JPH0588364A - i線用ポジ型レジスト組成物およびパターン形成方法 - Google Patents

i線用ポジ型レジスト組成物およびパターン形成方法

Info

Publication number
JPH0588364A
JPH0588364A JP4031340A JP3134092A JPH0588364A JP H0588364 A JPH0588364 A JP H0588364A JP 4031340 A JP4031340 A JP 4031340A JP 3134092 A JP3134092 A JP 3134092A JP H0588364 A JPH0588364 A JP H0588364A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
mol
resin
xylenol
sulfonic acid
acid ester
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP4031340A
Other languages
English (en)
Other versions
JP3235089B2 (ja
Inventor
Toshiyuki Ota
利幸 大田
Toru Kajita
徹 梶田
Yoshitsugu Isamoto
喜次 勇元
Takao Miura
孝夫 三浦
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
JSR Corp
Original Assignee
Japan Synthetic Rubber Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Japan Synthetic Rubber Co Ltd filed Critical Japan Synthetic Rubber Co Ltd
Priority to JP03134092A priority Critical patent/JP3235089B2/ja
Publication of JPH0588364A publication Critical patent/JPH0588364A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP3235089B2 publication Critical patent/JP3235089B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】解像度を損なうことなく、高感度を実現し、且
つ、耐熱性、残膜性、現像性、パターン形状などに優れ
たポジ型レジストとして好適なi線用ポジ型レジスト組
成物およびそれを用いてレジストパターンを形成する方
法を提供する。 【構成】(A)2,3−キシレノール5〜95モル%お
よび2,3−キシレノール以外のモノ−、ジ−又はトリ
−メチルフェノール類95〜5モル%からなるかあるい
は3,4−キシレノール5〜50モル%および3,4-キ
シレノール以外のモノ−、ジ−又はトリ−メチルフェノ
ール類95〜50モル%からなるフェノール性混合物
を、アルデヒド類と重縮合して得られるアルカリ可溶性
ノボラック樹脂および1,2−キノンジアジド化合物を
含有して成り、そして(B)i線感応性を有する、i線
用ポジ型レジスト組成物およびそれを用いたパターン形
成方法。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、i線用ポジ型レジスト
組成物およびパターン形成方法に関する。更に詳しく
は、i線に感応する高集積回路製造用レジストとして好
適なi線用ポジ型レジスト組成物およびそれを用いたパ
ターン形成方法に関する。
【0002】
【従来の技術】ポジ型レジストは、高解像度のレジスト
パターンを与えるので、集積回路の製造において多く用
いられているが、近年における集積回路の高集積化に伴
って、より解像度の向上したレジストパターンを形成で
きるポジ型レジストの開発が望まれている。また、集積
回路製造技術の進歩にともない、歩止まりの良い高感度
のポジ型レジストが望まれるようになってきている。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
ポジ型レジストの場合、形成すべきレジストパターンの
間隔が0.8μm以下になると、微細なパターン、ホー
ルなどの露光量の少ない部分での現像性およびパターン
形状が不十分であった。
【0004】さらに集積回路の集積度の向上とともに、
ウェハーのエッチング方式が、従来のサイドエッチング
の大きいウェツトエッチングから、サイドエッチングの
小さいドライエッチングに移行している。このドライエ
ッチングでは、エッチング時に熱によるレジストパター
ンが変化しないことが必要であるため、ポジ型レジスト
には耐熱性が必要であるが、従来のポジ型レジストは、
十分な耐熱性を備えているとはいい難いものであった。
【0005】特開平2−108054号公報には、標準
ポリスチレン換算重量平均分子量が4,000〜20,0
00である樹脂A95〜50重量部と標準ポリスチレン
換算重量平均分子量が200〜2,000である樹脂B
5〜50重量部の混合物をアルカリ可溶性ノボラック樹
脂として用いた感放射線性樹脂組成物を開示している。
この組成物において、樹脂Aはm−クレゾールと下記式
【0006】
【化3】
【0007】で表わされるフェノール類の少なくとも1
種をアルデヒドと重縮合して得られた樹脂であるかまた
はm−クレゾールとp−クレゾールと上記式で表わされ
るフェノール類の少なくとも1種をアルデヒドと重縮合
して得られた樹脂である。また樹脂Bは下記式
【0008】
【化4】
【0009】で表わされるフェノール類をアルデヒドと
重縮合して得られた樹脂である。
【0010】アルカリ可溶性ノボラック樹脂として、樹
脂Aと樹脂Bとを併用する上記組成物は、高感度であ
り、現像性に優れ、高解像度を有し、そして耐熱性に優
れたポジ型レジストを与えるという点で特徴的である。
【0011】特開平2−275955号公報には、下記
式
【0012】
【化5】
【0013】で表わされるポリフェノールを含むアルカ
リ可溶性樹脂および1,2−キノンジアジド化合物を含
有するポジ型感放射線性レジスト組成物が開示されてい
る。ポリフェノールを含むアルカリ可溶性樹脂を用いる
上記組成物は、同公報の記載によれば、感度、解像力お
よび耐熱性に優れるという点で特徴的である。
【0014】また、本願の優先権主張日前よりも後に公
開された特開平3−200252号公報には、アルカリ
可溶性フェノール樹脂、キノンジアジドスルホン酸エス
テル系感光剤および下記式
【0015】
【化6】
【0016】で表わされる化合物を含有するポジ型レジ
スト組成物が開示されている。上記式で特定されたポリ
フェノール化合物を用いた上記ポジ型レジスト組成物
は、同公報の記載によれば、感度、解像度、残膜率、耐
熱性および保存安定性に優れ、そして1μm以下の微細
加工に適しているという。
【0017】ところで、従来のポジ型レジストは、一般
に高感度であるほど限界解像度が劣り、逆に低感度であ
るほど限界解像度が優れるというトレードオフの関係を
有するため、高解像度を実現するために低感度である傾
向があり、半導体製造上、生産性の点で問題であった。
【0018】また、従来のポジ型レジストは、ベース樹
脂であるフェノール樹脂(一般に、クレゾールノボラッ
クが多く用いられる)が大気中あるいは溶剤中の酸素に
より酸化分解を受けるため、長期にわたると感度及び粘
度の変化を起こし十分な保存安定性を備えているとはい
い難かった。
【0019】それ故、本発明の目的は、優れた種々の性
能を備えたi線用ポジ型レジスト組成物を提供すること
にある。本発明の他の目的は、解像度を損なうことな
く、高感度を実現し、且つ、耐熱性、残膜性、現像性、
パターン形状などに優れたポジ型レジストとして好適な
i線用ポジ型レジスト組成物を提供することにある。
【0020】本発明のさらに他の目的は、高感度で、耐
熱性、解像度、残膜性、現像性、パターン形状などに優
れ、特に保存安定性に優れたポジ型レジストとして好適
なi線用ポジ型レジスト組成物を提供することにある。
本発明のさらに他の目的は、特に長期保存によっても粘
度変化がないか非常に小さく、また感度の低下もないと
いう保存安定性に優れたi線用ポジ型レジスト組成物を
提供することにある。本発明のさらに他の目的は、本発
明の上記i線用ポジ型レジスト組成物を用いてレジスト
パターンを形成する方法を提供することにある。本発明
のさらに他の目的および利点は以下の説明から明らかと
なろう。
【0021】
【課題を解決するための手段】本発明によれば、本発明
の上記目的および利点は、第1に、(A)2,3−キシ
レノール5〜95モル%および下記式(1)
【0022】
【化7】
【0023】で表わされるフェノール類95〜5モル%
からなるフェノール性混合物を、アルデヒド類と重縮合
して得られるアルカリ可溶性ノボラック樹脂および1,
2−キノンジアジド化合物を含有して成り、そして
(B)i線感応性を有する、ことを特徴とするi線用ポ
ジ型レジスト組成物によって達成される。以下、本発明
の組成物について詳述する。
【0024】アルカリ可溶性ノボラック樹脂 本発明で用いられるアルカリ可溶性ノボラック樹脂は、
2,3−キシレノールと特定フェノール類とを必須フェ
ノール類として用い、これをアルデヒド類と重縮合せし
めて製造されるものである。
【0025】特定フェノール類は上記式(1)で表わさ
れる。式(1)中、pは1、2または3である。式
(1)で表わされるフェノール類は2,3−キシレノー
ルを包含しない。特定フェノール類としては、例えばm
−クレゾール、p−クレゾール、2,5−キシレノー
ル、3,4−キシレノール、3,5−キシレノール、2,
3,5−トリメチルフェノール、3,4,5−トリメチル
フェノールを挙げることができる。これらのうち、m−
クレゾール、p−クレゾール、2,5−キシレノール、
3,4−キシレノール、3,5−キシレノールおよび2,
3,5−トリメチルフェノールが好ましい。これらのフ
ェノール類は、単独でまたは2種以上を組み合わせて用
いられる。
【0026】ノボラック樹脂の製造に際し、これらの
2,3−キシレノールと特定フェノール類との使用量
は、2,3−キシレノール/特定フェノール類=5〜9
5/95〜5(モル比)、好ましくは5〜90/95〜
5(モル比)、より好ましくは10〜70/90〜30
(モル比)である。2,3−キシレノールが5モル%未
満では高感度が得られにくく、95モル%をこえると解
像度が低下する。
【0027】ノボラック樹脂を製造するためのフェノー
ル性混合物は、2,3−キシレノールおよび特定フェノ
ール類以外に、上記式(1)に包含されず且つ2,3−
キシレノール以外のフェノール類を、フェノール性混合
物に基づいて5モル%以下で含有することができる。
【0028】また、ノボラック樹脂を製造するために用
いられるアルデヒド類としては、例えばホルムアルデヒ
ド、ベンズアルデヒド、アセトアルデヒド、プロピルア
ルデヒド、フェニルアセトアルデヒド、α−フェニルプ
ロピルアルデヒド、β−フェニルプロピルアルデヒド、
o−ヒドロキシベンズアルデヒド、m−ヒドロキシベン
ズアルデヒド、p−ヒドロキシベンズアルデヒド、o−
クロロベンズアルデヒド、m−クロロベンズアルデヒ
ド、p−クロロベンズアルデヒド、o−ニトロベンズア
ルデヒド、m−ニトロベンズアルデヒド、p−ニトロベ
ンズアルデヒド、o−メチルベンズアルデヒド、m−メ
チルベンズアルデヒド、p−メチルベンズアルデヒド、
p−エチルベンズアルデヒド、p−n−ブチルベンズア
ルデヒド、フルフラールなどを挙げることができ、特に
ホルムアルデヒドを好適に用いることができる。
【0029】ホルムアルデヒドの発生源としては、ホル
マリン以外にトリオキサン、パラホルムアルデヒド、メ
チルヘミホルマール、エチルヘミホルマール、プロピル
ヘミホルマール、ブチルヘミホルマール、フェニルヘミ
ホルマールなどのヘミホルマール類を用いることもでき
る。
【0030】これらのアルデヒド類も単独でまたは2種
以上を組み合わせて用いることができる。上記アルデヒ
ド類の使用量は2,3−キシレノールと特定フェノール
類を含むフェノール性混合物1モルに対し、0.7〜3
モルが好ましく、より好ましくは0.8〜1.5モルであ
る。
【0031】フェノール性混合物とアルデヒド類との重
縮合に通常用いられる触媒としては、例えば塩酸、硝
酸、硫酸などの無機酸およびギ酸、シュウ酸、酢酸など
の有機酸を挙げることができる。これらの触媒の使用量
は、通常、特定フェノール類1モルに対し、好ましくは
1×10-5〜5×10-1モル、より好ましくは1×10
-4〜1×10-1モルである。
【0032】重縮合においては、通常、反応媒質として
水が用いられるが、重縮合に用いられる特定フェノール
類がアルデヒド類の水溶液に溶解せず、反応初期から不
均一になる場合は、反応媒質として親水性溶媒を併用す
ることもできる。これらの親水性溶媒としては、例えば
メタノール、エタノール、プロパノール、ブタノールな
どのアルコール類およびテトラヒドロフラン、ジオキサ
ンなどの環状エーテル類が挙げられる。これらの反応媒
質の使用量は、通常、反応原料100重量部当り、20
〜1,000重量部である。
【0033】重縮合の温度は、反応原料の反応性に応じ
て、適宜調整することができるが、通常10〜200
℃、好ましくは70〜150℃である。重縮合方法とし
ては、2,3−キシレノール、特定フエノール類、アル
デヒド類、触媒などを一括して仕込む方法、あるいは触
媒の存在下に2,3−キシレノール、特定フェノール
類、アルデヒド類などを反応の進行とともに加えていく
方法を採用することができる。
【0034】重縮合終了後、系内に存在する未反応原
料、触媒、反応媒質などを除去するために、一般的に
は、反応系の温度を130〜230℃に上昇させ、減圧
下、例えば20〜50mmHg程度で揮発分を留去し、得ら
れたノボラック樹脂(以下ノボラック樹脂(A)とい
う)を回収する。
【0035】また本発明において用いるノボラック樹脂
(A)は、ポリスチレン換算重量平均分子量(以下Mw
という)が、通常、3,000〜20,000、特に4,
000〜15,000の範囲にあることが望ましい。M
wが20,000を超えると、本発明の組成物をウェハ
ーに均一に塗布しにくくなり、さらに現像性および感度
が低下し、またMwが3,000未満であると、耐熱性
が低下する傾向がある。
【0036】低分子量の樹脂成分の含有量が低減された
Mwの高いノボラック樹脂(A)を得るためには、例え
ば重縮合終了後に回収されたノボラック樹脂(A)を、
例えば2−エトキシエチルアセテート、ジオキサン、メ
タノール、酢酸エチルなどの良溶媒に溶解したのち、
水、n−ヘキサン、n−ヘプタン、トルエン、キシレン
などの貧溶媒を混合し、次いで析出する樹脂溶液層を分
離し、高分子量のノボラック樹脂(A)を回収すればよ
い。
【0037】本発明のi線用ポジ型レジスト組成物にお
いて、上述したノボラック樹脂(A)は、1種単独で配
合しても良いし、また2種以上の組合わせで配合しても
よい。
【0038】また、ノボラック樹脂(A)のアルカリ溶
解性を促進するなどの目的で、低分子量のフェノール化
合物を溶解促進剤として添加するのが好ましい。ここで
使用される低分子量化合物としては、ベンゼン環数2〜
6程度のフェノール化合物が好適に使用される。特に限
定されないが、かかるフェノール化合物としては例えば
下記式(A)〜(K)
【0039】
【化8】
【0040】
【化9】
【0041】で表わされる化合物を挙げることができ
る。これらのうち、上記式(F)および(I)で表わさ
れる化合物が好ましい。これら溶解促進剤の配合量は、
ノボラック樹脂(A)100重量部に対し、通常50重
量部以下であり、好ましくは5〜40重量部である。
【0042】また上記と同様の目的で、分子量を低く抑
えたアルカリ可溶性ノボラック樹脂またはアルカリ可溶
性レゾール樹脂(以下単に樹脂(B)という)を溶解促
進剤として配合することもできる。
【0043】ここで樹脂(B)は、フェノール類とアル
デヒド類の重縮合によって製造されるが、フェノール類
としては、ノボラック樹脂(A)の合成に用いられる
2,3−キシレノールおよび特定フェノール類として例
示したものの他、フェノール、1−ナフトール、2−ナ
フトールなどを使用することができる。またアルデヒド
類としてもノボラック樹脂(A)の合成に用いられるも
のを使用することができる。アルデヒド類の使用量は、
フェノール類1モルに対して0.1〜3モルが好まし
く、より好ましくは0.2〜1.5モルである。またこの
縮合においては、ノボラック樹脂(A)の合成に用いる
触媒と同じ酸性触媒の他、アルカリ性触媒も用いること
ができる。
【0044】樹脂(B)のMwは、通常、10,000
以下であるが、200〜2,000であることが好まし
く、300〜1,000であることが特に好ましい。こ
のような樹脂(B)としては、フェノール/ホルムアル
デヒド縮合ノボラック樹脂、m−クレゾール/ホルムア
ルデヒド縮合ノボラック樹脂、o−クレゾール/ホルム
アルデヒド縮合ノボラック樹脂、m−クレゾール/p−
クレゾール/ホルムアルデヒド縮合ノボラック樹脂など
を挙げることができる。これら樹脂(B)の配合量は、
ノボラック樹脂(A)100重量部に対し、通常50重
量部以下である。
【0045】本発明のポジ型レジスト組成物は、上記の
如きアルカリ可溶性ノボラック樹脂と以下に記載する
1,2−キノンジアジド化合物を含有している。そし
て、本発明のi線用ポジ型レジスト組成物は、特定の構
造のフェノール類を用いて得られるアルカリ可溶性ノボ
ラック樹脂が使用されていることに関連して、解像度が
損なわれることなく、高感度で耐熱性、残膜性、現像
性、パターン形状などに優れたポジ型レジストとして好
適に使用できる。
【0046】本発明者の研究によれば、本発明の上記ポ
ジ型レジスト組成物において、上記式(1)で表わされ
るフェノール類が3,4−キシレノールであり且つこの
3,4−キシレノールがフェノール性混合物の5〜50
モル%を占める場合、すなわち3,4−キシレノール5
〜50モル%と2,3−キシレノール95〜50モル%
からなるフェノール性混合物を用いたアルカリ可溶性ノ
ボラック樹脂を用いた本発明のポジ型レジスト組成物
は、上記の如き優れた特性に加えて、さらに、保存期間
が長期にわたっても、感度、解像度などの経時変化が極
めて少なく、保存安定性に優れていることが明らかにさ
れた。
【0047】引き続いて、本発明者は、3,4−キシレ
ノールが5〜50モル%を占めるフェノール性混合物を
用いる場合には、2,3−キシレノールに限らず、下記
式(1)’
【0048】
【化10】
【0049】で表わされるフェノール類とのフェノール
性混合物であっても、やはり、上記の如き保存安定性に
も優れた本発明のポジ型レジスト組成物を与えることを
究明した。それ故、本発明は、第2に、(A)3,4−
キシレノール5〜50モル% および下記式(1)’
【0050】
【化11】
【0051】で表わされるフェノール類95〜50モル
%からなるフェノール性混合物を、アルデヒド類と重縮
合して得られるアルカリ可溶性ノボラック樹脂および
1,2−キノンジアジド化合物を含有して成り、そして
(B)i線感応性を有する、ことを特徴とするi線用ポ
ジ型レジスト組成物(以下、本発明の第2の組成物とい
う)を提供するものである。
【0052】上記第2の組成物において、フェノール性
混合物が2,3−キシレノールとメタクレゾールである
ことが好ましい。すなわち、フェノール性混合物が2,
3−キシレノール、3,4−キシレノールおよびメタク
レゾールからなり且つこれらの合計モル数に基づいて、
2,3−キシレノール5〜90モル%、3,4−キシレノ
ール5〜50モル%およびメタクレゾール5〜90モル
%からなるのが好ましい。
【0053】アルカリ可溶性ノボラック樹脂 本発明の第2の組成物で用いられるアルカリ可溶性ノボ
ラック樹脂は、3,4−キシレノールと上記式(1)’
で表わされる特定フェノール類とを必須フェノール類と
して用い、これをアルデヒド類と重縮合せしめて製造さ
れるものである。
【0054】上記式(1)’で表わされる特定フェノー
ル類としては、例えばm−クレゾール、p−クレゾー
ル、2,5−キシレノール、2,3−キシレノール、3,
5−キシレノール、2,3,5−トリメチルフェノール、
3,4,5−トリメチルフェノールを挙げることができ
る。これらのうち、m−クレゾール、p−クレゾール、
2,5−キシレノール、2,3−キシレノール、3,5−
キシレノールおよび2,3,5−トリメチルフェノールが
好ましい。これらのフェノール類は、単独でまたは2種
以上を組み合わせて用いられる。
【0055】ノボラック樹脂の製造に際し、これらの
3,4−キシレノールと上記式(1)’で表わされる特
定フェノール類との使用量は、3,4−キシレノール/
特定フェノール類=5〜50/95〜50(モル比)、
好ましくは10〜45/90〜55(モル比)であり、
更に好ましくは10〜40/90〜60(モル比)であ
る。3,4−キシレノールが5モル%未満では保存安定
性に対しあまり効果的でなく、50モル%をこえると低
感度になる傾向がある。
【0056】ノボラック樹脂を製造するためのフェノー
ル性混合物は、3,4−キシレノールおよび上記式
(1)’で表わされる特定フェノール類以外に、上記式
(1)’に包含されず且つ3,4−キシレノール以外の
フェノール類をフェノール性混合物に基づいて5モル%
以下で含有することができる。
【0057】本発明の第2の組成物に関し、アルカリ可
溶性ノボラック樹脂について、上記フェノール性混合物
に関する記述以外は、既に記述した記載がそのまま適用
されると理解すべきである。
【0058】次に、本発明の組成物(第2の組成物を含
む)におけるその他の成分などについて記述する。 1,2−キノンジアジド化合物 本発明の組成物に使用される1,2−キノンジアジド化
合物としては、例えば1,2−ベンゾキノンジアジド−
4−スルホン酸エステル、1,2−ナフトキノンジアジ
ド−4−スルホン酸エステル、1,2−ナフトキノンジ
アジド−5−スルホン酸エステル、1,2−ナフトキノ
ンジアジド−6−スルホン酸エステルなどが挙げられ
る。1,2−キノンジアジド化合物としては、具体的に
は、下記式(Q1)
【0059】
【化12】
【0060】で表わされるフェノール性化合物の1,2
−ベンゾキノンジアジド−4−スルホン酸エステル、
1,2−ナフトキノンジアジド−4−スルホン酸エステ
ル、1,2−キノンジアジド−5−スルホン酸エステル
または1,2−キノンジアジド−6−スルホン酸エステ
ル;下記式(Q2)
【0061】
【化13】
【0062】で表わされるフェノール性化合物の1,2
−ベンゾキノンジアジド−4−スルホン酸エステル、
1,2−ナフトキノンジアジド−4−スルホン酸エステ
ル、1,2−ナフトキノンジアジド−5−スルホン酸エ
ステルまたは1,2−ナフトキノンジアジド−6−スル
ホン酸エステル;
【0063】p−クレゾール、レゾルシノール、ピロガ
ノール、フロログリシノールなどの(ポリ)ヒドロキシ
ベンゼンの1,2−ベンゾキノンジアジド−4−スルホ
ン酸エステル、1,2−ナフトキノンジアジド−4−ス
ルホン酸エステル、1,2−ナフトキノンジアジド−5
−スルホン酸エステル、または1,2−ナフトキノンジ
アジド−6−スルホン酸エステル;
【0064】2,4−ジヒドロキシフェニルプロピルケ
トン、2,4−ジヒドロキシフェニル−n−ヘキシルケ
トン、2,4−ジヒドロキシベンゾ゛フェノン、2,3,4
−トリヒドロキシフェニル−n−ヘキシルケトン、2,
3,4−トリヒドロキシベンゾフェノン、2,4,6−ト
リヒドロキシベンゾフェノン、2,3,4,4′−テトラ
ヒドロキシベンゾフェノン、2,2′,3,4−テトラヒ
ドロシキベンゾフェノン、3′−メトキシ−2,3,4,
4′−テトラヒドロキシベンゾフェノン、2,2′,4,
4′−テトラヒドロキシベンゾフェノン、2,2′,3,
4,6′−ペンタヒドロシキベンゾフェノン、2,3,
3′,4,4′,5′−ヘキサヒドロキシベンゾフェノ
ン、2,3′,4,4′,5′,6−ヘキサヒドロキシベン
ゾフェノンなどの(ポリ)ヒドロキシフェニルアルキル
ケトンまたは(ポリ)ヒドロキシフエニルアリールケト
ンの1,2−ベンゾキノンジアジド−4−スルホン酸エ
ステル、1,2−ナフトキノンジアジド−4−スルホン
酸エステル、1,2−ナフトキノンジアジド−5−スル
ホン酸エステルまたは1,2−ナフトキノンジアジド−
6−スルホン酸エステル;
【0065】ビス(4−ヒドロキシフェニル)メタン、
ビス(2,4−ジヒドロキシフェニル)メタン、ビス
(2,3,4−トリヒドロキシフェニル)メタン、2,2
−ビス(4−ヒドロキシフェニル)プロパン、2,2−
ビス(2,4−ジヒドロキシフェニル)プロパン、2,2
−ビス(2,3,4−トリヒドロキシフェニル)プロパン
などのビス[(ポリ)ヒドロキシフェニル]アルカンの
1,2−ベンゾキノンジアジド−4−スルホン酸エステ
ル、1,2−ナフトキノンジアジド−4−スルホン酸エ
ステル、1,2−ナフトキノンジアジド−5−スルホン
酸エステルまたは1,2−ナフトキノンジアジド−6−
スルホン酸エステル;
【0066】4,4′−ジヒドロキシトリフェニルメタ
ン、4,4′,4”−トリヒドロキシトリフェニルメタ
ン、2,2′,5,5′−テトラメチル−2”,4,4′−
トリヒドロキシトリフェニルメタン、3,3′,5,5′
−テトラメチル−2”,4,4′−トリヒドロキシトリフ
ェニルメタン、4,4′,5,5′−テトラメチル−2,
2′,2”−トリヒドロキシトリフェニルメタン、2,
2′,5,5′−テトラメチル−4,4′,4”−トリヒド
ロキシトリフェニルメタン、1,1,1−トリス(4−ヒ
ドロキシフェニル)エタン、1,1−ビス(4−ヒドロ
キシフェニル)−1−フェニルエタンなどの(ポリ)ヒ
ドロキシトリフェニルアルカンの1,2−ベンゾキノン
ジアジド−4−スルホン酸エステル、1,2−ナフトキ
ノンジアジド−4−スルホン酸エステル、1,2−ナフ
トキノンジアジド−5−スルホン酸エステルまたは1,
2−ナフトキノンジアジド−6−スルホン酸エステル;
【0067】3,5−ジヒドロキシ安息香酸ラウリル、
2,3,4−トリヒドロキシ安息香酸フェニル、3,4,5
−トリヒドロキシ安息香酸ラウリル、3,4,5−トリヒ
ドロキシ安息香酸プロピル、3,4,5−トリヒドロキシ
安息香酸フェニルなどの(ポリ)ヒドロキシ安息香酸ア
ルキルエステルまたは(ポリ)ヒドロキシ安息香酸アリ
ールエステルの1,2−ベンゾキノンジアジド−4−ス
ルホン酸エステル、1,2−ナフトキノンジアジド−4
−スルホン酸エステル、1,2−ナフトキノンジアジド
−5−スルホン酸エステルまたは1,2−ナフトキノン
ジアジド−6−スルホン酸エステル;
【0068】ビス(2,5−ジヒドロキシベンゾイル)
メタン、ビス(2,3,4−トリヒドロキシベンゾイル)
メタン、ビス(2,4,6−トリヒドロキシベンゾイル)
メタン、p−ビス(2,5−ジヒドロキシベンゾイル)
ベンゼン、p−ビス(2,3,4−トリヒドロキシベンゾ
イル)ベンゼン、p−ビス(2,4,6−トリヒドロキシ
ベンゾイル)ベンゼンなどのビス[(ポリ)ヒドロキシ
ベンゾイル]アルカンもしくはビス[(ポリ)ヒドロキ
シベンゾイル]ベンゼンの1,2−ベンゾキノンジアジ
ド−4−スルホン酸エステル、1,2−ナフトキノンジ
アジド−4−スルホン酸エステル、1,2−ナフトキノ
ンジアジド−5−スルホン酸エステルまたは1,2−ナ
フトキノンジアジド−6−スルホン酸エステル;
【0069】エチレングリコール−ジ(3,5−ジヒド
ロキシベンゾエート)、ポリエチレングリコール−ジ
(3,5−ジヒドロキシベンゾエート)、ポリエチレン
グリコール−ジ(3,4,5−トリヒドロキシベンゾエー
ト)などのポリエチレングリコールジ[(ポリ)ヒドロ
キシベンゾエート]の1,2−ベンゾキノンジアジド−
4−スルホン酸エステル、1,2−ナフトキノンジアジ
ド−4−スルホン酸エステル、1,2−ナフトキノンジ
アジド−5−スルホン酸エステルまたは1,2−ナフト
キノンジアジド−6−スルホン酸エステル;
【0070】2,4,4−トリメチル−2′,4′,7−ト
リヒドロキシ−2−フェニルフラバン、2,4,4′−ト
リメチル−2′,4′,5′,6,7−ペンタヒドロキシ−
2−フェニルフラバンなどのポリヒドロキシフェニルフ
ラバンの1,2−ベンゾキノンジアジド−4−スルホン
酸エステル、1,2−ナフトキノンジアジド−4−スル
ホン酸エステル、1,2−ナフトキノンジアジド−5−
スルホン酸エステルまたは1,2−ナフトキノンジアジ
ド−6−スルホン酸エステル;
【0071】前述した樹脂(B)の1,2−ベンゾキノ
ンジアジド−4−スルホン酸エステル、1,2−ナフト
キノンジアジド−4−スルホン酸エステル、1,2−ナ
フトキノンジアジド−5−スルホン酸エステルまたは
1,2−ナフトキノンジアジド−6−スルホン酸エステ
ル;などを例示することができる。
【0072】前記1,2−キノンジアジド化合物のう
ち、上記式(Q1)で表わされるフェノール性化合物の
1,2−キノンジアジド−5−スルホン酸エステルおよ
び式(Q2)で表わさるフェノール性化合物の1,2−
キノンジアジド−5−スルホン酸エステルが好ましい。
【0073】上記式(Q1)で表わされるフェノール性
化合物の1,2−キノンジアジド−5−スルホン酸エス
テルのうち、下記式(Q1)−a
【0074】
【化14】
【0075】で表わされるフェノール性化合物の1,2
−キノンジアジド−5−スルホン酸エステルが好まし
い。
【0076】また、上記式(Q2)で表わされるフェノ
ール性化合物の1,2−キノンジアジド−5−スルホン
酸エステルのうち、下記式(Q2)−a
【0077】
【化15】
【0078】で表わされるフェノール性化合物の1,2
−キノンジアジド−5−スルホン酸エステルがさらに好
ましい。これらのうち、とりわけ、1,1−ビス(4−
ヒドロキシフェニル)−4−[1−(4−ヒドロキシフ
ェニル)−1−メチルエチル]−1−フェニルエタン、
1,1,3−トリ(4−ヒドロキシ−2,5−ジメチルフ
ェニル)プロパン、1,1,3−トリ(4−ヒドロキシ−
2,5−ジメチルフェニル)ブタンおよび1,1,3−ト
リ(4−ヒドロキシ−2,5−ジメチルフェニル)−3
−フェニルプロパンよりなる群から選ばれるフェノール
性化合物の1,2−キノンジアジド−5−スルホン酸エ
ステルが特に好ましい。
【0079】本発明の組成物において、1,2−キノン
ジアジド化合物の配合量は、ノボラック樹脂(A)10
0重量部に対して、通常、3〜100重量部、好ましく
は5〜50重量部である。
【0080】各種配合剤 本発明の組成物には、増感剤、界面活性剤などの各種配
合剤を配合することができる。
【0081】増感剤は、レジストの感度を向上させるた
めに配合されるものであり、このような増感剤として
は、例えば2H−ピリド−(3,2−b)−1,4−オキ
サジン−3(4H)−オン類、10H−ピリド−(3,
2−b)−(1,4)−ベンゾチアジン類、ウラゾール
類、ヒダントイン類、パルビツール酸類、グリシン無水
物類、1−ヒドロキシベンゾトリアゾール類、アロキサ
ン類、マレイミド類などが挙げられる。これらの増感剤
の配合量は、ノボラック樹脂(A)100重量部に対
し、通常50重量部以下である。
【0082】また、界面活性剤は、本発明の組成物の塗
布性や現像性を改良するために配合されるものであり、
このような界面活性剤としては、例えばポリオキシエチ
レンラウリルエーテル、ポリオキシエチレンオレイルエ
ーテル、ポリオキシエチレンオクチルフェニルエーテ
ル、ポリオキシエチレンノニルフェニルエーテル、ポリ
エチレングリコールジラウレート、ポリエチレングリコ
ールジステアレートなどのノニオン系界面活性剤;
【0083】エフトップ EF301、EF303、E
F352(商品名、新秋田化成社製)、メガファツクス
F171、F172、F173(商品名、大日本イン
キ社製)、フロラード FC430、FC431(商品
名、住友スリーエム社製)、アサヒガード AG71
0、サーフロン S−382、SC−101、SC−1
02、SC−103、SC−104、SC−105、S
C−106(商品名、旭硝子社製)などのフッ素系界面
活性剤;
【0084】オルガノシロキサンポリマー KP341
(商品名、信越化学工業社製)、アクリル酸系またはメ
タクリル酸系(共)重合体ポリフロー No.75,N
o.95(商品名、共栄社油脂化学工業社製)が挙げら
れる。
【0085】これらの界面活性剤の配合量は、組成物の
固形分100重量部当り、通常、2重量部以下である。
【0086】さらに本発明の組成物には、i線照射部の
潜像を可視化させ、i線照射時のハレーションの影響を
少なくするために、染料や顔料を配合することができ
る。また接着剤を改善するために、接着助剤を配合する
こともできる。さらに必要に応じて保存安定剤、消泡剤
なども配合することができる。
【0087】組成物の調製およびパターン形成 本発明の組成物は前述したノボラック樹脂(A)および
前述した各種の配合剤を、例えば固形分濃度が好ましく
は20〜40重量%、より好ましくは22〜32重量%
となるように溶剤に溶解させ、孔径0.2μm程度のフ
イルターで濾過することによって調製される。
【0088】この際に用いられる溶剤としては、例えば
エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリ
コールモノエチルエーテルなどのグリコールエーテル
類;
【0089】2−メトキシエチルアセテート、2−エメ
トキシエチルアセテートなどなどエチレングリコールア
ルキルエーテルアセテート類;ジエチレングリコールモ
ノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエ
ーテルなどのジエチレングリコール類;
【0090】プロピレングリコールメチルエーテルアセ
テート、プロピレングリコールプロプルエーテルアセテ
ートなどのプロピレングリコールアルキルエーテルアセ
テート類;トルエン、キシレンなどの芳香族炭化水素
類;メチルエチルケトン、シクロヘキサノンなどのケト
ン類;2−ヒドロキシプロピオン酸エチル、2−ヒドロ
キシ−2−メチルプロピオン酸エチル、エトキシ酢酸エ
チル、ヒドロキシ酢酸エチル、2−ヒドロキシ−3−メ
チルブタン酸メチル、3−メトキシプロピオン酸メチ
ル、3−メトキシプロピオン酸エチル、3−エトキシプ
ロピオン酸エチル、酢酸エチル、酢酸ブチルなどのエス
テル類を用いることができる。これらの有機溶剤は単独
で、または2種以上の組み合わせで使用される。
【0091】さらに、例えばN−メチルホルムアミド、
N, N−ジメチルホルムアミド、N−メチルホルムア
ニリド、 N−メチルアセトアミド、N, N−ジメチル
アセトアミド、N−メチルピロリドン、ジメチルスルホ
キシド、ベンジルエチルエーテル、ジヘキシルエーテ
ル、アセトニルアセトン、イソホロン、カプロン酸、カ
プリル酸、1−オクタノール、1−ノナノール、ベンジ
ルアルコール、酢酸ベンジル、安息香酸エチル、シュウ
酸ジエチル、マレイン酸ジエチル、γ−ブチロラクト
ン、炭酸エチレン、炭酸プロピレン、フェニルセロソル
ブアセテートなどの高沸点溶剤を配合することもでき
る。
【0092】本発明によれば、パターンは、(1)本発
明のポジ型レジスト組成物をウェハー上に塗布して感光
性層を形成し、(2)該感光性層に所定のパターンを介
してi線を照射し、次いで(3)現像液で現像する、こ
とを特徴とするパターン形成方法によって形成される。
【0093】工程(1)において、本発明の組成物は、
これを回転塗布、流し塗布、ロール塗布などによって、
例えばシリコンウェハーまたはアルミニウムなどが被覆
されたウェハーに塗布されることにより感光性層を形成
する。工程(2)において、所定のマスクパターンを介
して該感光性層にi線が照射され、次いで工程(3)に
おいて、現像液で現像することによりパターンの形成が
行われる。
【0094】上記本発明方法において、上記工程(1)
と工程(2)の間に、該感光性層をプレベークする工程
を実施することができ、また上記工程(2)と工程
(3)の間に、該感光性層を露光後ベークする工程を実
施することもできる。プレベークの温度は50〜130
℃の間にあるのが好ましく、また露光後ベークの温度は
70〜140℃の間にあるのが好ましい。
【0095】本発明の組成物の現像液としては、例えば
水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸ナトリウム、
硅酸ナトリウム、メタ硅酸ナトリウム、アンモニア水、
エチルアミン、n−プロピルアミン、ジエチルアミン、
ジ−n−プロピルアミン、トリエチルアミン、メチルジ
エチルアミン、ジメチルエタノールアミン、トリエタノ
ールアミン、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、
テトラエチルアンモニウムヒドロキシド、コリン、ピロ
ール、ピペリジン、1,8−ジアザビシクロ−(5,4,
0)−7−ウンデセン、1,5−ジアザビシクロ−(4,
3,0)−5−ノナンなどのアルカリ性化合物を、濃度
が、通常、1〜10重量%、好ましくは2〜5重量%と
なるように溶解してなるアルカリ性水溶液が使用され
る。
【0096】また該現像液には、水溶性有機溶媒、例え
ばメタノール、エタノールなどのアルコール類や界面活
性剤を適量添加して使用することもできる。なお、この
ようなアルカリ性水溶液からなる現像液を用いて現像を
行った場合は、一般には引き続き水でリンスを行う。
【0097】
【実施例】以下、実施例により本発明を詳細に説明する
が、本発明はこれらの実施例によって、なんら制約され
るものではない。なお、実施例中のMw測定およびレジ
ストの評価は、以下の方法により行った。
【0098】Mw:東ソー社製 GPCカラム(G20
00H6 2本、 G3000H6 1本G4000H6
1本)を用い、流量1.5ml/分、溶出溶媒テトラ
ヒドロフラン、カラム温度40℃の分析条件で、単分散
ポリスチレンを標準とするゲルパーミエーションクロマ
トグラフ法により測定した。
【0099】感度:ニコン社製 NSR−1505i6
A縮小投影露光機(レンズの開口数;0.45)で露光
時間を変化させ、波長365nmのi線を用いて露光を
行い、ついでテトラメチルアンモニウムヒドロキシド
2.4重量%水溶液を現像液として用い、25℃で60
秒間現像し、水でリンスし、乾燥してウェハー上にレジ
ストパターンを形成させ、0.6μmのライン.アンド.
スペースパターン(1LIS)を1対1の幅に形成する
露光時間(以下、これを「最適露光時間」という)を求
めた。
【0100】解像度:最適露光時間で露光した時に解像
されている最小のレジストパターンの寸法を測定した。 残膜率:最適露光時間における現像後のパターンの厚さ
を現像前のレジスト膜の厚さで割り、この値を100倍
して%の単位をつけて表わした。 現像性:スカムや現像残りの程度を調べた。
【0101】パターン形状:走査型電子顕微鏡を用い、
0.6μmのレジストパターンの現像後の方形状断面の
下辺Aと上辺Bを測定し、0.85≦B/A≦1である
場合を、パターン形状が良好であると判定した。但し、
パターン形状が裾を引いている場合は、B/Aが上記範
囲に入っていても良好と判断しない。 耐熱性:クリーンオーブン中にレジストパターンを形成
したウェハーを入れて、パターンが崩れ始めたときの温
度を測定した。
【0102】保存安定性:本発明の溶液の調製直後の感
度および粘度を測定した。更にこの組成物溶液の一部を
瓶中に密栓して25℃で3カ月間保存した後、感度およ
び粘度を測定し、その変化率を求め、保存安定性を評価
した。尚、上記の粘度は、東京計器社製ELD型粘度計
を使用して測定した。
【0103】合成例1 m−クレゾール 45.4g(0.42モル)、 2,3ーキシレノール 34.2g(0.28モル)、 37重量%ホルムアルデヒド溶液 56.8g(ホルムアルデヒド 0.70モル)、 シュウ酸2水和物 4.41g(0.035モル)、 水 43.8g、 ジオキサン 239g、 をオートクレーブに仕込み、これを油浴に浸し、内温を
140℃に保持して攪拌しながら7時間重縮合を行い、
反応後、室温まで戻して内容物をビーカーに取り出し
た。これが2層分離した後、下層を取り出し、濃縮し、
脱水し、乾燥して樹脂を回収した。この樹脂をノボラッ
ク樹脂(A1)とした。
【0104】合成例2 m−クレゾール 53.0g(0.49モル)、 2,3ーキシレノール 17.1g(0.14モル)、 3,4ーキシレノール 8.55g(0.07モル)、 37重量%ホルムアルデヒド溶液 56.8g(ホルムアルデヒド 0.70モル)、 シュウ酸2水和物 4.41g(0.035モル)、 水 52.7g、 ジオキサン 265g、 をオートクレーブに仕込み、合成例1と同様に、内温を
120℃に保持して16時間重縮合を行い、かつ樹脂を
回収した。この樹脂をノボラック樹脂(A2)とした。
【0105】合成例3 m−クレゾール 60.6g(0.56モル)、 2,3ーキシレノール 8.55g(0.07モル)、 2,3,5ートリメチルフェノール 9.53g(0.07モル)、 37重量%ホルムアルデヒド溶液 54.0g(ホルムアルデヒド 0.67モル)、 シュウ酸2水和物 4.41g(0.035モル)、 水 54.5g、 ジオキサン 265g、 をオートクレーブに仕込み、合成例1と同様に、6時間
重縮合を行い、かつ樹脂を回収した。この樹脂をノボラ
ック樹脂(A3)とした。
【0106】合成例4 攪拌機、冷却管および温度計を装置したフラスコに、 m−クレゾール 37.9g(0.35モル)、 2,3ーキシレノール 18.3g(0.15モル)、 37重量%ホルムアルデヒド溶液 77.1g(ホルムアルデヒド 0.95モル)、 シュウ酸2水和物 0.95g(7.5×10-3モル)、 を仕込み、これを油浴に浸し、内温を100℃に保持し
て攪拌しながら60分間重縮合を行った後、 m−クレゾール 37.9g(0.35モル)、 2,3ーキシレノール 18.3g(0.15モル)、 を加えてさらに120分間重縮合を行った。
【0107】次いで油浴の温度を180℃まで上昇さ
せ、同時にフラスコ内の圧力を30〜50mmHgまで
減圧し、水、シュウ酸、未反応のホルムアルデヒド、未
反応のフェノール類などを除去した。次いで、溶融した
樹脂を室温に戻して回収した。この樹脂をノボラック樹
脂(A4)とした。
【0108】合成例5 ノボラック樹脂(A4)をエチルセロソルブアセテート
に固形分が20重量%になるように溶解した後、この樹
脂溶液の重量に対して1.25倍のメタノールおよび等
量の水を加えて攪拌し放置した。放置することによって
2層に分離した後、樹脂溶液層(下層)を取り出し、濃
縮し、脱水し、乾燥して樹脂を回収した。この樹脂をノ
ボラック樹脂(A5)とした。
【0109】合成例6 m−クレゾール 43.3g(0.40モル)、 2,3ーキシレノール 12.2g(0.10モル)、 3,4ーキシレノール 12.2g(0.10モル)、 37重量%ホルムアルデヒド溶液 77.1g(ホルムアルデヒド 0.95モル)、 シュウ酸2水和物 1.26g(0.010モル)、 を合成例4と同様なフラスコに仕込み、内温を100℃
に保持して攪拌しながら60分間重縮合を行った後、 m−クレゾール 10.8g(0.10モル)、 2,3ーキシレノール 36.7g(0.30モル)、 を加えてさらに120分間重縮合を行った。次いで合成
例4と同様の操作により樹脂を回収した。この樹脂をノ
ボラック樹脂(A6)とした。
【0110】合成例7 ノボラック樹脂(A6)をエチルアセテートに固形分が
30重量%になるように溶解した後、この樹脂溶液の重
量に対して、0.35倍のメタノールおよび0.75倍の
水を加えて攪拌し、放置した。放置することによって2
層に分離した後、樹脂溶液層(下層)を取り出し、濃縮
し、脱水し、乾燥して樹脂を回収した。この樹脂をノボ
ラック樹脂(A7)とした。
【0111】合成例8 m−クレゾール 51.9g(0.48モル)、 p−クレゾール 10.8g(0.10モル)、 2,3ーキシレノール 7.33g(0.060モル)、 37重量%ホルムアルデヒド溶液 73.0g(ホルムアルデヒド 0.90モル)、 シュウ酸2水和物 1.26g(0.010モル)、 を合成例4と同様なフラスコに仕込み、内温を100℃
に保持して攪拌しながら60分間重縮合を行った後、 m−クレゾール 13.0g(0.12モル)、 2,3ーキシレノール 29.3g(0.24モル)、 を加えてさらに140分間重縮合を行った。次いで合成
例4と同様の操作により樹脂を回収した。この樹脂をノ
ボラック樹脂(A8)とした。
【0112】合成例9 ノボラック樹脂(A8)をエチルアセテートに固形分が
30重量%になるように溶解した後、この樹脂溶液の重
量に対して、等量の水とメタノールを加えて攪拌し、放
置した。放置することによって2層に分離した後、樹脂
溶液層(下層)を取り出し、濃縮し、脱水し、乾燥して
樹脂を回収した。この樹脂をノボラック樹脂(A9)と
した。
【0113】合成例10 m−クレゾール 53.0g(0.49モル)、 3,4ーキシレノール 25.7g(0.21モル)、 37重量%ホルムアルデヒド溶液 49.7g(ホルムアルデヒド 0.61モル)、 シュウ酸2水和物 4.41g(0.035モル)、 水 57.2g、 ジオキサン 265g、 をオートクレーブに仕込み、これを油浴に浸し、内温を
130℃に保持して攪拌しながら8時間重縮合を行い、
反応後、室温まで戻して内容物をビーカーに取り出し
た。これが2層分離した後、下層を取り出し、濃縮し、
脱水し、乾燥して樹脂を回収した。この樹脂をノボラッ
ク樹脂(A10)とした。
【0114】合成例11 m−クレゾール 60.6g(0.56モル)、 3,4ーキシレノール 8.55g(0.07モル)、 2,3,5ートリメチルフェノール 9.54g(0.07モル)、 37重量%ホルムアルデヒド溶液 49.7g(ホルムアルデヒド 0.61モル)、 シュウ酸2水和物 4.41g(0.035モル)、 水 57.2g、 ジオキサン 265g、 をオートクレーブに仕込み、合成例10と同様に、7.
5時間重縮合を行い、かつ樹脂を回収した。この樹脂を
ノボラック樹脂(A11)とした。
【0115】合成例12 m−クレゾール 60.6g(0.56モル)、 3,4ーキシレノール 8.55g(0.07モル)、 2,3ーキシレノール 8.55g(0.07モル)、 37重量%ホルムアルデヒド溶液 51.1g(ホルムアルデヒド 0.63モル)、 シュウ酸2水和物 4.41g(0.035モル)、 水 55.7g、 ジオキサン 262g、 をオートクレーブに仕込み、合成例10と同様に、6時
間重縮合を行い、かつ樹脂を回収した。この樹脂をノボ
ラック樹脂(A12)とした。
【0116】合成例13 攪拌機、冷却管および温度計を装置したフラスコに、 m−クレゾール 60.6g(0.56モル)、 3,4ーキシレノール 7.33g(0.06モル)、 37重量%ホルムアルデヒド溶液 73.0g(ホルムアルデヒド 0.90モル)、 シュウ酸2水和物 1.26g(0.01モル)、 を仕込み、これを油浴に浸し、内温を100℃に保持し
て攪拌しながら60分間重縮合を行った後、 m−クレゾール 15.1g(0.14モル)、 3,4ーキシレノール 29.3g(0.24モル)、 を加えてさらに120分間重縮合を行った。
【0117】次いで油浴の温度を180℃まで上昇さ
せ、同時にフラスコ内の圧力を30〜50mmHgまで
減圧し、水、シュウ酸、未反応のホルムアルデヒド、未
反応のフェノール類等を除去した。次いで、溶融した樹
脂を室温に戻して回収した。この樹脂をノボラック樹脂
(A13)とした。
【0118】合成例14 ノボラック樹脂(A13)をエチルセロソルブアセテー
トに固形分が20重量%になるように溶解した後、この
樹脂溶液の重量に対して0.45倍のメタノールおよび
1.5倍の水を加えて攪拌し放置した。放置することに
よって2層に分離した後、樹脂溶液層(下層)を取り出
し、濃縮し、脱水し、乾燥して樹脂を回収した。この樹
脂をノボラック樹脂(A14)とした。
【0119】合成例15 m−クレゾール 51.9g(0.48モル)、 3,4ーキシレノール 9.77g(0.08モル)、 37重量%ホルムアルデヒド溶液 77.1g(ホルムアルデヒド 0.95モル)、 シュウ酸2水和物 1.26g(0.010モル)、 を合成例13と同様なフラスコに仕込み、内温を100
℃に保持して攪拌しながら40分間重縮合を行った後、 m−クレゾール 34.6g(0.32モル)、 3,4ーキシレノール 14.7g(0.12モル)、 を加えてさらに80分間重縮合を行った。次いで合成例
13と同様の操作により樹脂を回収した。この樹脂をノ
ボラック樹脂(A15)とした。
【0120】合成例16 ノボラック樹脂(A15)をエチルアセテートに固形分
が30重量%になるように溶解した後、この樹脂溶液の
重量に対して、0.35倍のメタノールおよび0.75倍
の水を加えて攪拌し、放置した。放置することによって
2層に分離した後、樹脂溶液層(下層)を取り出し、濃
縮し、脱水し、乾燥して樹脂を回収した。この樹脂をノ
ボラック樹脂(A16)とした。
【0121】合成例17 m−クレゾール 60.6g(0.56モル)、 p−クレゾール 10.8g(0.10モル)、 3,4ーキシレノール 4.89g(0.040モル)、 37重量%ホルムアルデヒド溶液 73.0g(ホルムアルデヒド 0.90モル)、 シュウ酸2水和物 1.26g(0.010モル)、 を合成例13と同様なフラスコに仕込み、内温を100
℃に保持して攪拌しながら60分間重縮合を行った後、 m−クレゾール 15.1g(0.14モル)、 3,4ーキシレノール 19.5g(0.16モル)、 を加えてさらに150分間重縮合を行った。次いで合成
例13と同様の操作により樹脂を回収した。この樹脂を
ノボラック樹脂(A17)とした。
【0122】合成例18 ノボラック樹脂(A17)をエチルアセテートに固形分
が30重量%になるように溶解した後、この樹脂溶液の
重量に対して、0.50倍のヘキサンを加えて攪拌し、
放置した。放置することによって2層に分離した後、樹
脂溶液層(下層)を取り出し、濃縮し脱水し乾燥して樹
脂を回収した。この樹脂をノボラック樹脂(A18)と
した。
【0123】合成例19 m−クレゾール 45.4g(0.42モル)、 3,4ーキシレノール 8.55g(0.07モル)、 2,3ーキシレノール 25.66g(0.21モル)、 37重量%ホルムアルデヒド溶液 56.8g(ホルムアルデヒド 0.70モル)、 シュウ酸2水和物 4.41g(0.035モル)、 水 53.8g ジオキサン 269g をオートクレーブに仕込み、合成例10と同様に6.0
時間重縮合を行い、かつ樹脂を回収した。この樹脂をノ
ボラック樹脂(A19)とした。
【0124】比較合成例1 m−クレゾール 51.8g(0.48モル)、 p−クレゾール 8.65g(0.08モル)、 37重量%ホルムアルデヒド溶液 73.0g(ホルムアルデヒド 0.90モル)、 シュウ酸2水和物 0.63g(0.005モル)、 を合成例4と同様なフラスコに仕込み、内温を100℃
に保持して攪拌しながら30分間重縮合を行った後、 m−クレゾール 13.0g(0.12モル)、 p−クレゾール 34.6g(0.32モル)、 を加えてさらに60分間重縮合を行った。次いで合成例
4と同様の操作により樹脂を回収した。この樹脂をノボ
ラック樹脂(a1)とした。
【0125】比較合成例2 ノボラック樹脂(a1)をエチルアセテートに固形分が
30重量%になるように溶解した後、この樹脂溶液の重
量に対して、1.00倍のメタノールおよび1.00倍の
水を加えて攪拌し、放置した。放置することによって2
層に分離した後、樹脂溶液層(下層)を取り出し、濃縮
し脱水し乾燥して樹脂を回収した。この樹脂をノボラッ
ク樹脂(a2)とした。
【0126】実施例1〜8および比較例1〜2 前記合成例で合成された各種のノボラック樹脂(A1)
〜(A9)およびノボラック樹脂(a1)〜(a2)、
下記の各種の溶解促進剤(B),下記のキノンジアジド
化合物(C)および下記溶剤を使用し、これらを混合し
て均一溶液とした後、孔径0.2μmのメンブランフィ
ルターで濾過し、組成物(溶液)を調製した。
【0127】化合物(B) (B1);1,1,3ートリス(2,5ージメチルー4ー
ヒドロキシフェニル)プロパン、 (B2);1,1,3ートリス(2,5ージメチルー4ー
ヒドロキシフェニル)ブタン、 (B3);1,1ービス(4ーヒドロキシフェニル)ー
1ーフェニルエタン、 (B4);1,1,1ートリス(4ーヒドロキシフェニ
ル)エタン、 (B5);1,1ービス(2,5ージメチルー4ーヒド
ロキシフェニル)ー1ー(2ーヒドロキシフェニル)メ
タン。
【0128】キノンジアジド化合物(C) (C1);2,3,4,4’ーテトラヒドロキシベンゾフ
ェノン1モルと1,2ーナフトキノンジアジドー5ース
ルホニルクロリド4モルの縮合物、 (C2);1,1,1ートリス(4ーヒドロキシフェニ
ル)エタン1モルと1,2ーナフトキノンジアジドー5
ースルホニルクロリド2モルの縮合物、 (C3);1,1,1ートリス(4ーヒドロキシフェニ
ル)エタン1モルと1,2ーナフトキノンジアジドー5
ースルホニルクロリド2.5モルの縮合物、 (C4);1,1ービス(4ーヒドロキシフェニル)ー
4ー[1ー(4ーヒドロキシフェニル)ー1ーメチルエ
チル]ー1ーフェニルエタン1モルと1,2ーナフトキ
ノンジアジドー5ースルホニルクロリド2モルの縮合
物、 (C5);1,1ービス(4ーヒドロキシフェニル)ー
4ー[1ー(4ーヒドロキシフェニル)ー1ーメチルエ
チル]ー1ーフェニルエタン1モルと1,2ーナフトキ
ノンジアジドー5ースルホニルクロリド2.5モルの縮
合物、 (C6);2,4,4ートリメチルー2’,4’,7ートリ
ヒドロキシー2ーフェニルフラバン1モルと1,2ーナ
フトキノンジアジドー5ースルホニルクロリド2.5モ
ルの縮合物、 (C7);2,4,4ートリメチルー2’,4’,7ートリ
ヒドロキシー2ーフニルフラバン1モルと1,2ーナフ
トキノンジアジドー5ースルホニルクロリド3モルの縮
合物
【0129】溶剤 (α);2−エトキシエチルアセテート、 (β);2ーヒドロキシプロピオン酸エチル、 (γ);3ーメトキシプロピオン酸メチル。 各成分の配合量は、表1に示した。
【0130】得られた溶液を、シリコン酸化膜を有する
シリコンウエハー上にスピナーを用いて塗布した後、ホ
ットプレート上で90℃にて2分間プレベークして厚さ
1.2μmのレジスト膜を形成し、レチクルを介して前
記のように波長365nm(i線)を用いて露光し、ホ
ットプレート上で110℃にて1分間ポストエクスポー
ジャーベーク(PEB)をして、現像し、リンスし、乾
燥した後、該レジスト膜の感度、解像度、残膜率、現像
性、耐熱性、パターン形状などについての評価を行っ
た。
【0131】結果を表2に示した。
【0132】
【表1】
【0133】
【表2】
【0134】実施例10〜21 前記合成例で合成された各種のノボラック樹脂(A1
0)〜(A19)、下記の各種の溶解促進剤(B)、下
記のキノンジアジド化合物(C)および下記溶剤を使用
し、これらを混合して均一溶液とした後、孔径0.2μ
mのメンブランフィルターで濾過し、組成物(溶液)を
調製した。
【0135】化合物(B) 実施例1〜9で用いた化合物(B1)、(B2)、(B
3)および(B4)。 キノンジアジド化合物(C) 実施例1〜9で用いた化合物(C1)、(C2)、(C
3)、(C4)、(C5)、(C6)、(C7)および (C8);1,1,1ートリス(4ーヒドロキシフェニ
ル)エタン1モルと1,2ーナフトキノンジアジドー5
ースルホニルクロリド1モルの縮合物。
【0136】溶剤 実施例1〜9で用いた溶剤(α)、(β)および
(γ)。 各成分の配合量は、表3に示した。
【0137】
【表3】
【0138】得られた溶液を、シリコン酸化膜を有する
シリコンウエハー上にスピナーを用いて塗布した後、ホ
ットプレート上で90℃にて2分間プレベークして厚さ
1.2μmのレジスト膜を形成し、レチクルを介して前
記のように波長365nm(i線)を用いて露光し、ホ
ットプレート上で110℃にて1分間ポストエクスポー
ジャーベーク(PEB)をして、現像し、リンスし、乾
燥した後、該レジスト膜の感度、解像度、残膜率、現像
性、耐熱性、パターン形状などおよび保存安定性につい
ての評価を行った。
【0139】結果を表4および表5に示した。なお、表
5には、比較例1および2の感度変化率および粘度変化
率も併記した。
【0140】
【表4】
【0141】
【表5】
【0142】
【発明の効果】本発明のi線用ポジ型レジスト組成物
は、特定の構造のフェノール類を用いて得られるアルカ
リ可溶性ノボラック樹脂が使用されていることに関連し
て、解像度が損なわれることなく、高感度で耐熱性、残
膜性、現像性、パターン形状などに優れたポジ型レジス
トとして好適に使用できる。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 三浦 孝夫 東京都中央区築地二丁目11番24号 日本合 成ゴム株式会社内

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 (A)2,3−キシレノール5〜95モ
    ル%および下記式(1) 【化1】 で表わされるフェノール類95〜5モル%からなるフェ
    ノール性混合物を、アルデヒド類と重縮合して得られる
    アルカリ可溶性ノボラック樹脂および1,2−キノンジ
    アジド化合物を含有して成り、そして(B)i線感応性
    を有する、ことを特徴とするi線用ポジ型レジスト組成
    物。
  2. 【請求項2】 (A)3,4−キシレノール5〜50モ
    ル%および下記式(1)’ 【化2】 で表わされるフェノール類95〜50モル%からなるフ
    ェノール性混合物を、アルデヒド類と重縮合して得られ
    るアルカリ可溶性ノボラック樹脂および1,2−キノン
    ジアジド化合物を含有して成り、そして(B)i線感応
    性を有する、ことを特徴とするi線用ポジ型レジスト組
    成物。
  3. 【請求項3】 (1)請求項1または2のポジ型レジス
    ト組成物をウェハー上に塗布して感光性層を形成し、 (2)該感光性層に所定のパターンを介してi線を照射
    し、次いで (3)現像液で現像する、ことを特徴とするパターン形
    成方法。
JP03134092A 1991-01-24 1992-01-23 i線用ポジ型レジスト組成物およびパターン形成方法 Expired - Lifetime JP3235089B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP03134092A JP3235089B2 (ja) 1991-01-24 1992-01-23 i線用ポジ型レジスト組成物およびパターン形成方法

Applications Claiming Priority (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2260491 1991-01-24
JP2260391 1991-01-24
JP3-22603 1991-01-24
JP3-22604 1991-01-24
JP03134092A JP3235089B2 (ja) 1991-01-24 1992-01-23 i線用ポジ型レジスト組成物およびパターン形成方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH0588364A true JPH0588364A (ja) 1993-04-09
JP3235089B2 JP3235089B2 (ja) 2001-12-04

Family

ID=27283902

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP03134092A Expired - Lifetime JP3235089B2 (ja) 1991-01-24 1992-01-23 i線用ポジ型レジスト組成物およびパターン形成方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP3235089B2 (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6318105A (ja) * 1986-07-09 1988-01-26 Honda Motor Co Ltd 多気筒sohc型内燃機関
US7314810B2 (en) 2006-05-09 2008-01-01 Hynix Semiconductor Inc. Method for forming fine pattern of semiconductor device

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6318105A (ja) * 1986-07-09 1988-01-26 Honda Motor Co Ltd 多気筒sohc型内燃機関
US7314810B2 (en) 2006-05-09 2008-01-01 Hynix Semiconductor Inc. Method for forming fine pattern of semiconductor device

Also Published As

Publication number Publication date
JP3235089B2 (ja) 2001-12-04

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US5238775A (en) Radiation-sensitive resin composition
EP0496640B2 (en) I-ray sensitive positive resist composition
JPH08262712A (ja) 感放射線性樹脂組成物
JP2927013B2 (ja) 感放射線性樹脂組成物
JP3235089B2 (ja) i線用ポジ型レジスト組成物およびパターン形成方法
JP3209754B2 (ja) 感放射線性樹脂組成物
JP2927014B2 (ja) 感放射線性樹脂組成物
JP3052330B2 (ja) 半導体製造用感放射線性樹脂組成物
JP2888236B2 (ja) 1,2−ナフトキノンジアジド化合物の製造方法
JP2811663B2 (ja) 感放射線性樹脂組成物
JP2985400B2 (ja) 感放射線性樹脂組成物
JP3240612B2 (ja) 感放射線性樹脂組成物
JP3149548B2 (ja) 変形光源露光用ポジ型レジスト
JP3360363B2 (ja) レジスト被膜の形成法
JP3367087B2 (ja) 感放射線性樹脂組成物
JP2775833B2 (ja) 感放射線性樹脂組成物
JPH05313367A (ja) ポジ型感放射線性樹脂組成物
JP2921518B2 (ja) 感放射線性樹脂組成物
JP3063177B2 (ja) 感放射線性樹脂組成物
JPH0519464A (ja) ポジ型レジスト組成物
JPH08179499A (ja) ポジ型レジスト溶液
JP3232641B2 (ja) 感放射線性樹脂組成物
JP3629692B2 (ja) ポジ型レジスト組成物
JPH07191464A (ja) ポジ型感放射線性樹脂組成物
JPH0756331A (ja) 感放射線性樹脂組成物

Legal Events

Date Code Title Description
A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20010402

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20010827

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20070928

Year of fee payment: 6

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080928

Year of fee payment: 7

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090928

Year of fee payment: 8

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090928

Year of fee payment: 8

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090928

Year of fee payment: 8

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100928

Year of fee payment: 9

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100928

Year of fee payment: 9

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110928

Year of fee payment: 10

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110928

Year of fee payment: 10

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120928

Year of fee payment: 11

EXPY Cancellation because of completion of term
FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120928

Year of fee payment: 11

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120928

Year of fee payment: 11