JPH0536844A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPH0536844A JPH0536844A JP19396391A JP19396391A JPH0536844A JP H0536844 A JPH0536844 A JP H0536844A JP 19396391 A JP19396391 A JP 19396391A JP 19396391 A JP19396391 A JP 19396391A JP H0536844 A JPH0536844 A JP H0536844A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wiring
- insulating film
- aluminum wiring
- divided
- aluminum
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- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 多層配線を有する半導体装置に於いて、上層
の配線の品質を向上させる。 【構成】 半導体基板１上に絶縁膜２を介して設けら
れ、半導体基板１上の各素子と接続される下層の第１の
配線３と、この第１の配線３上に第２の絶縁膜４を介し
て設けられ、第１の配線３と重複する部分に分割された
第１の分割部５Ａ1及び第２の分割部５Ａ2 を有し且つ
第１の配線３と接続され上層の第２の配線５Ａとを備え
る。 【効果】 下層の配線の異常成長やその他異物により、
上層の配線の分割部の一方が断線しても、他方の分割部
にて代用できる。
の配線の品質を向上させる。 【構成】 半導体基板１上に絶縁膜２を介して設けら
れ、半導体基板１上の各素子と接続される下層の第１の
配線３と、この第１の配線３上に第２の絶縁膜４を介し
て設けられ、第１の配線３と重複する部分に分割された
第１の分割部５Ａ1及び第２の分割部５Ａ2 を有し且つ
第１の配線３と接続され上層の第２の配線５Ａとを備え
る。 【効果】 下層の配線の異常成長やその他異物により、
上層の配線の分割部の一方が断線しても、他方の分割部
にて代用できる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、半導体装置に関し、
多層配線を有する半導体装置に関するものである。
多層配線を有する半導体装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】図２は従来の半導体装置を示す図であっ
て、図２（ａ）は真上から見た平面図、図２（ｂ）はそ
の断面図である。図において、１は半導体基板例えばシ
リコン基板、２はシリコン基板１上に設けられた絶縁
膜、３は絶縁膜２上に設けられ、シリコン基板１の各素
子と接続される第１のアルミ配線、４はアルミ配線３上
に設けられた例えば透明な酸化膜から成る層間絶縁膜、
５は層間絶縁膜４上に設けられ、第１のアルミ配線３と
絶縁される第２のアルミ配線である。
て、図２（ａ）は真上から見た平面図、図２（ｂ）はそ
の断面図である。図において、１は半導体基板例えばシ
リコン基板、２はシリコン基板１上に設けられた絶縁
膜、３は絶縁膜２上に設けられ、シリコン基板１の各素
子と接続される第１のアルミ配線、４はアルミ配線３上
に設けられた例えば透明な酸化膜から成る層間絶縁膜、
５は層間絶縁膜４上に設けられ、第１のアルミ配線３と
絶縁される第２のアルミ配線である。
【０００３】次に従来の半導体装置の製造方法について
説明する。まず、シリコン基板上に、種々の素子を形成
して、その上に絶縁膜３を形成する。そして、絶縁膜３
に所定のエッチングパターンを介して穴をあけた後、絶
縁膜３の上に第１のアルミ配線３を形成して、この第１
のアルミ配線３によりシリコン基板１上の各素子を接続
する。
説明する。まず、シリコン基板上に、種々の素子を形成
して、その上に絶縁膜３を形成する。そして、絶縁膜３
に所定のエッチングパターンを介して穴をあけた後、絶
縁膜３の上に第１のアルミ配線３を形成して、この第１
のアルミ配線３によりシリコン基板１上の各素子を接続
する。
【０００４】その後、第１のアルミ配線３の上に層間絶
縁膜４を形成し、この層間絶縁膜４に所定のエッチング
パターンを介して穴をあけた後、その層間絶縁膜４の上
に、第２のアルミ配線５を形成して、第１のアルミ配線
３と第２のアルミ配線５とを接続する。
縁膜４を形成し、この層間絶縁膜４に所定のエッチング
パターンを介して穴をあけた後、その層間絶縁膜４の上
に、第２のアルミ配線５を形成して、第１のアルミ配線
３と第２のアルミ配線５とを接続する。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】従来の半導体装置は以
上のように構成されているので、第１のアルミ配線と第
２のアルミ配線が重複する箇所、例えば図２（ａ）に示
すようにクロスして重複している箇所にて、第１のアル
ミ配線の熱処理により成長する異常突起（ヒロック）が
発生したり、異物が存在すると、第２のアルミ配線の断
線が生じるなどの問題点があった。
上のように構成されているので、第１のアルミ配線と第
２のアルミ配線が重複する箇所、例えば図２（ａ）に示
すようにクロスして重複している箇所にて、第１のアル
ミ配線の熱処理により成長する異常突起（ヒロック）が
発生したり、異物が存在すると、第２のアルミ配線の断
線が生じるなどの問題点があった。
【０００６】この発明は上記のような問題点を解決する
ためになされたもので、第１の配線と第２の配線が重複
している箇所で、第１の配線のヒロック等が発生して、
第２の配線が断線しても、機能上、配線として使用でき
る半導体装置を得ることを目的とする。
ためになされたもので、第１の配線と第２の配線が重複
している箇所で、第１の配線のヒロック等が発生して、
第２の配線が断線しても、機能上、配線として使用でき
る半導体装置を得ることを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】この発明に係る半導体装
置は、半導体基板上に第１の絶縁膜を介して設けられ、
該半導体基板上の各素子と接続される第１の配線と、該
第１の配線上に第２の絶縁膜を介して設けられ、上記第
１の配線と重複する部分に分割された第１の分割部及び
第２の分割部を有し且つ上記第１の配線と接続される第
２の配線とを備えたものである。
置は、半導体基板上に第１の絶縁膜を介して設けられ、
該半導体基板上の各素子と接続される第１の配線と、該
第１の配線上に第２の絶縁膜を介して設けられ、上記第
１の配線と重複する部分に分割された第１の分割部及び
第２の分割部を有し且つ上記第１の配線と接続される第
２の配線とを備えたものである。
【０００８】
【作用】この発明においては、第２の配線を第１の配線
の重複する部分で２分割して配線しているので、第１の
配線上に発生したヒロック等による第２の配線の分割し
た一方の配線に断線が生じても、他方の配線が代用して
くれる。
の重複する部分で２分割して配線しているので、第１の
配線上に発生したヒロック等による第２の配線の分割し
た一方の配線に断線が生じても、他方の配線が代用して
くれる。
【０００９】
【実施例】実施例１．以下、この発明の一実施例を図に
ついて説明する。図１はこの発明の一実施例を示す図で
あって、図１（ａ）は真上から見た平面図、図１（ｂ）
はその断面図である。図において、１〜４は従来装置と
同様のものである。５Ａは絶縁膜４の上に設けられ、第
１の配線としての第１のアルミ配線３に接続される第２
の配線としての例えば第２のアルミ配線であって、この
第２のアルミ配線５Ａは第１のアルミ配線３と重複する
部分、例えばクロスする部分では２分割して形成された
第１の分割部５Ａ1 及び第２の分割部５Ａ2 を有する。
ついて説明する。図１はこの発明の一実施例を示す図で
あって、図１（ａ）は真上から見た平面図、図１（ｂ）
はその断面図である。図において、１〜４は従来装置と
同様のものである。５Ａは絶縁膜４の上に設けられ、第
１の配線としての第１のアルミ配線３に接続される第２
の配線としての例えば第２のアルミ配線であって、この
第２のアルミ配線５Ａは第１のアルミ配線３と重複する
部分、例えばクロスする部分では２分割して形成された
第１の分割部５Ａ1 及び第２の分割部５Ａ2 を有する。
【００１０】このように、第２のアルミ配線５Ａが第１
のアルミ配線３とクロスする部分に第１の分割部５Ａ1
と第２の分割部５Ａ2 を有しているので、第１のアルミ
配線３上に発生したヒロック等により第２のアルミ配線
５Ａの分割部５Ａ1 と５Ａ2のうち、一方にに断線が生
じても他方を代用することができる。
のアルミ配線３とクロスする部分に第１の分割部５Ａ1
と第２の分割部５Ａ2 を有しているので、第１のアルミ
配線３上に発生したヒロック等により第２のアルミ配線
５Ａの分割部５Ａ1 と５Ａ2のうち、一方にに断線が生
じても他方を代用することができる。
【００１１】次にこの発明による半導体装置の製造方法
について説明する。まず、シリコン基板上に、種々の素
子を形成して、その上に絶縁膜３を形成する。そして、
絶縁膜３に所定のエッチングパターンを介して穴をあけ
た後、絶縁膜３の上に第１のアルミ配線３を形成して、
この第１のアルミ配線３によりシリコン基板１上の各素
子を接続する。
について説明する。まず、シリコン基板上に、種々の素
子を形成して、その上に絶縁膜３を形成する。そして、
絶縁膜３に所定のエッチングパターンを介して穴をあけ
た後、絶縁膜３の上に第１のアルミ配線３を形成して、
この第１のアルミ配線３によりシリコン基板１上の各素
子を接続する。
【００１２】その後、第１のアルミ配線３の上に層間絶
縁膜４を形成し、この層間絶縁膜４に所定のエッチング
パターンを介して穴をあけた後、その層間絶縁膜４の上
に、第１のアルミ配線３と重複する部分、例えば図１
（ａ）に示すようにクロス部分では２分割された第１の
分割部５Ａ1 及び第２の分割部５Ａ2 を有する第２のア
ルミ配線５Ａを形成して、この第２のアルミ配線５Ａと
第１のアルミ配線３を接続する。従って、この場合、層
間絶縁膜４に穴をあける際に用いられるエッチングパタ
ーンは、第１のアルミ配線３と第２のアルミ配線５Ａが
クロスする部分では第２のアルミ配線５Ａが２分割され
て第１の分割部５Ａ1 及び第２の分割部５Ａ2 が形成さ
れるようなパターン形状とする。
縁膜４を形成し、この層間絶縁膜４に所定のエッチング
パターンを介して穴をあけた後、その層間絶縁膜４の上
に、第１のアルミ配線３と重複する部分、例えば図１
（ａ）に示すようにクロス部分では２分割された第１の
分割部５Ａ1 及び第２の分割部５Ａ2 を有する第２のア
ルミ配線５Ａを形成して、この第２のアルミ配線５Ａと
第１のアルミ配線３を接続する。従って、この場合、層
間絶縁膜４に穴をあける際に用いられるエッチングパタ
ーンは、第１のアルミ配線３と第２のアルミ配線５Ａが
クロスする部分では第２のアルミ配線５Ａが２分割され
て第１の分割部５Ａ1 及び第２の分割部５Ａ2 が形成さ
れるようなパターン形状とする。
【００１３】実施例２．なお、上記実施例では、２層配
線について示したが、３層配線やそれ以上の多層配線に
用いてもよく、上記実施例と同様の効果を奏する。
線について示したが、３層配線やそれ以上の多層配線に
用いてもよく、上記実施例と同様の効果を奏する。
【００１４】実施例３．また、上記実施例では、金属配
線としてアルミ配線のみについて説明したが、他の金属
配線や、複合金属配線、或いは多結晶シリコン配線であ
ってもよく、上記実施例と同様の効果を奏する。
線としてアルミ配線のみについて説明したが、他の金属
配線や、複合金属配線、或いは多結晶シリコン配線であ
ってもよく、上記実施例と同様の効果を奏する。
【００１５】実施例４．また、上記実施例では第１のア
ルミ配線と第２のアルミ配線が重複する場合として、ク
ロス（直交）する場合について説明したが、その他の重
複する場合、例えば第１のアルミ配線と第２のアルミ配
線が同じ方向に走っている場合に一部が重複する場合等
にも適用でき、上記実施例と同様の効果を奏する。
ルミ配線と第２のアルミ配線が重複する場合として、ク
ロス（直交）する場合について説明したが、その他の重
複する場合、例えば第１のアルミ配線と第２のアルミ配
線が同じ方向に走っている場合に一部が重複する場合等
にも適用でき、上記実施例と同様の効果を奏する。
【００１６】
【発明の効果】以上のように、この発明によれば、半導
体基板上に第１の絶縁膜を介して設けられ、該半導体基
板上の各素子と接続される第１の配線と、該第１の配線
上に第２の絶縁膜を介して設けられ、上記第１の配線と
重複する部分に分割された第１の分割部及び第２の分割
部を有し且つ上記第１の配線と接続される第２の配線と
を備えたので、下層の第１の配線の異常成長やその他異
物により、上層の第２の配線の第１及び第２の分割部の
一方が断線しても、他方の分割部を代用でき、もって、
品質の向上がはがれ、かつコストを低減できるという効
果がある。
体基板上に第１の絶縁膜を介して設けられ、該半導体基
板上の各素子と接続される第１の配線と、該第１の配線
上に第２の絶縁膜を介して設けられ、上記第１の配線と
重複する部分に分割された第１の分割部及び第２の分割
部を有し且つ上記第１の配線と接続される第２の配線と
を備えたので、下層の第１の配線の異常成長やその他異
物により、上層の第２の配線の第１及び第２の分割部の
一方が断線しても、他方の分割部を代用でき、もって、
品質の向上がはがれ、かつコストを低減できるという効
果がある。
【図１】この発明による半導体装置の一実施例を示す平
面図及び断面図である。
面図及び断面図である。
【図２】従来の半導体装置を示す平面図及び断面図であ
る。
る。
１ シリコン基板 ２ 絶縁膜 ３ 第１のアルミ配線 ４ 層間絶縁膜 ５Ａ 第２のアルミ配線
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 【請求項１】 半導体基板上に第１の絶縁膜を介して設
けられ、該半導体基板上の各素子と接続される第１の配
線と、 該第１の配線上に第２の絶縁膜を介して設けられ、上記
第１の配線と重複する部分に分割された第１の分割部及
び第２の分割部を有し且つ上記第１の配線と接続される
第２の配線とを備えたことを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19396391A JPH0536844A (ja) | 1991-08-02 | 1991-08-02 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19396391A JPH0536844A (ja) | 1991-08-02 | 1991-08-02 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0536844A true JPH0536844A (ja) | 1993-02-12 |
Family
ID=16316681
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19396391A Pending JPH0536844A (ja) | 1991-08-02 | 1991-08-02 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0536844A (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5780741A (en) * | 1980-11-07 | 1982-05-20 | Seiko Epson Corp | Active matrix substrate |
| JPS61147285A (ja) * | 1984-12-21 | 1986-07-04 | キヤノン株式会社 | 表示素子の修復方法 |
-
1991
- 1991-08-02 JP JP19396391A patent/JPH0536844A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5780741A (en) * | 1980-11-07 | 1982-05-20 | Seiko Epson Corp | Active matrix substrate |
| JPS61147285A (ja) * | 1984-12-21 | 1986-07-04 | キヤノン株式会社 | 表示素子の修復方法 |
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