JPH0542721B2 - - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 この発明は、フロツピデイスクに書き込まれた
情報を読み出し、または、フロツピデイスクに所
望の情報を書き込むために用いるフロツピデイス
ク用読出し書込み回路に関する。

従来の技術 第２図に示すように、従来のフロツピデイスク
用読出し書込み回路には、端子１１，１２および
共通端子１３に接続された読出し書込み用磁気ヘ
ツド（以下磁気ヘツドという）２に書込みモード
または読出しモードを設定するためのモード切換
回路４が設置され、このモード切換えに対応して
フロツピデイスクに情報を書き込む書込みスイツ
チ回路６が設置され、また、フロツピデイスクに
記憶されている情報を読み出す読出しスイツチ回
路８が設置されている。

モード切換回路４には、磁気ヘツド２に読出し
モードを設定する読出し設定回路１０ａと、磁気
ヘツド２に書込みモードを設定する書込み設定回
路１０ｂとが設置されている。読出し設定回路１
０ａは、トランジスタ２０、抵抗２２，２４およ
びスイツチS₁から構成され、スイツチS₁が閉じて
いるとき、トランジスタ２０が導通し、電源端子
１４に加えられている電源電圧Vccがトランジス
タ２０および抵抗２２を介して共通端子１３から
磁気ヘツド２の中点に加えらられる。また、書込
み設定回路１０ｂは、トランジスタ２６およびス
イツチS₂で構成され、スイツチS₁が開き、スイツ
チS₂が閉じているとき、トランジスタ２６が導通
し、電源端子１４から電源電圧Vccがトランジス
タ２６を介して共通端子１３から磁気ヘツド２の
中点に加えられる。

書込みスイツチ回路６は、トランジスタ２８，
３０、定電流源３２，３４，３６、ダイオード３
８，４０、抵抗４２，４４およびスイツチS₃，S₄
からなり、トランジスタ２８，３０はエミツタを
共通にして電流スイツチを構成している。すなわ
ち、ダイオード３８，４０のアノード側には、端
子１１，１２を介して磁気ヘツド２が接続され、
ダイオード３８，４０のカカソード側に形成され
た端子１５，１６には、抵抗４６が接続されてい
る。この抵抗４６は、書込みの際、磁気ヘツド２
のＱ（Quality factor）を低下させるためのダン
プ抵抗である。この書込みスイツチ回路６では、
スイツチS₃，S₄を交互に切り換えることにより、
磁気ヘツド２の中点から流れる電流の方向を切り
換え、所望の情報を磁気ヘツド２からフロツピデ
イスクに書し込むことができる。

そして、読出しスイツチ回路８は、ダイオード
４８，５０，５２，５４、バイアス抵抗５６，５
８，６０，６２，６４，６６およびスイツチS₅か
らなり、スイツチS₅が閉じているとき、フロツピ
デイスクの読出しが行われる。

この読出しスイツチ回路８で読出された情報
は、前置増幅器６８に加えられ、図示していない
信号処理系統に加えられる。

このような読出し書込み回路では、磁気ヘツド
２および抵抗４６を除き、各回路４，６，８，６
８は１チツプの半導体集積回路で構成され、各ス
イツチS₁，S₂，S₃，S₄，S₅は、半導体集積回路上
に形成されるスイツチングトランジスタで構成さ
れる。

このような読出し書込み回路によれば、スイツ
チS₁を開き、トランジスタ２０をカツトオフ状態
にするとともに、スイツチS₂を閉じてトランジス
タ２６を導通状態にすると、磁気ヘツド２の中点
に書込みモードの電圧が印加されることになる。
このモードにおいて、書込みスイツチ回路６のス
イツチS₃，S₄を交互に切り換えることにより、磁
気ヘツド２の励磁方向を切り換え、必要な情報を
フロツピデイスクに書き込むことができる。

また、スイツチS₂を開き、トランジスタ２６を
カツトオフ状態にするとともに、スイツチS₁を閉
じ、トランジスタ２０を導通状態にすると、磁気
ヘツド２に読出しモードの電圧が設定される。こ
の状態において、スイツチS₃，S₄を閉じて書込み
スイツチ回路６の動作を解除し、スイツチS₅を閉
じ、読出しスイツチ回路８を動作状態にすると、
フロツピデイスクから磁気ヘツド２が読み出した
信号は、読出しスイツチ回路８の抵抗５６，５８
に発生し、前置増幅器６８に加えられて増幅され
る。

発明が解決しようとする問題点 このような読出し書込み回路では、読出しスイ
ツチ回路８がダイオード４８，５０，５２，５４
を用いて構成されており、各ダイオード４８，５
０，５２，５４には、磁気ヘツド２の逆起電力の
発生との関数で、例えば、電源電圧V_cc＝12(V)の
とき、耐圧Vr＞24(t)の高耐圧のものが要求され
る。すなわち、端子１１の電圧が電圧V_ccとダイ
オード４８の順方向降下電圧V_Fとの加算値（V_cc
＋V_F）以下の場合、抵抗５６のみが読出しスイ
ツチ回路８の負荷に加わり、また、端子１１が逆
起電力により（V_cc＋V_F）以上の場合、抵抗５
６，６０を並列にして得られる抵抗値が負荷に加
わえられる。このような逆起電力の関係を考慮し
なければならず、半導体集積回路化が困難であ
る。

また、モード切換回路４の書込み設定回路１０
ｂには、書込みスイツチ回路６および読出しスイ
ツチ回路８と同様に、電源電圧V_ccが加えられて
いるため、例えば、この読出し書込み回路を携帯
用機器に使用する場合、V_cc＝５(V)で動作させ、
あるいは、磁気ヘツド２に高電圧を必要とする機
器では、V_cc＝12(V)で動作させるというような動
作電圧を広範囲に変更して回路全体を動作させる
ことが困難である。

そこで、この発明は、半導体集積回路化に適す
るとともに、磁気ヘツドに加える電圧を広範囲に
選択可能にした読出し書込み回路を提供しようと
するものである。

問題点を解決するための手段 この発明は、モード切換回路でフロツピデイス
クの読出し書込み用磁気ヘツドに設定される読出
しモードまたは書込みモードに対応して前記磁気
ヘツドを介して前記フロツピデイスクから情報を
読み出す読出しスイツチ回路および前記磁気ヘツ
ドを駆動して前記フロツピデイスクに所望の情報
を書き込む書込みスイツチ回路を設置してるフロ
ツピデイスクの読出し書込み回路において、前記
読出しスイツチ回路を少なくとも一対のトランジ
スタかなるコレクタ入力スイツチを用いたもので
ある。

作 用 読出しスイツチ回路をコレクタ入力スイツチで
構成することにより、半導体集積回路化が容易に
なる。

また、モード切換回路を磁気ヘツドの共通端子
と第１の電源との間に設置した読出しモード設定
回路と、共通端子と第１の電源と同一かまたは高
い電圧に設定した第２の電源との間に設置した書
込みモード設定回路とから構成することにより、
磁気ヘツドに設定する電圧を広範囲に選択するこ
とができる。

実施例 以下、この発明を図面に示した実施例を参照し
て詳細に説明する。

第１図はこの発明のフロツピデイスクの読出し
書込み回路の実施例を示し、第２図に示す読出し
書込み回路と同一部分には同一符号を付してあ
る。

第１図において、モード切軌回路４の読出し設
定回路１０ａ、書込みスイツチ回路６および読出
しスイツチ回路８と、モード切換回路４の書込み
設定回路１０ｂとを別系統の電源電圧で駆動する
ように構成され、電源端子６９には前者の回路系
統への第１の電源が供給され、V_DDはその電圧で
ある。また、電源端子１４には、後者の書込み設
定回路１０ｂに対する第２の電源が供給され、
V_ccはその電圧であり、その値は電圧V_DDと同一
またはそれより高く設定する。

モード切換回路４の書込み設定回路１０ｂは、
トランジスタ７０、定電流源７２およびスイツチ
S₂で構成されている。

そして、読出しスイツチ回路８は、少なくとも
一対のトランジスタからなるコレクタ入力スイツ
チで構成され、この実施例の場合、トランジスタ
７４，７６、定電流源７８，８０、抵孔８２，８
４およびスイツチS₆，S₇で構成されている。

なお、第１図において、スイツチS₁，S₂，S₃，
S₄，S₆，S₇は、半導体集積回路上のスイツチング
トランジスタなどで構成され、所定のスイツチン
グ入力に基づき、選択的に開閉するようになつて
いる。

以上の構成において、その動作を説明する。

(a) 読出しモード スイツチS₁を閉じてトランジスタ２０を導通状
態にするとともに、スイツチS₂を開いてトランジ
スタ７０をカツトオフ状態にする。また、スイツ
チS₃，S₄は共に閉じて書込みスイツチ回路６の動
作を解除する。

この状態において、スイツチS₆，S₇を開くこと
により、読出しモードとなる。

このとき、トランジスタ２０のベースには、抵
抗２４によつてバイアスが与えられ、トランジス
タ２０が導通するので、電源端子６９に加えられ
た電圧V_DDは、トランジスタ２０および抵抗２２
を介して共通端子１３から磁気ヘツド２の中点に
加えられる。

すなわち、共通端子１３から出力された電流、
磁気ヘツド２の中点から左右の端子１１，１２側
に分流し、それぞれの電流は、読出しスイツチ回
路８に流れる。

読出しスイツチ回路８のトランジスタ７４，７
６は、ベースに定電流源７８，８０からバアイス
が与えられ、各トランジスタ７４，７６は導通状
態にあることとから、端子１１，１２に流れ込む
電流は、トランジスタ７４，７６を通過し、抵抗
８２，８４に電圧降下を生じさせる。この電圧降
下は、前置増幅器６８の直流バイアスとなる。

このとき、磁気ヘツド２は一定の励磁状態に置
かれ、フロツピデイスクに記憶されている情報を
読出すことが可能になる。この結果、磁気ヘツド
２の端子１１，１２に発生した読出し信号は、ト
ランジスタ７４，７６を介して抵抗８２，８４か
ら前置増幅器６８に加えられて増幅された後、図
示していない信号系統に伝達される。

このような読出しモードでは、電圧V_cc，V_DD
はV_cc≧S_DDに保持され、抵抗４２，４４を介して
ダイオード３８，４０のカソードが電圧V_ccにプ
ルアツプされているため、ダイオード３８，４０
はカツトオフ状態に置かれている。また、スイツ
チS₃，S₄が閉じているため、トランジスタ２８，
３０のベースは接地電位に置かれ、トランジスタ
２８，３０はカツトオフ状態となつている。

(b) 書込みモード スイツチS₁を開いてトランジスタ２０をカツト
オフ状態にするとともに、スイツチS₂を閉じてト
ランジスタ７０を導通状態にする。また、スイツ
チS₆，S₇を閉じ、スイツチS₃，S₄を交互にスイツ
チングさせる。

このとき、トランジスタ７０を介して共通端子
１３から出力された電流は、磁気ヘツド２の中点
を通り、端子１１，１２のいずれかの方向に選択
的に流れる。すなわち、スイツチS₃が開き、スイ
ツチS₄が閉じているときには、トランジスタ２８
が導通状態となるので、磁気ヘツド２に流れる電
流は、端子１１からダイオード３８およびトラン
ジスタ２８を介して定電流源３４に流れ込む。ま
た、スイツチS₃が閉じ、スイツチS₄が開いている
ときには、トランジスタ２８に代わつてトランジ
スタ３０が導通状態となるので、磁気ヘツド２か
らの電流は、端子１２からダイオード４０および
トランジスタ３０を介して定電流源３４に流れ込
む。

すなわち、スイツチS₃，S₄を交互に切り換える
ことによつて、磁気ヘツド２に流れる電流の方向
が変わるため、磁化方向が反転し、フロツピデイ
スクに所望の情報を出き込むことができる。

このとき、スイツチS₆，S₇は閉じているため、
トランジスタ７４，７６はカツトオフ状態とな
り、トランジスタ７４，７６への電流の流入が遮
断されている。

各モードにおいて、電源端子１４に加えられる
電圧V_ccは、電圧V_DD以上に定することが可能で
あり、例えば、携帯用機器では、V_cc＝Ｑ(V)、
V_DD＝５(V)、また、高電圧用磁気ヘツド使用で
は、V_cc＝12(V)、V_DD＝５(V)に設定する。

以上説明したように、読出しスイツチ回路８に
NPN型トランジスタ７４，７６からなるコレク
タ入力回路を使用しているため、NPN型トラン
ジスタのコレクタ・エミツタ間耐圧、コレクタ・
ベース間耐圧は容易に高くできるため、第２図に
示すような読出しスイツチ回路８に比較し、半導
体集積回路化が容易になる。従来のようなダイオ
ードスイツチを用いた場合、半導体集積回路上の
形状が特殊なものとなり、一般的な製造プロセス
では、得ることのできないダイオードを必要とす
る。

また、トランジスタ７４，７６がカツトオフ状
にあるとき、磁気ヘツド２に逆起電力が生じ、共
通端子１３の約２倍程度の電圧がトランジスタ７
４またはトランジスタ７６に印加されても、トラ
ンジスタ７４，７６はNPN型トランジスタを用
いているため、良好なカツトオフ特性が得られ、
半導体集積回路化に適する。

発明の効果 以上説明したように、この発明によれば、半導
体集積回路化が容易になるとともに、磁気ヘツド
に印加する電圧を広範囲に選択することができ、
製品の汎用化が期待できる。

【図面の簡単な説明】

第１図はこの発明のフロツピデイスクの読出し
書込み回路の実施例を示す回路図、第２図は従来
のフロツピデイスク用読出し書込み回路を示す回
路図である。 ２…読出し書込み用磁気ヘツド、４…モード切
換回路、６…書込みスイツチ回路、８…コレクタ
入力スイツチで構成された読出しスイツチ回路。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １ モード切換回路でフロツピデイスクの読出し
   書込み用磁気ヘツドに設定される読出しモードま
   たは書込みモードに対応して前記磁気ヘツドを介
   して前記フロツピデイスクから情報を読み出す読
   出しスイツチ回路および前記磁気ヘツドを駆動し
   て前記フロツピデイスクに所望の情報を書き込む
   書込みスイツチ回路を設置してなるフロツピデイ
   スクの読出し書込み回路において、前記読出しス
   イツチ回路を少なくとも一対のトランジスタから
   なるコレクタ入力スイツチを用いたことを特徴と
   するフロツピデイスクの読出し書込み回路。 ２ 前記モード切換回路は、前記磁気ヘツドの非
   通端子と第１の電源との間に設置した読出しモー
   ド設定回路と、前記共通端子と第１の電源と同一
   かまたは高い電圧に設定した第２の電源との間に
   設置した書込みモード設定回路とから構成したこ
   とを特徴とする特許請求の範囲第１項に記載のフ
   ロツピデイスクの読出し書込み回路。