JPH05291327A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
- Publication number
- JPH05291327A JPH05291327A JP4095134A JP9513492A JPH05291327A JP H05291327 A JPH05291327 A JP H05291327A JP 4095134 A JP4095134 A JP 4095134A JP 9513492 A JP9513492 A JP 9513492A JP H05291327 A JPH05291327 A JP H05291327A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- gate
- resin
- tie bar
- lead frame
- semiconductor device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W74/00—Encapsulations, e.g. protective coatings
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
- H10W90/756—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked lead frame, conducting package substrate or heat sink
Landscapes
- Injection Moulding Of Plastics Or The Like (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【目的】 リードフレーム上に半導体素子を搭載し、ト
ランスファーモールド法により樹脂封止する場合に、ゲ
ート部分のクラックが発生しない半導体装置の製造方法
を提供する。 【構成】 ゲート１１にそのゲート幅を有する凸状の補
強部材１１ｂをリードフレームタイバ２，９，１０側面
に密着した状態で樹脂封止を行う。
ランスファーモールド法により樹脂封止する場合に、ゲ
ート部分のクラックが発生しない半導体装置の製造方法
を提供する。 【構成】 ゲート１１にそのゲート幅を有する凸状の補
強部材１１ｂをリードフレームタイバ２，９，１０側面
に密着した状態で樹脂封止を行う。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体装置の製造方法に
関し、特にリードフレームを利用して樹脂封止してなる
電力用等の半導体装置に関する。
関し、特にリードフレームを利用して樹脂封止してなる
電力用等の半導体装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】樹脂封止型の電力用の半導体装置は、図
４に示すように、リードフレーム１に複数個のフレーム
が形成されている。
４に示すように、リードフレーム１に複数個のフレーム
が形成されている。
【０００３】その各フレームには、図６に示すように、
載置片６７に半導体素子６８がダイボンドされ、その半
導体素子６８とリード端子７０，７１の各々とはボンデ
ィングワイヤ６９により、内部結線が施されて回路が形
成されている。
載置片６７に半導体素子６８がダイボンドされ、その半
導体素子６８とリード端子７０，７１の各々とはボンデ
ィングワイヤ６９により、内部結線が施されて回路が形
成されている。
【０００４】そして、この内部結線が施されたリードフ
レーム１００をトランスファーモールド法により、樹脂
封止する。すなわち、注入口であるゲート６０より注入
された樹脂により、載置片６７上の半導体素子６８およ
びリード端子７０，７１およびボンディングワイヤ６９
は樹脂封止される。
レーム１００をトランスファーモールド法により、樹脂
封止する。すなわち、注入口であるゲート６０より注入
された樹脂により、載置片６７上の半導体素子６８およ
びリード端子７０，７１およびボンディングワイヤ６９
は樹脂封止される。
【０００５】その後、図７に示すようにゲート６０をゲ
ートブレイクし、薄バリ６５および厚バリ６３をレジン
カットし、タイバー６４，６２，６６をタイバーカット
することにより図８に示す半導体装置が完成する。
ートブレイクし、薄バリ６５および厚バリ６３をレジン
カットし、タイバー６４，６２，６６をタイバーカット
することにより図８に示す半導体装置が完成する。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】ところで、従来の技術
では、図６に示すようにリードフレームをトランスファ
ーモールド法により樹脂封止した場合、ゲート６０をゲ
ートブレイクするまでにモールド樹脂の熱収縮によりゲ
ート６０にクラック６０ａが発生し、ゲートブレイクし
てもそのクラック６０ａの部分で割れてしまうという問
題があった。すなわち、図７に示すように、クラック６
０ａで割れてしまうと、ゲート残りが発生し、図８に示
すように、ゲート残りが付着した外観不良のデバイスと
なり、品質が低下する。また、タイバーカットする際
に、ゲート残りが付着していると、タイバーカット金型
が破損するという問題もある。
では、図６に示すようにリードフレームをトランスファ
ーモールド法により樹脂封止した場合、ゲート６０をゲ
ートブレイクするまでにモールド樹脂の熱収縮によりゲ
ート６０にクラック６０ａが発生し、ゲートブレイクし
てもそのクラック６０ａの部分で割れてしまうという問
題があった。すなわち、図７に示すように、クラック６
０ａで割れてしまうと、ゲート残りが発生し、図８に示
すように、ゲート残りが付着した外観不良のデバイスと
なり、品質が低下する。また、タイバーカットする際
に、ゲート残りが付着していると、タイバーカット金型
が破損するという問題もある。
【０００７】本発明はこれらの点に鑑みてなされたもの
であり、リードフレームをトランスファーモールド法に
より樹脂封止した場合、ゲートをゲートブレイクするま
でに、ゲートクラックが発生せず、また、ゲートブレイ
クした後、ゲート残りが発生しない半導体装置の製造方
法を提供することを目的とする。
であり、リードフレームをトランスファーモールド法に
より樹脂封止した場合、ゲートをゲートブレイクするま
でに、ゲートクラックが発生せず、また、ゲートブレイ
クした後、ゲート残りが発生しない半導体装置の製造方
法を提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに、本発明の半導体装置の製造方法は、対向する位置
に設けた２つの支持タイバー、その支持タイバー間に設
けた載置片、リード端子、およびそのリード端子を支持
するリード端子間タイバーとを、一体に形成してなるリ
ードフレームを用い、上記載置片上に載置した半導体素
子と上記リード端子とを接続した状態で、上記一方の支
持タイバー近傍に設けたゲートから樹脂を注入して、樹
脂封止する半導体装置の製造方法において、上記ゲート
の所定位置に、凸状で、かつ、そのゲート幅と等しい幅
を有する突起を設けるとともに、その突起の端面を上記
一方の支持タイバー側面に密着させた状態で、樹脂封止
することによって特徴付けられる。
めに、本発明の半導体装置の製造方法は、対向する位置
に設けた２つの支持タイバー、その支持タイバー間に設
けた載置片、リード端子、およびそのリード端子を支持
するリード端子間タイバーとを、一体に形成してなるリ
ードフレームを用い、上記載置片上に載置した半導体素
子と上記リード端子とを接続した状態で、上記一方の支
持タイバー近傍に設けたゲートから樹脂を注入して、樹
脂封止する半導体装置の製造方法において、上記ゲート
の所定位置に、凸状で、かつ、そのゲート幅と等しい幅
を有する突起を設けるとともに、その突起の端面を上記
一方の支持タイバー側面に密着させた状態で、樹脂封止
することによって特徴付けられる。
【０００９】
【作用】樹脂が注入された後、その樹脂が硬化し、その
熱収縮により熱応力が生じても、また、特にゲートの長
手方向に熱応力が生じても、突起がその熱応力を分担す
る。従って、ゲートの細くなった部分のみに熱応力が集
中することがなく、ゲートにクラックは生じない。
熱収縮により熱応力が生じても、また、特にゲートの長
手方向に熱応力が生じても、突起がその熱応力を分担す
る。従って、ゲートの細くなった部分のみに熱応力が集
中することがなく、ゲートにクラックは生じない。
【００１０】
【実施例】図５は、図４に示すリードフレーム１の破線
で示す部分の拡大図である。載置片４上の半導体素子３
はリード端子６，８とボンディングワイヤ５により内部
結線が施され、回路形成されている。
で示す部分の拡大図である。載置片４上の半導体素子３
はリード端子６，８とボンディングワイヤ５により内部
結線が施され、回路形成されている。
【００１１】図１乃至図３は本発明実施例を経時的に説
明する図である。各図の（ａ）図および（ｂ）図はそれ
ぞれ平面図およびその側面図である。以下、図面に基づ
いて本発明実施例を説明する。
明する図である。各図の（ａ）図および（ｂ）図はそれ
ぞれ平面図およびその側面図である。以下、図面に基づ
いて本発明実施例を説明する。
【００１２】まず、図５に示した内部結線が施されたリ
ードフレーム１をトランスファーモールド法により樹脂
封止を行う。この樹脂封止を行うために設けられる樹脂
の注入口であるゲート１１は、タイバー２および載置片
４上に載置され、また、ゲート１１のゲート幅を有する
凸状の突起１１ｂがタイバー２の側面２ａに密着して設
けられている。この状態でゲート１１から樹脂の注入を
行うことにより、載置片４上の半導体素子３およびその
半導体素子３とボンディングワイヤ５により、結線が施
されているリード端子６，８はすべて樹脂封止され、封
止樹脂１２により覆われる。また、この樹脂封止の際、
薄バリ１３および厚バリ１４が形成される（図１）。
ードフレーム１をトランスファーモールド法により樹脂
封止を行う。この樹脂封止を行うために設けられる樹脂
の注入口であるゲート１１は、タイバー２および載置片
４上に載置され、また、ゲート１１のゲート幅を有する
凸状の突起１１ｂがタイバー２の側面２ａに密着して設
けられている。この状態でゲート１１から樹脂の注入を
行うことにより、載置片４上の半導体素子３およびその
半導体素子３とボンディングワイヤ５により、結線が施
されているリード端子６，８はすべて樹脂封止され、封
止樹脂１２により覆われる。また、この樹脂封止の際、
薄バリ１３および厚バリ１４が形成される（図１）。
【００１３】次に、封止樹脂１２が硬化した後、ゲート
１１をゲートブレイクする。この工程で、ゲート１１は
殆どゲートを残さずにゲートブレイクがなされる（図
２）。そして、薄バリ１３および厚バリ１４をレジンカ
ットし、その後、タイバー２，９，１０をタイバーカッ
トすることにより所望の半導体装置が完成する（図
３）。 なお、本発明実施例に示した半導体素子は１つ
のリードフレームに複数個ダイボンドされており、各半
導体素子は同時に樹脂封止がなされる。
１１をゲートブレイクする。この工程で、ゲート１１は
殆どゲートを残さずにゲートブレイクがなされる（図
２）。そして、薄バリ１３および厚バリ１４をレジンカ
ットし、その後、タイバー２，９，１０をタイバーカッ
トすることにより所望の半導体装置が完成する（図
３）。 なお、本発明実施例に示した半導体素子は１つ
のリードフレームに複数個ダイボンドされており、各半
導体素子は同時に樹脂封止がなされる。
【００１４】本発明実施例ではゲート１１に形成した突
起１１ｂが、タイバー２の側面２ａに密着した状態で樹
脂封止を行うから、樹脂の硬化に伴う熱応力はこの突起
１１ｂが分担し、一点に集中しない。この結果、モール
ド樹脂を成形してからゲートブレイクするまでにクラッ
クは発生せず、ゲートブレイクの際に、ゲート残りのな
い半導体装置が完成する。
起１１ｂが、タイバー２の側面２ａに密着した状態で樹
脂封止を行うから、樹脂の硬化に伴う熱応力はこの突起
１１ｂが分担し、一点に集中しない。この結果、モール
ド樹脂を成形してからゲートブレイクするまでにクラッ
クは発生せず、ゲートブレイクの際に、ゲート残りのな
い半導体装置が完成する。
【００１５】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
ゲートにそのゲート幅を有し、凸状の突起をリードフレ
ームタイバー側面に密着した状態で樹脂封止を行うよう
にしたから、トランスファーモールド法により樹脂を成
形してからゲートブレイクするまでの間に発生する熱収
縮による熱応力を突起が分担する。従って、ゲートの所
定点にのみ熱応力が集中することがなく、クラックは生
じない。
ゲートにそのゲート幅を有し、凸状の突起をリードフレ
ームタイバー側面に密着した状態で樹脂封止を行うよう
にしたから、トランスファーモールド法により樹脂を成
形してからゲートブレイクするまでの間に発生する熱収
縮による熱応力を突起が分担する。従って、ゲートの所
定点にのみ熱応力が集中することがなく、クラックは生
じない。
【００１６】その結果、ゲートブレイクしてもゲート残
りは発生せず、半導体装置の外観を損ねることがなく、
また、品質は向上する。さらに、その製造工程におい
て、歩留りは向上し、また、タイバーカット金型を破損
する等の工程上のトラブルもなくすことができる。
りは発生せず、半導体装置の外観を損ねることがなく、
また、品質は向上する。さらに、その製造工程におい
て、歩留りは向上し、また、タイバーカット金型を破損
する等の工程上のトラブルもなくすことができる。
【図１】本発明実施例を説明する図
【図２】本発明実施例を説明する図
【図３】本発明実施例により製造された半導体装置の平
面図
面図
【図４】本発明実施例に用いられるリードフレームの平
面図
面図
【図５】本発明実施例に用いられる樹脂封止前の半導体
装置の平面図
装置の平面図
【図６】従来例を説明する図
【図７】従来例を説明する図
【図８】従来例により製造された半導体装置の平面図
１・・・・リードフレーム ２，９，１０・・・・タイバー ３・・・・半導体素子 ４・・・・載置片 ５・・・・ボンディングワイヤ ６，７，８・・・・リード端子 １１・・・・ゲート １１ｂ・・・・突起 １２・・・・封止樹脂
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｂ２９Ｌ 31:34 4Ｆ
Claims (1)
- 【請求項１】 対向する位置に設けた２つの支持タイバ
ー、その支持タイバー間に設けた載置片、リード端子、
およびそのリード端子を支持するリード端子間タイバー
とを、一体に形成してなるリードフレームを用い、上記
載置片上に載置した半導体素子と上記リード端子とを接
続した状態で、上記一方の支持タイバー近傍に設けたゲ
ートから樹脂を注入して、樹脂封止する半導体装置の製
造方法において、上記ゲートの所定位置に、凸状で、か
つ、そのゲート幅と等しい幅を有する突起を設けるとと
もに、その突起の端面を上記一方の支持タイバー側面に
密着させた状態で、樹脂封止することを特徴とする半導
体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4095134A JPH05291327A (ja) | 1992-04-15 | 1992-04-15 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4095134A JPH05291327A (ja) | 1992-04-15 | 1992-04-15 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05291327A true JPH05291327A (ja) | 1993-11-05 |
Family
ID=14129354
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4095134A Pending JPH05291327A (ja) | 1992-04-15 | 1992-04-15 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05291327A (ja) |
-
1992
- 1992-04-15 JP JP4095134A patent/JPH05291327A/ja active Pending
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