回路装置との関連において
、好ましい実施例を説明する。
第３図において、シリコン半導体母体１上のエピタキシ
ャル層４内には、前述したＳＢＤとともにバイポーラト
ランジスタが形成されている。このバイポーラトランジ
スタは、Ｐ＋型のベース領域１０、Ｎ生型のエミッタ領
域１１およびＮ÷型のコレクタコンタクト領域１２を含
んでいる。そして、ベース領域１０にはアルミニウム電
極１３がオーミックコンタクトされ、同様に、エミッタ
領域１１にアルミニウム電極１４、コレクタコンタクト
領域１２にアルミニウム電極１５がそれぞれオーミック
コンタクトされている。
ャル層４内には、前述したＳＢＤとともにバイポーラト
ランジスタが形成されている。このバイポーラトランジ
スタは、Ｐ＋型のベース領域１０、Ｎ生型のエミッタ領
域１１およびＮ÷型のコレクタコンタクト領域１２を含
んでいる。そして、ベース領域１０にはアルミニウム電
極１３がオーミックコンタクトされ、同様に、エミッタ
領域１１にアルミニウム電極１４、コレクタコンタクト
領域１２にアルミニウム電極１５がそれぞれオーミック
コンタクトされている。
４−
ここで、ＳＢＤ部分については前述と同様であるのでそ
の説明は省略するが、負性抵抗特性の発生を抑止するた
めのＰ＋型の高濃度領域９を前記ベース領域１０の形成
時に同時に形成することができる。そうすれば、Ｐ＋型
の高濃度領域９の形成の工程を新たに設ける必要がない
のでプロセス上有利になる。しかし、Ｐ＋型の高濃度領
域９については、ベース領域１０とは別の工程で形成す
ることもできる。
の説明は省略するが、負性抵抗特性の発生を抑止するた
めのＰ＋型の高濃度領域９を前記ベース領域１０の形成
時に同時に形成することができる。そうすれば、Ｐ＋型
の高濃度領域９の形成の工程を新たに設ける必要がない
のでプロセス上有利になる。しかし、Ｐ＋型の高濃度領
域９については、ベース領域１０とは別の工程で形成す
ることもできる。
以上のように、この発明にあっては、ＳＢＤ接合界面近
傍に高濃度層７を形成した場合において、５Ｂｒ）接合
面８の一部分に、高濃度層７と逆導電型の高濃度領域９
を形成するようにしているので、負性抵抗特性の発生を
有効に抑止することができる。
傍に高濃度層７を形成した場合において、５Ｂｒ）接合
面８の一部分に、高濃度層７と逆導電型の高濃度領域９
を形成するようにしているので、負性抵抗特性の発生を
有効に抑止することができる。
第１図はＳＢＤの電圧−電流特性を示す図、第２図はこ
の発明によるＳＢＤの構造を示し、（Ａ）が平面図、（
Ｂ）が断面図、 第３図はこの発明を適用したバイポーラ型の半導体集積
回路装置を示す断面図である。 １・・・半導体母体、４・・・エピタ都シャル層（半導
体層）、６・・・電極材料層、７・・・高濃度層、８・
・・ＳＢＤ接合面、９・・・高濃度領域。 ７−
の発明によるＳＢＤの構造を示し、（Ａ）が平面図、（
Ｂ）が断面図、 第３図はこの発明を適用したバイポーラ型の半導体集積
回路装置を示す断面図である。 １・・・半導体母体、４・・・エピタ都シャル層（半導
体層）、６・・・電極材料層、７・・・高濃度層、８・
・・ＳＢＤ接合面、９・・・高濃度領域。 ７−
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 半導体母体の一面に、ショットキバリアダイオードをも
つ半導体集積回路が形成されており、そのショットキバ
リアダイオードの部分が次のような（Ａ）〜（Ｄ）の構
造を有する、半導体集積回路装置におけるショットキバ
リアダイオード。 （Ａ）前記半導体母体の一面の第１導電型の半導体層の
表面に、同じ第１導電型の高濃度層が形成されている。 （Ｂ）前記高濃度層の上に電極材料層が形成されている
。 （Ｃ）前記高濃度層と電極材料層との接合面の一部に、
前記高濃度層よりも高い不純物濃度をもち、かつ前記第
１導電型と逆の第２導電型である高濃度領域が形成され
ている。 （Ｄ）前記接合面の周辺の少なくとも一部が、前記第２
導電型の高濃度領域に対して開放されている。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57201971A JPS5992575A (ja) | 1982-11-19 | 1982-11-19 | 半導体集積回路装置におけるシヨツトキバリアダイオ−ド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57201971A JPS5992575A (ja) | 1982-11-19 | 1982-11-19 | 半導体集積回路装置におけるシヨツトキバリアダイオ−ド |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5992575A true JPS5992575A (ja) | 1984-05-28 |
Family
ID=16449793
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57201971A Pending JPS5992575A (ja) | 1982-11-19 | 1982-11-19 | 半導体集積回路装置におけるシヨツトキバリアダイオ−ド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5992575A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4903087A (en) * | 1987-01-13 | 1990-02-20 | National Semiconductor Corporation | Schottky barrier diode for alpha particle resistant static random access memories |
| US5438218A (en) * | 1990-06-29 | 1995-08-01 | Canon Kk | Semiconductor device with Shottky junction |
-
1982
- 1982-11-19 JP JP57201971A patent/JPS5992575A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4903087A (en) * | 1987-01-13 | 1990-02-20 | National Semiconductor Corporation | Schottky barrier diode for alpha particle resistant static random access memories |
| US5438218A (en) * | 1990-06-29 | 1995-08-01 | Canon Kk | Semiconductor device with Shottky junction |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5028548A (en) | Method of manufacturing a planar semiconductor device having a guard ring structure | |
| US4024564A (en) | Semiconductor device having at least one PN junction and channel stopper surrounder by a protecture conducting layer | |
| JPH0693512B2 (ja) | 縦形ｍｏｓｆｅｔ | |
| JPH037149B2 (ja) | ||
| JPH04127480A (ja) | 高耐圧低抵抗半導体装置及びその製造方法 | |
| JPS62115765A (ja) | 半導体装置 | |
| JP2950025B2 (ja) | 絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ | |
| US3652905A (en) | Schottky barrier power rectifier | |
| GB875674A (en) | Improvements in or relating to semiconductive devices | |
| JPS5992575A (ja) | 半導体集積回路装置におけるシヨツトキバリアダイオ−ド | |
| JP2002314083A (ja) | 半導体装置 | |
| JPS5921170B2 (ja) | Ｍｏｓ型半導体装置 | |
| IE50514B1 (en) | Bipolar type static memory cell | |
| US4786961A (en) | Bipolar transistor with transient suppressor | |
| JPH0227822B2 (ja) | ||
| JPH0618280B2 (ja) | ショットキバリア半導体装置 | |
| JPH0236558A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH09181335A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH06291320A (ja) | 絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ | |
| JPS6237816B2 (ja) | ||
| JPH0818075A (ja) | ショットキーバリヤダイオード及び半導体集積回路 | |
| JP2993084B2 (ja) | 電圧標準ダイオード | |
| JPH06104443A (ja) | 半導体装置 | |
| JP2758465B2 (ja) | 半導体装置 | |
| JPH0346973B2 (ja) |