JPH0541377A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPH0541377A JPH0541377A JP19634491A JP19634491A JPH0541377A JP H0541377 A JPH0541377 A JP H0541377A JP 19634491 A JP19634491 A JP 19634491A JP 19634491 A JP19634491 A JP 19634491A JP H0541377 A JPH0541377 A JP H0541377A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- metal wiring
- pellet
- semiconductor
- semiconductor device
- film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【構成】電源線やＧＮＤ線のように半導体ペレットの周
辺部に配置される金属配線１の下部に、フィールド酸化
膜３などによる段差を設ける。 【効果】段差部で金属配線に加わる横方向の応力をささ
えるのでパッシベーション膜のクラックなどを防止でき
る。
辺部に配置される金属配線１の下部に、フィールド酸化
膜３などによる段差を設ける。 【効果】段差部で金属配線に加わる横方向の応力をささ
えるのでパッシベーション膜のクラックなどを防止でき
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体装置に関し、特に
半導体ペレットの周辺部に配置した金属配線部の構造に
関する。
半導体ペレットの周辺部に配置した金属配線部の構造に
関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の半導体装置では、図３に示すよう
に、金属配線はＬＯＣＯＳ法により形成した厚いフィー
ルド酸化膜２３上に複数の層間絶縁膜を積層した平坦部
に配置されることが多く、特に半導体ペレットの周辺部
に配置される信号線のバスラインや、電源線、ＧＮＤ線
として使用される金属配線は、回路ブロックの入出力線
となるポリシリコン配線やシリサイド配線の引き込み線
と交差する以外には、下地に凹凸のない平坦部に配置さ
れていた。
に、金属配線はＬＯＣＯＳ法により形成した厚いフィー
ルド酸化膜２３上に複数の層間絶縁膜を積層した平坦部
に配置されることが多く、特に半導体ペレットの周辺部
に配置される信号線のバスラインや、電源線、ＧＮＤ線
として使用される金属配線は、回路ブロックの入出力線
となるポリシリコン配線やシリサイド配線の引き込み線
と交差する以外には、下地に凹凸のない平坦部に配置さ
れていた。
【０００３】金属配線上には物理的な衝撃や水分の侵入
による化学的な侵蝕から配線を保護するための、ＳｉＯ
2 やＰＳＧ膜、Ｓｉ3 Ｎ4 膜ＳｉＯＮなどで形成される
パッシベーション膜２４が設けられている。
による化学的な侵蝕から配線を保護するための、ＳｉＯ
2 やＰＳＧ膜、Ｓｉ3 Ｎ4 膜ＳｉＯＮなどで形成される
パッシベーション膜２４が設けられている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】この従来の半導体装置
では、モールドパッケージに組み立てた場合、周囲の温
度変化に対する耐量を調べる温度サイクル試験を行なう
と、パッシベーション膜は封入樹脂と半導体ペレットと
で熱膨張率が異なるため、温度変化により封入樹脂と半
導体ペレットの界面に発生したズレ応力により、ペレッ
トコーナー部や、ペレット周辺部でパッシベーション膜
のクラックが発生し、耐湿性の低下をまねくという問題
があった。さらにひどい場合には、金属配線がずれたり
する不良もあった。
では、モールドパッケージに組み立てた場合、周囲の温
度変化に対する耐量を調べる温度サイクル試験を行なう
と、パッシベーション膜は封入樹脂と半導体ペレットと
で熱膨張率が異なるため、温度変化により封入樹脂と半
導体ペレットの界面に発生したズレ応力により、ペレッ
トコーナー部や、ペレット周辺部でパッシベーション膜
のクラックが発生し、耐湿性の低下をまねくという問題
があった。さらにひどい場合には、金属配線がずれたり
する不良もあった。
【０００５】この不良は、集積度の向上と共にペレット
サイズが大きくなるほど顕著になってきており、信頼性
が悪化する、あるいはペレットコーナー部や周辺部に
は、金属配線を配置できないという不都合が生じてい
た。
サイズが大きくなるほど顕著になってきており、信頼性
が悪化する、あるいはペレットコーナー部や周辺部に
は、金属配線を配置できないという不都合が生じてい
た。
【０００６】例えばペレットサイズが６μｍ×１５μｍ
の場合、ペレットコーナー部から４００μｍ以内、ペレ
ットの辺から１００μｍ以内に金属配線を配置すること
ができないので、半導体ペレットの面積効率がよくない
という問題点があった。
の場合、ペレットコーナー部から４００μｍ以内、ペレ
ットの辺から１００μｍ以内に金属配線を配置すること
ができないので、半導体ペレットの面積効率がよくない
という問題点があった。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明は、半導体ペレッ
トの絶縁膜上に設けられた金属配線と、前記金属配線を
覆うパッシベーション膜とを有する半導体装置におい
て、前記半導体ペレットの周辺部の前記金属配線の下部
に段差を設けたというものである。
トの絶縁膜上に設けられた金属配線と、前記金属配線を
覆うパッシベーション膜とを有する半導体装置におい
て、前記半導体ペレットの周辺部の前記金属配線の下部
に段差を設けたというものである。
【０００８】
【実施例】次に本発明の実施例について図面を参照して
説明する。
説明する。
【０００９】図１は本発明の第１の実施例の半導体ペレ
ットの断面図である。１は金属配線，２は半導体基板，
３はフィールド酸化膜，４は層間膜、５はパッシベーシ
ョン膜を示す。
ットの断面図である。１は金属配線，２は半導体基板，
３はフィールド酸化膜，４は層間膜、５はパッシベーシ
ョン膜を示す。
【００１０】本実施例では、半導体基板２上に形成され
たフィールド酸化膜３を局所的に形成しないことにより
凹部を設け、その凹部によってできた段差上に、電源配
線などの金属配線１を形成してある。樹脂と半導体ペレ
ットの界面で生じる横方向のズレ応力を、段差部で受け
とめることによりパッシベーション膜５のクラックの発
生を防止し、さらに金属配線１のズレを防ぐことができ
る。従って、半導体装置の信頼性の改善ができる。ある
いは、ペレットコーナー部から４００μｍ以内、ペレッ
トの辺から１００μｍ以内の周辺部に金属配線を設ける
ことが可能となり、半導体ペレットの面積効率を改善も
可能である。
たフィールド酸化膜３を局所的に形成しないことにより
凹部を設け、その凹部によってできた段差上に、電源配
線などの金属配線１を形成してある。樹脂と半導体ペレ
ットの界面で生じる横方向のズレ応力を、段差部で受け
とめることによりパッシベーション膜５のクラックの発
生を防止し、さらに金属配線１のズレを防ぐことができ
る。従って、半導体装置の信頼性の改善ができる。ある
いは、ペレットコーナー部から４００μｍ以内、ペレッ
トの辺から１００μｍ以内の周辺部に金属配線を設ける
ことが可能となり、半導体ペレットの面積効率を改善も
可能である。
【００１１】なお、前述の凹部は、金属配線１の幅の半
分程度の幅で、金属配線に沿った溝にしてもよいが、必
ずしも連続した溝とする必要はない。
分程度の幅で、金属配線に沿った溝にしてもよいが、必
ずしも連続した溝とする必要はない。
【００１２】図２は本発明の第２の実施例の半導体ペレ
ットの断面図である。１１は金属配線，１２は半導体基
板，１３はフィールド酸化膜，１４は層間膜，１５はパ
ッシベーション膜，１６は多結晶シリコン膜を示す。
ットの断面図である。１１は金属配線，１２は半導体基
板，１３はフィールド酸化膜，１４は層間膜，１５はパ
ッシベーション膜，１６は多結晶シリコン膜を示す。
【００１３】本実施例では、半導体基板１２上に金属配
線１１より幅の細い、厚さ０．２μｍ程度の多結晶シリ
コン膜１３を形成し、その上をおおうように金属配線１
１を形成する。多結晶シリコン膜１３による段差によ
り、樹脂とペレットの界面で生じる横方向にズレ応力を
段差部で受けとめることにより、パッシベーション膜の
クラックを防止し、さらに金属配線１１のズレを防ぐこ
とができる。また、多結晶シリコン膜１３ではなくて
も、金属配線１１の下層に設けられるものであれば絶縁
膜でもよい。
線１１より幅の細い、厚さ０．２μｍ程度の多結晶シリ
コン膜１３を形成し、その上をおおうように金属配線１
１を形成する。多結晶シリコン膜１３による段差によ
り、樹脂とペレットの界面で生じる横方向にズレ応力を
段差部で受けとめることにより、パッシベーション膜の
クラックを防止し、さらに金属配線１１のズレを防ぐこ
とができる。また、多結晶シリコン膜１３ではなくて
も、金属配線１１の下層に設けられるものであれば絶縁
膜でもよい。
【００１４】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、応力集中
の大きいペレット周辺部の金属配線の下に、少なくとも
１つの段差を設けることにより、段差部で金属配線に加
わる横方向の応力をささえるので、パッシベーション膜
のクラックや金属配線のズレ等を防ぐことができ、半導
体ペレットの面積効率の改善あるいは半導体装置の信頼
性の向上がもたらされる効果がある。
の大きいペレット周辺部の金属配線の下に、少なくとも
１つの段差を設けることにより、段差部で金属配線に加
わる横方向の応力をささえるので、パッシベーション膜
のクラックや金属配線のズレ等を防ぐことができ、半導
体ペレットの面積効率の改善あるいは半導体装置の信頼
性の向上がもたらされる効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施例を示す断面図である。
【図２】本発明の第２の実施例を示す断面図である。
【図３】従来例を示す断面図である。
１，１１，２１ 金属配線 ２，１２，２２ 半導体基板 ３，１３，２３ フィールド酸化膜 ４，１４ 層間膜 ５，１５，２４ パッシベーション膜 １６ 多結晶シリコン膜
Claims (2)
- 【請求項１】 半導体ペレットの絶縁膜上に設けられた
金属配線と、前記金属配線を覆うパッシベーション膜と
を有する半導体装置において、前記半導体ペレットの周
辺部の前記金属配線の下部に段差を設けたことを特徴と
する半導体装置。 - 【請求項２】 フィールド酸化膜に局所的に形成した凹
部による段差部を覆って金属配線を設けた請求項１記載
の半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19634491A JPH0541377A (ja) | 1991-08-06 | 1991-08-06 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19634491A JPH0541377A (ja) | 1991-08-06 | 1991-08-06 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0541377A true JPH0541377A (ja) | 1993-02-19 |
Family
ID=16356277
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19634491A Pending JPH0541377A (ja) | 1991-08-06 | 1991-08-06 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0541377A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007012712A (ja) * | 2005-06-28 | 2007-01-18 | Rohm Co Ltd | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
| JP2009027139A (ja) * | 2007-04-30 | 2009-02-05 | Infineon Technologies Ag | 固定用構造および嵌合構造 |
| US8575764B2 (en) | 2004-11-16 | 2013-11-05 | Rohm Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device |
| US9076821B2 (en) | 2007-04-30 | 2015-07-07 | Infineon Technologies Ag | Anchoring structure and intermeshing structure |
| CN119517844A (zh) * | 2025-01-21 | 2025-02-25 | 粤芯半导体技术股份有限公司 | 一种半导体器件及其制备方法 |
-
1991
- 1991-08-06 JP JP19634491A patent/JPH0541377A/ja active Pending
Cited By (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9601441B2 (en) | 2004-11-16 | 2017-03-21 | Rohm Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device |
| US12057362B2 (en) | 2004-11-16 | 2024-08-06 | Rohm Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device |
| US9111819B2 (en) | 2004-11-16 | 2015-08-18 | Rohm Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device |
| US8575764B2 (en) | 2004-11-16 | 2013-11-05 | Rohm Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device |
| US8786106B2 (en) | 2004-11-16 | 2014-07-22 | Rohm Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device |
| US8928156B2 (en) | 2004-11-16 | 2015-01-06 | Rohm Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device |
| US9312228B2 (en) | 2004-11-16 | 2016-04-12 | Rohm Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device |
| US11069591B2 (en) | 2004-11-16 | 2021-07-20 | Rohm Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device |
| US10431516B2 (en) | 2004-11-16 | 2019-10-01 | Rohm Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device |
| JP2007012712A (ja) * | 2005-06-28 | 2007-01-18 | Rohm Co Ltd | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
| JP2009027139A (ja) * | 2007-04-30 | 2009-02-05 | Infineon Technologies Ag | 固定用構造および嵌合構造 |
| US9076821B2 (en) | 2007-04-30 | 2015-07-07 | Infineon Technologies Ag | Anchoring structure and intermeshing structure |
| JP2012119711A (ja) * | 2007-04-30 | 2012-06-21 | Infineon Technologies Ag | 固定用構造および嵌合構造 |
| CN119517844A (zh) * | 2025-01-21 | 2025-02-25 | 粤芯半导体技术股份有限公司 | 一种半导体器件及其制备方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4625227A (en) | Resin molded type semiconductor device having a conductor film | |
| US5371411A (en) | Resin molded type semiconductor device having a conductor film | |
| US9041160B2 (en) | Semiconductor integrated circuit device | |
| HK20793A (en) | Electronic device having a multi-layer wiring structure | |
| JPH0541377A (ja) | 半導体装置 | |
| US20070284749A1 (en) | Semiconductor device having no cracks in one or more layers underlying a metal line layer and method of manufacturing the same | |
| US5552639A (en) | Resin molded type semiconductor device having a conductor film | |
| JP2010034560A (ja) | 半導体モジュール、および電子回路を製造するための方法 | |
| JPH05218015A (ja) | 半導体装置 | |
| JPS6325951A (ja) | 半導体装置 | |
| JP2737952B2 (ja) | 半導体装置 | |
| JP2533293B2 (ja) | 樹脂封止型半導体装置の製造方法 | |
| JPH0567689A (ja) | 多層配線部材及び半導体装置の製造方法 | |
| JP2990322B2 (ja) | 半導体装置 | |
| KR100187724B1 (ko) | 고 방열 구조를 갖는 반도체 칩 | |
| JPH0513678A (ja) | 半導体装置 | |
| US20090096107A1 (en) | Semiconductor integrated circuit device | |
| JPS6352466A (ja) | 半導体集積回路装置 | |
| KR20050097142A (ko) | 반도체 소자의 칩가드부 | |
| JPH05109937A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP2000091338A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
| JPH01309333A (ja) | 樹脂封止型半導体装置 | |
| JPH0684899A (ja) | 樹脂封止型半導体装置 | |
| JPH0265259A (ja) | 樹脂封止型半導体装置 | |
| JPH05206137A (ja) | 樹脂封止型半導体装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 19991130 |