JPH0543199B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0543199B2 JPH0543199B2 JP25075885A JP25075885A JPH0543199B2 JP H0543199 B2 JPH0543199 B2 JP H0543199B2 JP 25075885 A JP25075885 A JP 25075885A JP 25075885 A JP25075885 A JP 25075885A JP H0543199 B2 JPH0543199 B2 JP H0543199B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resist
- pattern
- copper
- circuit
- circuit pattern
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
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- Manufacturing Of Printed Circuit Boards (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明はプリント配線板の配線パターンの形成
方法に係り、特に非常に高密度、高精細でかつ導
体厚さが配線巾と等しい程に厚い配線パターンを
形成するに好適なプリント板製造方法に関する。
方法に係り、特に非常に高密度、高精細でかつ導
体厚さが配線巾と等しい程に厚い配線パターンを
形成するに好適なプリント板製造方法に関する。
プリント配線板のパターン形成方法には何種類
もあるが、特に高密度プリント配線の分野では大
別して銅箔を選択的にエツチングするサブトラク
テイブ法と絶縁板上に選択的に銅回路を析出させ
るアデイテイブ法の2種類が採用されている。
もあるが、特に高密度プリント配線の分野では大
別して銅箔を選択的にエツチングするサブトラク
テイブ法と絶縁板上に選択的に銅回路を析出させ
るアデイテイブ法の2種類が採用されている。
第2図は、サブトラクテイブ法による回路パタ
ーン形成の手順をプリント配線板の断面図で示す
ものである。第2図イは基材上に銅箔2が張られ
た銅張積層板1である。第2図ロはこの銅張積層
板1上にエツチングレジストをラミネートした後
回路パターンに合うようにレジストパターン3を
形成したものである。第2図ハはエツチングによ
つて銅箔2の不要部分をとり除き回路パターン4
を残したもの、第2図ニはレジストパターン3を
剥離した後回路パターン4が形成された状態を示
すものである。
ーン形成の手順をプリント配線板の断面図で示す
ものである。第2図イは基材上に銅箔2が張られ
た銅張積層板1である。第2図ロはこの銅張積層
板1上にエツチングレジストをラミネートした後
回路パターンに合うようにレジストパターン3を
形成したものである。第2図ハはエツチングによ
つて銅箔2の不要部分をとり除き回路パターン4
を残したもの、第2図ニはレジストパターン3を
剥離した後回路パターン4が形成された状態を示
すものである。
第3図はアデイテイブ法による回路パターン形
成の手順をプリント配線板の断面図で示すもので
ある。第3図イは絶縁板8である。第3図ロはこ
の絶縁板8上にレジストパターン3を形成した状
態を示すものである。第3図ロは絶縁板8上にレ
ジストパターン3を形成した状態を示すものであ
る。第3図ハはレジストパターン3のない絶縁板
8表面に化学銅めつき法によつて銅皮膜5を形成
したもの、第3図ニはレジストパターン3を剥離
した後回路パターン4が形成された状態を示すも
のである。
成の手順をプリント配線板の断面図で示すもので
ある。第3図イは絶縁板8である。第3図ロはこ
の絶縁板8上にレジストパターン3を形成した状
態を示すものである。第3図ロは絶縁板8上にレ
ジストパターン3を形成した状態を示すものであ
る。第3図ハはレジストパターン3のない絶縁板
8表面に化学銅めつき法によつて銅皮膜5を形成
したもの、第3図ニはレジストパターン3を剥離
した後回路パターン4が形成された状態を示すも
のである。
まずサブトラクテイブ法によつて回路パターン
を形成する場合、素材の上に選択的に回路パター
ンを残すため、エツチングによつて得られる回路
パターン4の断面は第4図イに示すように台形状
となる。この台形状はエツチングすべき銅箔2の
厚さが増すにつれて第4図ロに示すように顕著と
なる。その結果第1に一定の銅回路巾dを得るた
めにレジストの回路巾d′にはΔd=d′−dの補正を
与える必要を生じ、かつエツチングすべき銅の厚
さが増すとこの補正も増加するという問題を生ず
る。すなわちレジスト回路巾の増加はレジスト回
路間隔d″の減少を意味し、この回路間隔の減少は
レジストパターンのシヨート、ひいては銅回路パ
ターンのシヨートの増加要因となる。第2に銅回
路の断面形状が台形となるために回路巾を細くし
た時の回路直流抵抗の増加が加速されてしまうと
いう問題を生ずる。直流抵抗の増加を抑えるため
に銅厚を厚くしても比例的な効果は得られず、第
1の問題を紹くことにもなる。以上の観点より高
密度で低抵抗な銅回路パターンをサブトラクテイ
ブ法で形成するのは大変難かしい。
を形成する場合、素材の上に選択的に回路パター
ンを残すため、エツチングによつて得られる回路
パターン4の断面は第4図イに示すように台形状
となる。この台形状はエツチングすべき銅箔2の
厚さが増すにつれて第4図ロに示すように顕著と
なる。その結果第1に一定の銅回路巾dを得るた
めにレジストの回路巾d′にはΔd=d′−dの補正を
与える必要を生じ、かつエツチングすべき銅の厚
さが増すとこの補正も増加するという問題を生ず
る。すなわちレジスト回路巾の増加はレジスト回
路間隔d″の減少を意味し、この回路間隔の減少は
レジストパターンのシヨート、ひいては銅回路パ
ターンのシヨートの増加要因となる。第2に銅回
路の断面形状が台形となるために回路巾を細くし
た時の回路直流抵抗の増加が加速されてしまうと
いう問題を生ずる。直流抵抗の増加を抑えるため
に銅厚を厚くしても比例的な効果は得られず、第
1の問題を紹くことにもなる。以上の観点より高
密度で低抵抗な銅回路パターンをサブトラクテイ
ブ法で形成するのは大変難かしい。
サブトラクテイブ法のパターン形成に比べ、ア
デイテイブ法のパターン形成の方が精細パターン
の形成には有利である。第3図に示したようにア
デイテイブ法でのパターン形成では、パターンの
断面形状はめつきレジストの断面形状に依存して
おり、レジストの断面形状は前述のサブトラクテ
イブ法の場合のエツチングで問題となる様なアン
ダカツトがないために精細パターン形成が容易と
なる。しかし問題がないというわけではない。高
密度配線の要求から銅回路中の精細化が進む一方
で、回路の直流抵抗の増加は避けたいとの立場か
ら、回路巾を1/2にすれば導体厚は2倍にしたい
というのが設計的な希望となる。サブトラクテイ
ブ法での導体厚を厚くすることの困難さは前述の
通りであるが、アデイテイブ法の場合には使用す
るレジストの耐めつき液性が問題となつてくる。
アデイテイブ法では銅回路と厚付け化学めつき法
により析出させるが、析出の速度は良質なめつき
皮膜を得ようとすればする程遅くなり、例えば
40μmの銅厚を得ようとすれば20時間程度のめつ
き時間が必要となる。導体の巾を1/2にするため
に80μmの銅厚が必要となると、めつき時間は40
時間にもなる。この時、使用するレジストの耐め
つき液性が大きな問題となる。一般に厚付け化学
めつき液は強アルカリであり、かつ高い温度で処
理するために、有機皮膜であるレジストはあまり
長時間めつき液中に放置されるとレジスト成分の
一部がめつき液中に溶出する、あるいはめつきが
レジストの表面や下面に浸み込んでシヨートの原
因となる等の問題を生ずる。現在実用化されてい
る厚付け化学めつき液とレジストとの組合せでは
20時間程度が限界であり、従つて得られる銅厚も
40μm前後が限界である。
デイテイブ法のパターン形成の方が精細パターン
の形成には有利である。第3図に示したようにア
デイテイブ法でのパターン形成では、パターンの
断面形状はめつきレジストの断面形状に依存して
おり、レジストの断面形状は前述のサブトラクテ
イブ法の場合のエツチングで問題となる様なアン
ダカツトがないために精細パターン形成が容易と
なる。しかし問題がないというわけではない。高
密度配線の要求から銅回路中の精細化が進む一方
で、回路の直流抵抗の増加は避けたいとの立場か
ら、回路巾を1/2にすれば導体厚は2倍にしたい
というのが設計的な希望となる。サブトラクテイ
ブ法での導体厚を厚くすることの困難さは前述の
通りであるが、アデイテイブ法の場合には使用す
るレジストの耐めつき液性が問題となつてくる。
アデイテイブ法では銅回路と厚付け化学めつき法
により析出させるが、析出の速度は良質なめつき
皮膜を得ようとすればする程遅くなり、例えば
40μmの銅厚を得ようとすれば20時間程度のめつ
き時間が必要となる。導体の巾を1/2にするため
に80μmの銅厚が必要となると、めつき時間は40
時間にもなる。この時、使用するレジストの耐め
つき液性が大きな問題となる。一般に厚付け化学
めつき液は強アルカリであり、かつ高い温度で処
理するために、有機皮膜であるレジストはあまり
長時間めつき液中に放置されるとレジスト成分の
一部がめつき液中に溶出する、あるいはめつきが
レジストの表面や下面に浸み込んでシヨートの原
因となる等の問題を生ずる。現在実用化されてい
る厚付け化学めつき液とレジストとの組合せでは
20時間程度が限界であり、従つて得られる銅厚も
40μm前後が限界である。
本発明の目的は、高密度、高精細でかつ導体厚
さが配線巾に等しい程に厚い配線パターンを有す
るプリント配線板の製造方法を提供することにあ
る。
さが配線巾に等しい程に厚い配線パターンを有す
るプリント配線板の製造方法を提供することにあ
る。
本発明は、銅張積層板の表面に公知の方法によ
りレジストパターンを形成し、その後該レジスト
パターンをエツチングレジストとして第1の回路
パターンをエツチング法により得た後にこのレジ
ストパターンを剥離し、その後該積層板の全面に
化学めつき法により所望の厚さに銅を析出させ、
その後該析出銅表面のうち前記第1の回路パター
ン上の析出銅部に相当する凸部にのみ選択的に再
度レジストを付与し、該レジストをエツチングレ
ジストとしてエツチング法により第1の回路パタ
ーン上に導体を積み重ねるように回路パターンを
得、その後該エツチングレジストを剥離すること
により、導体厚さが配線巾に等しい程に厚い配線
パターンを形成する製造法を特徴とする。
りレジストパターンを形成し、その後該レジスト
パターンをエツチングレジストとして第1の回路
パターンをエツチング法により得た後にこのレジ
ストパターンを剥離し、その後該積層板の全面に
化学めつき法により所望の厚さに銅を析出させ、
その後該析出銅表面のうち前記第1の回路パター
ン上の析出銅部に相当する凸部にのみ選択的に再
度レジストを付与し、該レジストをエツチングレ
ジストとしてエツチング法により第1の回路パタ
ーン上に導体を積み重ねるように回路パターンを
得、その後該エツチングレジストを剥離すること
により、導体厚さが配線巾に等しい程に厚い配線
パターンを形成する製造法を特徴とする。
以下、本発明の一実施例を第1図により説明す
る。銅張積層板1には厚さ35μmの銅箔2が張ら
れている(第1図イ)。この銅箔上にデユポン社
製の感光性ドライフイルムレジスト、リストン
1220をラミネートし、公知のフオトレジプロセス
によりレジストパターン3を形成する。これを塩
化第2銅によりエツチングして銅回路パターン4
を得る(第1図ロ)。この時、回路巾dは70μm、
レジストの回路巾d′は80μmである。またレジス
ト上での回路間隔d″は90μmである。次にレジス
トパターン3を剥離し、全面に35μm厚の厚付け
化学銅めつき5を析出させる(第1図ハ)。続い
て銅回路パターン4の上部に盛り上つている析出
銅膜5′の部分に再びレジストパターン6を付与
する(第1図ニ)。このレジストは耐エツチング
性を有するインクレジストであれば良く、また付
与の方法は公知の凸版にインクを付与する方法を
そのまま利用すればよい。レジストパターン6を
エツチングレジストとして再度塩化第2銅による
エツチングを行ない、その後レジストパターン6
を剥離すれば銅回路パターン7を得る(第1図
ホ)。得られた銅回路パターンはパターン巾70μ
m、パターン間隔100μm、導体厚さ70μmとな
る。
る。銅張積層板1には厚さ35μmの銅箔2が張ら
れている(第1図イ)。この銅箔上にデユポン社
製の感光性ドライフイルムレジスト、リストン
1220をラミネートし、公知のフオトレジプロセス
によりレジストパターン3を形成する。これを塩
化第2銅によりエツチングして銅回路パターン4
を得る(第1図ロ)。この時、回路巾dは70μm、
レジストの回路巾d′は80μmである。またレジス
ト上での回路間隔d″は90μmである。次にレジス
トパターン3を剥離し、全面に35μm厚の厚付け
化学銅めつき5を析出させる(第1図ハ)。続い
て銅回路パターン4の上部に盛り上つている析出
銅膜5′の部分に再びレジストパターン6を付与
する(第1図ニ)。このレジストは耐エツチング
性を有するインクレジストであれば良く、また付
与の方法は公知の凸版にインクを付与する方法を
そのまま利用すればよい。レジストパターン6を
エツチングレジストとして再度塩化第2銅による
エツチングを行ない、その後レジストパターン6
を剥離すれば銅回路パターン7を得る(第1図
ホ)。得られた銅回路パターンはパターン巾70μ
m、パターン間隔100μm、導体厚さ70μmとな
る。
本発明によれば、高密度、高精細でかつ配線巾
に等しい程に厚い配線パターンを容易に形成可能
であることから、配線の高密度化と回路導体の直
流抵抗の増加抑止を同時に達成できるという効果
がある。
に等しい程に厚い配線パターンを容易に形成可能
であることから、配線の高密度化と回路導体の直
流抵抗の増加抑止を同時に達成できるという効果
がある。
第1図は本発明の工程を示す図、第2図はサブ
トラクテイブ法によるパターン形成の1例を示す
工程図、第3図はアデイテイブ法によるパターン
形成の1例を示す工程図、第4図はサブトラクテ
イブ法でパターン形成を行つた場合の回路パター
ンの断面図である。 1……銅張積層板、2……銅箔、3……レジス
トパターン、4……銅回路パターン、5……厚付
け化学銅めつき、5′……析出銅膜、6……レジ
ストパターン、7……銅回路パターン。
トラクテイブ法によるパターン形成の1例を示す
工程図、第3図はアデイテイブ法によるパターン
形成の1例を示す工程図、第4図はサブトラクテ
イブ法でパターン形成を行つた場合の回路パター
ンの断面図である。 1……銅張積層板、2……銅箔、3……レジス
トパターン、4……銅回路パターン、5……厚付
け化学銅めつき、5′……析出銅膜、6……レジ
ストパターン、7……銅回路パターン。
Claims (1)
- 1 銅張積層板の表面にレジストパターンを形成
し、その後前記積層板をエツチングし、その後前
記レジストパターンを剥離し、その後前記積層板
の全面に化学めつき法により銅を析出させ、その
後前記積層板の表面に形成されている凹凸のうち
回路パターンに対応する凸部に選択的にレジスト
を付与し、前記積層板をエツチングし、その後前
記レジストを剥離して前記回路パターンを形成す
るプリント配線板の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25075885A JPS62111494A (ja) | 1985-11-11 | 1985-11-11 | プリント配線板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25075885A JPS62111494A (ja) | 1985-11-11 | 1985-11-11 | プリント配線板の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62111494A JPS62111494A (ja) | 1987-05-22 |
| JPH0543199B2 true JPH0543199B2 (ja) | 1993-06-30 |
Family
ID=17212602
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25075885A Granted JPS62111494A (ja) | 1985-11-11 | 1985-11-11 | プリント配線板の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62111494A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0634438B2 (ja) * | 1986-09-05 | 1994-05-02 | 日本電気株式会社 | 配線電極の形成方法 |
-
1985
- 1985-11-11 JP JP25075885A patent/JPS62111494A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS62111494A (ja) | 1987-05-22 |
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