JPS6154005A - 磁気抵抗効果型磁気ヘツド装置 - Google Patents
磁気抵抗効果型磁気ヘツド装置Info
- Publication number
- JPS6154005A JPS6154005A JP17647684A JP17647684A JPS6154005A JP S6154005 A JPS6154005 A JP S6154005A JP 17647684 A JP17647684 A JP 17647684A JP 17647684 A JP17647684 A JP 17647684A JP S6154005 A JPS6154005 A JP S6154005A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- magnetic field
- magnetic
- signal
- bias
- output
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/33—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only
- G11B5/39—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects
- G11B5/3903—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects using magnetic thin film layers or their effects, the films being part of integrated structures
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/02—Recording, reproducing, or erasing methods; Read, write or erase circuits therefor
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B2005/0002—Special dispositions or recording techniques
- G11B2005/0005—Arrangements, methods or circuits
- G11B2005/001—Controlling recording characteristics of record carriers or transducing characteristics of transducers by means not being part of their structure
- G11B2005/0013—Controlling recording characteristics of record carriers or transducing characteristics of transducers by means not being part of their structure of transducers, e.g. linearisation, equalisation
- G11B2005/0016—Controlling recording characteristics of record carriers or transducing characteristics of transducers by means not being part of their structure of transducers, e.g. linearisation, equalisation of magnetoresistive transducers
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
- Recording Or Reproducing By Magnetic Means (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は磁気抵抗効果型磁気ヘッド装置に係わる。
先ず、第４図を参照して、従来の磁気抵抗効果（以下Ｍ
Ｒという）型磁気ヘッド装置のヘッド部りの構造の一例
を説明するに、例えばＮｉ−Ｚｎ系フェライト・Ｍｎ−
Ｚｎ系フェライト等より成る磁性基板（１）上に（この
基板（１）が導電性を有する場合には、・これの上に被
着された５ｉ０２等の絶縁層（２）を介して）、後述す
るＭＲ感磁部（５）に対してバイアス磁界を与えるため
のバイアス磁界発生用の電流通路となる帯状の導電膜よ
り成るバイアス導体（３）が被着され、このバイアス導
体（３）上に、絶縁層（４）を介して例えば、Ｎｉ−Ｆ
ｅ系合金、或いは旧−ＣＯ系合金等のＭＲ磁性薄膜から
成るＭＲ感磁部（５）が配される。そして、このＭＲ感
磁部（５）上に、薄い絶縁層（６）を介して、各一端が
跨りバイアス導体（３）及びＭＲ感磁部（５）を横切る
方向に延在して夫々磁気回路の一部を構成する磁気コア
としての、例えばＭＯパーマロイから成る対の磁性層（
７）及び（８）が被着される。基板（１）上には、非磁
性の絶縁性保護Ｎ（９１を介して、保護基板（２）が接
合される。
Ｒという）型磁気ヘッド装置のヘッド部りの構造の一例
を説明するに、例えばＮｉ−Ｚｎ系フェライト・Ｍｎ−
Ｚｎ系フェライト等より成る磁性基板（１）上に（この
基板（１）が導電性を有する場合には、・これの上に被
着された５ｉ０２等の絶縁層（２）を介して）、後述す
るＭＲ感磁部（５）に対してバイアス磁界を与えるため
のバイアス磁界発生用の電流通路となる帯状の導電膜よ
り成るバイアス導体（３）が被着され、このバイアス導
体（３）上に、絶縁層（４）を介して例えば、Ｎｉ−Ｆ
ｅ系合金、或いは旧−ＣＯ系合金等のＭＲ磁性薄膜から
成るＭＲ感磁部（５）が配される。そして、このＭＲ感
磁部（５）上に、薄い絶縁層（６）を介して、各一端が
跨りバイアス導体（３）及びＭＲ感磁部（５）を横切る
方向に延在して夫々磁気回路の一部を構成する磁気コア
としての、例えばＭＯパーマロイから成る対の磁性層（
７）及び（８）が被着される。基板（１）上には、非磁
性の絶縁性保護Ｎ（９１を介して、保護基板（２）が接
合される。
しかして、一方の磁性Ｎ（７）と基板（１）の前方端と
の間には、例えば絶縁層（６）より成る所要の厚さを有
する非磁性ギャップスペーサＪｉｉｉ（１１）が介在さ
れて、前方の磁気ギャップｇが形成される。そして、こ
の磁気ギャップｇが臨むように、基板（１）、ギャップ
スペーサＮ（１１） 、磁性Ｎｊ （７１、保護層（９
）及び保護基板Ｑａｌの前方面が＠磨されて磁気テープ
の如き磁気記録媒体との対接面（１２）が形成される。
の間には、例えば絶縁層（６）より成る所要の厚さを有
する非磁性ギャップスペーサＪｉｉｉ（１１）が介在さ
れて、前方の磁気ギャップｇが形成される。そして、こ
の磁気ギャップｇが臨むように、基板（１）、ギャップ
スペーサＮ（１１） 、磁性Ｎｊ （７１、保護層（９
）及び保護基板Ｑａｌの前方面が＠磨されて磁気テープ
の如き磁気記録媒体との対接面（１２）が形成される。
又、磁気ギャップｇを構成する磁性層（７）の後方端と
、他方の磁性層（８）の前方端とは、夫々ＭＲ感磁部（
５）上に絶縁Ｍ（６）を介して跨るように形成されるも
、両端間には互いに離間する不連続部（１３）が形成さ
れる。両磁性層（７）及び（８）の夫々後方端及び前方
端は、絶縁層（６）の介在によって電気的には絶縁され
るも、不連続部（１３）において磁気的には結合される
ようなされる。かくして、基板（１）−磁気ギャップビ
ー磁性層（７） −Ｍ Ｒ怒磁部（５）−磁性層（８）
一基板（１）の閉磁路から成る磁気回路が形成される。
、他方の磁性層（８）の前方端とは、夫々ＭＲ感磁部（
５）上に絶縁Ｍ（６）を介して跨るように形成されるも
、両端間には互いに離間する不連続部（１３）が形成さ
れる。両磁性層（７）及び（８）の夫々後方端及び前方
端は、絶縁層（６）の介在によって電気的には絶縁され
るも、不連続部（１３）において磁気的には結合される
ようなされる。かくして、基板（１）−磁気ギャップビ
ー磁性層（７） −Ｍ Ｒ怒磁部（５）−磁性層（８）
一基板（１）の閉磁路から成る磁気回路が形成される。
このようなＭＲ型磁気ヘッド部りにおいては、その磁気
記録媒体と対接する前方ギャップｇからの信号磁束が上
述の磁気回路を流れることによって、この磁気回路中の
ＭＲ感磁部（５）の抵抗値が、この信号磁束による外部
磁界に応じて変化する。
記録媒体と対接する前方ギャップｇからの信号磁束が上
述の磁気回路を流れることによって、この磁気回路中の
ＭＲ感磁部（５）の抵抗値が、この信号磁束による外部
磁界に応じて変化する。
そこで、ＭＲ感磁部（５）に検出電流を流し、この抵抗
値変化をこのＭＲ感磁部（５）の両端の電圧変化として
検出して、磁気媒体上の記録信号の再生を行う。
値変化をこのＭＲ感磁部（５）の両端の電圧変化として
検出して、磁気媒体上の記録信号の再生を行う。
この場合、ＭＲ感磁部（５）が磁気センサーとして線形
に動作し、且つ高感度とするためには、このＭＲ感磁部
（５）を磁気的にバイアスする必要がある。
に動作し、且つ高感度とするためには、このＭＲ感磁部
（５）を磁気的にバイアスする必要がある。
このバイアス磁界は、バイアス導体（３）への通電によ
って発生する磁界と、ＭＲ感磁部（５）に通ずる検出電
流によってそれ自体が発生する磁界とによって与えられ
る直流磁界である。
って発生する磁界と、ＭＲ感磁部（５）に通ずる検出電
流によってそれ自体が発生する磁界とによって与えられ
る直流磁界である。
即ち、この種のＭＲ型磁気ヘッド装置は、第５図にその
概略的構成をボすように、ＭＲ感磁部（５）に、バイア
ス導体（３）への直流電流ｉＢの通電によって発生した
磁界と、ＭＲ惑磁部（５）への検出電流ｉ １１Ｒの通
電によって発生した磁界とによってバイアス磁界ＨＢが
与えられた状態で、前述した磁気媒体からの信号磁界Ｈ
Ｅが与えられる。゛そして、この信号磁界Ｈ５による抵
抗変化に基づ＜ＭＲ感磁部（５）の両端電圧、すなわち
Ａ点の電位の変化を、低域阻止用コンデンサ（１６）を
介して増幅器（１４）に供給して増幅して出力端子（１
５）より出力するものである。
概略的構成をボすように、ＭＲ感磁部（５）に、バイア
ス導体（３）への直流電流ｉＢの通電によって発生した
磁界と、ＭＲ惑磁部（５）への検出電流ｉ １１Ｒの通
電によって発生した磁界とによってバイアス磁界ＨＢが
与えられた状態で、前述した磁気媒体からの信号磁界Ｈ
Ｅが与えられる。゛そして、この信号磁界Ｈ５による抵
抗変化に基づ＜ＭＲ感磁部（５）の両端電圧、すなわち
Ａ点の電位の変化を、低域阻止用コンデンサ（１６）を
介して増幅器（１４）に供給して増幅して出力端子（１
５）より出力するものである。
第６図は、このＭＲ感磁部（５）に与える磁界Ｈと、そ
の抵抗値Ｒとの関係を示す動作特性曲線図を示し、この
曲線は、磁界Ｈの絶対値が小さい範囲ＨＢＲ〜＋ＨＢＲ
において上に凸の２次曲線を示すが、磁界Ｈの絶対値が
大となって、この範囲から外れると、ＭＲ感磁部（５）
を構成するＭＲ磁性薄膜の中央部分の磁化が磁気回路方
向に飽和しはじめ、２次曲線から離れてその抵抗Ｒは最
小値Ｒｍｉｎに漸近する。因みに、この抵抗Ｒの最大値
Ｒｍａｘは、ＭＲ磁性薄膜の磁化がすべて電流方向に向
いた状態に於ける値である。そして、この動作特性曲線
における２次曲線の特性部分で、前述したバイアス磁界
Ｈａが与えられた状態で、第６し１において符号（１７
）を付して示す磁気媒体からの信号磁界が与えられるよ
うにして、これに応じて同図中符号（１８）で示す抵抗
値変化に基づく出力を得るようにしている。この場合は
、信号磁界の大きさが大となるほど２次Ａ１１ｄ波歪が
大となることが分る。
の抵抗値Ｒとの関係を示す動作特性曲線図を示し、この
曲線は、磁界Ｈの絶対値が小さい範囲ＨＢＲ〜＋ＨＢＲ
において上に凸の２次曲線を示すが、磁界Ｈの絶対値が
大となって、この範囲から外れると、ＭＲ感磁部（５）
を構成するＭＲ磁性薄膜の中央部分の磁化が磁気回路方
向に飽和しはじめ、２次曲線から離れてその抵抗Ｒは最
小値Ｒｍｉｎに漸近する。因みに、この抵抗Ｒの最大値
Ｒｍａｘは、ＭＲ磁性薄膜の磁化がすべて電流方向に向
いた状態に於ける値である。そして、この動作特性曲線
における２次曲線の特性部分で、前述したバイアス磁界
Ｈａが与えられた状態で、第６し１において符号（１７
）を付して示す磁気媒体からの信号磁界が与えられるよ
うにして、これに応じて同図中符号（１８）で示す抵抗
値変化に基づく出力を得るようにしている。この場合は
、信号磁界の大きさが大となるほど２次Ａ１１ｄ波歪が
大となることが分る。
又、上述のＭＲ型磁気ヘッド装置における第５図のＡ点
の電位は、ＭＲ感磁部（５）の抵抗の固定骨と変化分と
の合成によって決まる電位となるが、この場合、その固
定骨は９８％程度にも及ぶものであり、この抵抗の固定
骨の温度依存性が大きいので、Ａ点における電位の温度
ドリフトが大きいという欠点がある。このＭＲ感磁部（
５）の抵抗値Ｒは、Ｒ＝Ｒｏ （１＋αｃｏｓ’ θ
）・・・・（１）（但し、Ｒｏは抵抗の固定骨、αは最
大１１（抗変化率、θはＭＲ感磁部（５）における電流
方向と磁化方向とのなす角度である）で表され、例えば
ＭＲ感磁部（５）が８１Ｎｉ １９Ｆｅ （パーマロ
イ）合金による厚さ２５０人のＭＲ磁性ｉ７膜から成る
場合のαの実測値はα＝ ０．０１７程度である。この
αの値は、ＭＲ感磁部（５）のＭＲ磁性Ｖｉ、膜の膜厚
や材料によって多少の相違はあるものの嵩々α＝０．０
５程度である。
の電位は、ＭＲ感磁部（５）の抵抗の固定骨と変化分と
の合成によって決まる電位となるが、この場合、その固
定骨は９８％程度にも及ぶものであり、この抵抗の固定
骨の温度依存性が大きいので、Ａ点における電位の温度
ドリフトが大きいという欠点がある。このＭＲ感磁部（
５）の抵抗値Ｒは、Ｒ＝Ｒｏ （１＋αｃｏｓ’ θ
）・・・・（１）（但し、Ｒｏは抵抗の固定骨、αは最
大１１（抗変化率、θはＭＲ感磁部（５）における電流
方向と磁化方向とのなす角度である）で表され、例えば
ＭＲ感磁部（５）が８１Ｎｉ １９Ｆｅ （パーマロ
イ）合金による厚さ２５０人のＭＲ磁性ｉ７膜から成る
場合のαの実測値はα＝ ０．０１７程度である。この
αの値は、ＭＲ感磁部（５）のＭＲ磁性Ｖｉ、膜の膜厚
や材料によって多少の相違はあるものの嵩々α＝０．０
５程度である。
一方、この抵抗の固定骨Ｒｏは
Ｒｏ＝Ｒｉ （１＋ａΔｔ） ・・・
・（２＋（但し、Ｒｉは抵抗の初期値で、ａは温度係数
、ΔＬは温度変化分である）で与えられ、上述のＭＲ感
磁部（５）の例における温度係数ａの実測値は、ａ ＝
０．００２７／ ｄｅｇ程度である。このことは直流
磁界の検出において大きなノイズとなる。
・（２＋（但し、Ｒｉは抵抗の初期値で、ａは温度係数
、ΔＬは温度変化分である）で与えられ、上述のＭＲ感
磁部（５）の例における温度係数ａの実測値は、ａ ＝
０．００２７／ ｄｅｇ程度である。このことは直流
磁界の検出において大きなノイズとなる。
更に、この種のＭＲ型磁気ヘッド部による場合、上述し
たようにその温度係数が大きいために、例えばＭＲ感磁
部（５）への通電、或いはバイアス導体（３）へのバイ
アス電流等によって発生する熱が、ヘッド部の磁気記録
媒体との摺接によって不安定に放熱されてヘッドの温度
が変化する場合、大きなノイズ、所謂摺動ノイズを生ず
ることになる。
たようにその温度係数が大きいために、例えばＭＲ感磁
部（５）への通電、或いはバイアス導体（３）へのバイ
アス電流等によって発生する熱が、ヘッド部の磁気記録
媒体との摺接によって不安定に放熱されてヘッドの温度
が変化する場合、大きなノイズ、所謂摺動ノイズを生ず
ることになる。
又、第５図の構成における増幅器（１４）が低インピー
ダンス入力を呈する場合、ＭＲ感磁部（５）及びコンデ
ンサ（１６）から成る高域通過フィルタのカットオフ周
波数をｆｏとすると、このコンデンサ（１６）に必要な
容量Ｃは、ＲをＭＲ感磁部（５）の抵抗とすると、 （ω０＝２πｆｏ）となる。今、ＭＲ感磁部（５）が前
述した厚さ ２５０人のパーマロイより成り、その長さ
が５０μｍとなると、その抵抗Ｒは１０００程度となる
ので、ｆ ｏ ＝ １ ｋｌｌｚとすると、コンデンサ
（１６）としてはＣ＝１．３μＦという大きな値のもの
が必要となり、特にマルチトラック型のデジタルオーデ
ィオ信号用磁気ヘッド装置を構成する場合には問題とな
るものである。
ダンス入力を呈する場合、ＭＲ感磁部（５）及びコンデ
ンサ（１６）から成る高域通過フィルタのカットオフ周
波数をｆｏとすると、このコンデンサ（１６）に必要な
容量Ｃは、ＲをＭＲ感磁部（５）の抵抗とすると、 （ω０＝２πｆｏ）となる。今、ＭＲ感磁部（５）が前
述した厚さ ２５０人のパーマロイより成り、その長さ
が５０μｍとなると、その抵抗Ｒは１０００程度となる
ので、ｆ ｏ ＝ １ ｋｌｌｚとすると、コンデンサ
（１６）としてはＣ＝１．３μＦという大きな値のもの
が必要となり、特にマルチトラック型のデジタルオーデ
ィオ信号用磁気ヘッド装置を構成する場合には問題とな
るものである。
又、磁気回路における透磁率、特に比較的肉薄で断面積
が小さい磁性層（７）及び（８）における透磁率は、こ
れができるだけ大であることが望まれ、この透磁率は外
部磁界が零のとき最大となるので、上述したようなバイ
アス磁界を与えることは透磁率の低下を招来する。
が小さい磁性層（７）及び（８）における透磁率は、こ
れができるだけ大であることが望まれ、この透磁率は外
部磁界が零のとき最大となるので、上述したようなバイ
アス磁界を与えることは透磁率の低下を招来する。
上述の直流バイアス式ＭＲ型磁気ヘッド装置は、有効ト
ラック幅が広く、狭トラツク化が容易であるという利点
がある反面、直線性が悪り、直流再生が困難で、摺動ノ
イズが大きく、バルクハウゼンノイズが大きく、出力の
ばらつきが大きいという欠点がある。
ラック幅が広く、狭トラツク化が容易であるという利点
がある反面、直線性が悪り、直流再生が困難で、摺動ノ
イズが大きく、バルクハウゼンノイズが大きく、出力の
ばらつきが大きいという欠点がある。
しかして、従来、特に出力信号の２次回υ＋ａ波歪を除
去するようにしたＭＲ型磁気ヘッド装置が提案されてい
る。以下に、第７図を参照して、かかる磁気ヘッド装置
について説明する。ヘッド部りには、中点が接地されて
、互いに特性の等しい２部分（５ａ） 、 （５ｂ）
から成るＭＲ感磁部（５）と、中点が接地されて、互い
に特性の等しい２部分（３ａ）（３ｂ）から成るバイア
ス導体（３］とから構成される。
去するようにしたＭＲ型磁気ヘッド装置が提案されてい
る。以下に、第７図を参照して、かかる磁気ヘッド装置
について説明する。ヘッド部りには、中点が接地されて
、互いに特性の等しい２部分（５ａ） 、 （５ｂ）
から成るＭＲ感磁部（５）と、中点が接地されて、互い
に特性の等しい２部分（３ａ）（３ｂ）から成るバイア
ス導体（３］とから構成される。
ＭＲ感磁部（５）の両端に、互いに逆方向に、同じ検出
電流ｉＭＲを流すと共に、バイアス導体（３）の両端に
、互いに逆方向に、同じ直流電流ｉＢを流す。
電流ｉＭＲを流すと共に、バイアス導体（３）の両端に
、互いに逆方向に、同じ直流電流ｉＢを流す。
かくして、ＭＲ感部（５）の各部分（５ａ） 、 （
５ｂ）に、バイアス導体（３）の２部分（３ａ） 、
（３ｂ）への直流電流ｉＢの通電によって発生した磁
界と、ＭＲ感磁部（５）への検出電流１ＩｉＲの通電に
よって発生した磁界とによって、夫々互いに逆のバイア
ス磁界ＨＢが与えられた状態で、磁気媒体からの同じ信
号磁界Ｈ５が与えられる。そして、この信号磁界Ｈ５に
よる抵抗変化に基づ＜ＭＲ感磁部（５）の両端電圧、す
なわちＡ□、Ａ２点の電位の変化を、差動増幅″ｉ（１
り）に供給する。かくすると、点Ａｌ、Ａ２の出力電圧
は互いに逆相であるが、その２次同調波は同相であるか
ら、差動増幅器（１９）の出力側、即ち出力端子（１５
）には２次高調波の除去された、歪の少ない出力信号が
得られる。
５ｂ）に、バイアス導体（３）の２部分（３ａ） 、
（３ｂ）への直流電流ｉＢの通電によって発生した磁
界と、ＭＲ感磁部（５）への検出電流１ＩｉＲの通電に
よって発生した磁界とによって、夫々互いに逆のバイア
ス磁界ＨＢが与えられた状態で、磁気媒体からの同じ信
号磁界Ｈ５が与えられる。そして、この信号磁界Ｈ５に
よる抵抗変化に基づ＜ＭＲ感磁部（５）の両端電圧、す
なわちＡ□、Ａ２点の電位の変化を、差動増幅″ｉ（１
り）に供給する。かくすると、点Ａｌ、Ａ２の出力電圧
は互いに逆相であるが、その２次同調波は同相であるか
ら、差動増幅器（１９）の出力側、即ち出力端子（１５
）には２次高調波の除去された、歪の少ない出力信号が
得られる。
しかしながら、第７図の従来のＭＲ型磁気ヘッド装置は
、次のよう欠点を有している。ＭＲ感磁部（５）の２部
分（５ａ） 、 （５ｂ）の特性を商粕度を以って等
しくすることが困難であり、又、ＭＲ感磁部（５）の２
部分（５ａ） 、 （５ｂ）への信号磁界を高精度を
以って等しくするのが困難であるので、出力信号にオフ
セットが生じる。 ＭＲ感磁部（５）の２部分の境界に
不感帯ができるため、ヘッド部りの幅をあまり狭くする
ことができず、多チャンネル化が困難となる。ヘッド部
りからの引出線の本数が増加し、多チャンネル化が困難
となる。
、次のよう欠点を有している。ＭＲ感磁部（５）の２部
分（５ａ） 、 （５ｂ）の特性を商粕度を以って等
しくすることが困難であり、又、ＭＲ感磁部（５）の２
部分（５ａ） 、 （５ｂ）への信号磁界を高精度を
以って等しくするのが困難であるので、出力信号にオフ
セットが生じる。 ＭＲ感磁部（５）の２部分の境界に
不感帯ができるため、ヘッド部りの幅をあまり狭くする
ことができず、多チャンネル化が困難となる。ヘッド部
りからの引出線の本数が増加し、多チャンネル化が困難
となる。
かかる点に鑑み、本発明は上述の欠点を悉く除去し、出
力信号の２次高調波を除去して、歪を少な（することの
できるＭＲ型磁気ヘッド装置を提末しようとするもので
ある。
力信号の２次高調波を除去して、歪を少な（することの
できるＭＲ型磁気ヘッド装置を提末しようとするもので
ある。
本発明によるＭＲ型磁気ヘッド装置は、信号磁界の与え
られる磁気抵抗効果感磁部（５）と、この磁気抵抗効果
感磁部（５）に所定周波数の矩形波バイアス磁界を与え
るバイアス磁界発生手段１３）、 （２０） 。
られる磁気抵抗効果感磁部（５）と、この磁気抵抗効果
感磁部（５）に所定周波数の矩形波バイアス磁界を与え
るバイアス磁界発生手段１３）、 （２０） 。
（２１）と、磁気抵抗効果感磁部（５）から信号磁界に
応じた出力信号を取付ず信号取出手段（２２）と、この
信号取出手段（２２）よりの出力信号を供給して、矩形
波バイアス磁界に同期して、その正相及び逆相の信号を
交互に出力する位相切換回路（２３）と、この位相切換
回路（２３）の出力信号の供給されるローバスフィルタ
（２６）とを存することを特徴とするものである。
応じた出力信号を取付ず信号取出手段（２２）と、この
信号取出手段（２２）よりの出力信号を供給して、矩形
波バイアス磁界に同期して、その正相及び逆相の信号を
交互に出力する位相切換回路（２３）と、この位相切換
回路（２３）の出力信号の供給されるローバスフィルタ
（２６）とを存することを特徴とするものである。
かかる本発明によれば、ＭＲ感磁部（５）に、矩形波バ
イアス磁界及び信号磁界の重畳磁界が与えられ、ＭＲ感
磁部（５）から得られた出力電圧の位相を、位相切換回
路（２３）によって、矩形波バイアス磁界に同期して、
正相、逆相に交互に切換えるので、ローバスフィルタ（
２６）の出力側には信号磁界に対応した、２次高調波の
除去された、歪のない信号が出力される。
イアス磁界及び信号磁界の重畳磁界が与えられ、ＭＲ感
磁部（５）から得られた出力電圧の位相を、位相切換回
路（２３）によって、矩形波バイアス磁界に同期して、
正相、逆相に交互に切換えるので、ローバスフィルタ（
２６）の出力側には信号磁界に対応した、２次高調波の
除去された、歪のない信号が出力される。
以下に第１図を参照して、本発明の一実施例を詳細に説
明する。ＭＲ型磁気ヘッド部りの構成は、第４図及び第
５図と同様である。（２０）は矩形波発生器で、その矩
形波信号の周波数を信号磁界（直流を可とする）の最高
周波数の３倍以上に選定する。この矩形波信号をバッフ
ァ （電流ドライバ） （２１）に供給し、その出力
によりバイアス導体（３）に矩形波のバイアス電流ＬＢ
を流すようにする。
明する。ＭＲ型磁気ヘッド部りの構成は、第４図及び第
５図と同様である。（２０）は矩形波発生器で、その矩
形波信号の周波数を信号磁界（直流を可とする）の最高
周波数の３倍以上に選定する。この矩形波信号をバッフ
ァ （電流ドライバ） （２１）に供給し、その出力
によりバイアス導体（３）に矩形波のバイアス電流ＬＢ
を流すようにする。
かくして、ＭＲ感磁部（５）に、バイアス導体（３）へ
の矩形波電流ｉＢの通電によって発生した矩形波磁界と
、ＭＲ感磁部（５）への検出電流ｉ １１Ｈの通電によ
って発生した磁界とによってバイアス磁界ＨＲが与えら
れた状態で、前述した磁気媒体からの信号磁界Ｈ，が与
えられる。そして、この信号磁界Ｈ５による抵抗変化に
基づ＜ＭＲ感磁部（５）の両端電圧、すなわちＡ点の電
位の変化を、信号取出手段（２２）によって取出し、即
ち、低域阻止用コンデンサ（１６）を介して増幅器（１
４）に供給して増幅する。増幅器（１４）の出力を位相
切換回路（２３）に供給して、上述の矩形波発生器（２
０）よりの矩形波信号により、増幅器（１４）よりの出
力を正相、逆相に交互に位相切換えする。即ち、増幅器
（１４）の出力と、その出力をインバータ（２４）に供
給して位相反転した出力とを、矩形波信号によって制御
されるスイッチ（２５）によって切換えて、ローバスフ
ィルタ（２６）に供給し、出力端子（１５）より信号磁
界Ｈ５に応じた信号出力を得るようにする。
の矩形波電流ｉＢの通電によって発生した矩形波磁界と
、ＭＲ感磁部（５）への検出電流ｉ １１Ｈの通電によ
って発生した磁界とによってバイアス磁界ＨＲが与えら
れた状態で、前述した磁気媒体からの信号磁界Ｈ，が与
えられる。そして、この信号磁界Ｈ５による抵抗変化に
基づ＜ＭＲ感磁部（５）の両端電圧、すなわちＡ点の電
位の変化を、信号取出手段（２２）によって取出し、即
ち、低域阻止用コンデンサ（１６）を介して増幅器（１
４）に供給して増幅する。増幅器（１４）の出力を位相
切換回路（２３）に供給して、上述の矩形波発生器（２
０）よりの矩形波信号により、増幅器（１４）よりの出
力を正相、逆相に交互に位相切換えする。即ち、増幅器
（１４）の出力と、その出力をインバータ（２４）に供
給して位相反転した出力とを、矩形波信号によって制御
されるスイッチ（２５）によって切換えて、ローバスフ
ィルタ（２６）に供給し、出力端子（１５）より信号磁
界Ｈ５に応じた信号出力を得るようにする。
次に、この第１図の磁気ヘッド装置の動作を第２図をも
参照して説明する。第２図ＡにＭＲ感磁部（５）の磁界
対抵抗の特性曲線を示す。ＭＲ感磁部（５）に、第２図
Ｂに示す、信号磁界１（Ｓ（ｔｌ及びレベルの比較的大
きな矩形波バイアス磁界ＨＢ（ｔ）の重畳磁界が与えら
れるので、ＭＲ感磁部（５）からは第２図Ｃに示す如き
正負に非対称な出力電圧Ｖ （ｔｌが得られる。そして
、この出力電圧Ｖ （ｔｌを位相切換回路（２３）によ
って、矩形波バイアス磁界ＨＢ （ｔ）に同期して、正
相、逆相の交互の切換えを行うと、ローバスフィルタ（
２６）の出力側、即ち出力端子（１５）には第２１ｆｆ
ｌＢの信号磁界Ｈ５（ｔｌに対応した信号出力Ｖ ｏ
（ｔｌが出力される。
参照して説明する。第２図ＡにＭＲ感磁部（５）の磁界
対抵抗の特性曲線を示す。ＭＲ感磁部（５）に、第２図
Ｂに示す、信号磁界１（Ｓ（ｔｌ及びレベルの比較的大
きな矩形波バイアス磁界ＨＢ（ｔ）の重畳磁界が与えら
れるので、ＭＲ感磁部（５）からは第２図Ｃに示す如き
正負に非対称な出力電圧Ｖ （ｔｌが得られる。そして
、この出力電圧Ｖ （ｔｌを位相切換回路（２３）によ
って、矩形波バイアス磁界ＨＢ （ｔ）に同期して、正
相、逆相の交互の切換えを行うと、ローバスフィルタ（
２６）の出力側、即ち出力端子（１５）には第２１ｆｆ
ｌＢの信号磁界Ｈ５（ｔｌに対応した信号出力Ｖ ｏ
（ｔｌが出力される。
尚、ヘッド部りの構造は、第４図の構造のものの他、第
３図の構造のものも可能である。即ち、第３図のヘッド
部りは、フェライトの如き高透磁率の磁性体（２７）
、 （２Ｂ）間に、非磁性層（２９）を介してバイア
ス導体（３）及びこれに対向するＭＲ感磁部（５）を配
し、全体の端面を研摩してテープ対接面としたものであ
る。
３図の構造のものも可能である。即ち、第３図のヘッド
部りは、フェライトの如き高透磁率の磁性体（２７）
、 （２Ｂ）間に、非磁性層（２９）を介してバイア
ス導体（３）及びこれに対向するＭＲ感磁部（５）を配
し、全体の端面を研摩してテープ対接面としたものであ
る。
尚、再生信号はデジタルオーディオ／ビデオ信号又はア
ナログオーディオ／ビデオ信号が可能である。
ナログオーディオ／ビデオ信号が可能である。
上述せる本発明によれば、出力信号にオフセットが生ぜ
ず、多チャンネル化が容易であって、出力信号の２次１
ｔｌｉ １ｔｌｆａ波を除去して、歪を少なくすること
のできるＭＲ型磁気ヘッド装置を得ることができる。
ず、多チャンネル化が容易であって、出力信号の２次１
ｔｌｉ １ｔｌｆａ波を除去して、歪を少なくすること
のできるＭＲ型磁気ヘッド装置を得ることができる。
又、テープに対する摺動によるノイズが発生し難り、信
号取出手段のコンデンサの容量が小さくても、直流信号
までも取出すことのできるＭＲ型磁気ヘッド装置を得る
ことができる。
号取出手段のコンデンサの容量が小さくても、直流信号
までも取出すことのできるＭＲ型磁気ヘッド装置を得る
ことができる。
第５図のＭＲ型磁気ヘッド装置に於いて、バイアス導体
（３）に流すバイアス電流を矩形波電流とし、信号取出
手段よりの信号出力をバイアス電流に同期した矩形波信
号と掛算し、その出力をローバスフィルタに供給して、
信号磁界に対応した信号出力を得ることも考えられるが
、その場合は次のような欠点がある。
（３）に流すバイアス電流を矩形波電流とし、信号取出
手段よりの信号出力をバイアス電流に同期した矩形波信
号と掛算し、その出力をローバスフィルタに供給して、
信号磁界に対応した信号出力を得ることも考えられるが
、その場合は次のような欠点がある。
ＭＲ感磁部（５）の抵抗の固定分の変化による信号成分
を除去するフィルタを設けるか、その抵抗の固定部と同
じ抵抗値の低抗器に矩形波電流を流し、その端電圧に応
じた信号を信号出力から差引いて１１−抗の固定分の変
化による信号成分をキャンセルする必要がある。ダイナ
ミックレンジの広い増幅器が必要である。−ローバスフ
ィルタとして、遮断特性の急峻なものが必要となる。し
かし、本発明の場合は、そのような欠点が無い。
を除去するフィルタを設けるか、その抵抗の固定部と同
じ抵抗値の低抗器に矩形波電流を流し、その端電圧に応
じた信号を信号出力から差引いて１１−抗の固定分の変
化による信号成分をキャンセルする必要がある。ダイナ
ミックレンジの広い増幅器が必要である。−ローバスフ
ィルタとして、遮断特性の急峻なものが必要となる。し
かし、本発明の場合は、そのような欠点が無い。
第１図は本発明の一実施例を示す回路図、第２図はその
動作説明に供する特性曲線・波形図、第３図は本発明の
一実施例のヘッド部の構成例を示す断面図、第４図は従
来の磁気抵抗効果型磁気ヘッド装置のヘッド部の構成を
示すｌｌｉ面図、第５図は従来の磁気抵抗効果型磁気ヘ
ッド装置を示す回路図、第６図はその説明に供する特性
曲線図、第７図は従来の他の磁気抵抗効果型磁気ヘッド
装置を示す回路図である。 （３）はバイアス導体、（５）は磁気抵抗効果感磁部、
（２２）は信号取出手段、（２３）は位相切換回路であ
る。 第４図 第５図
動作説明に供する特性曲線・波形図、第３図は本発明の
一実施例のヘッド部の構成例を示す断面図、第４図は従
来の磁気抵抗効果型磁気ヘッド装置のヘッド部の構成を
示すｌｌｉ面図、第５図は従来の磁気抵抗効果型磁気ヘ
ッド装置を示す回路図、第６図はその説明に供する特性
曲線図、第７図は従来の他の磁気抵抗効果型磁気ヘッド
装置を示す回路図である。 （３）はバイアス導体、（５）は磁気抵抗効果感磁部、
（２２）は信号取出手段、（２３）は位相切換回路であ
る。 第４図 第５図
Claims (1)
- 信号磁界の与えられる磁気抵抗効果感磁部と、該磁気抵
抗効果感磁部に所定周波数の矩形波バイアス磁界を与え
るバイアス磁界発生手段と、上記磁気抵抗効果感磁部か
ら上記信号磁界に応じた出力信号を取出す信号取出手段
と、該信号取出手段よりの出力信号を供給して、上記矩
形波バイアス磁界に同期して、その正相及び逆相の信号
を交互に出力する位相切換回路と、該位相切換回路の出
力信号の供給されるローバスフィルタとを有することを
特徴とする磁気抵抗効果型磁気ヘッド装置。
Priority Applications (9)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17647684A JPS6154005A (ja) | 1984-08-24 | 1984-08-24 | 磁気抵抗効果型磁気ヘツド装置 |
| US06/705,706 US4703378A (en) | 1984-03-01 | 1985-02-26 | Magnetic transducer head utilizing magnetoresistance effect |
| CA000475257A CA1235482A (en) | 1984-03-01 | 1985-02-27 | Magnetic transducer head utilizing magnetoresistance effect |
| EP90123594A EP0421489B1 (en) | 1984-03-01 | 1985-02-28 | Magnetic transducer head utilizing the magnetoresistance effect |
| EP85102282A EP0154307B1 (en) | 1984-03-01 | 1985-02-28 | Magnetic transducer head utilizing the magnetoresistance effect |
| EP93100342A EP0544642B1 (en) | 1984-03-01 | 1985-02-28 | Magnetic transducer head apparatus utilizing the magnetoresistance effect |
| DE8585102282T DE3585959D1 (de) | 1984-03-01 | 1985-02-28 | Magnetwandlerkopf mit nutzung des magnetwiderstandseffekts. |
| DE3587992T DE3587992T2 (de) | 1984-03-01 | 1985-02-28 | Magnetwandlerkopf, der einen Magnetwiderstandseffekt verwendet. |
| DE3588065T DE3588065T2 (de) | 1984-03-01 | 1985-02-28 | Magnetwandlerkopfeinrichtung mit Nutzung des Magnetowiderstandseffekts. |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17647684A JPS6154005A (ja) | 1984-08-24 | 1984-08-24 | 磁気抵抗効果型磁気ヘツド装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6154005A true JPS6154005A (ja) | 1986-03-18 |
| JPH0532804B2 JPH0532804B2 (ja) | 1993-05-18 |
Family
ID=16014335
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17647684A Granted JPS6154005A (ja) | 1984-03-01 | 1984-08-24 | 磁気抵抗効果型磁気ヘツド装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6154005A (ja) |
-
1984
- 1984-08-24 JP JP17647684A patent/JPS6154005A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0532804B2 (ja) | 1993-05-18 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4703378A (en) | Magnetic transducer head utilizing magnetoresistance effect | |
| US4356523A (en) | Narrow track magnetoresistive transducer assembly | |
| EP0484474B1 (en) | Shorted dual element magnetoresistive reproduce head exhibiting high density signal amplification | |
| US4280158A (en) | Magnetoresistive reading head | |
| JPS63117309A (ja) | 磁気抵抗性読取変換器 | |
| JPH0473201B2 (ja) | ||
| JPS60182503A (ja) | 磁気抵抗効果型磁気ヘツド装置 | |
| US5535077A (en) | Magnetoresistive head having magnetically balanced magnetoresistive elements laminated on opposite sides of an electrically conductive film | |
| US5216561A (en) | Apparatus and method of manipulating sum, absolute difference and difference signals for suppressing medium-induced playback error in a magnetoresistive head assembly | |
| US4814918A (en) | Multitrack magnetic head having magnetically coupled transducer elements | |
| US5563753A (en) | Contact scheme for minimizing inductive pickup in magnetoresistive read heads | |
| JPH0542049B2 (ja) | ||
| JPH0532804B2 (ja) | ||
| JPH0440776B2 (ja) | ||
| JPH0532805B2 (ja) | ||
| JPH0376536B2 (ja) | ||
| JPH0532803B2 (ja) | ||
| JPH0565922B2 (ja) | ||
| JPS6187215A (ja) | 磁気抵抗効果型磁気ヘツド装置 | |
| JPS60263310A (ja) | 磁気抵抗効果型磁気ヘツド装置 | |
| JPS6157011A (ja) | 磁気抵抗効果型磁気ヘツド装置 | |
| JPS6134577Y2 (ja) | ||
| JPS6310310A (ja) | 磁気抵抗効果型磁気ヘツド | |
| JPS6314315A (ja) | 磁気抵抗効果型磁気ヘツド | |
| JPH0527166B2 (ja) |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |