JPH0541562Y2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH0541562Y2 JPH0541562Y2 JP5451787U JP5451787U JPH0541562Y2 JP H0541562 Y2 JPH0541562 Y2 JP H0541562Y2 JP 5451787 U JP5451787 U JP 5451787U JP 5451787 U JP5451787 U JP 5451787U JP H0541562 Y2 JPH0541562 Y2 JP H0541562Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- cooling body
- gto thyristor
- snubber
- snubber diode
- thyristor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims description 22
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 8
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000000498 cooling water Substances 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Description
【考案の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本考案は、電力用半導体素子用冷却体に関する
ものである。
ものである。
ゲートターンオフサイリスタ（以下GTOサイ
リスタと称す）のスナバ回路は、第５図に示すよ
うにスナバダイオード２とスナバコンデンサ３の
直列回路をGTOサイリスタ１と並列接続し、さ
らにスナバコンデンサ３の放電抵抗としてスナバ
ダイオード２と並列にスナバ抵抗４を接続して形
成される。このような回路で、インダクタンスls
は、GTOサイリスタ１、スナバダイオード２お
よびスナバコンデンサ３の直列回路の配線インダ
クタンスである。
リスタと称す）のスナバ回路は、第５図に示すよ
うにスナバダイオード２とスナバコンデンサ３の
直列回路をGTOサイリスタ１と並列接続し、さ
らにスナバコンデンサ３の放電抵抗としてスナバ
ダイオード２と並列にスナバ抵抗４を接続して形
成される。このような回路で、インダクタンスls
は、GTOサイリスタ１、スナバダイオード２お
よびスナバコンデンサ３の直列回路の配線インダ
クタンスである。
GTOサイリスタ１をゲートターンオフさせる
と、前記配線インダクタンスlsにスパイク状の電
圧が発生し、この電圧がGTOサイリスタ１のア
ノード、カソード間に印加される。かかるスパイ
ク状の電圧が大きいとGTOサイリスタ１を破損
させてしまうので、配線インダクタンスlsは極力
小さく（例0.4μH以下）する必要がある。
と、前記配線インダクタンスlsにスパイク状の電
圧が発生し、この電圧がGTOサイリスタ１のア
ノード、カソード間に印加される。かかるスパイ
ク状の電圧が大きいとGTOサイリスタ１を破損
させてしまうので、配線インダクタンスlsは極力
小さく（例0.4μH以下）する必要がある。
一方、GTOサイリスタ１とスナバダイオード
２はそれぞれ冷却体を必要とするが、大容量
（2.5KV1KA以上）のGTOサイリスタは通常平形
であり、そのスナバダイオード２はスタツド形で
あるので、従来はそれぞれ別々の風冷式冷却フイ
ンによつて冷却を行つていた。
２はそれぞれ冷却体を必要とするが、大容量
（2.5KV1KA以上）のGTOサイリスタは通常平形
であり、そのスナバダイオード２はスタツド形で
あるので、従来はそれぞれ別々の風冷式冷却フイ
ンによつて冷却を行つていた。
このようにGTOサイリスタ１とスナバダイオ
ード２とに別々に冷却フインを設けているので
は、装置全体がスペースを占めるものとなる。ま
た、特にGTOサイリスタの場合は、前記のごと
くサイリスタとその他の素子とが離れると回路上
の配線インダクタンスが大きくなつて好しくな
い。
ード２とに別々に冷却フインを設けているので
は、装置全体がスペースを占めるものとなる。ま
た、特にGTOサイリスタの場合は、前記のごと
くサイリスタとその他の素子とが離れると回路上
の配線インダクタンスが大きくなつて好しくな
い。
なお、GTOサイリスタとその他の素子とに共
通の冷却フアンを取付けたものとして、実公昭57
−23895号公報があるが、風冷式の冷却フインで
はそのものが大きいために小形化することは困難
である。また、形状からして、スタツド型の半導
体素子の取付けには適さない。
通の冷却フアンを取付けたものとして、実公昭57
−23895号公報があるが、風冷式の冷却フインで
はそのものが大きいために小形化することは困難
である。また、形状からして、スタツド型の半導
体素子の取付けには適さない。
本考案の目的は前記従来例の不都合を解消し、
全体を一層小形化して、GTOサイリスタとスナ
バダイオード間の配線インダクタンスを極力小さ
くできる半導体素子用冷却体を提供することにあ
る。
全体を一層小形化して、GTOサイリスタとスナ
バダイオード間の配線インダクタンスを極力小さ
くできる半導体素子用冷却体を提供することにあ
る。
本考案は前記目的を達成するため、水冷冷却体
に、平形ゲートターンオフサイリスタの挿入用円
形偏平溝とスタツド形スナバダイオードのネジ込
み孔とを形成したことを要旨とするものである。
に、平形ゲートターンオフサイリスタの挿入用円
形偏平溝とスタツド形スナバダイオードのネジ込
み孔とを形成したことを要旨とするものである。
本考案によれば、風冷冷却フインよりも小形に
できる水冷冷却体を使用し、しかも１個の水冷冷
却体でGTOサイリスタとスナバダイオードのア
ノード同士を共通して冷却できる。その結果、
GTOサイリスタとスナバダイオードの配線イン
ダクタンスを小さくすることができる。
できる水冷冷却体を使用し、しかも１個の水冷冷
却体でGTOサイリスタとスナバダイオードのア
ノード同士を共通して冷却できる。その結果、
GTOサイリスタとスナバダイオードの配線イン
ダクタンスを小さくすることができる。
以下、図面について本考案の実施例を詳細に説
明する。
明する。
第１図は、本考案の半導体素子用冷却体の１実
施例を示す平面的説明図、第２図は同上側面図
で、図中５は冷却水の注入口５ａと注出口５ｂを
有する偏平直方体状の水冷冷却体を示す。
施例を示す平面的説明図、第２図は同上側面図
で、図中５は冷却水の注入口５ａと注出口５ｂを
有する偏平直方体状の水冷冷却体を示す。
この水冷冷却体５の上面に平形GTOサイリス
タの挿入用の円形偏平溝６を形成し、また前記注
入口５ａ、注出口５ｂがある箇所以外の側面、例
えば反対側の側面に、スタツド形スナバダイオー
ドをめじ込める雌ネジ部をもつネジ込み孔７を形
成した。
タの挿入用の円形偏平溝６を形成し、また前記注
入口５ａ、注出口５ｂがある箇所以外の側面、例
えば反対側の側面に、スタツド形スナバダイオー
ドをめじ込める雌ネジ部をもつネジ込み孔７を形
成した。
第３図、第４図は、このような水冷冷却体５に
スタツド形スナバダイオード２を取付けた状態を
示す。なお、スタツド形スナバダイオードの内部
半導体エレメントの極性が前記第１図に示したも
のと逆極性となる場合には、GTOサイリスタの
カソード側の本考案水冷冷却体にこのスナバダイ
オードのカソード電極をねじ込めばよい。
スタツド形スナバダイオード２を取付けた状態を
示す。なお、スタツド形スナバダイオードの内部
半導体エレメントの極性が前記第１図に示したも
のと逆極性となる場合には、GTOサイリスタの
カソード側の本考案水冷冷却体にこのスナバダイ
オードのカソード電極をねじ込めばよい。
以上述べたように本考案の半導体素子用冷却体
は、平形GTOサイリスタとそのスタツド形スナ
バダイオードの双方を冷却できる水冷冷却体構造
としたので、このGTOサイリスタとスナバダイ
オード間の配線インダクタンスを小さくすること
ができ、GTOサイリスタのゲートターンオフ時
に発生するスパイク状電圧を容易に許容値以下に
することができるものである。
は、平形GTOサイリスタとそのスタツド形スナ
バダイオードの双方を冷却できる水冷冷却体構造
としたので、このGTOサイリスタとスナバダイ
オード間の配線インダクタンスを小さくすること
ができ、GTOサイリスタのゲートターンオフ時
に発生するスパイク状電圧を容易に許容値以下に
することができるものである。
第１図は本考案の半導体素子用冷却体の１実施
例を示す平面的説明図、第２図は同上側面図、第
３図はスナバダイオードを取付けた状態の平面
図、第４図は同上側面図、第５図はGTOサイリ
スタとそのスナバ回路を示す回路図である。 １……GTOサイリスタ、２……スナバダイオ
ード、３……スナバコンデンサ、４……スナバ抵
抗、５……水冷冷却体、５ａ……注入口、５ｂ…
…注出口、６……円形偏平溝、７……ネジ込み
孔。
例を示す平面的説明図、第２図は同上側面図、第
３図はスナバダイオードを取付けた状態の平面
図、第４図は同上側面図、第５図はGTOサイリ
スタとそのスナバ回路を示す回路図である。 １……GTOサイリスタ、２……スナバダイオ
ード、３……スナバコンデンサ、４……スナバ抵
抗、５……水冷冷却体、５ａ……注入口、５ｂ…
…注出口、６……円形偏平溝、７……ネジ込み
孔。
Claims (1)
- 水冷冷却体に、平形ゲートターンオフサイリス
タの挿入用円形偏平溝とスタツド形スナバダイオ
ードのネジ込み孔とを形成したことを特徴とする
半導体素子用冷却体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5451787U JPH0541562Y2 (ja) | 1987-04-09 | 1987-04-09 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5451787U JPH0541562Y2 (ja) | 1987-04-09 | 1987-04-09 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63162544U JPS63162544U (ja) | 1988-10-24 |
| JPH0541562Y2 true JPH0541562Y2 (ja) | 1993-10-20 |
Family
ID=30881584
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5451787U Expired - Lifetime JPH0541562Y2 (ja) | 1987-04-09 | 1987-04-09 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0541562Y2 (ja) |
-
1987
- 1987-04-09 JP JP5451787U patent/JPH0541562Y2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS63162544U (ja) | 1988-10-24 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH10144863A (ja) | 電力モジュール | |
| US11823971B2 (en) | Power electronics system | |
| US12003188B2 (en) | Modular parallel half-bridge integrated assembly with annular layout | |
| US5734554A (en) | Heat sink and fan for cooling CPU chip | |
| JP2588506B2 (ja) | 無誘導アノ−ド−カソ−ド接続回路 | |
| US4634891A (en) | Gate turn-off thyristor module | |
| CN114867273B (zh) | 电力电子单元 | |
| JPH02130955A (ja) | 逆阻止形トランジスタモジュール | |
| US20250023452A1 (en) | Power chip and bridge circuit | |
| JPH0719166Y2 (ja) | 電力変換装置の素子取付構造 | |
| JPS6345009Y2 (ja) | ||
| JPH0336220Y2 (ja) | ||
| JPS6016721B2 (ja) | 抵抗器の水冷構造 | |
| JPS642542Y2 (ja) | ||
| JP2580803B2 (ja) | 電力変換装置用トランジスタモジュール | |
| JPH0229825Y2 (ja) | ||
| JPH0417362A (ja) | スナバユニット | |
| JP2508525Y2 (ja) | 圧接形コンデンサ | |
| JPS5855833Y2 (ja) | 風冷式電気機器 | |
| JPS61119068A (ja) | 半導体スイツチのスナバ回路 | |
| JPS61284952A (ja) | 自己消弧型半導体素子のスナバ回路 | |
| JPS5950447U (ja) | 半導体変換装置のスタツク | |
| JPH05146142A (ja) | 電力変換器用スナバ回路 | |
| JPH0217487Y2 (ja) | ||
| JPS6158467A (ja) | スナバ−回路 |