JPH0567611A - 半導体装置及びその製造方法 - Google Patents
半導体装置及びその製造方法Info
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- JPH0567611A JPH0567611A JP3226716A JP22671691A JPH0567611A JP H0567611 A JPH0567611 A JP H0567611A JP 3226716 A JP3226716 A JP 3226716A JP 22671691 A JP22671691 A JP 22671691A JP H0567611 A JPH0567611 A JP H0567611A
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- JP
- Japan
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- wiring layer
- film
- conductive film
- alignment mark
- alloy
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- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】本発明は、配線層が多層化された半導体装置、
特に配線層用導電膜にＡｌ合金を用いた半導体装置の製
造方法に関し、配線層用のＡｌ合金により配線層領域の
凹凸を平坦化するときに、位置合わせマーク領域の凹凸
を平坦化することなく、フォトマスクを位置合わせする
ことができる半導体装置の製造方法を提供することを目
的とする。 【構成】第１の配線層用導電膜１０を形成し、第１の配
線層用導電膜１０上に層間絶縁膜１２を形成し、層間絶
縁膜１２上にＡｌ合金の流動性を促進するための補助金
属膜１４を形成し、補助金属膜１４上にＡｌ合金からな
る第２の配線層用導電層１８を形成する半導体装置の製
造方法において、金属層１４を形成した後に、フォトマ
スクを位置合わせするための凹凸形状の位置合わせマー
クが形成された位置合わせマーク領域における補助金属
膜１４をエッチング除去するように構成する。
特に配線層用導電膜にＡｌ合金を用いた半導体装置の製
造方法に関し、配線層用のＡｌ合金により配線層領域の
凹凸を平坦化するときに、位置合わせマーク領域の凹凸
を平坦化することなく、フォトマスクを位置合わせする
ことができる半導体装置の製造方法を提供することを目
的とする。 【構成】第１の配線層用導電膜１０を形成し、第１の配
線層用導電膜１０上に層間絶縁膜１２を形成し、層間絶
縁膜１２上にＡｌ合金の流動性を促進するための補助金
属膜１４を形成し、補助金属膜１４上にＡｌ合金からな
る第２の配線層用導電層１８を形成する半導体装置の製
造方法において、金属層１４を形成した後に、フォトマ
スクを位置合わせするための凹凸形状の位置合わせマー
クが形成された位置合わせマーク領域における補助金属
膜１４をエッチング除去するように構成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は配線層が多層化された半
導体装置、特に配線層用導電膜にＡｌ合金を用いた半導
体装置及びその製造方法に関する。近年、半導体集積回
路の微細化、高集積化に伴って、微細なスルーホール
（コンタクトホール）を埋め込むように導電膜を成長す
る技術が要求されている。その技術の一つとして、材料
としてＡｌ合金を使用して高温バイアススパッタ方法に
より導電膜を形成する技術が開発されている。
導体装置、特に配線層用導電膜にＡｌ合金を用いた半導
体装置及びその製造方法に関する。近年、半導体集積回
路の微細化、高集積化に伴って、微細なスルーホール
（コンタクトホール）を埋め込むように導電膜を成長す
る技術が要求されている。その技術の一つとして、材料
としてＡｌ合金を使用して高温バイアススパッタ方法に
より導電膜を形成する技術が開発されている。
【０００２】
【従来の技術】従来の半導体装置の製造方法を図４を用
いて説明する。先ず、高温バイアススパッタ法により、
Ａｌ合金からなる第ｎ番目の配線層用導電膜１０を形成
し、この第ｎ番目の配線層用導電膜１０をフォトリソグ
ラフィ技術を用いてパターニングする。続いて、第ｎ番
目の配線層用導電膜１０上に層間絶縁膜１２を形成し、
この層間絶縁膜１２をフォトリソグラフィ技術を用いて
パターニングし、配線層領域にコンタクトホールを形成
すると共に、位置合わせマーク領域に位置合わせマーク
を形成する。続いて、層間絶縁膜１２の全面にＴｉ層１
４を形成する（図４（ａ））。このＴｉ層１４は、第ｎ
＋１番目の配線層用導電膜１８を形成するときに、Ａｌ
合金の表面脹力を小さくして流動性を促進し、層間絶縁
膜１２の凹凸を平坦化させる働きがある。
いて説明する。先ず、高温バイアススパッタ法により、
Ａｌ合金からなる第ｎ番目の配線層用導電膜１０を形成
し、この第ｎ番目の配線層用導電膜１０をフォトリソグ
ラフィ技術を用いてパターニングする。続いて、第ｎ番
目の配線層用導電膜１０上に層間絶縁膜１２を形成し、
この層間絶縁膜１２をフォトリソグラフィ技術を用いて
パターニングし、配線層領域にコンタクトホールを形成
すると共に、位置合わせマーク領域に位置合わせマーク
を形成する。続いて、層間絶縁膜１２の全面にＴｉ層１
４を形成する（図４（ａ））。このＴｉ層１４は、第ｎ
＋１番目の配線層用導電膜１８を形成するときに、Ａｌ
合金の表面脹力を小さくして流動性を促進し、層間絶縁
膜１２の凹凸を平坦化させる働きがある。
【０００３】次に、Ｔｉ層１４上に、高温バイアススパ
ッタ法により、Ａｌ合金からなる第ｎ＋１番目の配線層
用導電膜１８を形成する（図４（ｂ））。Ａｌ合金をＴ
ｉ層１４上に形成するため層間絶縁膜１２のコンタクト
ホールにＡｌ合金が流れ込み、第ｎ＋１番目の配線層用
導電膜１８の表面を平坦化することができる。しかし、
このとき位置合わせマークの凹凸も平坦化されてしま
う。
ッタ法により、Ａｌ合金からなる第ｎ＋１番目の配線層
用導電膜１８を形成する（図４（ｂ））。Ａｌ合金をＴ
ｉ層１４上に形成するため層間絶縁膜１２のコンタクト
ホールにＡｌ合金が流れ込み、第ｎ＋１番目の配線層用
導電膜１８の表面を平坦化することができる。しかし、
このとき位置合わせマークの凹凸も平坦化されてしま
う。
【０００４】次に、第ｎ＋１番目の配線層用導電膜１８
をパターニングするために、レジスト２０を塗布する
（図４（ｃ））。引き続いて、レジスト２０をフォトリ
ソグラフィ技術を用いてパターニングしようとしても、
位置合わせマークの凹凸も第ｎ＋１番目の配線層用導電
膜１８により平坦化されているため、位置合わせマーク
の検出ができない。
をパターニングするために、レジスト２０を塗布する
（図４（ｃ））。引き続いて、レジスト２０をフォトリ
ソグラフィ技術を用いてパターニングしようとしても、
位置合わせマークの凹凸も第ｎ＋１番目の配線層用導電
膜１８により平坦化されているため、位置合わせマーク
の検出ができない。
【０００５】
【発明が解決しようとする問題点】上述のように、従来
の半導体装置の製造方法では、第ｎ層目の配線層用導電
膜１０上に第ｎ＋１番目の配線層用導電膜１８を形成す
る前に、第ｎ＋１番目の配線層用導電膜１８の表面を平
坦化するために補助金属膜１４を形成する。しかし、こ
の補助金属膜１４は、第ｎ層目の配線層用導電膜１８の
配線層領域の凹凸を平坦化すると同時に位置合わせマー
ク領域の凹凸も平坦化してしまうため、フォトマスクの
位置合わせができなくなるという問題があった。
の半導体装置の製造方法では、第ｎ層目の配線層用導電
膜１０上に第ｎ＋１番目の配線層用導電膜１８を形成す
る前に、第ｎ＋１番目の配線層用導電膜１８の表面を平
坦化するために補助金属膜１４を形成する。しかし、こ
の補助金属膜１４は、第ｎ層目の配線層用導電膜１８の
配線層領域の凹凸を平坦化すると同時に位置合わせマー
ク領域の凹凸も平坦化してしまうため、フォトマスクの
位置合わせができなくなるという問題があった。
【０００６】本発明の目的は、配線層用のＡｌ合金によ
り配線層領域の凹凸を平坦化するときに、位置合わせマ
ーク領域の凹凸を平坦化することなく、フォトマスクを
位置合わせすることができる半導体装置及びその製造方
法を提供することにある。
り配線層領域の凹凸を平坦化するときに、位置合わせマ
ーク領域の凹凸を平坦化することなく、フォトマスクを
位置合わせすることができる半導体装置及びその製造方
法を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記目的は、第１の配線
層用導電膜と、前記第１の配線層用導電膜上に形成され
た層間絶縁膜と、前記層間絶縁膜上に形成され、上層に
形成されるＡｌ合金の流動性を促進するための補助金属
膜と、前記補助金属膜上に形成され、表面が平坦化され
たＡｌ合金からなる第２の配線層用導電膜とを有する半
導体装置において、フォトマスクを位置合わせするため
の凹凸形状の位置合わせマークが形成された位置合わせ
マーク領域には、前記補助金属膜が形成されておらず、
前記第２の配線層用導電膜の表面が平坦化されることな
く前記位置合わせマークの凹凸形状が保たれていること
を特徴とする半導体装置によって達成される。
層用導電膜と、前記第１の配線層用導電膜上に形成され
た層間絶縁膜と、前記層間絶縁膜上に形成され、上層に
形成されるＡｌ合金の流動性を促進するための補助金属
膜と、前記補助金属膜上に形成され、表面が平坦化され
たＡｌ合金からなる第２の配線層用導電膜とを有する半
導体装置において、フォトマスクを位置合わせするため
の凹凸形状の位置合わせマークが形成された位置合わせ
マーク領域には、前記補助金属膜が形成されておらず、
前記第２の配線層用導電膜の表面が平坦化されることな
く前記位置合わせマークの凹凸形状が保たれていること
を特徴とする半導体装置によって達成される。
【０００８】上記目的は、第１の配線層用導電膜を形成
する第１の工程と、前記第１の配線層用導電膜上に層間
絶縁膜を形成する第２の工程と、前記層間絶縁膜上にＡ
ｌ合金の流動性を促進するための補助金属膜を形成する
第３の工程と、前記補助金属膜上にＡｌ合金からなる第
２の配線層用導電層を形成する第４の工程とを有する半
導体装置の製造方法において、前記第３の工程の後に、
フォトマスクを位置合わせするための凹凸形状の位置合
わせマークが形成された位置合わせマーク領域における
前記補助金属膜をエッチング除去する工程を設け、前記
第４の工程では、前記位置合わせマーク領域の前記第２
の配線層用導電膜の表面を平坦化することなく前記位置
合わせマークの凹凸形状を保つようにしたことを特徴と
する半導体装置の製造方法によって達成される。
する第１の工程と、前記第１の配線層用導電膜上に層間
絶縁膜を形成する第２の工程と、前記層間絶縁膜上にＡ
ｌ合金の流動性を促進するための補助金属膜を形成する
第３の工程と、前記補助金属膜上にＡｌ合金からなる第
２の配線層用導電層を形成する第４の工程とを有する半
導体装置の製造方法において、前記第３の工程の後に、
フォトマスクを位置合わせするための凹凸形状の位置合
わせマークが形成された位置合わせマーク領域における
前記補助金属膜をエッチング除去する工程を設け、前記
第４の工程では、前記位置合わせマーク領域の前記第２
の配線層用導電膜の表面を平坦化することなく前記位置
合わせマークの凹凸形状を保つようにしたことを特徴と
する半導体装置の製造方法によって達成される。
【０００９】
【作用】本発明によれば、Ａｌ合金により位置合わせマ
ークが埋め込まれてしまうことがないので、配線層用導
電膜の形成後も位置合わせが可能であり、正確な位置合
わせができるようになる。
ークが埋め込まれてしまうことがないので、配線層用導
電膜の形成後も位置合わせが可能であり、正確な位置合
わせができるようになる。
【００１０】
【実施例】本発明の一実施例による半導体装置を図１を
用いて説明する。図１では、ｎ番目の配線層とｎ＋１番
目の配線層についての構造を示している。第ｎ番目の配
線層用導電層１０がパターニングされており、この第ｎ
番目の配線層用導電層１０上に層間絶縁膜１２が形成さ
れている。層間絶縁膜１２の配線層領域にはコンタクト
ホールが形成され、位置合わせマーク領域には凹凸形状
の位置合わせマークが形成されている。
用いて説明する。図１では、ｎ番目の配線層とｎ＋１番
目の配線層についての構造を示している。第ｎ番目の配
線層用導電層１０がパターニングされており、この第ｎ
番目の配線層用導電層１０上に層間絶縁膜１２が形成さ
れている。層間絶縁膜１２の配線層領域にはコンタクト
ホールが形成され、位置合わせマーク領域には凹凸形状
の位置合わせマークが形成されている。
【００１１】層間絶縁膜１２の配線層領域上には、第ｎ
＋１番目の配線層用導電膜１８に使用されるＡｌ合金の
流動性を促進するためのＴｉ層１４が形成されている
が、層間絶縁膜１２の位置合わせマーク領域上には、Ｔ
ｉ層１４が形成されていない。Ｔｉ層１４の上層には第
ｎ＋１番目の配線層用導電膜１８が形成されているが、
配線層領域の第ｎ＋１番目の配線層用導電膜１８はＡｌ
合金の流動性を促進するためのＴｉ層１４が形成されて
いるため表面が平坦化されている。一方、位置合わせマ
ーク領域の第ｎ＋１番目の配線層用導電膜１８はＡｌ合
金の流動性を促進するためのＴｉ層１４が形成されてい
ないので表面が平坦化されず、層間絶縁膜１２における
位置合わせマークの凹凸形状を保ったままとなってい
る。
＋１番目の配線層用導電膜１８に使用されるＡｌ合金の
流動性を促進するためのＴｉ層１４が形成されている
が、層間絶縁膜１２の位置合わせマーク領域上には、Ｔ
ｉ層１４が形成されていない。Ｔｉ層１４の上層には第
ｎ＋１番目の配線層用導電膜１８が形成されているが、
配線層領域の第ｎ＋１番目の配線層用導電膜１８はＡｌ
合金の流動性を促進するためのＴｉ層１４が形成されて
いるため表面が平坦化されている。一方、位置合わせマ
ーク領域の第ｎ＋１番目の配線層用導電膜１８はＡｌ合
金の流動性を促進するためのＴｉ層１４が形成されてい
ないので表面が平坦化されず、層間絶縁膜１２における
位置合わせマークの凹凸形状を保ったままとなってい
る。
【００１２】このように本実施例によれば、上層の配線
層用導電膜の表面に位置合わせマークの凹凸形状が保た
れているため。上層の配線層用導電膜のパターニングに
おいても位置合わせマークを利用して正確な位置合わせ
が可能である。本発明の一実施例による半導体装置の製
造方法を図２及び図３を用いて説明する。
層用導電膜の表面に位置合わせマークの凹凸形状が保た
れているため。上層の配線層用導電膜のパターニングに
おいても位置合わせマークを利用して正確な位置合わせ
が可能である。本発明の一実施例による半導体装置の製
造方法を図２及び図３を用いて説明する。
【００１３】先ず、スパッタ法又は蒸着により、Ａｌ合
金からなる第ｎ番目の配線層用導電膜１０を形成し、こ
の第ｎ番目の配線層用導電膜１０をフォトリソグラフィ
技術を用いてパターニングする。なお、ここで導電膜１
０は高温バイアススパッタ法を用いて形成した。続い
て、第ｎ番目の配線層用導電膜１０上に層間絶縁膜１２
を形成し、この層間絶縁膜１２をフォトリソグラフィ技
術を用いてパターニングし、配線層領域にコンタクトホ
ールを形成すると共に、位置合わせマーク領域に位置合
わせマークを形成する。続いて、層間絶縁膜１２の全面
にＴｉ層１４を形成する（図２（ａ））。このＴｉ層１
４は、第ｎ＋１番目の配線層用導電膜１８を形成すると
きに、Ａｌ合金の表面脹力を小さくして流動性を促進
し、層間絶縁膜１２の凹凸を平坦化させる働きがある。
金からなる第ｎ番目の配線層用導電膜１０を形成し、こ
の第ｎ番目の配線層用導電膜１０をフォトリソグラフィ
技術を用いてパターニングする。なお、ここで導電膜１
０は高温バイアススパッタ法を用いて形成した。続い
て、第ｎ番目の配線層用導電膜１０上に層間絶縁膜１２
を形成し、この層間絶縁膜１２をフォトリソグラフィ技
術を用いてパターニングし、配線層領域にコンタクトホ
ールを形成すると共に、位置合わせマーク領域に位置合
わせマークを形成する。続いて、層間絶縁膜１２の全面
にＴｉ層１４を形成する（図２（ａ））。このＴｉ層１
４は、第ｎ＋１番目の配線層用導電膜１８を形成すると
きに、Ａｌ合金の表面脹力を小さくして流動性を促進
し、層間絶縁膜１２の凹凸を平坦化させる働きがある。
【００１４】次に、全面にレジスト１６を塗布し、位置
合わせマーク領域が開口するようにパターニングする。
続いて、パターニングされたレジスト１６をマスクとし
て、位置合わせマーク領域のＴｉ層１４をエッチングす
る（図２（ｂ））。Ｔｉ層１４のエッチング液としては
フレオン系、フロン系、ＨＦ系等、Ｔｉをエッチングで
きるものなら、何を使用してもよい。
合わせマーク領域が開口するようにパターニングする。
続いて、パターニングされたレジスト１６をマスクとし
て、位置合わせマーク領域のＴｉ層１４をエッチングす
る（図２（ｂ））。Ｔｉ層１４のエッチング液としては
フレオン系、フロン系、ＨＦ系等、Ｔｉをエッチングで
きるものなら、何を使用してもよい。
【００１５】次に、レジスト１６を剥離し、全面に高温
バイアススパッタ法により、Ａｌ合金からなる第ｎ＋１
番目の配線層用導電膜１８を形成する（図２（ｃ））。
このときＴｉ層１４が形成されている配線層領域は、Ａ
ｌ合金の流動性が高いので、基盤の凹凸によらず第ｎ＋
１番目の配線層用導電膜１８の表面は平坦化されるが、
Ｔｉ層１４が形成されていない位置合わせマーク領域
は、Ａｌ合金の表面表力のため表面は平坦化されず、位
置合わせマークの凹凸形状が保たれる。
バイアススパッタ法により、Ａｌ合金からなる第ｎ＋１
番目の配線層用導電膜１８を形成する（図２（ｃ））。
このときＴｉ層１４が形成されている配線層領域は、Ａ
ｌ合金の流動性が高いので、基盤の凹凸によらず第ｎ＋
１番目の配線層用導電膜１８の表面は平坦化されるが、
Ｔｉ層１４が形成されていない位置合わせマーク領域
は、Ａｌ合金の表面表力のため表面は平坦化されず、位
置合わせマークの凹凸形状が保たれる。
【００１６】次に、第ｎ＋１番目の配線層用導電膜１８
をパターニングするために、レジスト２０を塗布する
（図３（ａ））。引き続いて、レジスト２０をフォトリ
ソグラフィ技術を用いてパターニングするが、位置合わ
せマーク領域のＡｌ合金は表面が平坦化されず位置合わ
せマークの凹凸形状が保たれているため、レジスト２０
の正確なパターニングが可能である。
をパターニングするために、レジスト２０を塗布する
（図３（ａ））。引き続いて、レジスト２０をフォトリ
ソグラフィ技術を用いてパターニングするが、位置合わ
せマーク領域のＡｌ合金は表面が平坦化されず位置合わ
せマークの凹凸形状が保たれているため、レジスト２０
の正確なパターニングが可能である。
【００１７】次に、パターニングされたレジスト２０を
マスクとして第ｎ＋１番目の配線層用導電膜１８をエッ
チングし、続いて、レジスト２０を剥離して完成する
（図３（ｂ））。このように本実施例によれば、上層の
配線層用導電膜の表面に位置合わせマークの凹凸形状が
保たれているため。上層の配線層用導電膜のパターニン
グにおいても位置合わせマークを利用して正確な位置合
わせが可能である。
マスクとして第ｎ＋１番目の配線層用導電膜１８をエッ
チングし、続いて、レジスト２０を剥離して完成する
（図３（ｂ））。このように本実施例によれば、上層の
配線層用導電膜の表面に位置合わせマークの凹凸形状が
保たれているため。上層の配線層用導電膜のパターニン
グにおいても位置合わせマークを利用して正確な位置合
わせが可能である。
【００１８】本発明は上記実施例に限らず種々の変形例
がある。例えば、上記実施例ではＡｌ合金の流動性を促
進するための補助金属膜にＴｉを使用したが、表面エネ
ルギーの高い、またはＡｌ合金よりも融点の高い金属で
あればＴｉ以外の金属でもよい。
がある。例えば、上記実施例ではＡｌ合金の流動性を促
進するための補助金属膜にＴｉを使用したが、表面エネ
ルギーの高い、またはＡｌ合金よりも融点の高い金属で
あればＴｉ以外の金属でもよい。
【００１９】
【発明の効果】以上の通り、本発明によれば、Ａｌ合金
からなる配線層用導電膜の形成時において、配線層用の
Ａｌ合金により配線層領域の凹凸を平坦化する際に、位
置合わせマーク領域の凹凸が平坦化されないので、配線
層用導電膜の形成後も位置合わせが可能であり、正確な
位置合わせが可能である。
からなる配線層用導電膜の形成時において、配線層用の
Ａｌ合金により配線層領域の凹凸を平坦化する際に、位
置合わせマーク領域の凹凸が平坦化されないので、配線
層用導電膜の形成後も位置合わせが可能であり、正確な
位置合わせが可能である。
【図１】本発明の一実施例による半導体装置を示す図で
ある。
ある。
【図２】本発明の一実施例による半導体装置の製造方法
を示す工程図（その１）である。
を示す工程図（その１）である。
【図３】本発明の一実施例による半導体装置の製造方法
を示す工程図（その２）である。
を示す工程図（その２）である。
【図４】従来技術による半導体装置の製造方法を示す工
程図である。
程図である。
１０…第ｎ番目の配線層用導電膜 １２…層間絶縁膜 １４…Ｔｉ層 １６…レジスト １８…第ｎ＋１番目の配線層用導電膜 ２０…レジスト
Claims (4)
- 【請求項１】 第１の配線層用導電膜と、前記第１の配
線層用導電膜上に形成された層間絶縁膜と、前記層間絶
縁膜上に形成され、上層に形成されるＡｌ合金の流動性
を促進するための補助金属膜と、前記補助金属膜上に形
成され、表面が平坦化されたＡｌ合金からなる第２の配
線層用導電膜とを有する半導体装置において、 フォトマスクを位置合わせするための凹凸形状の位置合
わせマークが形成された位置合わせマーク領域には、前
記補助金属膜が形成されておらず、前記第２の配線層用
導電膜の表面が平坦化されることなく前記位置合わせマ
ークの凹凸形状が保たれていることを特徴とする半導体
装置。 - 【請求項２】 請求項１記載の半導体装置において、前
記補助金属膜はＴｉ膜であることを特徴とする半導体装
置。 - 【請求項３】 第１の配線層用導電膜を形成する第１の
工程と、前記第１の配線層用導電膜上に層間絶縁膜を形
成する第２の工程と、前記層間絶縁膜上にＡｌ合金の流
動性を促進するための補助金属膜を形成する第３の工程
と、前記補助金属膜上にＡｌ合金からなる第２の配線層
用導電層を形成する第４の工程とを有する半導体装置の
製造方法において、 前記第３の工程の後に、フォトマスクを位置合わせする
ための凹凸形状の位置合わせマークが形成された位置合
わせマーク領域における前記補助金属膜をエッチング除
去する工程を設け、 前記第４の工程では、前記位置合わせマーク領域の前記
第２の配線層用導電膜の表面を平坦化することなく前記
位置合わせマークの凹凸形状を保つようにしたことを特
徴とする半導体装置の製造方法。 - 【請求項４】 請求項３記載の半導体装置の製造方法に
おいて、前記補助金属膜はＴｉ膜であることを特徴とす
る半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3226716A JPH0567611A (ja) | 1991-09-06 | 1991-09-06 | 半導体装置及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3226716A JPH0567611A (ja) | 1991-09-06 | 1991-09-06 | 半導体装置及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0567611A true JPH0567611A (ja) | 1993-03-19 |
Family
ID=16849515
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3226716A Withdrawn JPH0567611A (ja) | 1991-09-06 | 1991-09-06 | 半導体装置及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0567611A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02237934A (ja) * | 1989-03-10 | 1990-09-20 | Noda Shiyokukin Kogyo Kk | 免疫活性化剤及びその製造法 |
| JPH0466536A (ja) * | 1990-07-04 | 1992-03-02 | Noda Shiyokukin Kogyo Kk | 抗ウィルス物質とその製造方法 |
-
1991
- 1991-09-06 JP JP3226716A patent/JPH0567611A/ja not_active Withdrawn
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02237934A (ja) * | 1989-03-10 | 1990-09-20 | Noda Shiyokukin Kogyo Kk | 免疫活性化剤及びその製造法 |
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