JPH0587016B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0587016B2 JPH0587016B2 JP61071129A JP7112986A JPH0587016B2 JP H0587016 B2 JPH0587016 B2 JP H0587016B2 JP 61071129 A JP61071129 A JP 61071129A JP 7112986 A JP7112986 A JP 7112986A JP H0587016 B2 JPH0587016 B2 JP H0587016B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- oxide film
- thermal oxide
- island region
- forming
- crystal defect
- Prior art date
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- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
［発明の目的］
（産業上の利用分野）
本発明は半導体装置の製造方法に関し、特にコ
ンタクト部の形成に改良を施したものである。
ンタクト部の形成に改良を施したものである。
（従来の技術）
従来、半導体装置を例えば第２図ａ〜ｃに示す
如く形成されている。
如く形成されている。
まず、例えばＮ型のシリコン基板１の表面にフ
イールド酸化膜２を形成する。つづいて、このフ
イールド酸化膜２で囲まれた前記基板１の島領域
３上に第１の熱酸化膜４を形成する（第２図ａ図
示）。なお、同図ａにおいて、５（点部分）は結
晶欠陥層である。次いで、前記第１の熱酸化膜４
を通して前記島領域３にBF2をイオン注入し、P+
型の拡散層６を形成する（第２図ｂ図示）。更に、
全面に層間絶縁膜７を形成した後、前記拡散層６
上の層間絶縁膜７を選択的に開孔してコンタクト
ホール８を形成する。この後、このコンタクトホ
ール８に取出し配線９を形成して半導体装置を製
造する（第２図ｃ図示）。
イールド酸化膜２を形成する。つづいて、このフ
イールド酸化膜２で囲まれた前記基板１の島領域
３上に第１の熱酸化膜４を形成する（第２図ａ図
示）。なお、同図ａにおいて、５（点部分）は結
晶欠陥層である。次いで、前記第１の熱酸化膜４
を通して前記島領域３にBF2をイオン注入し、P+
型の拡散層６を形成する（第２図ｂ図示）。更に、
全面に層間絶縁膜７を形成した後、前記拡散層６
上の層間絶縁膜７を選択的に開孔してコンタクト
ホール８を形成する。この後、このコンタクトホ
ール８に取出し配線９を形成して半導体装置を製
造する（第２図ｃ図示）。
しかしながら、従来技術によれば、第１の熱酸
化膜４を通してBF2をイオン注入するため、拡散
層６中には照射損傷により結晶欠陥層５が生じ
る。そこで、この結晶欠陥層５を除去せずに層間
絶縁膜７のコンタクトホール８に取出し配線を形
成すると、結晶欠陥に起因するSiの析出が増大し
てコンタクト抵抗が大きくなり、信頼性が低下す
る。
化膜４を通してBF2をイオン注入するため、拡散
層６中には照射損傷により結晶欠陥層５が生じ
る。そこで、この結晶欠陥層５を除去せずに層間
絶縁膜７のコンタクトホール８に取出し配線を形
成すると、結晶欠陥に起因するSiの析出が増大し
てコンタクト抵抗が大きくなり、信頼性が低下す
る。
（発明が解決しようとする問題点）
本発明は上記事情に鑑みてなされたもので、
BF2のイオン注入により生じた拡散層中の結晶欠
陥層を除去し、コンタクト抵抗の増加を抑制しえ
る半導体装置の製造方法を提供することを目的と
する。
BF2のイオン注入により生じた拡散層中の結晶欠
陥層を除去し、コンタクト抵抗の増加を抑制しえ
る半導体装置の製造方法を提供することを目的と
する。
［発明の構成］
（問題点を解決するための手段と作用）
本発明は、半導体基板の表面に素子分離領域を
形成する工程と、この素子分離領域で囲まれた島
領域上に第１の熱酸化膜を形成する工程と、この
第１の熱酸化膜を通して前記島領域にBF2をイオ
ン注入する工程と、前記第１の熱酸化膜を除去す
る工程と、H2SO4とH2O2系の薬品処理を施す工
程と、HF系の薬品処理を施す工程と、前記島領
域上に第２の熱酸化膜を形成する工程とを具備
し、イオン注入時に前記島領域中に発生した結晶
欠陥層を除去することを特徴とし、コンタクト抵
抗の増加の抑制を図つたことを骨子とする。
形成する工程と、この素子分離領域で囲まれた島
領域上に第１の熱酸化膜を形成する工程と、この
第１の熱酸化膜を通して前記島領域にBF2をイオ
ン注入する工程と、前記第１の熱酸化膜を除去す
る工程と、H2SO4とH2O2系の薬品処理を施す工
程と、HF系の薬品処理を施す工程と、前記島領
域上に第２の熱酸化膜を形成する工程とを具備
し、イオン注入時に前記島領域中に発生した結晶
欠陥層を除去することを特徴とし、コンタクト抵
抗の増加の抑制を図つたことを骨子とする。
即ち、本発明は、第１の熱酸化膜の除去後H2
SO4、H2O2系の薬品処理を施して化学吸着酸化
することによりBF2をイオン注入時に発生した結
晶欠陥層の一部を酸化膜中に取込んだ後、HF系
薬品処理を施すことにより結晶欠陥層を軽減し、
更に第２の熱酸化膜の形成により結晶欠陥層を該
第２の熱酸化膜中に取込み欠陥層を島領域から排
除するものである。
SO4、H2O2系の薬品処理を施して化学吸着酸化
することによりBF2をイオン注入時に発生した結
晶欠陥層の一部を酸化膜中に取込んだ後、HF系
薬品処理を施すことにより結晶欠陥層を軽減し、
更に第２の熱酸化膜の形成により結晶欠陥層を該
第２の熱酸化膜中に取込み欠陥層を島領域から排
除するものである。
（実施例）
以下、本発明の一実施例を第１図ａ〜ｄを参照
して説明する。なお、従来と同部材は同符号を付
して説明を省略する。
して説明する。なお、従来と同部材は同符号を付
して説明を省略する。
まず、Ｎ型のシリコン基板１の表面にフイール
ド酸化膜２を形成した後、このフイールド酸化膜
２で囲まれた島領域３に第１の熱酸化膜４を形成
した。つづいて、この熱酸化膜４を通して前記島
領域３にBF2をイオン注入した（第１図ａ図示）。
次いで、前記第１の熱酸化膜４を除去した後、
H2SO4、H2O2系の薬品処理を施し、結晶欠陥層
５を化学吸着酸化して薄い酸化膜（図示せず）中
に取込む。しかる後、HF系薬品処理で上記結晶
欠陥層５の上部を除去した（第１図ｂ図示）。更
に、900℃、O2雰囲気で熱処理を行うことによ
り、前記島領域３上に厚さ200Åの第２の熱酸化
膜１１を形成するとともに、島領域３にＰ型の拡
散層６を形成した（第１図ｃ図示）。なお、この
第２の熱酸化膜１１の形成により、一部残存する
前記結晶欠陥層５は第２の熱酸化膜１１に完全に
取込まれ、拡散層６中から除外される。以下、従
来と同様、全面に層間絶縁膜７を形成した後、所
定の箇所にコンタクトホール８を形成し、更に取
出し配線９を形成して半導体装置を製造した（第
１図ｄ図示）。
ド酸化膜２を形成した後、このフイールド酸化膜
２で囲まれた島領域３に第１の熱酸化膜４を形成
した。つづいて、この熱酸化膜４を通して前記島
領域３にBF2をイオン注入した（第１図ａ図示）。
次いで、前記第１の熱酸化膜４を除去した後、
H2SO4、H2O2系の薬品処理を施し、結晶欠陥層
５を化学吸着酸化して薄い酸化膜（図示せず）中
に取込む。しかる後、HF系薬品処理で上記結晶
欠陥層５の上部を除去した（第１図ｂ図示）。更
に、900℃、O2雰囲気で熱処理を行うことによ
り、前記島領域３上に厚さ200Åの第２の熱酸化
膜１１を形成するとともに、島領域３にＰ型の拡
散層６を形成した（第１図ｃ図示）。なお、この
第２の熱酸化膜１１の形成により、一部残存する
前記結晶欠陥層５は第２の熱酸化膜１１に完全に
取込まれ、拡散層６中から除外される。以下、従
来と同様、全面に層間絶縁膜７を形成した後、所
定の箇所にコンタクトホール８を形成し、更に取
出し配線９を形成して半導体装置を製造した（第
１図ｄ図示）。
本発明によれば、第１の熱酸化膜４を通して
BF2をイオン注入した後、第１の熱酸化膜４を除
去し、H2SO4とH2O2系の薬品処理を施し、更に
HF系の薬品処理を施した後、第２の熱酸化膜１
１を形成するため、上記薬品処理により結晶欠陥
層５を島領域３の表面に見掛け上移動させ、かつ
第２の熱酸化膜１１中に結晶欠陥層５を取込むこ
とができる。従つて、結晶欠陥に起因するSiの析
出が抑制され、低いコンタクト抵抗を有する拡散
層６と取出し配線９の接続が可能となる。事実、
本発明及び従来の半導体装置によるコンタクト抵
抗とコンタクトサイズ（正方形のコンタクトにお
ける一辺の長さ）との関係を調べたところ、第３
図に示す結果が得られた。同図で、イは本発明の
場合、ロは従来の場合を夫々示す。同図により、
本発明の場合が従来の場合と比べコンタクト抵抗
が約１桁低下していることが確認できる。
BF2をイオン注入した後、第１の熱酸化膜４を除
去し、H2SO4とH2O2系の薬品処理を施し、更に
HF系の薬品処理を施した後、第２の熱酸化膜１
１を形成するため、上記薬品処理により結晶欠陥
層５を島領域３の表面に見掛け上移動させ、かつ
第２の熱酸化膜１１中に結晶欠陥層５を取込むこ
とができる。従つて、結晶欠陥に起因するSiの析
出が抑制され、低いコンタクト抵抗を有する拡散
層６と取出し配線９の接続が可能となる。事実、
本発明及び従来の半導体装置によるコンタクト抵
抗とコンタクトサイズ（正方形のコンタクトにお
ける一辺の長さ）との関係を調べたところ、第３
図に示す結果が得られた。同図で、イは本発明の
場合、ロは従来の場合を夫々示す。同図により、
本発明の場合が従来の場合と比べコンタクト抵抗
が約１桁低下していることが確認できる。
［発明の効果］
以上詳述した如く本発明によれば、結晶欠陥層
を除去してコンタクト抵抗を低減できる半導体装
置の製造方法を提供できる。
を除去してコンタクト抵抗を低減できる半導体装
置の製造方法を提供できる。
第１図ａ〜ｄが本発明の一実施例に係る半導体
装置の製造方法を工程順に示す断面図、第２図ａ
〜ｃは従来の半導体装置の製造方法を工程順に示
す断面図、第３図は本発明及び従来法による半導
体装置のコンタクトサイズとコンタクト抵抗との
関係を示す特性図である。 １……Ｎ型のシリコン基板、２……フイールド
酸化膜（素子分離領域）、３……島領域、４，１
１……熱酸化膜（絶縁膜）、５……結晶欠陥層、
６……拡散層、７……層間絶縁膜、８……コンタ
クトホール、９……取出し配線。
装置の製造方法を工程順に示す断面図、第２図ａ
〜ｃは従来の半導体装置の製造方法を工程順に示
す断面図、第３図は本発明及び従来法による半導
体装置のコンタクトサイズとコンタクト抵抗との
関係を示す特性図である。 １……Ｎ型のシリコン基板、２……フイールド
酸化膜（素子分離領域）、３……島領域、４，１
１……熱酸化膜（絶縁膜）、５……結晶欠陥層、
６……拡散層、７……層間絶縁膜、８……コンタ
クトホール、９……取出し配線。
Claims (1)
- １ 半導体基板の表面に素子分離領域を形成する
工程と、この素子分離領域で囲まれた島領域上に
第１の熱酸化膜を形成する工程と、この第１の熱
酸化膜を通して前記島領域にBF2をイオン注入す
る工程と、前記第１の熱酸化膜を除去する工程
と、H2SO4とH2O2系の薬品処理を施す工程と、
HF系の薬品処理を施す工程と、前記島領域上に
第２の熱酸化膜を形成する工程とを具備し、イオ
ン注入時に前記島領域中に発生した結晶欠陥層を
除去することを特徴とする半導体装置の製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7112986A JPS62229934A (ja) | 1986-03-31 | 1986-03-31 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7112986A JPS62229934A (ja) | 1986-03-31 | 1986-03-31 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62229934A JPS62229934A (ja) | 1987-10-08 |
| JPH0587016B2 true JPH0587016B2 (ja) | 1993-12-15 |
Family
ID=13451653
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7112986A Granted JPS62229934A (ja) | 1986-03-31 | 1986-03-31 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62229934A (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2729309B2 (ja) * | 1988-12-05 | 1998-03-18 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
| JP2626275B2 (ja) * | 1991-02-28 | 1997-07-02 | 富士通株式会社 | イオン注入モニタリング方法 |
| JP2776272B2 (ja) * | 1994-11-02 | 1998-07-16 | 日本電気株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5238385A (en) * | 1975-09-23 | 1977-03-24 | Osamu Nakagawa | Accelerateefiring device for casttangling |
| JPS55102227A (en) * | 1979-01-29 | 1980-08-05 | Hitachi Ltd | Ion implantation |
-
1986
- 1986-03-31 JP JP7112986A patent/JPS62229934A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS62229934A (ja) | 1987-10-08 |
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