JPH0546262Y2 - - Google Patents
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- JPH0546262Y2 JPH0546262Y2 JP5381988U JP5381988U JPH0546262Y2 JP H0546262 Y2 JPH0546262 Y2 JP H0546262Y2 JP 5381988 U JP5381988 U JP 5381988U JP 5381988 U JP5381988 U JP 5381988U JP H0546262 Y2 JPH0546262 Y2 JP H0546262Y2
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Landscapes
- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
(イ) 考案の目的
この考案は内部に絶縁ガスを充填したモールド
コンデンサに関するものである。
コンデンサに関するものである。
[従来技術]
プラスチツクフイルムを誘電体とし、これに金
属を蒸着した金属化フイルムを積み重ねながら巻
き取つた、所謂、巻回型コンデンサ素子は、無極
性であり誘電損失が少ないこと、等から電力用に
用いられる。しかし、高電圧下に用いられるとき
巻回両端面部にコロナ放電を生じ易いことはよく
知られている。
属を蒸着した金属化フイルムを積み重ねながら巻
き取つた、所謂、巻回型コンデンサ素子は、無極
性であり誘電損失が少ないこと、等から電力用に
用いられる。しかし、高電圧下に用いられるとき
巻回両端面部にコロナ放電を生じ易いことはよく
知られている。
ところで、巻回型コンデンサ素子の巻回両端面
部に絶縁ガスを滞留させコロナ放電特性の向上を
目的にした、特開昭60−72212号公報に記載のモ
ールドコンデンサの製造法がある。
部に絶縁ガスを滞留させコロナ放電特性の向上を
目的にした、特開昭60−72212号公報に記載のモ
ールドコンデンサの製造法がある。
この製造法は、コンデンサ素子を真空高温槽に
入れて加熱処理および真空処理を行い、処理後の
コンデンサ素子に絶縁ガスを充填し、絶縁ガスを
充填したコンデンサ素子をモールド樹脂の中に埋
設して取り出す製法であり、このモールドコンデ
ンサの製造法はコンデンサ素子の巻回両端面の凹
凸部に僅かながら絶縁ガスの滞留が期待でき、コ
ンデンサ素子に絶縁ガスを充填しないものに較べ
てコロナ放電特性が向上すると同時に絶縁耐力が
向上する利点がある。
入れて加熱処理および真空処理を行い、処理後の
コンデンサ素子に絶縁ガスを充填し、絶縁ガスを
充填したコンデンサ素子をモールド樹脂の中に埋
設して取り出す製法であり、このモールドコンデ
ンサの製造法はコンデンサ素子の巻回両端面の凹
凸部に僅かながら絶縁ガスの滞留が期待でき、コ
ンデンサ素子に絶縁ガスを充填しないものに較べ
てコロナ放電特性が向上すると同時に絶縁耐力が
向上する利点がある。
[考案が解決しようとする問題点]
しかしながら、上記モールドコンデンサの製造
法は、絶縁ガスを充填したコンデンサ素子をモー
ルド樹脂の中に埋設する際に、コンデンサ素子を
モールド樹脂液の中に入れた段階でコンデンサ素
子の巻回両端面の凹凸部に滞留していた絶縁ガス
がモールド樹脂液により浮力を得て一部はモール
ド樹脂液中を気泡となつて出て行き、更に、モー
ルド樹脂液を硬化反応温度に上げて硬化反応を進
める段階で残留している絶縁ガスは暖められ一層
大きな浮力を得てモールド樹脂液中を気泡となつ
て更に外に出て行くので、コンデンサ素子の巻回
両端面の凹凸部に絶縁ガスの滞留をあまり期待す
ることができなくなるという問題点もある。
法は、絶縁ガスを充填したコンデンサ素子をモー
ルド樹脂の中に埋設する際に、コンデンサ素子を
モールド樹脂液の中に入れた段階でコンデンサ素
子の巻回両端面の凹凸部に滞留していた絶縁ガス
がモールド樹脂液により浮力を得て一部はモール
ド樹脂液中を気泡となつて出て行き、更に、モー
ルド樹脂液を硬化反応温度に上げて硬化反応を進
める段階で残留している絶縁ガスは暖められ一層
大きな浮力を得てモールド樹脂液中を気泡となつ
て更に外に出て行くので、コンデンサ素子の巻回
両端面の凹凸部に絶縁ガスの滞留をあまり期待す
ることができなくなるという問題点もある。
また、モールドの際に充填したSF6ガスが浮力
によりモールド樹脂液中を気泡となつて外に出て
行く現象はモールド樹脂の硬化温度が高くなるほ
ど助長される関係にあり、コロナ放電の改善に悪
影響を与えると云う問題点がある。
によりモールド樹脂液中を気泡となつて外に出て
行く現象はモールド樹脂の硬化温度が高くなるほ
ど助長される関係にあり、コロナ放電の改善に悪
影響を与えると云う問題点がある。
さらに、モールド樹脂の硬化温度(約50℃〜
120℃)から室温に戻すことにより絶縁耐力弱点
部の絶縁ガスのガス圧が下つて大気圧以下とな
り、このことがコロナ放電開始電圧を下げる結果
をもたらすと云う問題点がある。
120℃)から室温に戻すことにより絶縁耐力弱点
部の絶縁ガスのガス圧が下つて大気圧以下とな
り、このことがコロナ放電開始電圧を下げる結果
をもたらすと云う問題点がある。
さらにまた、このようなモールドコンデンサは
周囲温度が低くなるとガス圧が更に下つてコロナ
放電開始電圧が下がり、寒冷地での使用が不可能
になると云う問題点がある。
周囲温度が低くなるとガス圧が更に下つてコロナ
放電開始電圧が下がり、寒冷地での使用が不可能
になると云う問題点がある。
そこで、この考案は巻回型コンデンサ素子の巻
回両端面部の金属薄膜縁面まわりの絶縁耐力弱点
部に絶縁ガスを正圧状態に密封してコロナ放電特
性の改善を計りうるモールドコンデンサを提供し
ようとするものである。
回両端面部の金属薄膜縁面まわりの絶縁耐力弱点
部に絶縁ガスを正圧状態に密封してコロナ放電特
性の改善を計りうるモールドコンデンサを提供し
ようとするものである。
(ロ) 考案の構成
[問題点を解決するための手段]
この考案は、上記の問題点を解決するために、
筒形ボビンに帯状の誘電層と電極層とが交互に巻
回された巻回型コンデンサ素子の前記筒形ボビン
の下端孔部を除く外周面部を容器により巻回両端
面に面して各別に間隙を形成せしめて包囲し、か
つ容器内および筒形ボビンの孔内に絶縁ガスを充
填すると共に、容器のまわりを合成樹脂でモール
ドするに際して筒形ボビンの孔内に合成樹脂を流
入させ加圧状態とすることにより容器内の絶縁ガ
スを正圧状態に密封せしめて一体にモールドした
のである。
筒形ボビンに帯状の誘電層と電極層とが交互に巻
回された巻回型コンデンサ素子の前記筒形ボビン
の下端孔部を除く外周面部を容器により巻回両端
面に面して各別に間隙を形成せしめて包囲し、か
つ容器内および筒形ボビンの孔内に絶縁ガスを充
填すると共に、容器のまわりを合成樹脂でモール
ドするに際して筒形ボビンの孔内に合成樹脂を流
入させ加圧状態とすることにより容器内の絶縁ガ
スを正圧状態に密封せしめて一体にモールドした
のである。
[作用]
巻回型コンデンサ素子の筒形ボビンの下端孔部
を除く外周面を包囲した容器内および筒形ボビン
内に絶縁ガスを充填して容器のまわりを合成樹脂
でモールドするに際に、容器のまわりに合成樹脂
液を注入して行くと、先ず、筒形ボビンの下部開
口が合成樹脂液で封口されることにより、容器お
よび筒形ボビン内に絶縁ガスを絶縁ガス充填時の
ガス圧に封入できる。
を除く外周面を包囲した容器内および筒形ボビン
内に絶縁ガスを充填して容器のまわりを合成樹脂
でモールドするに際に、容器のまわりに合成樹脂
液を注入して行くと、先ず、筒形ボビンの下部開
口が合成樹脂液で封口されることにより、容器お
よび筒形ボビン内に絶縁ガスを絶縁ガス充填時の
ガス圧に封入できる。
また、容器のまわりに更に合成樹脂液を注入し
て行くと筒形ボビンの孔の下部に生じている合成
樹脂液の自由表面に注入合成樹脂液の重力が加わ
つて加圧状態となることにより、合成樹脂液を更
に上方に押し上げて流入させて容器内の絶縁ガス
のガス圧を上昇させることができる。
て行くと筒形ボビンの孔の下部に生じている合成
樹脂液の自由表面に注入合成樹脂液の重力が加わ
つて加圧状態となることにより、合成樹脂液を更
に上方に押し上げて流入させて容器内の絶縁ガス
のガス圧を上昇させることができる。
また、容器のまわりに合成樹脂液を満たした後
に、合成樹脂液を外力により加圧しながら更に注
入すると、合成樹脂液の自由表面に加圧注入力が
加わつて、更に大きな加圧状態となることによ
り、絶縁ガスを圧縮させ、その圧縮反発力に抗し
て絶縁ガスを筒形ボビンの孔内の上の方向に押し
やりながら合成樹脂液が侵入して行き、絶縁ガス
は筒形ボビンの孔内に入り込んだ合成樹脂液量だ
け圧縮され絶縁ガスのガス圧を更に上昇させるこ
とができる。
に、合成樹脂液を外力により加圧しながら更に注
入すると、合成樹脂液の自由表面に加圧注入力が
加わつて、更に大きな加圧状態となることによ
り、絶縁ガスを圧縮させ、その圧縮反発力に抗し
て絶縁ガスを筒形ボビンの孔内の上の方向に押し
やりながら合成樹脂液が侵入して行き、絶縁ガス
は筒形ボビンの孔内に入り込んだ合成樹脂液量だ
け圧縮され絶縁ガスのガス圧を更に上昇させるこ
とができる。
容器内の絶縁ガスのガス圧が所望の値となると
その加圧状態を保ちながら注入した合成樹脂液を
反応硬化させることにより、容器内に絶縁ガスを
所望の高圧に密封することができる。
その加圧状態を保ちながら注入した合成樹脂液を
反応硬化させることにより、容器内に絶縁ガスを
所望の高圧に密封することができる。
容器内に絶縁ガスを所望の高圧に密封できるこ
とにより、巻回型コンデンサ素子の絶縁耐力弱点
部のコロナ放電開始電圧をパーシエン
(Paschen)則に従つて高くできるので、この考
案のモールドコンデンサのコロナ放電開始電圧を
向上させることができる。
とにより、巻回型コンデンサ素子の絶縁耐力弱点
部のコロナ放電開始電圧をパーシエン
(Paschen)則に従つて高くできるので、この考
案のモールドコンデンサのコロナ放電開始電圧を
向上させることができる。
[実施例]
以下、本願考案を実施例により図面の第1図、
第2図を用いて説明する。なお、第1図は、モー
ルドコンデンサの断面図、第2図は、モールドコ
ンデンサの製作に用いる注型金型装置の切り欠き
断面図を示している。
第2図を用いて説明する。なお、第1図は、モー
ルドコンデンサの断面図、第2図は、モールドコ
ンデンサの製作に用いる注型金型装置の切り欠き
断面図を示している。
モールドコンデンサは、筒形ボビン1に帯状の
誘電層と電極層とが交互に巻回された巻回形コン
デンサ素子2の筒形ボビン1の下端孔部を除く外
周面部を容器2により巻回両端面に面して各別に
間隙を形成せしめて包囲し、かつ容器3内および
筒形ボビン1の孔内に絶縁ガス、例えばSF6ガス
6を充填すると共に、容器3のまわりを合成樹
脂、例えばエポキシ樹脂7でモールドするに際し
て筒形ボビン1の孔内にエポキシ樹脂7を流入さ
せ加圧状態とすることにより容器3内のSF6ガス
6を正圧状態に密封せしめて一体にモールドして
構成したものである。
誘電層と電極層とが交互に巻回された巻回形コン
デンサ素子2の筒形ボビン1の下端孔部を除く外
周面部を容器2により巻回両端面に面して各別に
間隙を形成せしめて包囲し、かつ容器3内および
筒形ボビン1の孔内に絶縁ガス、例えばSF6ガス
6を充填すると共に、容器3のまわりを合成樹
脂、例えばエポキシ樹脂7でモールドするに際し
て筒形ボビン1の孔内にエポキシ樹脂7を流入さ
せ加圧状態とすることにより容器3内のSF6ガス
6を正圧状態に密封せしめて一体にモールドして
構成したものである。
上記容器3内にSF6ガス6を正圧状態に密封す
るには次の方法で行うことができる。
るには次の方法で行うことができる。
まず、巻回型コンデンサ素子2の巻芯に筒形ボ
ビン1を用いて、この筒形ボビン1の下端孔部を
除く巻回型コンデンサ素子2の外周面部を容器3
で包囲し、巻回型コンデンサ素子2の巻回両端面
に面して各別に間隙を形成せしめる。
ビン1を用いて、この筒形ボビン1の下端孔部を
除く巻回型コンデンサ素子2の外周面部を容器3
で包囲し、巻回型コンデンサ素子2の巻回両端面
に面して各別に間隙を形成せしめる。
容器3は巻回型コンデンサ素子2を内に入れる
ため容器本体3aと蓋体3bとからなり、巻回型
コンデンサ素子2の外径寸法より少し大きめの内
径を有し、巻回両端面に面してそれぞれに間隙を
形成する高さの内法り寸法に設定してある。蓋体
3bは筒形ボビン1の下端部外周に封止状態に固
定され、容器本体3aには巻回型コンデンサ素子
7の一方の引き出し線4aを挿通し半田付け封止
を可能にするためのハトメ5aを取り付けてあ
る。また、筒形ボビン1には、巻回型コンデンサ
素子2の他方の引き出し線4bを挿通し半田付け
封止を可能にするためのハトメ5bが取り付けて
ある。
ため容器本体3aと蓋体3bとからなり、巻回型
コンデンサ素子2の外径寸法より少し大きめの内
径を有し、巻回両端面に面してそれぞれに間隙を
形成する高さの内法り寸法に設定してある。蓋体
3bは筒形ボビン1の下端部外周に封止状態に固
定され、容器本体3aには巻回型コンデンサ素子
7の一方の引き出し線4aを挿通し半田付け封止
を可能にするためのハトメ5aを取り付けてあ
る。また、筒形ボビン1には、巻回型コンデンサ
素子2の他方の引き出し線4bを挿通し半田付け
封止を可能にするためのハトメ5bが取り付けて
ある。
巻回型コンデンサ素子2の筒形ボビン1に蓋体
2bを取り付け、容器本体2aの中に位置決めし
て収容した後、蓋体1bを封止状態に固着し、容
器本体2aおよび筒形ボビン1のハトメ4a,4
b部に挿通した引き出し線4a,4bを半田付け
して封止状態にしておく。
2bを取り付け、容器本体2aの中に位置決めし
て収容した後、蓋体1bを封止状態に固着し、容
器本体2aおよび筒形ボビン1のハトメ4a,4
b部に挿通した引き出し線4a,4bを半田付け
して封止状態にしておく。
次に、これを、第2図に示すようにその外径寸
法より大きな内径寸法を有する金型8内に収容
し、バルブ9,11,12を閉じ、バルブ10を
開いて真空ポンプ13を作動させて、金型10内
を真空脱気する。
法より大きな内径寸法を有する金型8内に収容
し、バルブ9,11,12を閉じ、バルブ10を
開いて真空ポンプ13を作動させて、金型10内
を真空脱気する。
容器3内の空気は筒形ボビンを通じて脱気さ
れ、容器1および気筒管2内を10-2mmHg程度の
真空度まで引く。
れ、容器1および気筒管2内を10-2mmHg程度の
真空度まで引く。
次いで、バルブ10を閉じバルブ11を開いて
真空状態の金型8内に絶縁ガス、例えばSF6ガス
6を流入させて筒形ボビンの孔内および容器1内
にSF6ガス6を充填し、その後に金型8と容器1
との間にエポキシ樹脂液7′を注入する。
真空状態の金型8内に絶縁ガス、例えばSF6ガス
6を流入させて筒形ボビンの孔内および容器1内
にSF6ガス6を充填し、その後に金型8と容器1
との間にエポキシ樹脂液7′を注入する。
エポキシ樹脂液7′は、例えばエポキシ樹脂に
無機質の充填材を混入して密度ρが1.3グラム/
c.c.のものを用いる。このエポキシ樹脂液7′を金
型8と容器1との間に注入して行くと、先ず、筒
形ボビン1の孔の下部開口がエポキシ樹脂液7′
で封口されて、容器3および筒形ボビン1の孔内
にSF6ガス6を封入でる。第2図は、ほぼこの状
態を描いてある。この状態の時のSF6ガス8の封
入圧をPp[Torr]とし、この封入圧Ppは、適宜に
定めることができる。エポキシ樹脂液7′を更に
注入して行き、金型8と容器3との間の空間に満
たされると、筒形ボビンの孔の下部に生じている
合成樹脂液7′の自由表面は注入した合成樹脂液
7′の重力が加わつた加圧状態となる。容器3の
高さを12cmとすると、この自由表面に加わる重力
Phは、ほぼ、 Ph=ρgh =15288[dyn/cm2] となり、この重力Phが容器3および筒形ボビン
の孔内のSF6ガス6のガス圧PxをPpから、 Px=Pp+0.015288[Torr] に上昇させた加圧状態になつて釣り合つている。
金型8と容器3との間の空間に合成樹脂液7′を
満たしたこのような加圧状態に、更にエポキシ樹
脂液7′を外力により加圧しながら注入して行く
と、自由表面に更に外力による加圧力が加わつた
加圧状態となり、このことによりSF6ガス6を圧
縮させて中に押し込みながらエポキシ樹脂液7′
が筒形ボビンの孔の上の方向に侵入して行き、中
のSF6ガス6は筒形ボビン1の孔の中にに入り込
んだエポキシ樹脂液量だけ圧縮し、このため中の
SF6ガス6のガス圧PxはPpから更に上昇した加圧
状態となる。
無機質の充填材を混入して密度ρが1.3グラム/
c.c.のものを用いる。このエポキシ樹脂液7′を金
型8と容器1との間に注入して行くと、先ず、筒
形ボビン1の孔の下部開口がエポキシ樹脂液7′
で封口されて、容器3および筒形ボビン1の孔内
にSF6ガス6を封入でる。第2図は、ほぼこの状
態を描いてある。この状態の時のSF6ガス8の封
入圧をPp[Torr]とし、この封入圧Ppは、適宜に
定めることができる。エポキシ樹脂液7′を更に
注入して行き、金型8と容器3との間の空間に満
たされると、筒形ボビンの孔の下部に生じている
合成樹脂液7′の自由表面は注入した合成樹脂液
7′の重力が加わつた加圧状態となる。容器3の
高さを12cmとすると、この自由表面に加わる重力
Phは、ほぼ、 Ph=ρgh =15288[dyn/cm2] となり、この重力Phが容器3および筒形ボビン
の孔内のSF6ガス6のガス圧PxをPpから、 Px=Pp+0.015288[Torr] に上昇させた加圧状態になつて釣り合つている。
金型8と容器3との間の空間に合成樹脂液7′を
満たしたこのような加圧状態に、更にエポキシ樹
脂液7′を外力により加圧しながら注入して行く
と、自由表面に更に外力による加圧力が加わつた
加圧状態となり、このことによりSF6ガス6を圧
縮させて中に押し込みながらエポキシ樹脂液7′
が筒形ボビンの孔の上の方向に侵入して行き、中
のSF6ガス6は筒形ボビン1の孔の中にに入り込
んだエポキシ樹脂液量だけ圧縮し、このため中の
SF6ガス6のガス圧PxはPpから更に上昇した加圧
状態となる。
エポキシ樹脂液7′の注入加圧力を、例えば、
1.2×106dyn/cm2、1.5×106dyn/cm2の2種類に設
定し、筒形ボビン1の孔の容積を容器の内容積よ
り巻回型コンデンサ素子の体積を引いた値の半分
に設定すると、容器内のSF6ガスのガス圧Pxを (Pp+0.015288)Torr から それぞれ、約 (1.2+PO+0.015288)Torr、 (1.5+PO+0.015288)Torr に上昇させる。
1.2×106dyn/cm2、1.5×106dyn/cm2の2種類に設
定し、筒形ボビン1の孔の容積を容器の内容積よ
り巻回型コンデンサ素子の体積を引いた値の半分
に設定すると、容器内のSF6ガスのガス圧Pxを (Pp+0.015288)Torr から それぞれ、約 (1.2+PO+0.015288)Torr、 (1.5+PO+0.015288)Torr に上昇させる。
容器1内のSF6ガス6のガス圧が所望の値にな
るとその加圧状態を保ちながら注入したエポキシ
樹脂液7′を反応硬化させると、容器1内にSF6
ガス6を所望の高圧に密封できるので金型8より
取り出し必要により後加工を施してこの考案のモ
ールドコンデンサを得ることができる。
るとその加圧状態を保ちながら注入したエポキシ
樹脂液7′を反応硬化させると、容器1内にSF6
ガス6を所望の高圧に密封できるので金型8より
取り出し必要により後加工を施してこの考案のモ
ールドコンデンサを得ることができる。
Ppを0.3Torrにして、容器1内のSF6ガスのガ
ス圧Pxが、1.015Torr、1.4Torr、1.9Torrのモー
ルドコンデンサを作成し、此れ等のコロナ放電開
始電圧を、従来例の製造法で作成したモールドコ
ンデンサのコロナ放電開始電圧に較べると、それ
ぞれ1.4倍、1.9倍、2.4倍高いコロナ放電開始電圧
が得られた。
ス圧Pxが、1.015Torr、1.4Torr、1.9Torrのモー
ルドコンデンサを作成し、此れ等のコロナ放電開
始電圧を、従来例の製造法で作成したモールドコ
ンデンサのコロナ放電開始電圧に較べると、それ
ぞれ1.4倍、1.9倍、2.4倍高いコロナ放電開始電圧
が得られた。
(ハ) 考案の効果
この考案のモールドコンデンサは筒形ボビンの
の孔の下部開口よりモールド用の合成樹脂液を加
圧状態にして流入させることにより、巻回型コン
デンサ素子を収容する容器内に絶縁ガスを正圧状
態に密封してあるので、巻回型コンデンサ素子の
巻回両端面の絶縁耐力弱点部に絶縁ガスを高密度
に介在させることができ、コロナ放電開始電圧の
向上を計ることができるものである。
の孔の下部開口よりモールド用の合成樹脂液を加
圧状態にして流入させることにより、巻回型コン
デンサ素子を収容する容器内に絶縁ガスを正圧状
態に密封してあるので、巻回型コンデンサ素子の
巻回両端面の絶縁耐力弱点部に絶縁ガスを高密度
に介在させることができ、コロナ放電開始電圧の
向上を計ることができるものである。
第1図は実施例におけるモールドコンデンサの
端面図、第2図は注型金型装置の切欠き断面図で
あることを示す。 1……筒形ボビン、2……巻回型コンデンサ素
子、3……容器、3a……容器本体、3b……蓋
体、4a,4b……それぞれ引き出し線、5a,
5b……それぞれハトメ、6……SF6ガス、7…
…エポキシ樹脂、7′……エポキシ樹脂液、8…
…金型、9,10,11,12……それぞれバル
ブ、13……真空ポンプ、14……合成樹脂液タ
ンク、15……SF6ガスボンベ。
端面図、第2図は注型金型装置の切欠き断面図で
あることを示す。 1……筒形ボビン、2……巻回型コンデンサ素
子、3……容器、3a……容器本体、3b……蓋
体、4a,4b……それぞれ引き出し線、5a,
5b……それぞれハトメ、6……SF6ガス、7…
…エポキシ樹脂、7′……エポキシ樹脂液、8…
…金型、9,10,11,12……それぞれバル
ブ、13……真空ポンプ、14……合成樹脂液タ
ンク、15……SF6ガスボンベ。
Claims (1)
- 筒形ボビンに帯状の誘電層と電極層とを交互に
巻回された巻回型コンデンサ素子の前記筒形ボビ
ンの下端孔部を除く外周面部を容器により巻回両
端面に面して各別に間隙を形成せしめて包囲し、
かつ容器内および筒形ボビンの孔内に絶縁ガスを
充填すると共に、容器のまわりを合成樹脂でモー
ルドするに際して筒形ボビンの孔内に合成樹脂を
流入させ加圧状態とすることにより容器内の絶縁
ガスを正圧状態に密封せしめて一体にモールドし
たことを特徴とするモールドコンデンサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5381988U JPH0546262Y2 (ja) | 1988-04-20 | 1988-04-20 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5381988U JPH0546262Y2 (ja) | 1988-04-20 | 1988-04-20 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01156531U JPH01156531U (ja) | 1989-10-27 |
| JPH0546262Y2 true JPH0546262Y2 (ja) | 1993-12-03 |
Family
ID=31279778
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5381988U Expired - Lifetime JPH0546262Y2 (ja) | 1988-04-20 | 1988-04-20 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0546262Y2 (ja) |
-
1988
- 1988-04-20 JP JP5381988U patent/JPH0546262Y2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH01156531U (ja) | 1989-10-27 |
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