JPH057248Y2 - - Google Patents

Info

Publication number
JPH057248Y2
JPH057248Y2 JP7999986U JP7999986U JPH057248Y2 JP H057248 Y2 JPH057248 Y2 JP H057248Y2 JP 7999986 U JP7999986 U JP 7999986U JP 7999986 U JP7999986 U JP 7999986U JP H057248 Y2 JPH057248 Y2 JP H057248Y2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
graphite
boat
holder
wafer
melt
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
JP7999986U
Other languages
English (en)
Other versions
JPS62191874U (ja
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed filed Critical
Priority to JP7999986U priority Critical patent/JPH057248Y2/ja
Publication of JPS62191874U publication Critical patent/JPS62191874U/ja
Application granted granted Critical
Publication of JPH057248Y2 publication Critical patent/JPH057248Y2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
  • Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)

Description

【考案の詳細な説明】 (産業上の利用分野) 本考案は液相エピタキシヤル成長に用いる黒鉛
スライドボートの構造に関するものである。
(従来の技術) GaAs基板等の基板の上に多層のGaAs,
GaAlAs等々をエピ成長させる場合、一般に高純
度で高密度の黒鉛製のスライドボートが用いられ
ている。
このような黒鉛製スライドボートは、メルトを
保持するメルトホルダー、ウエハを保持するウエ
ハホルダーを有し、或いは複数のメルトホルダ
ー、ウエハホルダーを保持するボートを有してい
る。これらの各部材とも黒鉛製であり、黒鉛素材
から所定形状に加工し種々の処理が施されて作製
されている。すなわち、黒鉛素材から所定の形状
に加工した後、Clガス、HClガス等による高温処
理、或いはHCl沿等による煮沸処理によつて純化
を行い、黒鉛に付着している重金属の除去が図ら
れる。更に、加工後にも付着している黒鉛粉を除
去する目的で、超純水中で超音波洗浄が行われ
る。その際に浸透した不純物、特に水分、酸素、
有機炭素等を除去するために更に真空ベーキング
を行う必要がある。
(考案が解決しようとする問題点) ところで、高純度の黒鉛素材或いはこれから作
製された部材としては、高密度(例、ρ=
1.74g/cm3)であること、加工精度がよいこと、
しかもいわゆるガス抜けがよいこと等の諸特性が
要求されるが、上記の如く使用に当たつて予め不
純物を除去する純化段階で特に問題となるのは、
ガス抜けであり、残留したH2O分やO2分を如何
にして効率よく除去するかにある。この点、高密
度であり、かつ、高強度を有することとガス抜け
の良さとは相反する特性にあるため、ガス抜けを
重視すると前者の特性(高密度、高強度)を犠牲
にしなければならない。
従来の黒鉛製スライドボートは、第3図に示す
ような構造を有し、構造上強度をもたせるために
5〜10mmの厚さが一般的であり、例えば、メルト
1を保持するメルトホルダー2は10〜15mm、約
0.5mmのウエハ3を保持するウエハホルダー4は
5〜10mmの各厚さをもつている。なお、5はボー
トである。
したがつて、上記純化処理、特に真空ベーキン
グには十分な時間をかける必要があり、しかし、
その割には満足し得る処理効果が得られず、エピ
成長に使用した場合、ウエハの特性が向上しなか
つたり、不安定であることが多かつた。
本考案は、上記従来技術の欠点を解消し、高密
度、高強度の特性を犠牲にすることなく良好なガ
ス抜きを可能にする黒鉛スライドボートを提供す
るもとを目的とするものである。
(問題点を解決するための手段) 上記目的を達成するため、本考案は、黒鉛スラ
イドボートの形状乃至構造を改良することにより
可能にしたものである。
すなわち、本考案は、メルトホルダー、ウエハ
ホルダー、ボートなどの黒鉛製部材を有する液相
エピタキシヤル成長用の黒鉛スライドボートにお
いて、前記各部材の内少なくとも1つの部材を3
mm以下の厚さの単板の重ね合わせによつて構成し
たことを特徴とするものである。
以下に本考案を実施例に基づいて詳細に説明す
る。
(実施例) 第1図は本考案の一実施例に係る黒鉛スライド
ボートの構造を示している。勿論、このスライド
ボートは公知の他の構造、例えば、メルトホルダ
ーとウエハホルダーを各々1個にした構造であつ
てもよい。
同図中、2は1個乃至複数個のメルト1を保持
するためのメルトホルダー、4はウエハ3を保持
するためのウエハホルダーであり、ウエハホルダ
ー4は操作棒6によつてボート5及びメルトホル
ダー2に対して移動可能になつている。
前述の如く、各部材は、従来は比較的厚い黒鉛
素材の単板で構成されていたのに対し、本考案で
は各部材若しくは少なくとも1つの部材を薄手の
黒鉛板の重ね合わせによつて構成するものであ
る。
すなわち、純化階段における水抜け、ガス抜け
等を強度との兼ね合いで良好にするために、3mm
以下の厚さの黒鉛板を使用し、厚さを必要とする
部材はかゝる黒鉛板を重ね合わせた形状にする。
なお、黒鉛板の厚さは2mm程度が好ましく、また
重ね合わせた形状にするときはボルトなどの固定
具を使用してもよい。
第1図に例示した構造の黒鉛スライドボートの
場合、メルトホルダー2、ウエハホルダー4及び
ボート5とも2mm厚さの黒鉛板を4枚重ね合わせ
て構成し、必要箇所をボルト7によつて締結して
いる。勿論、5枚重ねであつてもよい。
このような構造にすれば、純化処理、特に真空
ベーキングの処理時間が従来の約1/2以下の短時
間でも充分であり、初回のエピ成長からウエハの
表面状態、層厚、出力(輝度)等の特性が向上
し、その後も安定したエピ成長を図ることができ
る。
第2図は、従来の黒鉛スライドボート(メルト
ホルダーの厚み10mm、ウエハホルダーの厚み8
mm)と本実施例の黒鉛スライドボート(メルトホ
ルダー、ウエハホルダー及びボートをそれぞれ厚
み2mmの黒鉛板4枚重ね合わせたもの)を用い、
他の条件を全く同一にしてGaAlAs可視エピウエ
ハの成長を行つた場合の発光出力推移を比較して
示したものである。
なお、横軸は湿式純化処理後に実施したエピ成
長No.を示し、縦軸は従来法の初回エピ成長により
得られたウエハの発光出力を1としたときの相対
的な発光出力を示している。
また、従来ボートは湿式処理後、80〜950℃で
10日間連続真空処理し、本考案ボートは同じく80
〜950℃で5日間連続真空処理したものである。
同図により明らかなように、従来ボートを使用
した場合には、エピNo.が大きくなり使用回数が増
加するにつれて次第にウエハの発光出力が向上す
るのに対し、本考案ボートを使用すれば、当初の
エピ成長から良好な特性のウエハを得ることがで
き、立上りから良好である。これは、黒鉛スライ
ドボートの純化処理時間が短いにもかかわらずガ
ス抜けが極めて良好であつたためである。
なお、この結果は、上記実施例に係る構造のボ
ートを使用した場合のものであるが、本考案範囲
内の他の構造のボートを使用しても、同様の効果
が期待できることは云うまでもない。
(考案の効果) 以上詳述したように、本考案によれば、黒鉛ス
ライドボートの所要部材を薄手の黒鉛板を使用し
て構成したので、純化処理が短時間で効果的に行
われ、特にガス抜きが良好であり、しかも、高純
度、高強度を維持することが可能であるので、優
れた特性の黒鉛スライドボートを提供することが
できる。したがつて、エピ成長の当初より所期の
特性を備えたウエハを安定して製造することが可
能である。
【図面の簡単な説明】
第1図は本考案の一実施例に係る黒鉛スライド
ボートの構造を示す図、第2図は上記実施例のボ
ートと従来ボートを使用してエピ成長して得られ
た可視エピウエハの発光出力推移を示す図、第3
図は従来ボートの構造を示す図である。 1……メルト、2……メルトホルダー、3……
ウエハ、4……ウエハホルダー、5……ボート、
6……操作棒、7……ボルト。

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. メルトホルダー、ウエハホルダー、ボート等の
    黒鉛製部材を有する液相エピタキシヤル成長用の
    黒鉛スライドボートにおいて、前記各部材のうち
    少なくとも1つの部材を3mm以下の厚さの単板の
    重ね合わせによつて構成したことを特徴とする黒
    鉛スライドボード。
JP7999986U 1986-05-27 1986-05-27 Expired - Lifetime JPH057248Y2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP7999986U JPH057248Y2 (ja) 1986-05-27 1986-05-27

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP7999986U JPH057248Y2 (ja) 1986-05-27 1986-05-27

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS62191874U JPS62191874U (ja) 1987-12-05
JPH057248Y2 true JPH057248Y2 (ja) 1993-02-24

Family

ID=30930400

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP7999986U Expired - Lifetime JPH057248Y2 (ja) 1986-05-27 1986-05-27

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH057248Y2 (ja)

Also Published As

Publication number Publication date
JPS62191874U (ja) 1987-12-05

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPS58130517A (ja) 単結晶薄膜の製造方法
JPH0794420A (ja) 化合物半導体結晶基板の製造方法
JPS59211216A (ja) 半導体装置の製造方法
EP0863542A3 (en) III-V epitaxial wafer production
US4789421A (en) Gallium arsenide superlattice crystal grown on silicon substrate and method of growing such crystal
JPH057248Y2 (ja)
KR930008727A (ko) 박막자기헤드 및 알루미나 제조방법
JPS56138917A (en) Vapor phase epitaxial growth
CN113249793B (zh) 过渡金属硫族化合物单晶及其制备方法
JPS6272505A (ja) 熱分解窒化ほう素製器物の製造法
CN100372138C (zh) 在硅衬底上制备铟镓铝氮材料的方法
Hilti et al. 3, 4, 9, 10-Tetrathioperylene-I1. 28, a new highly conducting, incommensurate organic charge transfer salt
JP2747823B2 (ja) ガリウムヒ素層の製造方法及びガリウムヒ素・アルミニウムガリウムヒ素積層体の製造方法
JPH0635360B2 (ja) 単結晶窒化アルミニウム膜の作製方法
JPS6263419A (ja) 多結晶シリコン薄膜の形成方法
JPH01120011A (ja) InP半導体薄膜の製造方法
JPS62132312A (ja) 半導体薄膜の製造方法
JPS5893228A (ja) 半導体単結晶薄膜の製造方法
JPS6265996A (ja) 化合物半導体結晶層の製造方法
JPH0543109Y2 (ja)
JP2588540B2 (ja) 熱分解窒化ホウ素容器
JP2771635B2 (ja) Ca▲下1▼―▲下x▼Sr▲下x▼F▲下2▼膜の形成方法
JPS61198789A (ja) 光半導体素子の連続製造方法
JPS6164118A (ja) 半導体装置の製造方法
Biefeld et al. Substrate orientation and surface morphology improvements for InSb grown by metalorganic chemical vapor deposition