JPH0558189B2 - - Google Patents

Info

Publication number
JPH0558189B2
JPH0558189B2 JP60064986A JP6498685A JPH0558189B2 JP H0558189 B2 JPH0558189 B2 JP H0558189B2 JP 60064986 A JP60064986 A JP 60064986A JP 6498685 A JP6498685 A JP 6498685A JP H0558189 B2 JPH0558189 B2 JP H0558189B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
formula
structural unit
resist
acrylate
methacrylate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
JP60064986A
Other languages
English (en)
Japanese (ja)
Other versions
JPS61226745A (ja
Inventor
Yoichi Kamoshita
Mitsunobu Koshiba
Takao Miura
Yoshuki Harita
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
JSR Corp
Original Assignee
Japan Synthetic Rubber Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Japan Synthetic Rubber Co Ltd filed Critical Japan Synthetic Rubber Co Ltd
Priority to JP6498685A priority Critical patent/JPS61226745A/ja
Publication of JPS61226745A publication Critical patent/JPS61226745A/ja
Publication of JPH0558189B2 publication Critical patent/JPH0558189B2/ja
Granted legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/039—Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
JP6498685A 1985-03-30 1985-03-30 半導体集積回路製造用のスピンコート用レジスト組成物 Granted JPS61226745A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP6498685A JPS61226745A (ja) 1985-03-30 1985-03-30 半導体集積回路製造用のスピンコート用レジスト組成物

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP6498685A JPS61226745A (ja) 1985-03-30 1985-03-30 半導体集積回路製造用のスピンコート用レジスト組成物

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS61226745A JPS61226745A (ja) 1986-10-08
JPH0558189B2 true JPH0558189B2 (th) 1993-08-25

Family

ID=13273883

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP6498685A Granted JPS61226745A (ja) 1985-03-30 1985-03-30 半導体集積回路製造用のスピンコート用レジスト組成物

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS61226745A (th)

Families Citing this family (97)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0776832B2 (ja) * 1986-11-28 1995-08-16 富士写真フイルム株式会社 感光性組成物
JPS63218949A (ja) * 1987-03-06 1988-09-12 Sumitomo Chem Co Ltd ポジ型レジスト組成物
US7192681B2 (en) 2001-07-05 2007-03-20 Fuji Photo Film Co., Ltd. Positive photosensitive composition
US7521168B2 (en) 2002-02-13 2009-04-21 Fujifilm Corporation Resist composition for electron beam, EUV or X-ray
US6939662B2 (en) 2002-05-31 2005-09-06 Fuji Photo Film Co., Ltd. Positive-working resist composition
JP4612999B2 (ja) 2003-10-08 2011-01-12 富士フイルム株式会社 ポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法
JP4448705B2 (ja) 2004-02-05 2010-04-14 富士フイルム株式会社 感光性組成物及び該感光性組成物を用いたパターン形成方法
JP4551704B2 (ja) 2004-07-08 2010-09-29 富士フイルム株式会社 液浸露光用保護膜形成組成物及びそれを用いたパターン形成方法
JP4621451B2 (ja) 2004-08-11 2011-01-26 富士フイルム株式会社 液浸露光用保護膜形成組成物及びそれを用いたパターン形成方法
JP4524154B2 (ja) 2004-08-18 2010-08-11 富士フイルム株式会社 化学増幅型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法
EP1637927A1 (en) 2004-09-02 2006-03-22 Fuji Photo Film Co., Ltd. Positive resist composition and pattern forming method using the same
JP4469692B2 (ja) 2004-09-14 2010-05-26 富士フイルム株式会社 感光性組成物、該感光性組成物に用いられる化合物及び該感光性組成物を用いたパターン形成方法
JP4474256B2 (ja) 2004-09-30 2010-06-02 富士フイルム株式会社 レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法
JP4452632B2 (ja) 2005-01-24 2010-04-21 富士フイルム株式会社 感光性組成物、該感光性組成物に用いる化合物及び該感光性組成物を用いたパターン形成方法
TWI530759B (zh) 2005-01-24 2016-04-21 富士軟片股份有限公司 適用於浸漬曝光之正型光阻組成物及使用它之圖案形成方法
JP4562537B2 (ja) 2005-01-28 2010-10-13 富士フイルム株式会社 感光性組成物、該感光性組成物に用いる化合物及び該感光性組成物を用いたパターン形成方法
JP4439409B2 (ja) 2005-02-02 2010-03-24 富士フイルム株式会社 レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法
US8741537B2 (en) 2005-03-04 2014-06-03 Fujifilm Corporation Positive resist composition and pattern-forming method using the same
US7960087B2 (en) 2005-03-11 2011-06-14 Fujifilm Corporation Positive photosensitive composition and pattern-forming method using the same
JP4579019B2 (ja) 2005-03-17 2010-11-10 富士フイルム株式会社 ポジ型レジスト組成物及び該レジスト組成物を用いたパターン形成方法
JP2006274200A (ja) * 2005-03-30 2006-10-12 Fuji Photo Film Co Ltd インク組成物、並びに、これを用いた画像形成方法および記録物
EP1720072B1 (en) 2005-05-01 2019-06-05 Rohm and Haas Electronic Materials, L.L.C. Compositons and processes for immersion lithography
JP4724465B2 (ja) 2005-05-23 2011-07-13 富士フイルム株式会社 感光性組成物及び該感光性組成物を用いたパターン形成方法
JP4861767B2 (ja) 2005-07-26 2012-01-25 富士フイルム株式会社 ポジ型レジスト組成物およびそれを用いたパターン形成方法
JP4580841B2 (ja) 2005-08-16 2010-11-17 富士フイルム株式会社 ポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法
JP4695941B2 (ja) 2005-08-19 2011-06-08 富士フイルム株式会社 液浸露光用ポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法
TWI403843B (zh) 2005-09-13 2013-08-01 Fujifilm Corp 正型光阻組成物及使用它之圖案形成方法
EP1795960B1 (en) 2005-12-09 2019-06-05 Fujifilm Corporation Positive resist composition, pattern forming method using the positive resist composition, use of the positive resit composition
JP4911456B2 (ja) 2006-11-21 2012-04-04 富士フイルム株式会社 ポジ型感光性組成物、該ポジ型感光性組成物に用いられる高分子化合物、該高分子化合物の製造方法及びポジ型感光性組成物を用いたパターン形成方法
JP4554665B2 (ja) 2006-12-25 2010-09-29 富士フイルム株式会社 パターン形成方法、該パターン形成方法に用いられる多重現像用ポジ型レジスト組成物、該パターン形成方法に用いられるネガ現像用現像液及び該パターン形成方法に用いられるネガ現像用リンス液
JP4905786B2 (ja) 2007-02-14 2012-03-28 富士フイルム株式会社 レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法
EP1962139A1 (en) 2007-02-23 2008-08-27 FUJIFILM Corporation Negative resist composition and pattern forming method using the same
JP5162290B2 (ja) 2007-03-23 2013-03-13 富士フイルム株式会社 レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法
US8088566B2 (en) 2007-03-26 2012-01-03 Fujifilm Corporation Surface-treating agent for pattern formation and pattern-forming method using the surface-treating agent
US7592118B2 (en) 2007-03-27 2009-09-22 Fujifilm Corporation Positive resist composition and pattern forming method using the same
EP1975714A1 (en) 2007-03-28 2008-10-01 FUJIFILM Corporation Positive resist composition and pattern forming method
EP1975716B1 (en) 2007-03-28 2013-05-15 Fujifilm Corporation Positive resist composition and pattern forming method
US8182975B2 (en) 2007-03-28 2012-05-22 Fujifilm Corporation Positive resist composition and pattern forming method using the same
JP5039622B2 (ja) 2007-03-30 2012-10-03 富士フイルム株式会社 ポジ型レジスト組成物及びこれを用いたパターン形成方法
JP4982228B2 (ja) 2007-03-30 2012-07-25 富士フイルム株式会社 ポジ型レジスト組成物及びこれを用いたパターン形成方法
WO2008129964A1 (ja) 2007-04-13 2008-10-30 Fujifilm Corporation パターン形成方法、該パターン形成方法に用いられるレジスト組成物、現像液及びリンス液
EP1980911A3 (en) 2007-04-13 2009-06-24 FUJIFILM Corporation Pattern forming method, resist composition to be used in the pattern forming method, negative developing solution to be used in the pattern forming method and rinsing solution for negative development to be used in the pattern forming method
JP4617337B2 (ja) 2007-06-12 2011-01-26 富士フイルム株式会社 パターン形成方法
KR20100030616A (ko) 2007-06-15 2010-03-18 후지필름 가부시키가이샤 패턴 형성용 표면 처리제, 및 상기 처리제를 이용한 패턴 형성 방법
JP2008311474A (ja) 2007-06-15 2008-12-25 Fujifilm Corp パターン形成方法
US8088550B2 (en) 2007-07-30 2012-01-03 Fujifilm Corporation Positive resist composition and pattern forming method
JP5066405B2 (ja) 2007-08-02 2012-11-07 富士フイルム株式会社 電子線、ｘ線又はｅｕｖ用レジスト組成物及び該組成物を用いたパターン形成方法
JP5103316B2 (ja) 2007-08-03 2012-12-19 富士フイルム株式会社 新規なスルホニウム化合物を含有するポジ型レジスト組成物、該ポジ型レジスト組成物を用いたパターン形成方法及び新規なスルホニウム化合物
JP4547448B2 (ja) 2007-08-10 2010-09-22 富士フイルム株式会社 ポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法
JP5449675B2 (ja) 2007-09-21 2014-03-19 富士フイルム株式会社 感光性組成物、該感光性組成物を用いたパターン形成方法及び該感光性組成物に用いられる化合物
JP4911469B2 (ja) 2007-09-28 2012-04-04 富士フイルム株式会社 レジスト組成物及びこれを用いたパターン形成方法
JP2009122325A (ja) 2007-11-14 2009-06-04 Fujifilm Corp トップコート組成物、それを用いたアルカリ現像液可溶性トップコート膜及びそれを用いたパターン形成方法
JP5150296B2 (ja) 2008-02-13 2013-02-20 富士フイルム株式会社 電子線、ｘ線またはｅｕｖ用ポジ型レジスト組成物及びこれを用いたパターン形成方法
US9046773B2 (en) 2008-03-26 2015-06-02 Fujifilm Corporation Actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition, pattern forming method using the same, polymerizable compound and polymer compound obtained by polymerizing the polymerizable compound
JP5997873B2 (ja) 2008-06-30 2016-09-28 富士フイルム株式会社 感光性組成物及びそれを用いたパターン形成方法
JP5244711B2 (ja) 2008-06-30 2013-07-24 富士フイルム株式会社 感活性光線性または感放射線性樹脂組成物及びそれを用いたパターン形成方法
JP5746818B2 (ja) 2008-07-09 2015-07-08 富士フイルム株式会社 感活性光線性または感放射線性樹脂組成物及びそれを用いたパターン形成方法
JP5106285B2 (ja) 2008-07-16 2012-12-26 富士フイルム株式会社 光硬化性組成物、インク組成物、及び該インク組成物を用いたインクジェット記録方法
JP5277128B2 (ja) 2008-09-26 2013-08-28 富士フイルム株式会社 液浸露光用ポジ型レジスト組成物及びパターン形成方法
WO2010067905A2 (en) 2008-12-12 2010-06-17 Fujifilm Corporation Actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition and pattern forming method using the same
WO2010067898A2 (en) 2008-12-12 2010-06-17 Fujifilm Corporation Actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition and pattern forming method using the composition
JP5377172B2 (ja) 2009-03-31 2013-12-25 富士フイルム株式会社 感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物及びそれを用いたパターン形成方法
EP2447773B1 (en) 2010-11-02 2013-07-10 Fujifilm Corporation Method for producing a pattern, method for producing a MEMS structure, use of a cured film of a photosensitive composition as a sacrificial layer or as a component of a MEMS structure
JP5635449B2 (ja) 2011-03-11 2014-12-03 富士フイルム株式会社 樹脂パターン及びその製造方法、ｍｅｍｓ構造体の製造方法、半導体素子の製造方法、並びに、メッキパターン製造方法
KR20140079359A (ko) 2011-08-12 2014-06-26 미쯔비시 가스 케미칼 컴파니, 인코포레이티드 레지스트 조성물, 레지스트 패턴 형성방법, 이에 이용되는 폴리페놀 화합물 및 이로부터 유도될 수 있는 알코올 화합물
KR101986544B1 (ko) 2011-11-18 2019-06-07 미쯔비시 가스 케미칼 컴파니, 인코포레이티드 환상 화합물, 그 제조 방법, 감방사선성 조성물 및 레지스트 패턴 형성 방법
US9182666B2 (en) 2011-11-18 2015-11-10 Mitsubishi Gas Chemical Co., Inc. Cyclic compound, method for producing the same, radiation-sensitive composition, and resist pattern formation method
KR102115330B1 (ko) 2012-10-17 2020-05-26 미쯔비시 가스 케미칼 컴파니, 인코포레이티드 레지스트 조성물
JP5764589B2 (ja) 2012-10-31 2015-08-19 富士フイルム株式会社 化学増幅型レジスト膜のパターニング用有機系処理液の収容容器、並びに、これらを使用したパターン形成方法及び電子デバイスの製造方法
US10377734B2 (en) 2013-02-08 2019-08-13 Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. Resist composition, method for forming resist pattern, polyphenol derivative for use in the composition
US9785048B2 (en) 2013-06-07 2017-10-10 Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. Resist composition
JP6284849B2 (ja) 2013-08-23 2018-02-28 富士フイルム株式会社 積層体
JP6167016B2 (ja) 2013-10-31 2017-07-19 富士フイルム株式会社 積層体、有機半導体製造用キットおよび有機半導体製造用レジスト組成物
US10781341B2 (en) 2014-01-31 2020-09-22 Fujifilm Electronic Materials U.S.A., Inc. Polyimide compositions
WO2016172089A1 (en) 2015-04-21 2016-10-27 Fujifilm Electronic Materials U.S.A., Inc. Photosensitive polyimide compositions
JP6808714B2 (ja) 2015-08-03 2021-01-06 フジフイルム エレクトロニック マテリアルズ ユー．エス．エー．， インコーポレイテッド 洗浄組成物
TW201821280A (zh) 2016-09-30 2018-06-16 日商富士軟片股份有限公司 積層體以及半導體元件的製造方法
JP7127936B2 (ja) 2016-10-25 2022-08-30 フジフイルム エレクトロニック マテリアルズ ユー．エス．エー．， インコーポレイテッド ポリイミド
WO2018093827A1 (en) 2016-11-17 2018-05-24 Fujifilm Electronic Materials U.S.A., Inc. Stripping process
EP3587385A4 (en) 2017-02-23 2021-02-24 Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. COMPOUND, RESIN, COMPOSITION, PATTERN FORMING PROCESS AND PURIFICATION PROCESS
TW201902909A (zh) 2017-03-31 2019-01-16 學校法人關西大學 化合物、包含化合物之阻劑組成物及使用其之圖型形成方法
WO2018181882A1 (ja) 2017-03-31 2018-10-04 学校法人関西大学 レジスト組成物及びそれを用いるパターン形成方法、並びに、化合物及び樹脂
WO2019004142A1 (ja) 2017-06-28 2019-01-03 三菱瓦斯化学株式会社 膜形成材料、リソグラフィー用膜形成用組成物、光学部品形成用材料、レジスト組成物、レジストパターン形成方法、レジスト用永久膜、感放射線性組成物、アモルファス膜の製造方法、リソグラフィー用下層膜形成材料、リソグラフィー用下層膜形成用組成物、リソグラフィー用下層膜の製造方法及び回路パターン形成方法
JP7140687B2 (ja) 2017-09-11 2022-09-21 フジフイルム エレクトロニック マテリアルズ ユー．エス．エー．， インコーポレイテッド 誘電フィルム形成用組成物
US20200257195A1 (en) 2017-09-29 2020-08-13 The School Corporation Kansai University Composition for lithography, pattern formation method, and compound
US20200354501A1 (en) 2017-11-20 2020-11-12 Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. Composition for film formation for lithography, film for lithography, method for forming resist pattern, and method for forming circuit pattern
US20210047457A1 (en) 2018-01-22 2021-02-18 Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. Compound, resin, composition and pattern formation method
WO2019151403A1 (ja) 2018-01-31 2019-08-08 三菱瓦斯化学株式会社 組成物、並びに、レジストパターンの形成方法及び絶縁膜の形成方法
WO2019151400A1 (ja) 2018-01-31 2019-08-08 三菱瓦斯化学株式会社 化合物、樹脂、組成物、レジストパターン形成方法、回路パターン形成方法及び樹脂の精製方法
TW202031629A (zh) 2018-08-24 2020-09-01 日商三菱瓦斯化學股份有限公司 化合物，及包含其之組成物，以及阻劑圖型之形成方法及絕緣膜之形成方法
CN114450631B (zh) 2019-09-30 2025-06-03 富士胶片株式会社 感光化射线性或感放射线性树脂组合物、感光化射线性或感放射线性膜、图案形成方法及电子器件的制造方法
CN114787240A (zh) 2019-10-04 2022-07-22 富士胶片电子材料美国有限公司 平坦化方法及组合物
PH12022551763A1 (en) 2020-01-16 2023-11-29 Fujifilm Electronic Mat Usa Inc Dry film
WO2021200056A1 (ja) 2020-03-30 2021-10-07 富士フイルム株式会社 感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、感活性光線性又は感放射線性膜、パターン形成方法、電子デバイスの製造方法、フォトマスク製造用感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、及びフォトマスクの製造方法
JP7389892B2 (ja) 2020-03-31 2023-11-30 富士フイルム株式会社 感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、感活性光線性又は感放射線性膜、パターン形成方法、及び電子デバイスの製造方法
TW202209548A (zh) 2020-08-27 2022-03-01 日商富士軟片股份有限公司 經加工的基材的製造方法、半導體元件的製造方法、及暫時黏合劑層形成用組成物
EP4210089A4 (en) 2020-09-04 2024-02-21 FUJIFILM Corporation Method for manufacturing organic layer pattern, and method for manufacturing semiconductor device

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS54135004A (en) * 1978-04-10 1979-10-19 Fuji Photo Film Co Ltd Photosensitive flat printing plate
DE3022362A1 (de) * 1980-06-14 1981-12-24 Hoechst Ag, 6000 Frankfurt Lichtempfindliches kopiermaterial und verfahren zu seiner herstellung
JPS585734A (ja) * 1981-06-01 1983-01-13 Daikin Ind Ltd 基板上にパタ−ンが形成されたレジスト被膜を製造する方法
JPS58105143A (ja) * 1981-12-17 1983-06-22 Kanto Kagaku Kk ポジ型フオトレジスト組成物
JPS59137943A (ja) * 1983-01-28 1984-08-08 W R Gureesu:Kk 感光性樹脂組成物
JPS59155836A (ja) * 1983-02-24 1984-09-05 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd 感光性組成物

Also Published As

Publication number Publication date
JPS61226745A (ja) 1986-10-08

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPH0558188B2 (th)
JPS61226745A (ja) 半導体集積回路製造用のスピンコート用レジスト組成物
JP3112229B2 (ja) ポジ型ホトレジスト組成物
US4725523A (en) Positive photosensitive compositions with 1,2-naphthoquinone diazide and novolak resin prepared from α-naphthol and p-cresol
JPH095988A (ja) 感放射線性塗布組成物
JPS6334540A (ja) ポジ型フオトレジスト組成物
JP4336495B2 (ja) フォトレジスト組成物およびこれを使用したパターンの形成方法
JPH0721626B2 (ja) 半導体微細加工用レジスト組成物
US6132928A (en) Coating solution for forming antireflective coating film
JP2005507509A (ja) 液晶表示装置回路用ポジ型フォトレジスト組成物
JP3894477B2 (ja) 感光性樹脂組成物
JP3376222B2 (ja) 放射線感応性組成物
JP2577858B2 (ja) 放射線感受性組成物
KR100754232B1 (ko) 롤 피복용 감광성 수지 조성물 및 롤 피복 방법
JP3686683B2 (ja) （１，２− ナフトキノン−２− ジアジド） スルフォン酸エステル、それを用いて調製した放射線感応性混合物および放射線感応性記録材料
JPH10186637A (ja) ロールコート用放射線感応性組成物
JPS59155836A (ja) 感光性組成物
JPH05224411A (ja) 迅速なジアゾキノンポジレジスト
JP2000112120A (ja) ポジ型ホトレジスト塗布液及びそれを用いた表示素子用基材
JP3654981B2 (ja) ポジ型ホトレジスト塗布液
JP3361624B2 (ja) ポジ型感光性組成物
CN1720484B (zh) Lcd制造用正型光致抗蚀剂组合物和抗蚀图的形成方法
JPH0561193A (ja) ポジ型フオトレジスト組成物
JPH04214563A (ja) フォトレジスト組成物
JPH1184644A (ja) ポジ型レジスト組成物及びこれを用いたパターンの形成方法

Legal Events

Date Code Title Description
EXPY Cancellation because of completion of term