JPH0536016A - 磁気ヘツド - Google Patents
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- JPH0536016A JPH0536016A JP3187367A JP18736791A JPH0536016A JP H0536016 A JPH0536016 A JP H0536016A JP 3187367 A JP3187367 A JP 3187367A JP 18736791 A JP18736791 A JP 18736791A JP H0536016 A JPH0536016 A JP H0536016A
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- Japan
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- magnetic
- film
- gap
- magnetic head
- glass
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 磁気記憶再生装置に用いる一対の磁気コアの
対向面に飽和磁束密度の高い金属磁性膜を形成したメタ
ンインタイプの磁気ヘッドにおいて、疑似ギャップがな
くギャップ接合強度を強くすることを目的とする。 【構成】 一対の磁気コア１，２の対向面に形成した金
属磁性膜３の上に室化アルミニウムまたは室化シリコン
等の室化膜４を形成することにより、室化膜４が、磁気
ギャップ材兼反応防止膜となり、金属磁性膜３と接着ガ
ラス６の相互反応・拡散を防止できる。
対向面に飽和磁束密度の高い金属磁性膜を形成したメタ
ンインタイプの磁気ヘッドにおいて、疑似ギャップがな
くギャップ接合強度を強くすることを目的とする。 【構成】 一対の磁気コア１，２の対向面に形成した金
属磁性膜３の上に室化アルミニウムまたは室化シリコン
等の室化膜４を形成することにより、室化膜４が、磁気
ギャップ材兼反応防止膜となり、金属磁性膜３と接着ガ
ラス６の相互反応・拡散を防止できる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、磁気記録再生装置に用
いる一対の磁気コアの突き合わせ面に飽和磁束密度の高
い金属磁性膜を形成したメタルインギャップ（Ｍｅｔａ
ｌ ｉｎ Ｇａｐ，以下ＭＩＧという）型の磁気ヘッド
に関する。
いる一対の磁気コアの突き合わせ面に飽和磁束密度の高
い金属磁性膜を形成したメタルインギャップ（Ｍｅｔａ
ｌ ｉｎ Ｇａｐ，以下ＭＩＧという）型の磁気ヘッド
に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年磁気記憶装置の高密度化にともな
い、高保磁力を有する薄膜媒体の実用化が進められてい
る。このため従来のフェライトヘッドでは対応が困難に
なり、ギャップ対向面に飽和磁束密度の高いＦｅ−Ａｌ
−Ｓｉ合金等の金属磁性膜を設けたＭＩＧ型の磁気ヘッ
ドの実用化が進んでいる。
い、高保磁力を有する薄膜媒体の実用化が進められてい
る。このため従来のフェライトヘッドでは対応が困難に
なり、ギャップ対向面に飽和磁束密度の高いＦｅ−Ａｌ
−Ｓｉ合金等の金属磁性膜を設けたＭＩＧ型の磁気ヘッ
ドの実用化が進んでいる。
【０００３】以下に従来のＭＩＧ型の磁気ヘッドについ
て説明する。図１２および図１３に示すようにスライダ
ーを主とする磁気コア１と巻線部を主とする磁気コア２
がＳｉＯ2等の非金属酸化物製の磁気ギャップ７を挟ん
で磁気回路を構成している。磁気コア１に対向する磁気
コア２の面にＦｅ−Ａｌ−Ｓｉ系合金などの金属磁性膜
３が配設され、磁気コア１と磁気コア２は接着ガラス６
で接合されている。
て説明する。図１２および図１３に示すようにスライダ
ーを主とする磁気コア１と巻線部を主とする磁気コア２
がＳｉＯ2等の非金属酸化物製の磁気ギャップ７を挟ん
で磁気回路を構成している。磁気コア１に対向する磁気
コア２の面にＦｅ−Ａｌ−Ｓｉ系合金などの金属磁性膜
３が配設され、磁気コア１と磁気コア２は接着ガラス６
で接合されている。
【０００４】上記の構成では、磁気コア２と金属磁性膜
３の界面に軟磁気特性の劣化した層が形成され、疑似ギ
ャップの原因となり、高密度化の際の大きな障壁となっ
ている。この疑似ギャップを回避する方法として種々の
方法が提案されているが、基本的には金属磁性膜３と磁
気コア２の材料の拡散を防止し、金属磁性膜３と磁気コ
ア２の界面の軟磁気特性を劣化させない対策がとられて
いる。
３の界面に軟磁気特性の劣化した層が形成され、疑似ギ
ャップの原因となり、高密度化の際の大きな障壁となっ
ている。この疑似ギャップを回避する方法として種々の
方法が提案されているが、基本的には金属磁性膜３と磁
気コア２の材料の拡散を防止し、金属磁性膜３と磁気コ
ア２の界面の軟磁気特性を劣化させない対策がとられて
いる。
【０００５】ＭＩＧ型の磁気ヘッドでは、日本応用磁気
学会誌、１３，８９−９４（１９８９）に述べられてい
るように金属磁性膜と磁気コアの界面に拡散防止層を設
けたり、ギャップの形成温度を下げる等の検討が行われ
ている。現在のギャップ形成の主流となっているガラス
融着法でギャップ形成を行う場合、ギャップ形成温度の
低下にともない接着ガラス６にはＰｂＯ系の低融点ガラ
スが用いられる。
学会誌、１３，８９−９４（１９８９）に述べられてい
るように金属磁性膜と磁気コアの界面に拡散防止層を設
けたり、ギャップの形成温度を下げる等の検討が行われ
ている。現在のギャップ形成の主流となっているガラス
融着法でギャップ形成を行う場合、ギャップ形成温度の
低下にともない接着ガラス６にはＰｂＯ系の低融点ガラ
スが用いられる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来の構成では接着ガラス６の低融点化にともないガラス
自体が脆くなり、加工工程での割れやクラックが多発
し、十分なギャップ接合強度が得られず信頼性が低くな
るという問題点、また磁気コア１と磁気コア２を接合す
る際に磁気ギャップ材であるＳｉＯ2薄膜７がＰｂＯ系
の接着ガラス６と反応して侵食されるとともに、金属磁
性膜３と接着ガラス６が反応して接着ガラス６に侵食が
生じてガラス自体の強度が低下し、磁気コア１と磁気コ
ア２の接合強度が弱くなるという問題点を有していた。
来の構成では接着ガラス６の低融点化にともないガラス
自体が脆くなり、加工工程での割れやクラックが多発
し、十分なギャップ接合強度が得られず信頼性が低くな
るという問題点、また磁気コア１と磁気コア２を接合す
る際に磁気ギャップ材であるＳｉＯ2薄膜７がＰｂＯ系
の接着ガラス６と反応して侵食されるとともに、金属磁
性膜３と接着ガラス６が反応して接着ガラス６に侵食が
生じてガラス自体の強度が低下し、磁気コア１と磁気コ
ア２の接合強度が弱くなるという問題点を有していた。
【０００７】本発明は、上記従来の問題点を解決するも
ので、高飽和磁束密度の金属磁性膜を用いたＭＩＧ型の
磁気ヘッドにおいて、疑似ギャップが生じなくギャップ
接合強度の強い磁気ヘッドを提供することを目的とす
る。
ので、高飽和磁束密度の金属磁性膜を用いたＭＩＧ型の
磁気ヘッドにおいて、疑似ギャップが生じなくギャップ
接合強度の強い磁気ヘッドを提供することを目的とす
る。
【０００８】
【課題を解決するための手段】この目的を達成するため
に本発明の磁気ヘッドは、一対の磁気コアのギャップ対
向面に飽和磁束密度の高い金属磁性膜を形成したＭＩＧ
型の磁気ヘッドにおいて、金属磁性膜の上に窒化膜を形
成し、さらにその上に鉛系のガラス薄膜を形成した構成
としたものである。
に本発明の磁気ヘッドは、一対の磁気コアのギャップ対
向面に飽和磁束密度の高い金属磁性膜を形成したＭＩＧ
型の磁気ヘッドにおいて、金属磁性膜の上に窒化膜を形
成し、さらにその上に鉛系のガラス薄膜を形成した構成
としたものである。
【０００９】
【作用】この構成によって、金属磁性膜と磁気コアの接
合用の接着ガラスが直接接触しないこととなり、金属磁
性膜と接着ガラスが反応しないこととなる。
合用の接着ガラスが直接接触しないこととなり、金属磁
性膜と接着ガラスが反応しないこととなる。
【００１０】
【実施例】以下本発明の一実施例について、図面を参照
しながら説明する。
しながら説明する。
【００１１】本発明の一実施例を示す図１および図２で
は、従来例と同一部品に同一番号を付して説明は省略す
る。
は、従来例と同一部品に同一番号を付して説明は省略す
る。
【００１２】図１および図２に示すように磁気コア１と
磁気コア２の対向面に磁気ギャップ材である窒化膜４お
よびガラス薄膜５を挟んで磁気回路を構成した磁気ヘッ
ドについて以下その製造方法を説明する。
磁気コア２の対向面に磁気ギャップ材である窒化膜４お
よびガラス薄膜５を挟んで磁気回路を構成した磁気ヘッ
ドについて以下その製造方法を説明する。
【００１３】Ｍｎ−Ｚｎフェライト等の高透磁率フェラ
イト製の磁気コア２の磁気コア１に対向する面上にスパ
ッタリング法によって、Ｆｅ−Ａｌ−Ｓｉ系合金の金属
磁性膜３を１〜４μｍの厚みで形成する。（なお、本実
施例で示したスパッタ条件は一例であり、各種の装置や
ターゲットに適した条件を設定する必要がある。）次
に、金属磁性膜３の上に、磁気ギャップとなるＡｌＮ，
ＳｉＮ，ＳｉＮＯ等の窒化膜４をスパッタリング法によ
り（表１）に示すスパッタ条件で、０.１〜０.２μｍの
厚みになるように形成する。
イト製の磁気コア２の磁気コア１に対向する面上にスパ
ッタリング法によって、Ｆｅ−Ａｌ−Ｓｉ系合金の金属
磁性膜３を１〜４μｍの厚みで形成する。（なお、本実
施例で示したスパッタ条件は一例であり、各種の装置や
ターゲットに適した条件を設定する必要がある。）次
に、金属磁性膜３の上に、磁気ギャップとなるＡｌＮ，
ＳｉＮ，ＳｉＮＯ等の窒化膜４をスパッタリング法によ
り（表１）に示すスパッタ条件で、０.１〜０.２μｍの
厚みになるように形成する。
【００１４】
【表１】
【００１５】さらにその上に、ＰｂＯ−ＳｉＯ2−Ｂ2Ｏ
3等の組成の鉛系ガラスのターゲットを使用し、Ａｒ圧
力４×１０-2Ｔｏｒｒ，ＲＦ投入電力２００Ｗ、基板温
度１００℃の条件でスパッタリング法により、０.０５
〜０.１μｍの厚みになるようにガラス薄膜５を形成す
る。
3等の組成の鉛系ガラスのターゲットを使用し、Ａｒ圧
力４×１０-2Ｔｏｒｒ，ＲＦ投入電力２００Ｗ、基板温
度１００℃の条件でスパッタリング法により、０.０５
〜０.１μｍの厚みになるようにガラス薄膜５を形成す
る。
【００１６】次に、スライダーを主とする磁気コア１と
金属磁性膜３の上に磁気ギャップとなる窒化膜４および
ガラス薄膜５を形成した磁気コア２を対向させ、磁気コ
ア１と磁気コア２にわたってＰｂＯ系の低融点の接着ガ
ラス６を付着させ磁気コア１と磁気コア２を接合する。
最後に磁気コア２に巻線を施して磁気ヘッドを完成させ
る。
金属磁性膜３の上に磁気ギャップとなる窒化膜４および
ガラス薄膜５を形成した磁気コア２を対向させ、磁気コ
ア１と磁気コア２にわたってＰｂＯ系の低融点の接着ガ
ラス６を付着させ磁気コア１と磁気コア２を接合する。
最後に磁気コア２に巻線を施して磁気ヘッドを完成させ
る。
【００１７】本実施例では、磁気ギャップとなる窒化膜
４およびガラス薄膜５は、金属磁性膜３のある磁気コア
２のみに形成する構成としたが、スライダーを主とする
磁気コア１と金属磁性膜３のある磁気コア２のギャップ
形成面上に必要とする厚みの半分ずつの厚みにわけて形
成しても良い。
４およびガラス薄膜５は、金属磁性膜３のある磁気コア
２のみに形成する構成としたが、スライダーを主とする
磁気コア１と金属磁性膜３のある磁気コア２のギャップ
形成面上に必要とする厚みの半分ずつの厚みにわけて形
成しても良い。
【００１８】本実施例の磁気ギャップに窒化膜４を形成
した磁気ヘッドと従来例の磁気ギャップにＳｉＯ2薄膜
７を形成した磁気ヘッドについて、金属磁性膜と磁気ギ
ャップ材との界面の各構成原子の拡散状況をサンプルに
ついて、Ｘ線光電子分光分析したデータをもとに説明す
る。
した磁気ヘッドと従来例の磁気ギャップにＳｉＯ2薄膜
７を形成した磁気ヘッドについて、金属磁性膜と磁気ギ
ャップ材との界面の各構成原子の拡散状況をサンプルに
ついて、Ｘ線光電子分光分析したデータをもとに説明す
る。
【００１９】従来例の磁気ギャップの組み合わせサンプ
ルとして、Ｍｎ−Ｚｎフェライト基板上にＦｅ−Ａｌ−
Ｓｉ系合金をスパッタリング法により厚み３.５μｍに
形成し、その上にＳｉＯ2を厚み０.１μｍ形成したもの
を第１のサンプルとし、この第１のサンプルについて５
５０℃の熱処理を行ったものを第２のサンプルとした。
本発明の実施例の磁気ギャップの組合せサンプルとし
て、Ｍｎ−Ｚｎフェライト基板上に、Ｆｅ−Ａｌ−Ｓｉ
系合金をスパッタリング法により厚み３.５μｍ形成し、
その上にＳｉＮを厚み０.１μｍ形成したものを第３の
サンプルとし、この第３のサンプルについて５５０℃の
熱処理を行ったものを第４のサンプルとした。第１〜第
４のサンプルをＳｉＯ2またはＳｉＮ膜表面からＸ線光
電子分光分析により、拡散、反応状態を観察し測定し
た。第１サンプルおよび第２のサンプルの測定結果を、
それぞれ図３および図４に、第３のサンプルおよび第４
のサンプルの測定結果をそれぞれ図５および図６に示
す。縦軸は各原子の強度、横軸はエッチング時間（分）
でこれは膜表面からの深さを示している。図３および図
４から明らかなように、５５０℃の熱処理を施すとＳｉ
Ｏ2とＦｅ−Ａｌ−Ｓｉ系合金膜界面でＡｌがＳｉＯ2側
へシフトしてきている様子が判る。
ルとして、Ｍｎ−Ｚｎフェライト基板上にＦｅ−Ａｌ−
Ｓｉ系合金をスパッタリング法により厚み３.５μｍに
形成し、その上にＳｉＯ2を厚み０.１μｍ形成したもの
を第１のサンプルとし、この第１のサンプルについて５
５０℃の熱処理を行ったものを第２のサンプルとした。
本発明の実施例の磁気ギャップの組合せサンプルとし
て、Ｍｎ−Ｚｎフェライト基板上に、Ｆｅ−Ａｌ−Ｓｉ
系合金をスパッタリング法により厚み３.５μｍ形成し、
その上にＳｉＮを厚み０.１μｍ形成したものを第３の
サンプルとし、この第３のサンプルについて５５０℃の
熱処理を行ったものを第４のサンプルとした。第１〜第
４のサンプルをＳｉＯ2またはＳｉＮ膜表面からＸ線光
電子分光分析により、拡散、反応状態を観察し測定し
た。第１サンプルおよび第２のサンプルの測定結果を、
それぞれ図３および図４に、第３のサンプルおよび第４
のサンプルの測定結果をそれぞれ図５および図６に示
す。縦軸は各原子の強度、横軸はエッチング時間（分）
でこれは膜表面からの深さを示している。図３および図
４から明らかなように、５５０℃の熱処理を施すとＳｉ
Ｏ2とＦｅ−Ａｌ−Ｓｉ系合金膜界面でＡｌがＳｉＯ2側
へシフトしてきている様子が判る。
【００２０】図５および図６から明らかなように、Ｓｉ
ＮとＦｅ−Ａｌ−Ｓｉ系合金膜界面では５５０℃の熱処
理を施してもＡｌのシフトはなく、ＳｉＮとＦｅ−Ａｌ
−Ｓｉ系合金膜は反応・拡散していないことが判る。次
に接着ガラス６と磁気ギャップ材との反応・拡散状態に
ついて説明する。従来例のサンプルとしてＭｎ−Ｚｎフ
ェライト基板上にＦｅ−Ａｌ−Ｓｉ系合金をスパッタリ
ング法により厚み３.５μｍ形成し、その上にＳｉＯ2を
厚み０.１μｍ、ガラス薄膜５を厚み０.０５μｍ形成
し、さらにその上に接着ガラス６と同一成分のターゲッ
トを用いて接着ガラス６を厚み０.１μｍ形成し、５５
０℃の熱処理を施して第５のサンプルを作成した。一
方、本発明の実施例のサンプルとして第５のサンプルの
ＳｉＯ2をＡｌＮに変更して他は同条件で第６のサンプ
ルを作成した。第５のサンプルおよび第６のサンプルの
Ｘ線光電子分光分析の測定結果をそれぞれ図７、および
図８に示す。図７から明らかなようにギャップ材にＳｉ
Ｏ2を用いた場合には、接着ガラス６とギャップ材は反
応・拡散して混合してしまうことが判る。一方、ギャッ
プ材にＡｌＮを用いた場合には図８から明らかなよう
に、接着ガラス６とギャップ材は反応・拡散していない
ことが判る。以上のようにギャップ材にＡｌＮ等の窒化
膜４を用いることで金属磁性膜３とギャップ材の室化膜
４または接着ガラス６の界面近傍での拡散・反応は防止
できる。
ＮとＦｅ−Ａｌ−Ｓｉ系合金膜界面では５５０℃の熱処
理を施してもＡｌのシフトはなく、ＳｉＮとＦｅ−Ａｌ
−Ｓｉ系合金膜は反応・拡散していないことが判る。次
に接着ガラス６と磁気ギャップ材との反応・拡散状態に
ついて説明する。従来例のサンプルとしてＭｎ−Ｚｎフ
ェライト基板上にＦｅ−Ａｌ−Ｓｉ系合金をスパッタリ
ング法により厚み３.５μｍ形成し、その上にＳｉＯ2を
厚み０.１μｍ、ガラス薄膜５を厚み０.０５μｍ形成
し、さらにその上に接着ガラス６と同一成分のターゲッ
トを用いて接着ガラス６を厚み０.１μｍ形成し、５５
０℃の熱処理を施して第５のサンプルを作成した。一
方、本発明の実施例のサンプルとして第５のサンプルの
ＳｉＯ2をＡｌＮに変更して他は同条件で第６のサンプ
ルを作成した。第５のサンプルおよび第６のサンプルの
Ｘ線光電子分光分析の測定結果をそれぞれ図７、および
図８に示す。図７から明らかなようにギャップ材にＳｉ
Ｏ2を用いた場合には、接着ガラス６とギャップ材は反
応・拡散して混合してしまうことが判る。一方、ギャッ
プ材にＡｌＮを用いた場合には図８から明らかなよう
に、接着ガラス６とギャップ材は反応・拡散していない
ことが判る。以上のようにギャップ材にＡｌＮ等の窒化
膜４を用いることで金属磁性膜３とギャップ材の室化膜
４または接着ガラス６の界面近傍での拡散・反応は防止
できる。
【００２１】これらのことにより、ギャップ材として用
いた室化膜４は金属磁性膜３と接着ガラス６の反応防止
膜として働き、金属磁性膜３による接着ガラス６の還元
作用が防止され、ガラスの劣化がなく加工時に磁気コア
２のマイクロクラックの発生もない接合強度の強い磁気
ヘッドが得られる。
いた室化膜４は金属磁性膜３と接着ガラス６の反応防止
膜として働き、金属磁性膜３による接着ガラス６の還元
作用が防止され、ガラスの劣化がなく加工時に磁気コア
２のマイクロクラックの発生もない接合強度の強い磁気
ヘッドが得られる。
【００２２】本実施例の磁気ヘッド試料Ｎｏ４〜６の接
着強度と従来例の磁気ヘッド試料Ｎｏ１〜３ の接着強
度およびコイルはずれ不良率を（表２）に比較して示し
ている。
着強度と従来例の磁気ヘッド試料Ｎｏ１〜３ の接着強
度およびコイルはずれ不良率を（表２）に比較して示し
ている。
【００２３】
【表２】
【００２４】接着強度は、図９に示したように幅寸法ｌ
を３００μｍにスライスしたダミーヘッド８を作成し、
引張試験機９により測定した値で、（表２）のＮは試料
数、Ｘは平均値（単位ｇ）σN-1は標準偏差値である。
を３００μｍにスライスしたダミーヘッド８を作成し、
引張試験機９により測定した値で、（表２）のＮは試料
数、Ｘは平均値（単位ｇ）σN-1は標準偏差値である。
【００２５】この（表２）から明らかなように、実施例
による磁気ヘッドは、磁気コア１，２の接合温度が５０
０℃の低温でも強固な接着強度を示し、接着強度と同様
にコイルはずれの不良率の著しく良化して優れた効果が
得られることが判る。
による磁気ヘッドは、磁気コア１，２の接合温度が５０
０℃の低温でも強固な接着強度を示し、接着強度と同様
にコイルはずれの不良率の著しく良化して優れた効果が
得られることが判る。
【００２６】次に本実施例の試料Ｎｏ４の磁気ヘッドと
従来例の試料Ｎｏ１の磁気ヘッドの接着ガラス６を側面
から偏光顕微鏡で観察した結果を図１０と図１１に示
す。図１０の従来例の磁気ヘッドでは金属磁性膜３の近
傍に気泡１０が多く発生しているのに対し、図１１の本
実施例の磁気ヘッドでは気泡１０の発生すなわちガラス
の劣化が少ないことが判る。
従来例の試料Ｎｏ１の磁気ヘッドの接着ガラス６を側面
から偏光顕微鏡で観察した結果を図１０と図１１に示
す。図１０の従来例の磁気ヘッドでは金属磁性膜３の近
傍に気泡１０が多く発生しているのに対し、図１１の本
実施例の磁気ヘッドでは気泡１０の発生すなわちガラス
の劣化が少ないことが判る。
【００２７】以上のように本実施例によれば、ＡｌＮま
たはＳｉＮの窒化膜４をギャップ材として設けることに
より、金属磁性膜３と接着ガラス６の相互拡散を防止で
き、磁気コア１，２の接合温度が５５０℃以下の低温形
成でも十分なギャップ接合強度が得られる。従って磁気
コア１，２の接合温度の低温化が図れ、ギャップ接合強
度が強く、磁気特性の優れた高性能磁気ヘッドを高歩留
りで容易に得ることができる。
たはＳｉＮの窒化膜４をギャップ材として設けることに
より、金属磁性膜３と接着ガラス６の相互拡散を防止で
き、磁気コア１，２の接合温度が５５０℃以下の低温形
成でも十分なギャップ接合強度が得られる。従って磁気
コア１，２の接合温度の低温化が図れ、ギャップ接合強
度が強く、磁気特性の優れた高性能磁気ヘッドを高歩留
りで容易に得ることができる。
【００２８】なお、本実施例では、片方の磁気コア２に
金属磁性膜３が形成された磁気ヘッドについて説明した
が、両方の磁気コア１および２に金属磁性膜３が形成さ
れた磁気ヘッドにも応用でき、この場合はよりいっそう
優れた効果を得ることができる。
金属磁性膜３が形成された磁気ヘッドについて説明した
が、両方の磁気コア１および２に金属磁性膜３が形成さ
れた磁気ヘッドにも応用でき、この場合はよりいっそう
優れた効果を得ることができる。
【００２９】
【発明の効果】以上の実施例の説明からも明らかなよう
に本発明は、一対の磁気コアの対向面に飽和磁気密度の
高い金属磁性膜を形成したＭＩＧ型の磁気ヘッドにおい
て、金属磁性膜の上に窒化膜を形成し、さらにその上に
鉛系のガラス薄膜を形成した構成により、疑似ギャップ
をなくすることができ、ギャップ接合強度の強い優れた
磁気ヘッドを実現できるものである。
に本発明は、一対の磁気コアの対向面に飽和磁気密度の
高い金属磁性膜を形成したＭＩＧ型の磁気ヘッドにおい
て、金属磁性膜の上に窒化膜を形成し、さらにその上に
鉛系のガラス薄膜を形成した構成により、疑似ギャップ
をなくすることができ、ギャップ接合強度の強い優れた
磁気ヘッドを実現できるものである。
【図１】本発明の一実施例の磁気ヘッドの要部斜視図
【図２】図１のＡ−Ａ断面図
【図３】ＳｉＯ2とＦｅＡｌＳｉ系合金の界面の反応・
拡散状態を示したＸ線光電子分光分析のグラフ
拡散状態を示したＸ線光電子分光分析のグラフ
【図４】５５０℃で熱処理したＳｉＯ2とＦｅＡｌＳｉ
系合金の界面の反応・拡散状態を示したＸ線光電子分光
分析のグラフ
系合金の界面の反応・拡散状態を示したＸ線光電子分光
分析のグラフ
【図５】ＳｉＮとＦｅＡｌＳｉ系合金の界面の反応・拡
散状態を示したＸ線光電子分光分析のグラフ
散状態を示したＸ線光電子分光分析のグラフ
【図６】５５０℃で熱処理したＳｉＮとＦｅＡｌＳｉ系
合金の界面の反応・拡散状態を示したＸ線光電子分光分
析のグラフ
合金の界面の反応・拡散状態を示したＸ線光電子分光分
析のグラフ
【図７】接着ガラスとＳｉＯ2の界面の反応・拡散状態
を示したＸ線光電子分光分析のグラフ
を示したＸ線光電子分光分析のグラフ
【図８】接着ガラスとＡｌＮの界面の反応・拡散状態を
示したＸ線光電子分光分析のグラフ
示したＸ線光電子分光分析のグラフ
【図９】磁気ヘッドの接着強度の試験方法の概念を示し
た斜視図
た斜視図
【図１０】従来の磁気ヘッドの接着ガラスの気泡の発生
状態を偏光顕微鏡による観察結果で示した要部断面図
状態を偏光顕微鏡による観察結果で示した要部断面図
【図１１】本発明の一実施例の磁気ヘッドの接着ガラス
の気泡の発生状態を偏光顕微鏡による観察結果で示した
要部断面図
の気泡の発生状態を偏光顕微鏡による観察結果で示した
要部断面図
【図１２】従来の磁気ヘッドの要部斜視図
【図１３】図１２のＢ−Ｂ断面図
１，２ 磁気コア
４ 窒化膜
５ ガラス膜
Claims (2)
- 【請求項１】 一対の磁気コアで形成したギャップの対
向面に飽和磁束密度の高い金属磁性膜とギャップ材を配
設して接合した磁気ヘッドであって、前記金属磁性膜の
上にＡｌＮまたはＳｉＮのいずれかの窒化膜を形成し、
かつ前記室化膜の上にガラス薄膜を形成して、前記窒化
膜と前記ガラス薄膜でギャップ長を規定した磁気ヘッ
ド。 - 【請求項２】 金属磁性膜はＦｅ−Ａｌ−Ｓｉ系合金で
ある請求項１記載の磁気ヘッド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3187367A JPH0536016A (ja) | 1991-07-26 | 1991-07-26 | 磁気ヘツド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3187367A JPH0536016A (ja) | 1991-07-26 | 1991-07-26 | 磁気ヘツド |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0536016A true JPH0536016A (ja) | 1993-02-12 |
Family
ID=16204761
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3187367A Pending JPH0536016A (ja) | 1991-07-26 | 1991-07-26 | 磁気ヘツド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0536016A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7037735B2 (en) | 1991-04-02 | 2006-05-02 | Hitachi, Ltd. | Apparatus and method for testing defects |
-
1991
- 1991-07-26 JP JP3187367A patent/JPH0536016A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7037735B2 (en) | 1991-04-02 | 2006-05-02 | Hitachi, Ltd. | Apparatus and method for testing defects |
| US7098055B2 (en) | 1991-04-02 | 2006-08-29 | Hitachi, Ltd. | Apparatus and method for testing defects |
| US7443496B2 (en) | 1991-04-02 | 2008-10-28 | Hitachi, Ltd. | Apparatus and method for testing defects |
| US7639350B2 (en) | 1991-04-02 | 2009-12-29 | Hitachi, Ltd | Apparatus and method for testing defects |
| US7692779B2 (en) | 1991-04-02 | 2010-04-06 | Hitachi, Ltd. | Apparatus and method for testing defects |
| US7940383B2 (en) | 1991-04-02 | 2011-05-10 | Hitachi, Ltd. | Method of detecting defects on an object |
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