JPH0529471A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPH0529471A JPH0529471A JP18605091A JP18605091A JPH0529471A JP H0529471 A JPH0529471 A JP H0529471A JP 18605091 A JP18605091 A JP 18605091A JP 18605091 A JP18605091 A JP 18605091A JP H0529471 A JPH0529471 A JP H0529471A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 絶縁体膜のコンタクトホール内に形成される
導電性の埋め込みプラグによって、上層，下層の各導電
体膜を配線接続させる場合、プラグ形成のためのエッチ
ングの制御性を良好にする。 【構成】 プラグ形成時でのエッチング手段として、絶
縁体膜が O原子を含む場合には、少なくとも F,Cl,Br,I
の何れかを含むガス系のエッチング手段を用い、また、
絶縁体膜が O原子を含むか、含まない場合には、少なく
とも F,Cl,Br,Iの何れかを含むガスに所要量のO2を添加
したガス系のエッチング手段を用いるようにする。
導電性の埋め込みプラグによって、上層，下層の各導電
体膜を配線接続させる場合、プラグ形成のためのエッチ
ングの制御性を良好にする。 【構成】 プラグ形成時でのエッチング手段として、絶
縁体膜が O原子を含む場合には、少なくとも F,Cl,Br,I
の何れかを含むガス系のエッチング手段を用い、また、
絶縁体膜が O原子を含むか、含まない場合には、少なく
とも F,Cl,Br,Iの何れかを含むガスに所要量のO2を添加
したガス系のエッチング手段を用いるようにする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、半導体装置の製造方
法に関し、さらに詳しくは、絶縁体膜に開口されたコン
タクトホールを通して上層と下層との各導電体膜の相互
間をプラグと呼ばれる中間導電体膜によって導通接続さ
せる場合、当該中間導電体膜の形成過程において、これ
を部分的にエッチングするためのエッチング方法の改良
に係るものである。
法に関し、さらに詳しくは、絶縁体膜に開口されたコン
タクトホールを通して上層と下層との各導電体膜の相互
間をプラグと呼ばれる中間導電体膜によって導通接続さ
せる場合、当該中間導電体膜の形成過程において、これ
を部分的にエッチングするためのエッチング方法の改良
に係るものである。
【０００２】
【従来の技術】従来から、半導体装置の製造に際して
は、下層導電体膜を形成した後、当該下層導電体膜上を
絶縁体膜（層間絶縁膜）によって覆うと共に、その該当
部分にコンタクトホールを開口させておき、かつ当該コ
ンタクトホール内をプラグと呼ばれる中間導電体膜によ
り埋め込んだ上で、この中間導電体膜（以下，埋め込み
プラグと呼ぶ）を含む絶縁体膜上に上層導電体膜を形成
させ、これによって上層と下層との各導電体膜の相互間
を電気的に導通させるようにした配線形成手段，いわゆ
る多層配線構造の形成手段が採用されている。
は、下層導電体膜を形成した後、当該下層導電体膜上を
絶縁体膜（層間絶縁膜）によって覆うと共に、その該当
部分にコンタクトホールを開口させておき、かつ当該コ
ンタクトホール内をプラグと呼ばれる中間導電体膜によ
り埋め込んだ上で、この中間導電体膜（以下，埋め込み
プラグと呼ぶ）を含む絶縁体膜上に上層導電体膜を形成
させ、これによって上層と下層との各導電体膜の相互間
を電気的に導通させるようにした配線形成手段，いわゆ
る多層配線構造の形成手段が採用されている。
【０００３】図２(a),(b),(c) には、従来から一般的に
行なわれているこの種の多層配線構造の形成手段の概要
を主要な工程順で模式的に示す。
行なわれているこの種の多層配線構造の形成手段の概要
を主要な工程順で模式的に示す。
【０００４】すなわち、この一般的な多層配線構造の形
成方法においては、適宜，半導体基板上などに下層導電
体膜１を選択的に形成した後、当該下層導電体膜１上を
絶縁体膜２によって覆い、その該当部分，つまり、下層
導電体膜１に対する接続部分を含んだ所要部分にコンタ
クトホール３を開口させた状態において、まず、当該コ
ンタクトホール３内を埋め込み特性のよい導電材料，例
えば、ＣＶＤ法による多結晶シリコン膜４ａによって埋
め込む（同図２(a) 参照）。
成方法においては、適宜，半導体基板上などに下層導電
体膜１を選択的に形成した後、当該下層導電体膜１上を
絶縁体膜２によって覆い、その該当部分，つまり、下層
導電体膜１に対する接続部分を含んだ所要部分にコンタ
クトホール３を開口させた状態において、まず、当該コ
ンタクトホール３内を埋め込み特性のよい導電材料，例
えば、ＣＶＤ法による多結晶シリコン膜４ａによって埋
め込む（同図２(a) 参照）。
【０００５】ついで、従来の場合には、前記埋め込まれ
た多結晶シリコン膜４ａに対して、プラズマを用いたド
ライエッチング，通常では、例えば、SF6 のようなフッ
素系ガスによるエッチングを行なうことにより、コンタ
クトホール３内にのみ多結晶シリコン膜４ａを残すよう
にエッチバックして、中間導電体膜としての埋め込みプ
ラグ４を形成させる（同図２(b) 参照）。
た多結晶シリコン膜４ａに対して、プラズマを用いたド
ライエッチング，通常では、例えば、SF6 のようなフッ
素系ガスによるエッチングを行なうことにより、コンタ
クトホール３内にのみ多結晶シリコン膜４ａを残すよう
にエッチバックして、中間導電体膜としての埋め込みプ
ラグ４を形成させる（同図２(b) 参照）。
【０００６】その後、前記コンタクトホール３内の埋め
込みプラグ４を含む絶縁体膜２上にあって、上層導電体
膜５を選択的に形成させ（同図２(c) 参照）、このよう
にしてこれらの上層，下層の各導電体膜５，１の相互間
を埋め込みプラグ４の介在で電気的に導通接続させるこ
とにより、所期通りの多層配線構造を形成させるのであ
る。
込みプラグ４を含む絶縁体膜２上にあって、上層導電体
膜５を選択的に形成させ（同図２(c) 参照）、このよう
にしてこれらの上層，下層の各導電体膜５，１の相互間
を埋め込みプラグ４の介在で電気的に導通接続させるこ
とにより、所期通りの多層配線構造を形成させるのであ
る。
【０００７】従って、上記の各工程を経て形成される従
来の多層配線構造では、上層導電体膜５として、例え
ば、スパッタ膜などのように埋め込み特性の悪い導電材
料を用いた場合においても、コンタクトホール３内に予
め埋め込みプラグ４が形成されているために、当該コン
タクトホール３内における導電部分の被覆が良好になさ
れて、接続抵抗が低減され、かつ接続不良などを生ずる
惧れがない。
来の多層配線構造では、上層導電体膜５として、例え
ば、スパッタ膜などのように埋め込み特性の悪い導電材
料を用いた場合においても、コンタクトホール３内に予
め埋め込みプラグ４が形成されているために、当該コン
タクトホール３内における導電部分の被覆が良好になさ
れて、接続抵抗が低減され、かつ接続不良などを生ずる
惧れがない。
【０００８】ちなみに、図３には、上記コンタクトホー
ル３内に予め埋め込みプラグ４を形成させずに、当該コ
ンタクトホール３内をスパッタ膜などのように埋め込み
特性の悪い導電材料で直接，埋め込んで、所要の上層導
電体膜５を形成させた場合を示してあるが、同図３から
明らかなように、この場合には、コンタクトホール３内
の内壁部，および底部に薄い膜部分を生じて、接続抵抗
が増加したり、あるいは、断線などの接続不良を生ずる
ことになる。
ル３内に予め埋め込みプラグ４を形成させずに、当該コ
ンタクトホール３内をスパッタ膜などのように埋め込み
特性の悪い導電材料で直接，埋め込んで、所要の上層導
電体膜５を形成させた場合を示してあるが、同図３から
明らかなように、この場合には、コンタクトホール３内
の内壁部，および底部に薄い膜部分を生じて、接続抵抗
が増加したり、あるいは、断線などの接続不良を生ずる
ことになる。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来の多層配線形成方法においては、コンタクトホール３
内に埋め込まれた多結晶シリコン膜４ａのエッチバック
に際して、SF6 のようなフッ素系ガスを用いた等方性の
強いエッチングを行なっているために、次のような問題
点を生ずることになる。
来の多層配線形成方法においては、コンタクトホール３
内に埋め込まれた多結晶シリコン膜４ａのエッチバック
に際して、SF6 のようなフッ素系ガスを用いた等方性の
強いエッチングを行なっているために、次のような問題
点を生ずることになる。
【００１０】すなわち、当該フッ素系ガスによるエッチ
ングにおいては、一般的に、エッチング面積が狭いほど
エッチング速度が大きくなるという特長があるが、この
ために、コンタクトホール以外の部分で被エッチング膜
が除去，消失された場合、そのエッチング速度が増加し
て制御が困難になり、ときにはプラグ相当部分までが完
全に除去されてしまうものであった。
ングにおいては、一般的に、エッチング面積が狭いほど
エッチング速度が大きくなるという特長があるが、この
ために、コンタクトホール以外の部分で被エッチング膜
が除去，消失された場合、そのエッチング速度が増加し
て制御が困難になり、ときにはプラグ相当部分までが完
全に除去されてしまうものであった。
【００１１】この発明は、このような従来の問題点を解
消するためになされたもので、その目的とするところ
は、被エッチング膜に対するエッチング速度がエッチン
グ面積に依存せず、かつエッチング面積が狭いほど、エ
ッチング速度が遅くなるようにして、エッチング制御を
容易に行ない得るようにした，この種の半導体装置の製
造方法，こゝでは、半導体装置の製造における多層配線
構造の形成方法を提供することである。
消するためになされたもので、その目的とするところ
は、被エッチング膜に対するエッチング速度がエッチン
グ面積に依存せず、かつエッチング面積が狭いほど、エ
ッチング速度が遅くなるようにして、エッチング制御を
容易に行ない得るようにした，この種の半導体装置の製
造方法，こゝでは、半導体装置の製造における多層配線
構造の形成方法を提供することである。
【００１２】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するため
に、この発明に係る半導体装置の製造における多層配線
構造の形成方法は、プラグ形成時でのエッチング工程に
あって、絶縁体膜が O原子を含む場合には、少なくとも
F,Cl,Br,Iの何れかを含むガス系のエッチング手段を用
い、また、絶縁体膜が O原子を含むか、もしくは、含ま
ない場合には、少なくとも F,Cl,Br,Iの何れかを含むガ
スに所要量のO2を添加したガス系のエッチング手段を用
いるようにしたものである。
に、この発明に係る半導体装置の製造における多層配線
構造の形成方法は、プラグ形成時でのエッチング工程に
あって、絶縁体膜が O原子を含む場合には、少なくとも
F,Cl,Br,Iの何れかを含むガス系のエッチング手段を用
い、また、絶縁体膜が O原子を含むか、もしくは、含ま
ない場合には、少なくとも F,Cl,Br,Iの何れかを含むガ
スに所要量のO2を添加したガス系のエッチング手段を用
いるようにしたものである。
【００１３】すなわち、この発明の第１の発明は、下層
導電体膜上の O原子を含む絶縁体膜にコンタクトホール
を開口させた状態で、まず、前記コンタクトホール内を
含む絶縁体膜上に中間導電体膜を被覆させると共に、少
なくとも当該絶縁体膜上の中間導電体膜のみをエッチン
グ除去して、コンタクトホール内に埋め込み導電体膜を
残し、ついで、前記コンタクトホール内の埋め込み導電
体膜を含む絶縁体膜上に上層導電体膜を形成して、これ
らの上層，下層の各導電体膜の相互を埋め込み導電体膜
によって電気的に導通させるようにした多層配線構造の
形成方法において、前記埋め込み導電体膜の形成過程に
おけるエッチング手段として、少なくとも F,Cl,Br,Iの
何れかを含むガス系を用いることを特徴とする半導体装
置の製造方法である。
導電体膜上の O原子を含む絶縁体膜にコンタクトホール
を開口させた状態で、まず、前記コンタクトホール内を
含む絶縁体膜上に中間導電体膜を被覆させると共に、少
なくとも当該絶縁体膜上の中間導電体膜のみをエッチン
グ除去して、コンタクトホール内に埋め込み導電体膜を
残し、ついで、前記コンタクトホール内の埋め込み導電
体膜を含む絶縁体膜上に上層導電体膜を形成して、これ
らの上層，下層の各導電体膜の相互を埋め込み導電体膜
によって電気的に導通させるようにした多層配線構造の
形成方法において、前記埋め込み導電体膜の形成過程に
おけるエッチング手段として、少なくとも F,Cl,Br,Iの
何れかを含むガス系を用いることを特徴とする半導体装
置の製造方法である。
【００１４】また、この発明の第２の発明は、下層導電
体膜上の絶縁体膜にコンタクトホールを開口させた状態
で、まず、前記コンタクトホール内を含む絶縁体膜上に
中間導電体膜を被覆させると共に、少なくとも当該絶縁
体膜上の中間導電体膜のみをエッチング除去して、コン
タクトホール内に埋め込み導電体膜を残し、ついで、前
記コンタクトホール内の埋め込み導電体膜を含む絶縁体
膜上に上層導電体膜を形成して、これらの上層，下層の
各導電体膜の相互を埋め込み導電体膜によって電気的に
導通させるようにした多層配線構造の形成方法におい
て、前記埋め込み導電体膜の形成過程におけるエッチン
グ手段として、少なくとも F,Cl,Br,Iの何れかを含むガ
スに所要量のO2を添加したガス系を用いることを特徴と
する半導体装置の製造方法である。
体膜上の絶縁体膜にコンタクトホールを開口させた状態
で、まず、前記コンタクトホール内を含む絶縁体膜上に
中間導電体膜を被覆させると共に、少なくとも当該絶縁
体膜上の中間導電体膜のみをエッチング除去して、コン
タクトホール内に埋め込み導電体膜を残し、ついで、前
記コンタクトホール内の埋め込み導電体膜を含む絶縁体
膜上に上層導電体膜を形成して、これらの上層，下層の
各導電体膜の相互を埋め込み導電体膜によって電気的に
導通させるようにした多層配線構造の形成方法におい
て、前記埋め込み導電体膜の形成過程におけるエッチン
グ手段として、少なくとも F,Cl,Br,Iの何れかを含むガ
スに所要量のO2を添加したガス系を用いることを特徴と
する半導体装置の製造方法である。
【００１５】
【作用】従って、この発明の第１の発明では、エッチン
グの進行に伴って酸素原子を含む絶縁体膜が露出される
と、少なくとも F,Cl,Br,Iの何れかを含むエッチングガ
スに、当該露出された絶縁体膜から排出される O原子が
添加されて、中間導電体膜のエッチング速度を低下させ
ることができ、埋め込み導電体膜を制御性よく形成し得
る。
グの進行に伴って酸素原子を含む絶縁体膜が露出される
と、少なくとも F,Cl,Br,Iの何れかを含むエッチングガ
スに、当該露出された絶縁体膜から排出される O原子が
添加されて、中間導電体膜のエッチング速度を低下させ
ることができ、埋め込み導電体膜を制御性よく形成し得
る。
【００１６】また、この発明の第２の発明では、エッチ
ング手段に、少なくとも F,Cl,Br,Iの何れかを含むガス
に所要量のO2を添加したガス系を用いており、 O原子を
含む絶縁体膜の場合、当該絶縁体膜が露出された時点
で、排出される O原子がエッチングガス中へさらに添加
されて、中間導電体膜のエッチング速度を低下でき、か
つ O原子を含まない絶縁体膜の場合には、エッチングの
当初から同様に中間導電体膜のエッチング速度が低下さ
れているために、埋め込み導電体膜を制御性よく形成し
得る。
ング手段に、少なくとも F,Cl,Br,Iの何れかを含むガス
に所要量のO2を添加したガス系を用いており、 O原子を
含む絶縁体膜の場合、当該絶縁体膜が露出された時点
で、排出される O原子がエッチングガス中へさらに添加
されて、中間導電体膜のエッチング速度を低下でき、か
つ O原子を含まない絶縁体膜の場合には、エッチングの
当初から同様に中間導電体膜のエッチング速度が低下さ
れているために、埋め込み導電体膜を制御性よく形成し
得る。
【００１７】
【実施例】以下，この発明に係る半導体装置の製造方
法，こゝでは、半導体装置の製造における多層配線構造
の形成方法の実施例につき、図１，および図２を参照し
て詳細に説明する。
法，こゝでは、半導体装置の製造における多層配線構造
の形成方法の実施例につき、図１，および図２を参照し
て詳細に説明する。
【００１８】この発明の一実施例方法においては、前記
図２(a) 工程後の同(b) 工程におけるエッチングに際し
て、HBr ガスにO2を添加したガス系を用いることで多結
晶シリコン膜４ａをエッチバックし、その後、同(c) 工
程を経て、同様に多層配線構造を形成するのである。
図２(a) 工程後の同(b) 工程におけるエッチングに際し
て、HBr ガスにO2を添加したガス系を用いることで多結
晶シリコン膜４ａをエッチバックし、その後、同(c) 工
程を経て、同様に多層配線構造を形成するのである。
【００１９】図１には、この発明の一実施例方法として
の，HBr ガスにO2を添加したガス系のエッチング手段を
用いた場合の多結晶シリコンにおけるエッチング速度の
O2添加量依存性をグラフによって示してある。
の，HBr ガスにO2を添加したガス系のエッチング手段を
用いた場合の多結晶シリコンにおけるエッチング速度の
O2添加量依存性をグラフによって示してある。
【００２０】すなわち、この図１からも明らかなよう
に、HBr ガスに対してO2を5%以上添加した場合には、そ
のエッチング速度が急激に低下し、10% 以上の添加で
は、エッチングが殆んど進行しないことが判る。
に、HBr ガスに対してO2を5%以上添加した場合には、そ
のエッチング速度が急激に低下し、10% 以上の添加で
は、エッチングが殆んど進行しないことが判る。
【００２１】こゝで、前記図２(b) 工程での絶縁体膜２
が、例えば、SiO2膜のような酸化物膜である場合には、
エッチング中に当該SiO2膜から O原子が排出されること
になる。そして、このために、前記のようにHBr ガスに
5%程度のO2を添加した条件のガス系を用いて多結晶シリ
コン膜４ａをエッチバックするときは、エッチングの進
行に伴い、コンタクトホール３以外の部分の多結晶シリ
コン膜４ａが除去，消失されて、絶縁体膜２としてのSi
O2膜が露出された時点で、当該SiO2膜から O原子が排出
されるため、結果的に、その後の多結晶シリコン膜４ａ
に対するエッチング速度が低下される。
が、例えば、SiO2膜のような酸化物膜である場合には、
エッチング中に当該SiO2膜から O原子が排出されること
になる。そして、このために、前記のようにHBr ガスに
5%程度のO2を添加した条件のガス系を用いて多結晶シリ
コン膜４ａをエッチバックするときは、エッチングの進
行に伴い、コンタクトホール３以外の部分の多結晶シリ
コン膜４ａが除去，消失されて、絶縁体膜２としてのSi
O2膜が露出された時点で、当該SiO2膜から O原子が排出
されるため、結果的に、その後の多結晶シリコン膜４ａ
に対するエッチング速度が低下される。
【００２２】従って、このようにHBr ガスに5%程度の微
量のO2を添加したガス系を用いたエッチングを行なうこ
とにより、コンタクトホール３以外の部分の多結晶シリ
コン膜４ａが消失した時点で、エッチング速度が低下す
るために、従来方法でのように、コンタクトホール３内
での埋め込み導電体膜としてのプラグ４までが、同等の
速度のまゝでエッチング除去されて了う惧れが解消され
て、そのエッチング制御が容易になる。
量のO2を添加したガス系を用いたエッチングを行なうこ
とにより、コンタクトホール３以外の部分の多結晶シリ
コン膜４ａが消失した時点で、エッチング速度が低下す
るために、従来方法でのように、コンタクトホール３内
での埋め込み導電体膜としてのプラグ４までが、同等の
速度のまゝでエッチング除去されて了う惧れが解消され
て、そのエッチング制御が容易になる。
【００２３】なお、前記実施例方法においては、埋め込
みプラグを形成するためのエッチングガスとして、HBr
ガスにO2を添加したガス系を用いる場合について述べた
が、実質的に、F,Cl,Br,I を含むガスにO2を添加したガ
ス系を用いる場合にも同様な作用，効果が得られる。
みプラグを形成するためのエッチングガスとして、HBr
ガスにO2を添加したガス系を用いる場合について述べた
が、実質的に、F,Cl,Br,I を含むガスにO2を添加したガ
ス系を用いる場合にも同様な作用，効果が得られる。
【００２４】また、前記実施例方法では、プラグを形成
する導電体膜として、これが多結晶シリコン膜である場
合について述べたが、W,Tiなどの金属膜であるとか、あ
るいは、WSix,TiSixなどのような金属のシリコン化合物
であってもよいことは勿論である。
する導電体膜として、これが多結晶シリコン膜である場
合について述べたが、W,Tiなどの金属膜であるとか、あ
るいは、WSix,TiSixなどのような金属のシリコン化合物
であってもよいことは勿論である。
【００２５】さらに、酸化物系絶縁体膜を有する場合で
のエッチング条件によっては、O2の添加量をより少なく
しても、ないしは、たとえO2を添加しなくても、当該酸
化物系絶縁体膜からの O原子の供給によって所要の作
用，効果が得られる。
のエッチング条件によっては、O2の添加量をより少なく
しても、ないしは、たとえO2を添加しなくても、当該酸
化物系絶縁体膜からの O原子の供給によって所要の作
用，効果が得られる。
【００２６】
【発明の効果】以上、実施例によって詳述したように、
この発明の第１の発明方法によれば、下層導電体膜上の
O原子を含む絶縁体膜にコンタクトホールを開口させ
て、このコンタクトホール内を含む絶縁体膜上に中間導
電体膜を被覆させ、かつ少なくとも絶縁体膜上の中間導
電体膜のみをエッチング除去して、コンタクトホール内
に埋め込み導電体膜を残し、さらに、コンタクトホール
内の埋め込み導電体膜を含む絶縁体膜上に上層導電体膜
を形成して、これらの上層，下層の各導電体膜の相互を
埋め込み導電体膜によって電気的に導通させるようにし
た多層配線構造の形成方法において、埋め込み導電体膜
の形成過程におけるエッチング手段として、少なくとも
F,Cl,Br,Iの何れかを含むガス系を用いるようにしたか
ら、エッチングの進行に伴い、 O原子を含む絶縁体膜が
露出された時点で、そのエッチングガスに、絶縁体膜か
ら排出される O原子が添加されることになり、この結
果，中間導電体膜のエッチング速度が低下されて、所要
の埋め込み導電体膜を極めて簡単に制御性よく形成し得
る。
この発明の第１の発明方法によれば、下層導電体膜上の
O原子を含む絶縁体膜にコンタクトホールを開口させ
て、このコンタクトホール内を含む絶縁体膜上に中間導
電体膜を被覆させ、かつ少なくとも絶縁体膜上の中間導
電体膜のみをエッチング除去して、コンタクトホール内
に埋め込み導電体膜を残し、さらに、コンタクトホール
内の埋め込み導電体膜を含む絶縁体膜上に上層導電体膜
を形成して、これらの上層，下層の各導電体膜の相互を
埋め込み導電体膜によって電気的に導通させるようにし
た多層配線構造の形成方法において、埋め込み導電体膜
の形成過程におけるエッチング手段として、少なくとも
F,Cl,Br,Iの何れかを含むガス系を用いるようにしたか
ら、エッチングの進行に伴い、 O原子を含む絶縁体膜が
露出された時点で、そのエッチングガスに、絶縁体膜か
ら排出される O原子が添加されることになり、この結
果，中間導電体膜のエッチング速度が低下されて、所要
の埋め込み導電体膜を極めて簡単に制御性よく形成し得
る。
【００２７】また、この発明の第２の発明によれば、前
記の多層配線構造の形成方法において、エッチング手段
に、少なくとも F,Cl,Br,Iの何れかを含むガスに所要量
のO2を添加したガス系を用いているために、O原子を含
む絶縁体膜の場合、この絶縁体膜が露出された時点で、
排出される O原子がエッチングガス中へさらに添加され
て、中間導電体膜のエッチング速度が低下され、かつ O
原子を含まない絶縁体膜の場合には、エッチングの当初
から中間導電体膜のエッチング速度が低下されることに
なって、同様に、所要の埋め込み導電体膜を極めて簡単
に制御性よく形成し得るのである。
記の多層配線構造の形成方法において、エッチング手段
に、少なくとも F,Cl,Br,Iの何れかを含むガスに所要量
のO2を添加したガス系を用いているために、O原子を含
む絶縁体膜の場合、この絶縁体膜が露出された時点で、
排出される O原子がエッチングガス中へさらに添加され
て、中間導電体膜のエッチング速度が低下され、かつ O
原子を含まない絶縁体膜の場合には、エッチングの当初
から中間導電体膜のエッチング速度が低下されることに
なって、同様に、所要の埋め込み導電体膜を極めて簡単
に制御性よく形成し得るのである。
【図１】この発明の一実施例方法によるHBr ガスにO2を
添加したガス系のエッチング手段を用いた場合の多結晶
シリコンにおけるエッチング速度のO2添加量依存性を示
すグラフである。
添加したガス系のエッチング手段を用いた場合の多結晶
シリコンにおけるエッチング速度のO2添加量依存性を示
すグラフである。
【図２】この発明の一実施例方法，および従来方法を含
む一般的な多層配線構造の形成方法の概要を主要な工程
順で模式的に示すそれぞれに断面図である。
む一般的な多層配線構造の形成方法の概要を主要な工程
順で模式的に示すそれぞれに断面図である。
【図３】従来方法でのコンタクトホール内をプラグによ
って埋め込まずに形成した多層配線構造の概要構成を模
式的に示す断面図である。
って埋め込まずに形成した多層配線構造の概要構成を模
式的に示す断面図である。
１ 下層導電体膜
２ 絶縁体膜
３ コンタクトホール
４ａ 多結晶シリコン膜
４ 埋め込みプラグ（埋め込み中間導電体膜）
５ 上層導電体膜
Claims (2)
- 【請求項１】 下層導電体膜上の O原子を含む絶縁体膜
にコンタクトホールを開口させた状態で、まず、前記コ
ンタクトホール内を含む絶縁体膜上に中間導電体膜を被
覆させると共に、少なくとも当該絶縁体膜上の中間導電
体膜のみをエッチング除去して、コンタクトホール内に
埋め込み導電体膜を残し、ついで、前記コンタクトホー
ル内の埋め込み導電体膜を含む絶縁体膜上に上層導電体
膜を形成して、これらの上層，下層の各導電体膜の相互
を埋め込み導電体膜により電気的に導通させるようにし
た多層配線構造の形成方法において、 前記埋め込み導電体膜の形成過程におけるエッチング手
段として、少なくともF,Cl,Br,Iの何れかを含むガス系
を用いることを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 【請求項２】 下層導電体膜上の絶縁体膜にコンタクト
ホールを開口させた状態で、まず、前記コンタクトホー
ル内を含む絶縁体膜上に中間導電体膜を被覆させると共
に、少なくとも当該絶縁体膜上の中間導電体膜のみをエ
ッチング除去して、コンタクトホール内に埋め込み導電
体膜を残し、ついで、前記コンタクトホール内の埋め込
み導電体膜を含む絶縁体膜上に上層導電体膜を形成し
て、これらの上層，下層の各導電体膜の相互を埋め込み
導電体膜により電気的に導通させるようにした多層配線
構造の形成方法において、 前記埋め込み導電体膜の形成過程におけるエッチング手
段として、少なくともF,Cl,Br,Iの何れかを含むガスに
所要量のO2を添加したガス系を用いることを特徴とする
半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18605091A JPH0529471A (ja) | 1991-07-25 | 1991-07-25 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18605091A JPH0529471A (ja) | 1991-07-25 | 1991-07-25 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0529471A true JPH0529471A (ja) | 1993-02-05 |
Family
ID=16181525
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18605091A Pending JPH0529471A (ja) | 1991-07-25 | 1991-07-25 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0529471A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07130711A (ja) * | 1993-11-02 | 1995-05-19 | Nec Corp | 半導体装置の製造方法 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55111134A (en) * | 1979-02-19 | 1980-08-27 | Mitsubishi Electric Corp | Method of gas plasma etching |
| JPS62174920A (ja) * | 1986-01-29 | 1987-07-31 | Hitachi Ltd | エツチング方法 |
| JPH0289310A (ja) * | 1988-09-27 | 1990-03-29 | Fujitsu Ltd | シリコン層のエッチング方法 |
| JPH03141641A (ja) * | 1989-10-26 | 1991-06-17 | Sony Corp | 半導体装置の製造方法 |
-
1991
- 1991-07-25 JP JP18605091A patent/JPH0529471A/ja active Pending
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JPS55111134A (en) * | 1979-02-19 | 1980-08-27 | Mitsubishi Electric Corp | Method of gas plasma etching |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JPH07130711A (ja) * | 1993-11-02 | 1995-05-19 | Nec Corp | 半導体装置の製造方法 |
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