JPS61188946A - 多層配線半導体集積回路 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の技術分野〕 この発明は多層配線集積回路に関する。

〔発明の技術的背景とその問題点〕

多層配線半導体集積回路は各層を絶縁膜で絶縁するとと
Ｋより、同一場所に複数の配線を重ねて施すことができ
るので集積度が高くなる。その際同一層に隣接する配線
用金属間は電気的干渉ｆ：防止するために一定の間隔λ
が保次れる。従来考えられている多層配線半導体集積回
路においては、前記間隔の各層内部の使用はほとんど考
えられていない。

第３図（ｂ）は２層配線半導体集積回路の平行配線図で
ちゃ、第３図（ａ）はその断面図である。従来考えられ
ている多層配線半導体集積回路では隣接する各配線金属
部１０．１１は電気的干渉を防ぐた　　　”めの間隔λ
を保ちながら各層に積みあげられていて、隣接する配線
金属部の間の部分１２を使用する事は考えられてなく、
この部分の有効利用による多層配線半導体集積回路の集
積度向上は未だ提案されていない。

〔発明の目的〕

本発明は上述した隣接する配線用金属部の間の部分の有
効利用により集積度を向上させる事のできる多層配線半
導体集積回路を提供することを目的とする。

〔発明の概要〕

本発明は、各層で配線用金属部を形成後に絶縁膜で絶縁
した際、絶縁膜上にできる凹凸のうち凹の部分を新たに
配線用領域として利用する事によって上記目的を達成し
ている。

〔発明の効果〕

以上説明したように本発明によれば、半導体製造プロセ
スを複雑にすることなく、多層配線半導体集積回路にお
ける配線、特に干渉を防止するための間隔を持った多層
平行配線間の層のつなぎ目の部分を新たに配線領域とし
て利用することによって回路の高集積化を計ることがで
きる。

〔発明の実施例〕

第１図（ｂ）は本発明に係る半導体集積回路の実施例の
一部分を示す平行配線で第１図（ａ）はそのその概略的
断面図である。まず、半導体基板１の上に第１層金属配
線２（Ａｔ）を施し、その上を絶縁膜３（Ｃ’％’Ｄ７
Ｓ　ｉ　Ｏ２膜）で覆う。その際２つの隣接する第１層
金属配線２の間の部分の上部は第１層金属配線２ｔ−施
し次上部に比べ凹んでいる。その凹部分に第１，５層金
属配線４（ＡＬ）ヲ施し、第１層金属配線２の上部の白
部分に第２層金属配線５（Ａ−ａ）’を施し、その上を
絶縁膜５　（ＣＶＤ−８ｉ０２膜）で覆う。第１．５層
金属配線４は第２層金属配線５と同時に形成しても、又
別に形成してもよい。このプロセスにおいて、第１，５
層金属配線４と第１層金属配線２あるいは第２層金属配
線５との間が電気的に干渉してしまう程の距離しか離れ
ていない時は絶縁膜の厚さを大きくするかあるいは互い
に隣接している第１．２層金属配線の間隔を大きくする
事により互いの干渉は防げる。

第２図は本発明に係る半導体集積回路の他の実施例を示
す回路図である。第２図（ａ）では第１層配線７（実＃
）と第２層配線８（破線）が４組ある。

λは隣接する配線間の間隔である。この例に本発明を実
施すると第２図（ｂ）のように隣接する配線の間に第１
，５層配線９（１点鎖線）を施すことができるので配線
領域が間隔λの分だけ少なくなシ、回路の集積度向上を
計ることができる。この例は２層配線半導体集積回路に
関するものだが、多層の場合も同様である。

【図面の簡単な説明】

第１図Ｔａ）　（ｂ）は本発明に係る半導体集積回路の
一実施例の一部分を示す夫々断面図及び平面図、第２図
（ａ）　（ｂ）は他の実施例の平面図、第３図（ａ）　
（ｂ）は従来例の夫々断面図及び平面図である。 図において、 １・・・半導体基板、　　　　２・・・第１層配線用金
属、３・・・第１層絶縁膜、　　　４・・・第４，５層
配線用金属、５・・・第２層配線用金属、６・・・第２
層絶縁膜。 ７・・・第１層配線、８・・・第２層配線％９・・・第
１，５層配線。 １０・・・第２層配線用金属、１１・・・ｓｉ層層線線
用金属１２・・・平行配線金属の間の部分。 代理人　弁理士　則近憲佑（ほか１名）第　　１　図　
（α） 第　　１　図　（ｂ） 第　　２　図　（α） 第２図Ｃｂ） 第　　３　　図　　（ａ＞ 入

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 　各層を絶縁膜で絶縁した多層配線半導体集積回路にお
   いて、絶縁層を形成する際に生じる凹凸のうち凹部を新
   たな配線領域として利用することを特徴とする多層配線
   半導体集積回路。