JPH0597829A - 殺微生物剤組成物 - Google Patents
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07D—HETEROCYCLIC COMPOUNDS
- C07D285/00—Heterocyclic compounds containing rings having nitrogen and sulfur atoms as the only ring hetero atoms, not provided for by groups C07D275/00 - C07D283/00
- C07D285/01—Five-membered rings
- C07D285/02—Thiadiazoles; Hydrogenated thiadiazoles
- C07D285/14—Thiadiazoles; Hydrogenated thiadiazoles condensed with carbocyclic rings or ring systems
-
- A—HUMAN NECESSITIES
- A01—AGRICULTURE; FORESTRY; ANIMAL HUSBANDRY; HUNTING; TRAPPING; FISHING
- A01N—PRESERVATION OF BODIES OF HUMANS OR ANIMALS OR PLANTS OR PARTS THEREOF; BIOCIDES, e.g. AS DISINFECTANTS, AS PESTICIDES OR AS HERBICIDES; PEST REPELLANTS OR ATTRACTANTS; PLANT GROWTH REGULATORS
- A01N25/00—Biocides, pest repellants or attractants, or plant growth regulators, characterised by their forms, or by their non-active ingredients or by their methods of application, e.g. seed treatment or sequential application; Substances for reducing the noxious effect of the active ingredients to organisms other than pests
- A01N25/08—Biocides, pest repellants or attractants, or plant growth regulators, characterised by their forms, or by their non-active ingredients or by their methods of application, e.g. seed treatment or sequential application; Substances for reducing the noxious effect of the active ingredients to organisms other than pests containing solids as carriers or diluents
-
- A—HUMAN NECESSITIES
- A01—AGRICULTURE; FORESTRY; ANIMAL HUSBANDRY; HUNTING; TRAPPING; FISHING
- A01N—PRESERVATION OF BODIES OF HUMANS OR ANIMALS OR PLANTS OR PARTS THEREOF; BIOCIDES, e.g. AS DISINFECTANTS, AS PESTICIDES OR AS HERBICIDES; PEST REPELLANTS OR ATTRACTANTS; PLANT GROWTH REGULATORS
- A01N43/00—Biocides, pest repellants or attractants, or plant growth regulators containing heterocyclic compounds
- A01N43/72—Biocides, pest repellants or attractants, or plant growth regulators containing heterocyclic compounds having rings with nitrogen atoms and oxygen or sulfur atoms as ring hetero atoms
- A01N43/82—Biocides, pest repellants or attractants, or plant growth regulators containing heterocyclic compounds having rings with nitrogen atoms and oxygen or sulfur atoms as ring hetero atoms five-membered rings with three ring hetero atoms
Landscapes
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
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- Heterocyclic Carbon Compounds Containing A Hetero Ring Having Nitrogen And Oxygen As The Only Ring Hetero Atoms (AREA)
- Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
- Nitrogen- Or Sulfur-Containing Heterocyclic Ring Compounds With Rings Of Six Or More Members (AREA)
- Pharmaceuticals Containing Other Organic And Inorganic Compounds (AREA)
- Nitrogen Condensed Heterocyclic Rings (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【構成】 有効成分として、少なくとも1個の次式I
【化1】
{式中、X1 ,X2 及びX3 はH、メチル、メトキシ、
メチルチオ、ハロゲン、ニトロ基、Aは最大3個のX−
炭素原子数1ないし4のアルキル基により置換された炭
素原子数1ないし2のアルキル基、nは0または1、X
及びYはO、S、R及びR1 はH、C1〜2のアルキ
ル、R2 はH、C1〜8のアルキル、R3 はH、C1〜
6のアルキル、R4 はH、C1〜6のアルキル、R5 は
H、CONHR1 、R6 はN(R1 )R2 、ヒドラジノ
基、EはCO、SO2 、U及びU1 は未置換、メチル、
メトキシ、ハロゲン原子、トリフルオロメチル、ニトロ
基、シアノ基により一置換または多置換されたフェニ
ル、TはC1〜2のアルキレン基、QはCOXR、シア
ノ基を表わす}で表わされる化合物。 【効果】 植物病原性微生物、例えば、菌、バクテリア
及びウイルスの蔓延から植物を保護する。
メチルチオ、ハロゲン、ニトロ基、Aは最大3個のX−
炭素原子数1ないし4のアルキル基により置換された炭
素原子数1ないし2のアルキル基、nは0または1、X
及びYはO、S、R及びR1 はH、C1〜2のアルキ
ル、R2 はH、C1〜8のアルキル、R3 はH、C1〜
6のアルキル、R4 はH、C1〜6のアルキル、R5 は
H、CONHR1 、R6 はN(R1 )R2 、ヒドラジノ
基、EはCO、SO2 、U及びU1 は未置換、メチル、
メトキシ、ハロゲン原子、トリフルオロメチル、ニトロ
基、シアノ基により一置換または多置換されたフェニ
ル、TはC1〜2のアルキレン基、QはCOXR、シア
ノ基を表わす}で表わされる化合物。 【効果】 植物病原性微生物、例えば、菌、バクテリア
及びウイルスの蔓延から植物を保護する。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、以下の式Iで表わされ
る新規なベンゾ−1,2,3−チアジアゾール誘導体に
関する。本発明はさらに、これらの物質の製造法、有効
成分として少なくとも1個のこれらの化合物を含む組成
物に関する。さらに、本発明は上記組成物の製造法、及
び有害微生物、特に植物に有害な菌による蔓延に対して
植物を保護するための有効成分または組成物の使用方法
に関する。
る新規なベンゾ−1,2,3−チアジアゾール誘導体に
関する。本発明はさらに、これらの物質の製造法、有効
成分として少なくとも1個のこれらの化合物を含む組成
物に関する。さらに、本発明は上記組成物の製造法、及
び有害微生物、特に植物に有害な菌による蔓延に対して
植物を保護するための有効成分または組成物の使用方法
に関する。
【0002】
【課題を解決するための手段】本発明の組成物は、有効
成分として、次式I
成分として、次式I
【化2】 {式中、X1 ,X2 及びX3 は互いに独立して水素原
子、メチル基、メトキシ基、メチルチオ基、ハロゲン原
子またはニトロ基を表わし、Aは最大3個のX−炭素原
子数1ないし4のアルキル基により置換された炭素原子
数1ないし2のアルキル基、2若しくは3個のハロゲン
原子により置換されたメチル基、ヒドロキシル基および
/または4個より多くないハロゲン原子により置換され
たエチル基、未置換若しくは3個より多くないハロゲン
原子により置換されたビニル基;さらに、エチニル基、
プロパルギル基、ホルミル基、アセチル基、さらに3個
より多くないハロゲン原子により置換されたアセチル
基、または基C(R)=N−N(R2 )R3 ,C(N=
N=U1 )=N−NH−U1 ,CH(R)−〔N
(R1)〕n −N(R2 )R3 ,C(R)(CN)OR
4 ,C(R)=N(O)n R3 ,CH(R)−O−N=
C(R1 )R2 ,CH(R)−O−N=C(CN)−C
ONH−R5 ,C(R6 )=N−(O)n R,CH
(R)−Y−E−R3 ,CO−〔C(OR)2 〕n Q,
C(Q)=CH−ORまたはT−Qの一つを表わし、さ
らにnは0または1を表わし、X及びYは互いに独立し
て酸素原子または硫黄原子を表わし、R及びR1 は互い
に独立して水素原子または炭素原子数1ないし2のアル
キル基を表わし、R2 は水素原子、炭素原子数1ないし
8のアルキル基、炭素原子数3ないし6のアルケニル
基、炭素原子数3ないし6のアルキニル基、炭素原子数
3ないし7のシクロアルキル基、ベンジル基、またはシ
アノ基を表わし、R3 は水素原子、炭素原子数1ないし
6のアルキル基、炭素原子数3ないし6のアルケニル
基、炭素原子数3ないし6のアルキニル基、炭素原子数
3ないし7のシクロアルキル基、ベンジル基またはアリ
ール官能基Uを表わし、R4 は水素原子、炭素原子数1
ないし6のアルキル基、Si(炭素原子数1ないし6の
アルキル)3 基、またはOCO−炭素原子数1ないし3
のアルキル基を表わし、R5 は水素原子、またはCON
HR1 を表わし、R6 はN(R1 )R2 、ヒドラジノ基
またはQを表わし、EはCOまたはSO2 を表わし、U
及びU1 は互いに独立して、未置換またはメチル基、メ
トキシ基、ハロゲン原子、トリフルオロメチル基、ニト
ロ基もしくはシアノ基からなる群から同一または異なる
置換基により一置換または多置換されたフェニル官能基
を表わし、Tは炭素原子数1ないし2のアルキレン基、
互いに独立した置換基であるアミノ基、ヒドロキシル基
またはハロゲン原子により置換されたメチレン基、また
は未置換もしくはハロゲン原子もしくはシアノ基により
置換されたエテニレン基を表わし、QはCOXRまたは
シアノ基を表わす}で表わされる化合物を含む。
子、メチル基、メトキシ基、メチルチオ基、ハロゲン原
子またはニトロ基を表わし、Aは最大3個のX−炭素原
子数1ないし4のアルキル基により置換された炭素原子
数1ないし2のアルキル基、2若しくは3個のハロゲン
原子により置換されたメチル基、ヒドロキシル基および
/または4個より多くないハロゲン原子により置換され
たエチル基、未置換若しくは3個より多くないハロゲン
原子により置換されたビニル基;さらに、エチニル基、
プロパルギル基、ホルミル基、アセチル基、さらに3個
より多くないハロゲン原子により置換されたアセチル
基、または基C(R)=N−N(R2 )R3 ,C(N=
N=U1 )=N−NH−U1 ,CH(R)−〔N
(R1)〕n −N(R2 )R3 ,C(R)(CN)OR
4 ,C(R)=N(O)n R3 ,CH(R)−O−N=
C(R1 )R2 ,CH(R)−O−N=C(CN)−C
ONH−R5 ,C(R6 )=N−(O)n R,CH
(R)−Y−E−R3 ,CO−〔C(OR)2 〕n Q,
C(Q)=CH−ORまたはT−Qの一つを表わし、さ
らにnは0または1を表わし、X及びYは互いに独立し
て酸素原子または硫黄原子を表わし、R及びR1 は互い
に独立して水素原子または炭素原子数1ないし2のアル
キル基を表わし、R2 は水素原子、炭素原子数1ないし
8のアルキル基、炭素原子数3ないし6のアルケニル
基、炭素原子数3ないし6のアルキニル基、炭素原子数
3ないし7のシクロアルキル基、ベンジル基、またはシ
アノ基を表わし、R3 は水素原子、炭素原子数1ないし
6のアルキル基、炭素原子数3ないし6のアルケニル
基、炭素原子数3ないし6のアルキニル基、炭素原子数
3ないし7のシクロアルキル基、ベンジル基またはアリ
ール官能基Uを表わし、R4 は水素原子、炭素原子数1
ないし6のアルキル基、Si(炭素原子数1ないし6の
アルキル)3 基、またはOCO−炭素原子数1ないし3
のアルキル基を表わし、R5 は水素原子、またはCON
HR1 を表わし、R6 はN(R1 )R2 、ヒドラジノ基
またはQを表わし、EはCOまたはSO2 を表わし、U
及びU1 は互いに独立して、未置換またはメチル基、メ
トキシ基、ハロゲン原子、トリフルオロメチル基、ニト
ロ基もしくはシアノ基からなる群から同一または異なる
置換基により一置換または多置換されたフェニル官能基
を表わし、Tは炭素原子数1ないし2のアルキレン基、
互いに独立した置換基であるアミノ基、ヒドロキシル基
またはハロゲン原子により置換されたメチレン基、また
は未置換もしくはハロゲン原子もしくはシアノ基により
置換されたエテニレン基を表わし、QはCOXRまたは
シアノ基を表わす}で表わされる化合物を含む。
【0003】ハロゲン原子は弗素原子、塩素原子、臭素
原子または沃素原子を表わし、好ましくは弗素原子、そ
の次は塩素原子、臭素原子そして沃素原子である。個々
の官能基中の置換基としてのハロゲン原子は3個まで表
示されうる。
原子または沃素原子を表わし、好ましくは弗素原子、そ
の次は塩素原子、臭素原子そして沃素原子である。個々
の官能基中の置換基としてのハロゲン原子は3個まで表
示されうる。
【0004】アルキル基それ自身または、他の置換基の
成分としてのアルキル基は、直鎖及び分枝状アルキル官
能基を意味すると理解されるべきである。示される炭素
原子の数により、これらは例えば、以下の好ましい基を
示す:メチル基、エチル基、並びにプロピル基、ブチル
基、ペンチル基またはヘキシル基の異性体、例えば、イ
ソプロピル基、イソブチル基、第三ブチル基、第二ブチ
ル基、またはイソペンチル基。
成分としてのアルキル基は、直鎖及び分枝状アルキル官
能基を意味すると理解されるべきである。示される炭素
原子の数により、これらは例えば、以下の好ましい基を
示す:メチル基、エチル基、並びにプロピル基、ブチル
基、ペンチル基またはヘキシル基の異性体、例えば、イ
ソプロピル基、イソブチル基、第三ブチル基、第二ブチ
ル基、またはイソペンチル基。
【0005】アルケニル基は例えば、プロペ−1−エニ
ル基、アリル基、ブテ−1−エニル基、ブテ−2−エニ
ル基またはブテ−3−エニル基であり、アルキニル基は
例えば、プロピ−2−イニル基、ブチ−1−イニル基、
またはペンチ−4−イニル基である。
ル基、アリル基、ブテ−1−エニル基、ブテ−2−エニ
ル基またはブテ−3−エニル基であり、アルキニル基は
例えば、プロピ−2−イニル基、ブチ−1−イニル基、
またはペンチ−4−イニル基である。
【0006】記載されるシクロアルキル基は例えば、シ
クロプロパン、シクロブタン、シクロペンタン、シクロ
ヘキサンまたはシクロヘプタン、好ましくはシクロプロ
パン、シクロペンタン及びシクロヘキサンである。
クロプロパン、シクロブタン、シクロペンタン、シクロ
ヘキサンまたはシクロヘプタン、好ましくはシクロプロ
パン、シクロペンタン及びシクロヘキサンである。
【0007】特に作物保護特性に基づいて、式Iの有効
成分は以下の好ましい基に分類される:1.X1 ,X2
及びX3 は互いに独立して水素原子または弗素原子を表
わし、Aは最大3個のX−炭素原子数1ないし4のアル
キル基により置換された炭素原子数1ないし2のアルキ
ル基、2若しくは3個のハロゲン原子により置換された
メチル基、ヒドロキシル基および/または4個より多く
ないハロゲン原子により置換されたエチル基、未置換ま
たは3個より多くないハロゲン原子により置換されたビ
ニル基、さらにエチニル基、プロパルギル基、ホルミル
基、アセチル基、または基C(R)=N−N(R2 )R
3 ,C(N=N−U1 )=N−NH−U,CH(R)−
〔N(R1 )〕n −N(R2 )R3 ,C(R)(CN)
OR4 ,C(R)=N(O)n R3 ,CH(R)−O−
N=C(R1 )R2 ,CH(R)−O−N=C(CN)
−CONH−R5 ,C(R6 )=N−(O)n R,CH
(R)−Y−E−R3 ,CO−〔C(OR)2 〕n CO
XR,C(Q)=CH−ORまたはT−Qの一つを表わ
し、さらにnは0または1を表わし、X及びYは酸素原
子を表わし、R及びR1 は互いに独立して水素原子また
は炭素原子数1ないし2のアルキル基を表わし、R2 は
水素原子、炭素原子数1ないし4のアルキル基、炭素原
子数3ないし4のアルケニル基、炭素原子数3ないし4
のアルキニル基、炭素原子数3ないし6のシクロアルキ
ル基、またはベンジル基を表わし、R3 は水素原子、炭
素原子数1ないし4のアルキル基、炭素原子数3ないし
4のアルケニル基、炭素原子数3ないし4のアルキニル
基、炭素原子数3ないし6のシクロアルキル基、または
メチル基、ハロゲン原子またはトリフルオロメチル基か
らなる群から同一若しくは異なる置換基により置換され
たフェニル官能基を表わし、R4 は水素原子、炭素原子
数1ないし3のアルキル基、またはSi(炭素原子数1
ないし2のアルキル)3 基を表わし、R5 は水素原子、
またはCONH−炭素原子数1ないし3のアルキル基を
表わし、R6 はN(R)R1 、ヒドラジノ基またはQを
表わし、U及びU1 は互いに独立してメチル基、ハロゲ
ン原子、ニトロ基、またはトリフルオロメチル基により
置換されたフェニル官能基を表わし、EはCOを表わ
し、Tはメチレン、アミノ基により置換されたメチレ
ン、またはエテニレンを表わし、QはCOORまたはシ
アノ基を表わす化合物。
成分は以下の好ましい基に分類される:1.X1 ,X2
及びX3 は互いに独立して水素原子または弗素原子を表
わし、Aは最大3個のX−炭素原子数1ないし4のアル
キル基により置換された炭素原子数1ないし2のアルキ
ル基、2若しくは3個のハロゲン原子により置換された
メチル基、ヒドロキシル基および/または4個より多く
ないハロゲン原子により置換されたエチル基、未置換ま
たは3個より多くないハロゲン原子により置換されたビ
ニル基、さらにエチニル基、プロパルギル基、ホルミル
基、アセチル基、または基C(R)=N−N(R2 )R
3 ,C(N=N−U1 )=N−NH−U,CH(R)−
〔N(R1 )〕n −N(R2 )R3 ,C(R)(CN)
OR4 ,C(R)=N(O)n R3 ,CH(R)−O−
N=C(R1 )R2 ,CH(R)−O−N=C(CN)
−CONH−R5 ,C(R6 )=N−(O)n R,CH
(R)−Y−E−R3 ,CO−〔C(OR)2 〕n CO
XR,C(Q)=CH−ORまたはT−Qの一つを表わ
し、さらにnは0または1を表わし、X及びYは酸素原
子を表わし、R及びR1 は互いに独立して水素原子また
は炭素原子数1ないし2のアルキル基を表わし、R2 は
水素原子、炭素原子数1ないし4のアルキル基、炭素原
子数3ないし4のアルケニル基、炭素原子数3ないし4
のアルキニル基、炭素原子数3ないし6のシクロアルキ
ル基、またはベンジル基を表わし、R3 は水素原子、炭
素原子数1ないし4のアルキル基、炭素原子数3ないし
4のアルケニル基、炭素原子数3ないし4のアルキニル
基、炭素原子数3ないし6のシクロアルキル基、または
メチル基、ハロゲン原子またはトリフルオロメチル基か
らなる群から同一若しくは異なる置換基により置換され
たフェニル官能基を表わし、R4 は水素原子、炭素原子
数1ないし3のアルキル基、またはSi(炭素原子数1
ないし2のアルキル)3 基を表わし、R5 は水素原子、
またはCONH−炭素原子数1ないし3のアルキル基を
表わし、R6 はN(R)R1 、ヒドラジノ基またはQを
表わし、U及びU1 は互いに独立してメチル基、ハロゲ
ン原子、ニトロ基、またはトリフルオロメチル基により
置換されたフェニル官能基を表わし、EはCOを表わ
し、Tはメチレン、アミノ基により置換されたメチレ
ン、またはエテニレンを表わし、QはCOORまたはシ
アノ基を表わす化合物。
【0008】2.X1 ,X2 及びX3 は水素原子を表わ
し、Aは最大2個のX−炭素原子数1ないし4のアルキ
ル基により置換されたメチル基、2若しくは3個の弗素
原子または塩素原子により置換されたメチル基、ヒドロ
キシル基または1ないし4個のハロゲン原子により置換
されたエチル基、またはホルミル基、アセチル基、また
は基C(R)=N−N(R2 )R3 ,CH(R)−〔N
(R1 )〕n −N(R2 )R3 ,C(R)(CN)OR
4 ,C(R)=N−R3 ,CH(R)−O−N=C(R
1 )R2 ,CH(R)−O−N=C(CN)−CONH
−R5 ,C(R6 )=N−(O)n R,CH(R)−Y
−E−R3 ,CO−〔C(OR)2 〕n COXR,C
(COOR)=CH−ORまたはT−Qの一つを表わ
し、さらにnは1を表わし、Xは酸素原子を表わし、R
及びR1 は互いに独立して水素原子またはメチル基を表
わし、R2 は水素原子、炭素原子数1ないし2のアルキ
ル基、アリル基、プロパルギル基、シクロプロピル基、
またはベンジル基を表わし、R3 は水素原子、炭素原子
数1ないし2のアルキル基、アリル基、プロパルギル
基、シクロプロピル基、またはメチル基、弗素原子、塩
素原子もしくはトリフルオロメチル基からなる群から同
一若しくは異なる置換基により置換されたフェニル官能
基を表わし、R4 は水素原子、炭素原子数1ないし2の
アルキル基、またはSi(CH3 )3 基を表わし、R5
は水素原子、またはCONH−炭素原子数1ないし2の
アルキル基を表わし、R6 はアミノ基またはQを表わ
し、Yは酸素原子を表わし、EはCOを表わし、Tはメ
チレン、またはシアノ基を表わし、QはCOOCH3 ま
たはCNを表わす化合物。
し、Aは最大2個のX−炭素原子数1ないし4のアルキ
ル基により置換されたメチル基、2若しくは3個の弗素
原子または塩素原子により置換されたメチル基、ヒドロ
キシル基または1ないし4個のハロゲン原子により置換
されたエチル基、またはホルミル基、アセチル基、また
は基C(R)=N−N(R2 )R3 ,CH(R)−〔N
(R1 )〕n −N(R2 )R3 ,C(R)(CN)OR
4 ,C(R)=N−R3 ,CH(R)−O−N=C(R
1 )R2 ,CH(R)−O−N=C(CN)−CONH
−R5 ,C(R6 )=N−(O)n R,CH(R)−Y
−E−R3 ,CO−〔C(OR)2 〕n COXR,C
(COOR)=CH−ORまたはT−Qの一つを表わ
し、さらにnは1を表わし、Xは酸素原子を表わし、R
及びR1 は互いに独立して水素原子またはメチル基を表
わし、R2 は水素原子、炭素原子数1ないし2のアルキ
ル基、アリル基、プロパルギル基、シクロプロピル基、
またはベンジル基を表わし、R3 は水素原子、炭素原子
数1ないし2のアルキル基、アリル基、プロパルギル
基、シクロプロピル基、またはメチル基、弗素原子、塩
素原子もしくはトリフルオロメチル基からなる群から同
一若しくは異なる置換基により置換されたフェニル官能
基を表わし、R4 は水素原子、炭素原子数1ないし2の
アルキル基、またはSi(CH3 )3 基を表わし、R5
は水素原子、またはCONH−炭素原子数1ないし2の
アルキル基を表わし、R6 はアミノ基またはQを表わ
し、Yは酸素原子を表わし、EはCOを表わし、Tはメ
チレン、またはシアノ基を表わし、QはCOOCH3 ま
たはCNを表わす化合物。
【0009】3.X1 ,X2 及びX3 は水素原子を表わ
し、Aは最大2個のX−炭素原子数1ないし2のアルキ
ル基により置換されたメチル基、2若しくは3個の弗素
原子により置換されたメチル基、ヒドロキシル基または
塩素原子により置換されたエチル基、またはホルミル
基、または基C(R)=N−N(R2 )R3 ,CH
(R)−〔N(R1 )〕n −N(R2 )R3 ,C(R)
(CN)OR4 ,C(R)=N(O)n R3 ,CH
(R)−O−N=C(R1 )R2 ,C(R6 )=N−O
R,CH(R)−Z−E−R3 ,CO−〔C(O
R)2 〕n COXRまたはT−Qの一つを表わし、さら
にnは1を表わし、Xは酸素原子を表わし、R及びR1
は互いに独立して水素原子またはメチル基を表わし、R
2 は水素原子、メチル基、アリル基、シクロプロピル
基、またはベンジル基を表わし、R3 は水素原子、メチ
ル基、アリル基、シクロプロピル基、またはメチル基、
弗素原子、塩素原子もしくはトリフルオロメチル基から
なる群から同一若しくは異なる置換基により置換された
フェニル官能基を表わし、R4 は水素原子、メチル基、
またはSi(CH3 )3 基を表わし、R5 は水素原子、
またはCONH−CH2 −CH3 を表わし、R6 はアミ
ノ基を表わし、Yは酸素原子を表わし、EはCOを表わ
し、Tはメチレンを表わし、QはCOOCH3 またはシ
アノ基を表わす化合物。
し、Aは最大2個のX−炭素原子数1ないし2のアルキ
ル基により置換されたメチル基、2若しくは3個の弗素
原子により置換されたメチル基、ヒドロキシル基または
塩素原子により置換されたエチル基、またはホルミル
基、または基C(R)=N−N(R2 )R3 ,CH
(R)−〔N(R1 )〕n −N(R2 )R3 ,C(R)
(CN)OR4 ,C(R)=N(O)n R3 ,CH
(R)−O−N=C(R1 )R2 ,C(R6 )=N−O
R,CH(R)−Z−E−R3 ,CO−〔C(O
R)2 〕n COXRまたはT−Qの一つを表わし、さら
にnは1を表わし、Xは酸素原子を表わし、R及びR1
は互いに独立して水素原子またはメチル基を表わし、R
2 は水素原子、メチル基、アリル基、シクロプロピル
基、またはベンジル基を表わし、R3 は水素原子、メチ
ル基、アリル基、シクロプロピル基、またはメチル基、
弗素原子、塩素原子もしくはトリフルオロメチル基から
なる群から同一若しくは異なる置換基により置換された
フェニル官能基を表わし、R4 は水素原子、メチル基、
またはSi(CH3 )3 基を表わし、R5 は水素原子、
またはCONH−CH2 −CH3 を表わし、R6 はアミ
ノ基を表わし、Yは酸素原子を表わし、EはCOを表わ
し、Tはメチレンを表わし、QはCOOCH3 またはシ
アノ基を表わす化合物。
【0010】以下の式Iの有効成分は特に、有効な作物
保護特性により特徴付けられる: 7−ホルミル−1,2,3−ベンゾチアジアゾール、
(公知) 7−アセトキシメチル−1,2,3−ベンゾチアジアゾ
ール、7−〔メトキシイミノ−(2−シアノアセトアミ
ジル)〕−1,2,3−ベンゾチアジアゾール、7−
(N−メトキシイミノメチル)−1,2,3−ベンゾチ
アジアゾール、7−(N−メトキシイミノヒドロキシメ
チル)−1,2,3−ベンゾチアジアゾール、7−メト
キシメチル−1,2,3−ベンゾチアジアゾール、3−
(7−ベンゾ−1,2,3−チアジアゾリル)アクリル
酸、7−シアノメチル−1,2,3−ベンゾチアジアゾ
ール、7−トリクロロメチル−1,2,3−ベンゾチア
ジアゾール、7−ジクロロメチル−1,2,3−ベンゾ
チアジアゾール、ベンゾ−1,2,3−チアジアゾール
−7−(N−ヒドロキシカルボキシイミド−アミド)、
ベンゾ−1,2,3−チアジアゾール−7−(N−メト
キシヒドロキサム酸)、2−(ベンゾ−1,2,3−チ
アジアゾリル)−2−ヒドロキシイミノアセトニトリ
ル、5−フルオロ−ベンゾ−1,2,3−チアジアゾー
ル−7−カルバルデヒド、6−フルオロ−ベンゾ−1,
2,3−チアジアゾール−7−カルバルデヒド、4−フ
ルオロ−ベンゾ−1,2,3−チアジアゾール−7−カ
ルバルデヒド、N,N−ジフェニル−C−〔ベンゾ−
1,2,3−チアジアゾール−7’イル〕ホルマザン、
7−アセチルベンゾ−1,2,3−チアジアゾール、7
−(ブロモアセチル)ベンゾ−1,2,3−チアジアゾ
ール。
保護特性により特徴付けられる: 7−ホルミル−1,2,3−ベンゾチアジアゾール、
(公知) 7−アセトキシメチル−1,2,3−ベンゾチアジアゾ
ール、7−〔メトキシイミノ−(2−シアノアセトアミ
ジル)〕−1,2,3−ベンゾチアジアゾール、7−
(N−メトキシイミノメチル)−1,2,3−ベンゾチ
アジアゾール、7−(N−メトキシイミノヒドロキシメ
チル)−1,2,3−ベンゾチアジアゾール、7−メト
キシメチル−1,2,3−ベンゾチアジアゾール、3−
(7−ベンゾ−1,2,3−チアジアゾリル)アクリル
酸、7−シアノメチル−1,2,3−ベンゾチアジアゾ
ール、7−トリクロロメチル−1,2,3−ベンゾチア
ジアゾール、7−ジクロロメチル−1,2,3−ベンゾ
チアジアゾール、ベンゾ−1,2,3−チアジアゾール
−7−(N−ヒドロキシカルボキシイミド−アミド)、
ベンゾ−1,2,3−チアジアゾール−7−(N−メト
キシヒドロキサム酸)、2−(ベンゾ−1,2,3−チ
アジアゾリル)−2−ヒドロキシイミノアセトニトリ
ル、5−フルオロ−ベンゾ−1,2,3−チアジアゾー
ル−7−カルバルデヒド、6−フルオロ−ベンゾ−1,
2,3−チアジアゾール−7−カルバルデヒド、4−フ
ルオロ−ベンゾ−1,2,3−チアジアゾール−7−カ
ルバルデヒド、N,N−ジフェニル−C−〔ベンゾ−
1,2,3−チアジアゾール−7’イル〕ホルマザン、
7−アセチルベンゾ−1,2,3−チアジアゾール、7
−(ブロモアセチル)ベンゾ−1,2,3−チアジアゾ
ール。
【0011】式Iに含まれる化合物は、以下の化合物を
除いて新規である: 7−ホルミル−1,2,3−ベンゾチアジアゾール、7
−アセチル−1,2,3−ベンゾチアジアゾール、6−
クロロ−7−ホルミル−1,2,3−ベンゾチアジアゾ
ール、6−メチルチオ−7−ホルミル−1,2,3−ベ
ンゾチアジアゾール、4−ブロモ−6−クロロ−7−ホ
ルミル−1,2,3−ベンゾチアジアゾール、6−メト
キシ−7−ホルミル−1,2,3−ベンゾチアジアゾー
ル、7−ヒドロキシイミノ−1,2,3−ベンゾチアジ
アゾール、6−メトキシ−7−オキシイミノ−1,2,
3−ベンゾチアジアゾール、7−ジブロモアセチル−
1,2,3−ベンゾチアジアゾール。
除いて新規である: 7−ホルミル−1,2,3−ベンゾチアジアゾール、7
−アセチル−1,2,3−ベンゾチアジアゾール、6−
クロロ−7−ホルミル−1,2,3−ベンゾチアジアゾ
ール、6−メチルチオ−7−ホルミル−1,2,3−ベ
ンゾチアジアゾール、4−ブロモ−6−クロロ−7−ホ
ルミル−1,2,3−ベンゾチアジアゾール、6−メト
キシ−7−ホルミル−1,2,3−ベンゾチアジアゾー
ル、7−ヒドロキシイミノ−1,2,3−ベンゾチアジ
アゾール、6−メトキシ−7−オキシイミノ−1,2,
3−ベンゾチアジアゾール、7−ジブロモアセチル−
1,2,3−ベンゾチアジアゾール。
【0012】新規な化合物は、本発明の特別な部分を形
成している。新規でないとして上記に示された化合物
は、以下の文献に公知である:J. Chem. Res. 1980,191
及び2845;J. Chem. Soc.1971,3994; 英国特許出願第1
176799号;オランダ特許第67 16077号お
よびドイツ国特許第1695786号。
成している。新規でないとして上記に示された化合物
は、以下の文献に公知である:J. Chem. Res. 1980,191
及び2845;J. Chem. Soc.1971,3994; 英国特許出願第1
176799号;オランダ特許第67 16077号お
よびドイツ国特許第1695786号。
【0013】式Iの化合物は以下のように製造される: 1.1 次式II
【化3】 で表わされる化合物をHNO3 で、H2 SO4 および/
またはCH2 Cl2 の溶媒を場合により添加して、−2
0℃ないし80℃の温度でニトロ化して、次式III
またはCH2 Cl2 の溶媒を場合により添加して、−2
0℃ないし80℃の温度でニトロ化して、次式III
【化4】 で表わされる化合物を与える。
【0014】1.2 式IIIの化合物を式IIIa:
MSLで表わされる化合物で不活性溶媒中、場合により
塩基を伴って、−5℃ないし50℃の温度で反応して、
次式IV
MSLで表わされる化合物で不活性溶媒中、場合により
塩基を伴って、−5℃ないし50℃の温度で反応して、
次式IV
【化5】 で表わされる化合物を与える。
【0015】1.3 式IVの化合物を水素で触媒の存
在下または鉄粉と一緒に、酢酸、不活性溶媒中、0ない
し120℃の温度で還元して、次式V
在下または鉄粉と一緒に、酢酸、不活性溶媒中、0ない
し120℃の温度で還元して、次式V
【化6】 で表わされる化合物を与える。
【0016】1.4 式Vの化合物をNaNO2 で酸存
在下、水中、そしてさらに場合により不活性溶媒を伴っ
て、−30℃ないし50℃の温度でジアゾ化して、次式
Ia
在下、水中、そしてさらに場合により不活性溶媒を伴っ
て、−30℃ないし50℃の温度でジアゾ化して、次式
Ia
【化7】 (式中、A1 は遊離ヒドロキシル基、チオール基または
NH基を含む官能基をのぞいて、式Iで記載された官能
基Aを意味し、これらの基は水性酸性媒体、例えばアセ
タールまたはケタール中、不安定であり、そして、
X1 ,X2 及びX3 は式Iで与えられた意味を示す)で
表わされる化合物を与える。
NH基を含む官能基をのぞいて、式Iで記載された官能
基Aを意味し、これらの基は水性酸性媒体、例えばアセ
タールまたはケタール中、不安定であり、そして、
X1 ,X2 及びX3 は式Iで与えられた意味を示す)で
表わされる化合物を与える。
【0017】2.1 次式Ib,Ic及びId
【化8】 の化合物は以下のように製造される:2.1.1 次式
VI
VI
【化9】 の化合物を、 a)還元剤で不活性溶媒中、−20ないし120℃で、
好ましくは0ないし80℃で反応することにより、 b)水素化ホウ素ナトリウムで不活性溶媒、例えばテト
ラヒドロフランまたはジオキサン中、水の存在下、−2
0℃ないし100℃、好ましくは0ないし80℃で反応
することにより、式Ibの化合物を与えるか、または次
式VII’
好ましくは0ないし80℃で反応することにより、 b)水素化ホウ素ナトリウムで不活性溶媒、例えばテト
ラヒドロフランまたはジオキサン中、水の存在下、−2
0℃ないし100℃、好ましくは0ないし80℃で反応
することにより、式Ibの化合物を与えるか、または次
式VII’
【化10】 で表わされる酸クロリドを水素原子で、ローゼンムント
反応において不活性溶媒、例えばテトラヒドロフラン
中、塩基、例えばルチジンの存在下、触媒、例えば硫酸
パラジウムまたは硫酸バリウムにより、−20ないし1
20℃、好ましくは0ないし120℃、さらに0ないし
80℃で反応することにより、式Ibの化合物を与え
る。
反応において不活性溶媒、例えばテトラヒドロフラン
中、塩基、例えばルチジンの存在下、触媒、例えば硫酸
パラジウムまたは硫酸バリウムにより、−20ないし1
20℃、好ましくは0ないし120℃、さらに0ないし
80℃で反応することにより、式Ibの化合物を与え
る。
【0018】2.1.2 式Ibの化合物を酸化剤、例
えば二酸化マグネシウムで、不活性溶媒、例えばクロロ
ホルムまたは硝酸アンモニウムセリウム(cerium ammoni
umunitrate)中、酢酸および水の混合物中、0ないし1
10℃、好ましくは20ないし100℃で酸化すること
により、式Icの化合物を与える。
えば二酸化マグネシウムで、不活性溶媒、例えばクロロ
ホルムまたは硝酸アンモニウムセリウム(cerium ammoni
umunitrate)中、酢酸および水の混合物中、0ないし1
10℃、好ましくは20ないし100℃で酸化すること
により、式Icの化合物を与える。
【0019】2.1.3 次式V
【化11】 で表わされるニトリルまたは次式VIII
【化12】 で表わされるヒドロキサム酸をグリニャール試薬、CH
3 Mg−ハロゲンで、不活性溶媒、例えば、開鎖または
環状エーテル(例えば、テトラヒドロフランまたはジオ
キサン)中、−50℃ないし130℃、好ましくは−1
0℃ないし80℃で反応することにより、式Id(上記
の式におけるX1 ,X2 及びX3 の官能基は式Iで与え
られた意味を示し、式VIのRは水素原子またはメチル
基を表わす)で表わされる化合物を与える。
3 Mg−ハロゲンで、不活性溶媒、例えば、開鎖または
環状エーテル(例えば、テトラヒドロフランまたはジオ
キサン)中、−50℃ないし130℃、好ましくは−1
0℃ないし80℃で反応することにより、式Id(上記
の式におけるX1 ,X2 及びX3 の官能基は式Iで与え
られた意味を示し、式VIのRは水素原子またはメチル
基を表わす)で表わされる化合物を与える。
【0020】3.1 次式Ie
【化13】 で表わされる化合物は以下のように製造される:次式I
b’
b’
【化14】 で表わされる化合物をハロゲン化剤、例えばチオニルハ
ライドで、不活性溶媒、例えばジクロロメタン中、塩
基、例えばピリジンの存在下、−20ないし150℃で
反応させることによる。上記式中、Halはハロゲン原
子を表わし、官能基X1 ,X2 及びX3 は式Iで与えら
れた意味を示す。
ライドで、不活性溶媒、例えばジクロロメタン中、塩
基、例えばピリジンの存在下、−20ないし150℃で
反応させることによる。上記式中、Halはハロゲン原
子を表わし、官能基X1 ,X2 及びX3 は式Iで与えら
れた意味を示す。
【0021】3.2 次式If
【化15】 で表わされる化合物は以下のように製造される:次式I
c
c
【化16】 で表わされる化合物をハロゲン化剤、例えばチオニルハ
ライドで、不活性溶媒、例えばジクロロメタン中、塩
基、例えばピリジンの存在下、−20ないし150℃で
反応させることによる。上記式中、Halはハロゲン原
子を表わし、官能基X1 ,X2 及びX3 は式Iで与えら
れた意味を示す。
ライドで、不活性溶媒、例えばジクロロメタン中、塩
基、例えばピリジンの存在下、−20ないし150℃で
反応させることによる。上記式中、Halはハロゲン原
子を表わし、官能基X1 ,X2 及びX3 は式Iで与えら
れた意味を示す。
【0022】3.3 次式Ig
【化17】 で表わされる化合物は以下のように製造される:
【0023】3.3.1 次式VI’
【化18】 で表わされる化合物をハロゲン化剤、例えば五ハロゲン
化リン、フェニルホスホン酸 オキシジクロリドまたは
フェニレンオキシホスホン酸 ジクロリドで、場合によ
り不活性溶媒中で、20ないし250℃、好ましくは8
0ないし200℃で反応させることにより、または3.
3.2 式Igの化合物を四弗化イオウで、弗化水素酸
の存在下、オートクレーブ中、0ないし250℃で反応
することによる。上記式中、Halはハロゲン原子を表
わし、Rは水素原子またはメチル基を表わし、官能基X
1 ,X2 及びX3 は式Iで与えられた意味を示す。
化リン、フェニルホスホン酸 オキシジクロリドまたは
フェニレンオキシホスホン酸 ジクロリドで、場合によ
り不活性溶媒中で、20ないし250℃、好ましくは8
0ないし200℃で反応させることにより、または3.
3.2 式Igの化合物を四弗化イオウで、弗化水素酸
の存在下、オートクレーブ中、0ないし250℃で反応
することによる。上記式中、Halはハロゲン原子を表
わし、Rは水素原子またはメチル基を表わし、官能基X
1 ,X2 及びX3 は式Iで与えられた意味を示す。
【0024】3.4 次式Ih
【化19】 で表わされる化合物は、式Icで表わされる化合物を、
2,2,2−トリハロ酢酸で双極非プロトン性溶媒、例
えばヘキサメチルホスホン酸トリアミドまたはジメチル
スルホキシド中、0ないし150℃、好ましくは20な
いし100℃で反応することにより製造される。
2,2,2−トリハロ酢酸で双極非プロトン性溶媒、例
えばヘキサメチルホスホン酸トリアミドまたはジメチル
スルホキシド中、0ないし150℃、好ましくは20な
いし100℃で反応することにより製造される。
【0025】3.5 次式Ii
【化20】 で表わされる化合物は、以下のように製造される:3.
5.1 式Idの化合物をハロゲン化剤、例えばハロゲ
ン元素またはスルホニルハライドで、場合により遊離官
能基を添加して反応することにより、または3.5.2
式Ihの化合物を酸化剤、例えばMnO2 またはピリ
ジニウム クロロクロメートで、不活性溶媒、例えばク
ロロホルム中、20ないし150℃で反応することによ
る。上記式中、Halは弗素原子、塩素原子、臭素原子
または沃素原子を表わす。
5.1 式Idの化合物をハロゲン化剤、例えばハロゲ
ン元素またはスルホニルハライドで、場合により遊離官
能基を添加して反応することにより、または3.5.2
式Ihの化合物を酸化剤、例えばMnO2 またはピリ
ジニウム クロロクロメートで、不活性溶媒、例えばク
ロロホルム中、20ないし150℃で反応することによ
る。上記式中、Halは弗素原子、塩素原子、臭素原子
または沃素原子を表わす。
【0026】4. 次式Ik1 及びIk2
【化21】 で表わされる化合物は、それぞれの場合、式Idの一化
合物を、化学量論量に匹敵する量のハロゲン化剤、例え
ば、ハロゲン元素またはスルホニルハライドで、場合に
より遊離官能基を添加して反応することにより製造され
る。上記式中、Halはハロゲン原子を表わし、X1 ,
X2 及びX3 は式Iで与えられた意味を示す。
合物を、化学量論量に匹敵する量のハロゲン化剤、例え
ば、ハロゲン元素またはスルホニルハライドで、場合に
より遊離官能基を添加して反応することにより製造され
る。上記式中、Halはハロゲン原子を表わし、X1 ,
X2 及びX3 は式Iで与えられた意味を示す。
【0027】5.1 次式Il1
【化22】 で表わされる化合物は、式Ieの化合物を式MCNで表
わされるシアニド化合物で不活性溶媒中、−10ないし
120℃で反応することにより製造され、該反応は2層
系、例えばCHCl3 /H2 O中、第四級アンモニウム
塩、例えばテトラブチルアンモニウム塩化物またはテト
ラブチルアンモニウムヨウ化物の存在下で行われること
ができる。
わされるシアニド化合物で不活性溶媒中、−10ないし
120℃で反応することにより製造され、該反応は2層
系、例えばCHCl3 /H2 O中、第四級アンモニウム
塩、例えばテトラブチルアンモニウム塩化物またはテト
ラブチルアンモニウムヨウ化物の存在下で行われること
ができる。
【0028】5.2 次式Il2 及び式Il3
【化23】 で表わされる化合物は、式Il1 のニトリルを加水分解
することにより製造されて式Il2 で表わされる化合物
を与え、式ROHで表わされる化合物でそれらをエステ
ル化する。上記式中、Mはアルカリ金属カチオンまたは
アンモニウムカチオンを表わし、Rは炭素原子数1ない
し4のアルキル基を表わし、X1 ,X2 及びX3 は式I
で与えられた意味を示す。
することにより製造されて式Il2 で表わされる化合物
を与え、式ROHで表わされる化合物でそれらをエステ
ル化する。上記式中、Mはアルカリ金属カチオンまたは
アンモニウムカチオンを表わし、Rは炭素原子数1ない
し4のアルキル基を表わし、X1 ,X2 及びX3 は式I
で与えられた意味を示す。
【0029】6.1 次式Im1 及び式Im2
【化24】 で表わされる化合物は、次式IcまたはId
【化25】 で表わされる化合物を、次式
【化26】 で表わされる化合物で、触媒、例えばアンモニウムアセ
テートまたは低級有機カルボン酸、並びに塩基、例えば
ピリジンまたはピペリジンの存在下、場合により溶媒、
例えばトルエンを添加して、場合により生成した水を分
離し、例えば共沸蒸留によりまたはモレキュラシーブを
使用して、縮合することにより製造される。(a+b)
=2及びa=(2−b)及びR、X,X1 ,X2 及びX
3 は式Iで与えられた意味を示す。
テートまたは低級有機カルボン酸、並びに塩基、例えば
ピリジンまたはピペリジンの存在下、場合により溶媒、
例えばトルエンを添加して、場合により生成した水を分
離し、例えば共沸蒸留によりまたはモレキュラシーブを
使用して、縮合することにより製造される。(a+b)
=2及びa=(2−b)及びR、X,X1 ,X2 及びX
3 は式Iで与えられた意味を示す。
【0030】適当なマロン酸誘導体またはシアノ酢酸誘
導体が活性メチレン成分として使用されるとき、場合に
より、脱炭酸(クネーフェナーゲル反応)は行われる。
この脱炭酸は、一反応段階またはその他の反応段階にお
いて、30ないし300℃で場合により不活性溶媒を伴
って行われ、続いてCOXR−またはCN−基を加水分
解してCOOH−基を与える。
導体が活性メチレン成分として使用されるとき、場合に
より、脱炭酸(クネーフェナーゲル反応)は行われる。
この脱炭酸は、一反応段階またはその他の反応段階にお
いて、30ないし300℃で場合により不活性溶媒を伴
って行われ、続いてCOXR−またはCN−基を加水分
解してCOOH−基を与える。
【0031】7.1 次式In1
【化27】 で表わされる化合物は、式Ic及びIdで表わされる化
合物をアルカリ金属シアニドまたはシアン化水素で、不
活性溶媒、例えばテトラヒドロフランまたはメタノール
中、場合により硫化水素ナトリウムを添加して、−20
ないし140℃、好ましくは0ないし90℃で反応する
ことにより、または次式In2
合物をアルカリ金属シアニドまたはシアン化水素で、不
活性溶媒、例えばテトラヒドロフランまたはメタノール
中、場合により硫化水素ナトリウムを添加して、−20
ないし140℃、好ましくは0ないし90℃で反応する
ことにより、または次式In2
【化28】 で表わされるシリルエステルを希鉱酸、例えばHCl
で、不活性溶媒中、−20ないし120℃で加水分解す
ることにより製造される。
で、不活性溶媒中、−20ないし120℃で加水分解す
ることにより製造される。
【0032】7.2 式In2 で表わされる化合物は、
式Icで表わされるアルデヒドまたはIdで表わされる
ケトンをトリアルキルシリルシアニドで、不活性溶媒、
例えばテトラヒドロフラン、ジオキサン、クロロホルム
またはジクロロメタン中、好ましくは触媒量の金属塩、
例えばZnI2 を添加して、−30ないし130℃、好
ましくは−10ないし100℃で反応することにより製
造される。
式Icで表わされるアルデヒドまたはIdで表わされる
ケトンをトリアルキルシリルシアニドで、不活性溶媒、
例えばテトラヒドロフラン、ジオキサン、クロロホルム
またはジクロロメタン中、好ましくは触媒量の金属塩、
例えばZnI2 を添加して、−30ないし130℃、好
ましくは−10ないし100℃で反応することにより製
造される。
【0033】7.3 次式In3
【化29】 で表わされる化合物は、式In1 で表わされる化合物を
酸クロリドまたは酸無水物で塩基、例えばトリエチルア
ミン、及び触媒、例えば4−ジメチルアミノピリジンの
存在下で反応することにより製造される。
酸クロリドまたは酸無水物で塩基、例えばトリエチルア
ミン、及び触媒、例えば4−ジメチルアミノピリジンの
存在下で反応することにより製造される。
【0033】7.4 次式In4
【化30】 で表わされる化合物は、以下のように製造される:7.
4.1 式In1 で表わされる化合物をアルキル化剤、
例えば、炭素原子数1ないし4のアルキルのハロゲン化
物、好ましくは炭素原子数1ないし4のアルキルのヨウ
化物で、塩基、例えばトリエチルアミンまたはアルカリ
金属炭酸塩またはアルカリ土類金属炭酸塩の存在下、不
活性溶媒中、−20ないし100℃で反応することによ
り、または 7.4.2 次式In5
4.1 式In1 で表わされる化合物をアルキル化剤、
例えば、炭素原子数1ないし4のアルキルのハロゲン化
物、好ましくは炭素原子数1ないし4のアルキルのヨウ
化物で、塩基、例えばトリエチルアミンまたはアルカリ
金属炭酸塩またはアルカリ土類金属炭酸塩の存在下、不
活性溶媒中、−20ないし100℃で反応することによ
り、または 7.4.2 次式In5
【化31】 で表わされるアセタールをトリ(炭素原子数1ないし4
のアルキル)シリルシアニドで、ルイス酸、例えば三フ
ッ化ホウ素エーテル化物の存在下、不活性溶媒中、−2
0ないし150℃で反応することによる。
のアルキル)シリルシアニドで、ルイス酸、例えば三フ
ッ化ホウ素エーテル化物の存在下、不活性溶媒中、−2
0ないし150℃で反応することによる。
【0034】8.1 次式Io1
【化32】 で表わされる化合物は、式IX
【化33】 で表わされる化合物を、式Mm+(CN)m {Mは金属カ
チオン、例えば、Na+ ,K+ ,Ag+ またはPb2+を
表わし、mは1ないし2を表わし、Halはハロゲン原
子を表わす}で表わされる金属塩で、不活性溶媒中、−
20ないし120℃で反応することにより製造される。
チオン、例えば、Na+ ,K+ ,Ag+ またはPb2+を
表わし、mは1ないし2を表わし、Halはハロゲン原
子を表わす}で表わされる金属塩で、不活性溶媒中、−
20ないし120℃で反応することにより製造される。
【0035】8.2 次式Io2
【化34】 で表わされる化合物は、以下のように製造される:
【0036】8.2.1 相当するα−ヒドロキシ化合
物を、酸化剤、例えば二酸化マグネシウムまたはピリジ
ニウム クロロクロメートを使用して酸化することによ
り、または 8.2.2 式Iiで表わされる化合物または式Io1
で表わされる化合物を、希塩基、例えば、アルカリ金属
水酸化物、アルカリ金属炭酸塩、アルカリ土類金属水酸
化物、またはアルカリ土類金属炭酸塩で、場合により不
活性溶媒を添加して、−10ないし150℃、好ましく
は20ないし100℃で酸加水分解することにより、ま
たは 8.2.3 次式Iq
物を、酸化剤、例えば二酸化マグネシウムまたはピリジ
ニウム クロロクロメートを使用して酸化することによ
り、または 8.2.2 式Iiで表わされる化合物または式Io1
で表わされる化合物を、希塩基、例えば、アルカリ金属
水酸化物、アルカリ金属炭酸塩、アルカリ土類金属水酸
化物、またはアルカリ土類金属炭酸塩で、場合により不
活性溶媒を添加して、−10ないし150℃、好ましく
は20ないし100℃で酸加水分解することにより、ま
たは 8.2.3 次式Iq
【化35】 で表わされる化合物を、過剰の水性ホルムアルデヒドま
たはアセトンで、酸、例えばHClの存在下、場合によ
り酸化剤、例えば、ジクロロジシアノベンゾキノン、二
酸化セレンまたはピリジニウム クロロクロメートを添
加して、反応することにより、 8.2.4 次式Ix2
たはアセトンで、酸、例えばHClの存在下、場合によ
り酸化剤、例えば、ジクロロジシアノベンゾキノン、二
酸化セレンまたはピリジニウム クロロクロメートを添
加して、反応することにより、 8.2.4 次式Ix2
【化36】 で表わされる化合物を、アルカリ金属アジドで、不活性
溶媒、例えば、ジメチルホルムアミド中、−20ないし
50℃で反応することにより、次式
溶媒、例えば、ジメチルホルムアミド中、−20ないし
50℃で反応することにより、次式
【化37】 で表わされる化合物を得る。そして引続き、場合により
触媒、例えば、CuSO4 を添加して水性加水分解す
る。
触媒、例えば、CuSO4 を添加して水性加水分解す
る。
【0037】8.3 次式Io3
【化38】 で表わされる化合物は、次式VII
【化39】 で表わされる化合物を、次式
【化40】 で表わされるテトラアルコキシエチレンで、不活性溶
媒、例えば、トルエン中、20ないし220℃で反応す
ることにより製造される。上記式中、Halはハロゲン
原子を表わし、Xは酸素原子または硫黄原子を表わし、
Rは炭素原子数2ないし4のアルキル基を表わし、
X1 ,X2 及びX3 は式Iで与えられた意味を示す。
媒、例えば、トルエン中、20ないし220℃で反応す
ることにより製造される。上記式中、Halはハロゲン
原子を表わし、Xは酸素原子または硫黄原子を表わし、
Rは炭素原子数2ないし4のアルキル基を表わし、
X1 ,X2 及びX3 は式Iで与えられた意味を示す。
【0038】9.1 次式Ip
【化41】 で表わされる化合物は、以下のように製造される:9.
1.1 式Ibの化合物を、式R3 −E−Halで表わ
される酸クロリドまたは式(R3 −E)2 Oで表わされ
る酸無水物で、塩基、例えば、トリエチルアミンの存在
下、場合により触媒、例えば、4−ジメチルアミノピリ
ジンを添加して、不活性溶媒、例えば、ジクロロメタン
中、−20ないし150℃で反応することにより、また
は 9.1.2 式Ieで表わされる化合物を、式R3 CO
XMで表わされるアルカリ金属塩で、双極非プロトン性
溶媒、例えば、N,N−ジメチルホルムアミドまたはジ
メチルスルホキシド中、−20ないし150℃で反応す
ることによる。上記式中、X,E及びR3 並びにX1 ,
X2及びX3 は式Iで与えられた意味を示す。
1.1 式Ibの化合物を、式R3 −E−Halで表わ
される酸クロリドまたは式(R3 −E)2 Oで表わされ
る酸無水物で、塩基、例えば、トリエチルアミンの存在
下、場合により触媒、例えば、4−ジメチルアミノピリ
ジンを添加して、不活性溶媒、例えば、ジクロロメタン
中、−20ないし150℃で反応することにより、また
は 9.1.2 式Ieで表わされる化合物を、式R3 CO
XMで表わされるアルカリ金属塩で、双極非プロトン性
溶媒、例えば、N,N−ジメチルホルムアミドまたはジ
メチルスルホキシド中、−20ないし150℃で反応す
ることによる。上記式中、X,E及びR3 並びにX1 ,
X2及びX3 は式Iで与えられた意味を示す。
【0039】10.1 次式Iq1
【化42】 で表わされる化合物は、式Ic,Id,Ii,Ik及び
Io2 で表わされる化合物を式NH2 OR3 で表わされ
る化合物、またはそれらの塩酸塩で、プロトン性溶媒
中、場合により塩基、例えば、アルカリ金属炭酸塩、ア
ルカリ金属水酸化物またはアルカリ金属酸化物を添加し
て、または場合により酸、例えば、酢酸を添加して、−
10ないし120℃で反応することにより製造される。
上記式中、R6 ’は水素原子、メチル基、COXRまた
はCNを表わし、X,R及びR3 並びにX1 ,X2 及び
X3 は式Iで与えられた意味を示す。
Io2 で表わされる化合物を式NH2 OR3 で表わされ
る化合物、またはそれらの塩酸塩で、プロトン性溶媒
中、場合により塩基、例えば、アルカリ金属炭酸塩、ア
ルカリ金属水酸化物またはアルカリ金属酸化物を添加し
て、または場合により酸、例えば、酢酸を添加して、−
10ないし120℃で反応することにより製造される。
上記式中、R6 ’は水素原子、メチル基、COXRまた
はCNを表わし、X,R及びR3 並びにX1 ,X2 及び
X3 は式Iで与えられた意味を示す。
【0040】10.2 次式Iq2
【化43】 で表わされる化合物は、式Vで表わされる化合物を式H
2 N−OR3 で表わされる化合物で、プロトン性溶媒、
例えば、エタノール中、−20ないし120℃で反応す
ることにより製造される。
2 N−OR3 で表わされる化合物で、プロトン性溶媒、
例えば、エタノール中、−20ないし120℃で反応す
ることにより製造される。
【0041】10.3 次式Iq3
【化44】 で表わされる化合物は、式Il1 ,Il2 及びIl3で
表わされる化合物を亜硝酸または亜硝酸のアルキルエス
テル、例えば、イソ−アミルニトリルで、塩基、例え
ば、アルカリ金属水酸化物、またはアルカリ金属アルコ
ラートの存在下、−30ないし100℃で反応すること
により製造される。R2 が水素原子を表わす式Iq3 の
化合物は、その後、塩基、例えば、水素化ナトリウム、
第三ブチル化カリウム、アルカリ金属水酸化物、または
アルカリ金属炭酸塩の存在下、不活性溶媒中、−20な
いし100℃で、式R2 −Halで表わされる化合物を
使用して反応することによりエーテル化できる。上記式
中、R6 " がCH3 ,COXRまたはCNを表わし、R
が炭素原子数1ないし4のアルキル基を表わし、R2 ,
X1 ,X2 及びX3 は式Iで与えられた意味を示す。
表わされる化合物を亜硝酸または亜硝酸のアルキルエス
テル、例えば、イソ−アミルニトリルで、塩基、例え
ば、アルカリ金属水酸化物、またはアルカリ金属アルコ
ラートの存在下、−30ないし100℃で反応すること
により製造される。R2 が水素原子を表わす式Iq3 の
化合物は、その後、塩基、例えば、水素化ナトリウム、
第三ブチル化カリウム、アルカリ金属水酸化物、または
アルカリ金属炭酸塩の存在下、不活性溶媒中、−20な
いし100℃で、式R2 −Halで表わされる化合物を
使用して反応することによりエーテル化できる。上記式
中、R6 " がCH3 ,COXRまたはCNを表わし、R
が炭素原子数1ないし4のアルキル基を表わし、R2 ,
X1 ,X2 及びX3 は式Iで与えられた意味を示す。
【0042】10.4 次式Iq4
【化45】 {R6 " ’がヒドラジノ基またはNR(R1 )を表わ
す}で表わされる化合物は、次式Iq’
す}で表わされる化合物は、次式Iq’
【化46】 で表わされるベンゾヒドロキサム酸クロリドを、式NR
(R1 )のアミンまたはヒドラジンで、不活性溶媒中、
−40ないし+100℃で反応することにより製造され
る。式Iq’のベンゾヒドロキサム酸クロリドは、相当
するアルドキシムを塩素化剤、例えば、Cl2 で、適当
な溶媒、例えば、希塩酸中、−60ないし+50℃で塩
素化することにより得られる。
(R1 )のアミンまたはヒドラジンで、不活性溶媒中、
−40ないし+100℃で反応することにより製造され
る。式Iq’のベンゾヒドロキサム酸クロリドは、相当
するアルドキシムを塩素化剤、例えば、Cl2 で、適当
な溶媒、例えば、希塩酸中、−60ないし+50℃で塩
素化することにより得られる。
【0043】11.1 次式Ir1
【化47】 で表わされる化合物は、式IcまたはIdで表わされる
化合物を、式H2 N−R3 で表わされる化合物で、非プ
ロトンまたはプロトン性溶媒中、場合により無機または
有機酸、例えば、氷酢酸、p−トルエンスルホン酸若し
くは硫酸を添加して、そして生成した反応水を除去する
ため、場合により共沸蒸留を行って反応することによ
り、または0ないし150℃でモレキュラシーブに反応
水を吸着することにより、製造される。
化合物を、式H2 N−R3 で表わされる化合物で、非プ
ロトンまたはプロトン性溶媒中、場合により無機または
有機酸、例えば、氷酢酸、p−トルエンスルホン酸若し
くは硫酸を添加して、そして生成した反応水を除去する
ため、場合により共沸蒸留を行って反応することによ
り、または0ないし150℃でモレキュラシーブに反応
水を吸着することにより、製造される。
【0044】11.2 次式Ir2
【化48】 で表わされる化合物は、式IcまたはIdで表わされる
化合物を、式H2 N−N(R2 )3 で表わされる化合物
で、非プロトンまたはプロトン性溶媒中、場合により無
機または有機酸、例えば、氷酢酸、p−トルエンスルホ
ン酸若しくは硫酸を添加して、並びに生成した反応水を
除去するため、場合により共沸蒸留を行って反応するこ
とにより、または0ないし150℃でモレキュラシーブ
に反応水を吸着することにより、製造される。上記式
中、R,R1 ,R2 及びR3 、並びにX1 ,X2 及びX
3 は式Iで与えられた意味を示す。
化合物を、式H2 N−N(R2 )3 で表わされる化合物
で、非プロトンまたはプロトン性溶媒中、場合により無
機または有機酸、例えば、氷酢酸、p−トルエンスルホ
ン酸若しくは硫酸を添加して、並びに生成した反応水を
除去するため、場合により共沸蒸留を行って反応するこ
とにより、または0ないし150℃でモレキュラシーブ
に反応水を吸着することにより、製造される。上記式
中、R,R1 ,R2 及びR3 、並びにX1 ,X2 及びX
3 は式Iで与えられた意味を示す。
【0045】11.3 次式Ir3
【化49】 で表わされる化合物は、式U1 −N2 で表わされるフェ
ニルジアゾニウム塩を(Ir2 )’タイプのフェニルヒ
ドラゾンに、水性アルコール溶液中、弱酸性または塩基
性媒体中、−20ないし+30℃の温度で、カップリン
グすることにより製造される。カップリング反応の間、
3以上のpH値は、例えば、不活性ピリジン塩基(ピリ
ジン、コリジン)またはアルカリ金属水酸化物またはア
ルカリ金属酸化物を添加することにより確定される。
ニルジアゾニウム塩を(Ir2 )’タイプのフェニルヒ
ドラゾンに、水性アルコール溶液中、弱酸性または塩基
性媒体中、−20ないし+30℃の温度で、カップリン
グすることにより製造される。カップリング反応の間、
3以上のpH値は、例えば、不活性ピリジン塩基(ピリ
ジン、コリジン)またはアルカリ金属水酸化物またはア
ルカリ金属酸化物を添加することにより確定される。
【0046】12.1 次式Is1 及びIs2
【化50】 で表わされる化合物は、式Ir1 及びIr2 で表わされ
る化合物それぞれを還元する、例えば、金属触媒存在
下、または錯体水素化物による触媒的水素化により、好
ましい具体例においては、次式
る化合物それぞれを還元する、例えば、金属触媒存在
下、または錯体水素化物による触媒的水素化により、好
ましい具体例においては、次式
【化51】 で表わされる化合物を式HN(R2 )R3 及びHN(R
1 )− N(R2 )R3 で表わされる化合物で、シアノ
ホウ素水素化ナトリウム(sodium cyanoborohydride) の
存在下、希酢酸中、0ないし120℃で反応することに
より製造される。上記式中、R1 ,R2 及びR3 、並び
にX1 ,X2 及びX3 は式Iで与えられた意味を示す。
1 )− N(R2 )R3 で表わされる化合物で、シアノ
ホウ素水素化ナトリウム(sodium cyanoborohydride) の
存在下、希酢酸中、0ないし120℃で反応することに
より製造される。上記式中、R1 ,R2 及びR3 、並び
にX1 ,X2 及びX3 は式Iで与えられた意味を示す。
【0047】13.1 次式It1 及びIt2
【化52】 で表わされる化合物は、以下のように製造される:1
3.1.1 式Vの化合物を式ROHで表わされる化合
物で、無水の酸、例えば、気体HClの存在下、−20
ないし90℃で反応して、次式IX
3.1.1 式Vの化合物を式ROHで表わされる化合
物で、無水の酸、例えば、気体HClの存在下、−20
ないし90℃で反応して、次式IX
【化53】 で表わされる化合物を得て、引続き、式IXの化合物を
式HN(R2 )R3 及びHN(R1 )−N(R2 )R3
で表わされる化合物で不活性溶媒中、−20ないし12
0℃で反応する。 13.1.2 次式X
式HN(R2 )R3 及びHN(R1 )−N(R2 )R3
で表わされる化合物で不活性溶媒中、−20ないし12
0℃で反応する。 13.1.2 次式X
【化54】 で表わされる化合物をPCl5 またはCCl4 でP(フ
ェニル)3 及びCH3 CNの存在下、不活性溶媒、例え
ば、トルエンまたはアセトニトリル中、−50ないし1
50℃、好ましくは−20ないし90℃で反応して次式
XI
ェニル)3 及びCH3 CNの存在下、不活性溶媒、例え
ば、トルエンまたはアセトニトリル中、−50ないし1
50℃、好ましくは−20ないし90℃で反応して次式
XI
【化55】 で表わされる化合物を得て、引続き、式XIの化合物を
式HN(R2 )R3 及びHN(R1 )−N(R2 )R3
で表わされる化合物で不活性溶媒中、−20ないし12
0℃で反応する。上記式中、R,R1 ,R2 及びR3 、
並びにX1 ,X2 及びX3 は式Iで与えられた意味を示
す。
式HN(R2 )R3 及びHN(R1 )−N(R2 )R3
で表わされる化合物で不活性溶媒中、−20ないし12
0℃で反応する。上記式中、R,R1 ,R2 及びR3 、
並びにX1 ,X2 及びX3 は式Iで与えられた意味を示
す。
【0048】14.1 次式Iu1 ,Iu2 及びIu3
【化56】
【化57】 で表わされる化合物は、次式Ie,If,Ig,I
k1 ,Ik2及びIk3
k1 ,Ik2及びIk3
【化58】
【化59】
【化60】 で表わされる化合物を、式H−X−炭素原子数1ないし
4のアルキルで表わされる化合物で不活性溶媒中、場合
により塩基、例えば、炭酸カリウム、水素化ナトリウム
またはH−X−炭素原子数1ないし4のアルキルのアル
カリ金属塩を添加して、不活性、好ましくは双極性、非
プロトン性溶媒、例えば、ジメチルホルムアミドまたは
ジメチルスルホキシド中、−20ないし150℃で反応
することにより製造される。
4のアルキルで表わされる化合物で不活性溶媒中、場合
により塩基、例えば、炭酸カリウム、水素化ナトリウム
またはH−X−炭素原子数1ないし4のアルキルのアル
カリ金属塩を添加して、不活性、好ましくは双極性、非
プロトン性溶媒、例えば、ジメチルホルムアミドまたは
ジメチルスルホキシド中、−20ないし150℃で反応
することにより製造される。
【0049】14.2 式Iu2 で表わされる化合物
は、式Ic及びIdで表わされる化合物を式H−X−炭
素原子数1ないし4のアルキルで表わされるアルコール
で酸触媒、例えば、硫酸、p−トルエンスルホン酸また
は蓚酸の存在下、場合によりルイス酸、例えば、AlC
l3 または三弗化ホウ素エーテル化物を添加して、共沸
蒸留で、またはモレキュラシーブにより、不活性溶媒、
例えば、トルエン、ジオキサンまたはテトラヒドロフラ
ン中、または過剰の式H−X−炭素原子数1ないし4の
アルキルで表わされる化合物中、0ないし180℃で反
応することにより製造される。
は、式Ic及びIdで表わされる化合物を式H−X−炭
素原子数1ないし4のアルキルで表わされるアルコール
で酸触媒、例えば、硫酸、p−トルエンスルホン酸また
は蓚酸の存在下、場合によりルイス酸、例えば、AlC
l3 または三弗化ホウ素エーテル化物を添加して、共沸
蒸留で、またはモレキュラシーブにより、不活性溶媒、
例えば、トルエン、ジオキサンまたはテトラヒドロフラ
ン中、または過剰の式H−X−炭素原子数1ないし4の
アルキルで表わされる化合物中、0ないし180℃で反
応することにより製造される。
【0050】14.3 式Iu3 (Xが酸素原子を表わ
す)で表わされる化合物は、式IXで表わされる化合物
またはそれらのハロゲン化水素物を、少なくとも2当量
の式H−X−炭素原子数1ないし4のアルキルで表わさ
れる化合物で場合により塩基、例えば、式H−X−炭素
原子数1ないし4のアルキルのアルカリ金属塩を添加し
て、場合により不活性溶媒を伴って、−30ないし80
℃で反応することにより製造される。上記式中、X,X
1 ,X2及びX3 は式Iで与えられた意味を示す。
す)で表わされる化合物は、式IXで表わされる化合物
またはそれらのハロゲン化水素物を、少なくとも2当量
の式H−X−炭素原子数1ないし4のアルキルで表わさ
れる化合物で場合により塩基、例えば、式H−X−炭素
原子数1ないし4のアルキルのアルカリ金属塩を添加し
て、場合により不活性溶媒を伴って、−30ないし80
℃で反応することにより製造される。上記式中、X,X
1 ,X2及びX3 は式Iで与えられた意味を示す。
【0051】15. 次式Iv1 及びIv2
【化61】 で表わされる化合物は、式Ieで表わされる化合物を、
式M−O−N=C(R1 )R2 またはM−O−N=C
(CN)CONH−R5で表わされる化合物で不活性溶
媒中、Mが水素原子を表わす場合には、塩基、例えば、
アルカリ金属炭酸塩、水素化ナトリウムまたはピリジン
のような第三アミンの存在下、−20ないし140℃で
反応することにより製造される。上記式中、Mは水素原
子またはアルカリ金属元素を表わし、R1 ,R2 及びR
5 、並びにX1 ,X2 及びX3 は式Iで与えられた意味
を示す。
式M−O−N=C(R1 )R2 またはM−O−N=C
(CN)CONH−R5で表わされる化合物で不活性溶
媒中、Mが水素原子を表わす場合には、塩基、例えば、
アルカリ金属炭酸塩、水素化ナトリウムまたはピリジン
のような第三アミンの存在下、−20ないし140℃で
反応することにより製造される。上記式中、Mは水素原
子またはアルカリ金属元素を表わし、R1 ,R2 及びR
5 、並びにX1 ,X2 及びX3 は式Iで与えられた意味
を示す。
【0052】16. 次式Iw
【化62】 で表わされる化合物は、以下のように製造される:
【0053】16.1 次式XVI
【化63】 で表わされる化合物を、炭素原子数1ないし4のアルキ
ルホルメートまたは炭素原子数1ないし4のアルキル
オルソホルメートで、塩基、例えば、ナトリウムアルコ
ラート、または水素化ナトリウムの存在下、不活性溶
媒、例えば、エーテル、テトラヒドロフランまたはトル
エン中、−10ないし120℃で反応することにより、
そして16.2 引続き、得られた式Iw(R1 は水素
原子を表わす)の化合物を式R1 Hal(R1 は炭素原
子数1ないし2のアルキル基を表わす)の化合物で、0
ないし80℃で、塩基及び双極非プロトン性溶媒、例え
ば、ジメチルホルムアミドを添加して反応させる。上記
式中、Q,R1 ,X1 ,X2 及びX3 は式Iで与えられ
た意味を示す。
ルホルメートまたは炭素原子数1ないし4のアルキル
オルソホルメートで、塩基、例えば、ナトリウムアルコ
ラート、または水素化ナトリウムの存在下、不活性溶
媒、例えば、エーテル、テトラヒドロフランまたはトル
エン中、−10ないし120℃で反応することにより、
そして16.2 引続き、得られた式Iw(R1 は水素
原子を表わす)の化合物を式R1 Hal(R1 は炭素原
子数1ないし2のアルキル基を表わす)の化合物で、0
ないし80℃で、塩基及び双極非プロトン性溶媒、例え
ば、ジメチルホルムアミドを添加して反応させる。上記
式中、Q,R1 ,X1 ,X2 及びX3 は式Iで与えられ
た意味を示す。
【0054】17. 次式Ix1 及びIx2
【化64】 で表わされる化合物は、式In1 ,In2 ,In3 及び
In4 で表わされる化合物を水性鉱酸で加水分解反応に
より、または式IhまたはIiで表わされる化合物をア
ルカリ金属水酸化物で、場合により不活性溶媒、例え
ば、テトラヒドロフランを添加して、−10ないし18
0℃、好ましくは0ないし100℃で塩基性加水分解す
ることにより製造される。上記式中、Halはハロゲン
原子を表わし、X,R,X1 ,X2 及びX3 は式Iで与
えられた意味を示す。これは遊離酸(Rは水素原子を表
わす)を与える。場合により、これらの酸はアルコール
RXHで水脱離触媒、例えば、三弗化ホウ素エーテル化
物の存在下、0ないし160℃で、場合により溶媒を伴
って、エステル化されうる。
In4 で表わされる化合物を水性鉱酸で加水分解反応に
より、または式IhまたはIiで表わされる化合物をア
ルカリ金属水酸化物で、場合により不活性溶媒、例え
ば、テトラヒドロフランを添加して、−10ないし18
0℃、好ましくは0ないし100℃で塩基性加水分解す
ることにより製造される。上記式中、Halはハロゲン
原子を表わし、X,R,X1 ,X2 及びX3 は式Iで与
えられた意味を示す。これは遊離酸(Rは水素原子を表
わす)を与える。場合により、これらの酸はアルコール
RXHで水脱離触媒、例えば、三弗化ホウ素エーテル化
物の存在下、0ないし160℃で、場合により溶媒を伴
って、エステル化されうる。
【0055】18. 次式Iy
【化65】 で表わされる化合物は、以下のように製造される:1
8.1 式IcまたはIdで表わされる化合物をアルカ
リ金属シアニドおよびアンモニアで、アンモニウムハラ
イドの存在下、−20ないし80℃で、場合により不活
性溶媒を添加して反応することにより、または18.2
式In1 ,In2 ,In3 またはIn4 で表わされる
化合物をアンモニアでアンモニウムハライドの存在下、
−20ないし80℃で、場合により不活性溶媒を添加し
て反応することによる。上記式中、R,X1 ,X2 及び
X3 は式Iで与えられた意味を示す。
8.1 式IcまたはIdで表わされる化合物をアルカ
リ金属シアニドおよびアンモニアで、アンモニウムハラ
イドの存在下、−20ないし80℃で、場合により不活
性溶媒を添加して反応することにより、または18.2
式In1 ,In2 ,In3 またはIn4 で表わされる
化合物をアンモニアでアンモニウムハライドの存在下、
−20ないし80℃で、場合により不活性溶媒を添加し
て反応することによる。上記式中、R,X1 ,X2 及び
X3 は式Iで与えられた意味を示す。
【0056】19. 次式Iz
【化66】 で表わされる化合物は、式Igで表わされる化合物を水
性鉱酸、例えば、HClで、−20ないし130℃で加
水分解することにより製造される。上記式中、R,X,
X1 ,X2 及びX3 は式Iで与えられた意味を示す。
性鉱酸、例えば、HClで、−20ないし130℃で加
水分解することにより製造される。上記式中、R,X,
X1 ,X2 及びX3 は式Iで与えられた意味を示す。
【0057】驚いたことに、本発明の式Iの化合物を使
用することは、有害微生物による植物の攻撃を防止し、
それゆえ、そのような攻撃を原因とする植物に対する損
害を防止することが見い出された。植物の保護が、葉施
用または土壌を介した施用、並びに植物の防御系(免疫
化)の活性及び刺激により、破壊的な微生物に直接作用
することにより行われるということが、本発明の有効成
分の特徴を示している。式Iの化合物の非常に有利な点
は、これらの物質で処理された植物の健康を良好に保つ
ことが、さらに他の殺微生物物質を使用することなく、
植物生長期の間、独立して保証されうるという事実であ
る。
用することは、有害微生物による植物の攻撃を防止し、
それゆえ、そのような攻撃を原因とする植物に対する損
害を防止することが見い出された。植物の保護が、葉施
用または土壌を介した施用、並びに植物の防御系(免疫
化)の活性及び刺激により、破壊的な微生物に直接作用
することにより行われるということが、本発明の有効成
分の特徴を示している。式Iの化合物の非常に有利な点
は、これらの物質で処理された植物の健康を良好に保つ
ことが、さらに他の殺微生物物質を使用することなく、
植物生長期の間、独立して保証されうるという事実であ
る。
【0058】従って、化学物質を使用した寄生体への直
接防除で生じるような副作用は、例えば、一方では有益
植物へ損害を加えること(植物毒性)により、そして他
の一方では有害微生物における耐性の兆候の原因となる
ことにより、有益植物の全く悩まされていない生長を都
合良く必要とする本発明の有効成分を使用することによ
り避けることができる。
接防除で生じるような副作用は、例えば、一方では有益
植物へ損害を加えること(植物毒性)により、そして他
の一方では有害微生物における耐性の兆候の原因となる
ことにより、有益植物の全く悩まされていない生長を都
合良く必要とする本発明の有効成分を使用することによ
り避けることができる。
【0059】本発明の式Iの化合物の特別な形式の作
用、即ち、一方では、植物病原体への直接防除の可能
性、及び他の一方では、免疫化によるこれらの有効成分
で処理された植物の一般的防御許容量の向上のため、疾
病に対する植物の広範囲の保護が行われうる。それゆ
え、本発明の有効成分の使用は特に、実際の条件に適す
る。さらに、式Iの化合物の浸透活性は、保護作用が処
理された植物の新たな生長部分に拡大されることを意味
する。
用、即ち、一方では、植物病原体への直接防除の可能
性、及び他の一方では、免疫化によるこれらの有効成分
で処理された植物の一般的防御許容量の向上のため、疾
病に対する植物の広範囲の保護が行われうる。それゆ
え、本発明の有効成分の使用は特に、実際の条件に適す
る。さらに、式Iの化合物の浸透活性は、保護作用が処
理された植物の新たな生長部分に拡大されることを意味
する。
【0060】本発明の有効成分の一般的な作物保護活性
は、例えば、以下の類の植物病原性菌類に拡大される:
不完全菌類〔例えばボトリチス(Botrytis)、ヘルミン
トスポリウム(Helminthosporium)、フザリウム(Fusa
rium)、セプトリア(Septoria)、セルコスポラ(Cerc
ospora)及びアルターナリア(Alternaria)〕;担子菌
類〔例えばヘミレイア(Hemileia)、リゾコトニア(Rh
izocotonia)、プシニア(Puccinia)〕;嚢子菌類〔例
えばベンチュリア(Venturia)、ポドスファエラ(Podo
sphaera )、エリシフェ(Erysiphe)、モニリニア(Mo
nilinia )、ウンシヌラ(Uncinula) 〕。
は、例えば、以下の類の植物病原性菌類に拡大される:
不完全菌類〔例えばボトリチス(Botrytis)、ヘルミン
トスポリウム(Helminthosporium)、フザリウム(Fusa
rium)、セプトリア(Septoria)、セルコスポラ(Cerc
ospora)及びアルターナリア(Alternaria)〕;担子菌
類〔例えばヘミレイア(Hemileia)、リゾコトニア(Rh
izocotonia)、プシニア(Puccinia)〕;嚢子菌類〔例
えばベンチュリア(Venturia)、ポドスファエラ(Podo
sphaera )、エリシフェ(Erysiphe)、モニリニア(Mo
nilinia )、ウンシヌラ(Uncinula) 〕。
【0061】さらに、有効成分は以下の有害微生物に対
して特に都合良く使用されうる:菌類、例えば、卵菌類
〔例えばプラスモパラ ヴィチラ(Plasmopara viticol
a) 、フィトフトラ インフェスタンス(Phytophthora i
nfestans)、ペロノスポラ タバシナ(Peronospora taba
cina)、シュードペロノスポラ(Pseudoperonospora) 、
ブレミア レツカエ(Bremia letucae)〕;不完全菌類
〔例えばコレトトリチュームラゲナリウム(Colletotric
hum lagenarium) 、ピリクラリア オリザエ(Pyricular
ia oryzae)、セルコスポラ ニコチナエ(Cercospora ni
cotinae)〕;嚢子菌類〔例えばヴェンツリア イナエキ
ュアリス(Venturia inaequalis) 〕;バクテリア類、例
えば、シュードモナス種〔例えばシュードモナス ラチ
ュリマンス(pseudomonas lachrymans)、シュードモナス
トマト(pseudomonas tomato)、シュードモナス タバ
シ(pseudomonas tabaci)〕;キサントモナス種〔例えば
キサントモナス オリザエ(Xanthomonas oryzae)、キサ
ントモナス ヴェシカトリア(Xanthomonas vesicatori
a) 〕;エルウィニア種〔例えばエルウィニア アミロヴ
ォラ(Erwinia amylovora) 〕;及びウイルス類、例え
ば、タバコモザイクウイルス(tobacco mosaic virus)。
して特に都合良く使用されうる:菌類、例えば、卵菌類
〔例えばプラスモパラ ヴィチラ(Plasmopara viticol
a) 、フィトフトラ インフェスタンス(Phytophthora i
nfestans)、ペロノスポラ タバシナ(Peronospora taba
cina)、シュードペロノスポラ(Pseudoperonospora) 、
ブレミア レツカエ(Bremia letucae)〕;不完全菌類
〔例えばコレトトリチュームラゲナリウム(Colletotric
hum lagenarium) 、ピリクラリア オリザエ(Pyricular
ia oryzae)、セルコスポラ ニコチナエ(Cercospora ni
cotinae)〕;嚢子菌類〔例えばヴェンツリア イナエキ
ュアリス(Venturia inaequalis) 〕;バクテリア類、例
えば、シュードモナス種〔例えばシュードモナス ラチ
ュリマンス(pseudomonas lachrymans)、シュードモナス
トマト(pseudomonas tomato)、シュードモナス タバ
シ(pseudomonas tabaci)〕;キサントモナス種〔例えば
キサントモナス オリザエ(Xanthomonas oryzae)、キサ
ントモナス ヴェシカトリア(Xanthomonas vesicatori
a) 〕;エルウィニア種〔例えばエルウィニア アミロヴ
ォラ(Erwinia amylovora) 〕;及びウイルス類、例え
ば、タバコモザイクウイルス(tobacco mosaic virus)。
【0062】本発明の化合物は、種々の有益植物を保護
するために使用される。
するために使用される。
【0063】本発明の範囲内、例えば、以下の植物種
は、本発明の式Iの化合物を使用するのに適当である:
穀類(小麦、大麦、ライ麦、オート麦、米、トウモロコ
シ及び関連作物);ビート(砂糖および飼料用ビー
ト);核果、梨状果および軟果実(りんご、梨、プラ
ム、桃、アーモンド、さくらんぼ、いちご、ラズベリー
およびブラックベリー);まめ科植物(そら豆、レンズ
豆、えんどう豆、大豆);油用植物(あぶらな、マスタ
ード、ポピー、オリーブ、サンフラワー、ココナッツ、
ヒマシ油植物、ココア豆、落花生);ウリ科植物(かぼ
ちゃ、きゅうり、メロン);繊維植物(綿、亜麻、大
麻、黄麻);橙属植物(オレンジ、レモン、グレープフ
ルーツ、タンジェリン);野菜(ホウレンソウ、レタ
ス、アスパラガス、キャベツ、にんじん、玉葱、トマ
ト、馬鈴薯、シシトウガラシ);クスノキ科(アボガ
ド、シナモン、樟脳);とうもろこし、タバコ、ナッ
ツ、コーヒー、甘蔗糖、茶、ぶどうのつる、ホップ、し
ょうが及び天然ゴム植物、並びに観賞植物(花、低木、
落葉樹及び針葉樹)。この列挙は限定を意味しない。
は、本発明の式Iの化合物を使用するのに適当である:
穀類(小麦、大麦、ライ麦、オート麦、米、トウモロコ
シ及び関連作物);ビート(砂糖および飼料用ビー
ト);核果、梨状果および軟果実(りんご、梨、プラ
ム、桃、アーモンド、さくらんぼ、いちご、ラズベリー
およびブラックベリー);まめ科植物(そら豆、レンズ
豆、えんどう豆、大豆);油用植物(あぶらな、マスタ
ード、ポピー、オリーブ、サンフラワー、ココナッツ、
ヒマシ油植物、ココア豆、落花生);ウリ科植物(かぼ
ちゃ、きゅうり、メロン);繊維植物(綿、亜麻、大
麻、黄麻);橙属植物(オレンジ、レモン、グレープフ
ルーツ、タンジェリン);野菜(ホウレンソウ、レタ
ス、アスパラガス、キャベツ、にんじん、玉葱、トマ
ト、馬鈴薯、シシトウガラシ);クスノキ科(アボガ
ド、シナモン、樟脳);とうもろこし、タバコ、ナッ
ツ、コーヒー、甘蔗糖、茶、ぶどうのつる、ホップ、し
ょうが及び天然ゴム植物、並びに観賞植物(花、低木、
落葉樹及び針葉樹)。この列挙は限定を意味しない。
【0064】以下の植物は、本発明の使用方法に特に適
当な標的作物と考えられうる:きゅうり、たばこ、ぶど
うのつる、稲、胡椒、ジャガイモ、トマト、小麦、大
麦、洋梨およびりんご)。
当な標的作物と考えられうる:きゅうり、たばこ、ぶど
うのつる、稲、胡椒、ジャガイモ、トマト、小麦、大
麦、洋梨およびりんご)。
【0065】本発明の範囲内で使用され、有効成分とし
て式Iの化合物を含む、疾病に対して植物を保護するた
めの殺微生物組成物は、本発明の一部として考えられる
べきである。
て式Iの化合物を含む、疾病に対して植物を保護するた
めの殺微生物組成物は、本発明の一部として考えられる
べきである。
【0066】式Iの有効成分は通常、組み合わせの形態
で使用され、そして植物またはその作地に同時に、又は
連続して別の有効成分を共に適用しうる。これらの他の
有効成分は肥料、微量元素供給体、或いは植物生長に影
響を及ぼす他の製剤でもあり得る。しかし、所望によ
り、製剤業界にて慣用の他の担体、表面活性剤または適
用増強添加剤と共に使用して、選択的除草剤、殺虫剤、
殺菌剤、殺バクテリア剤、線虫駆除剤、軟体動物駆除剤
またはこれらの製剤のいくつかの混合物となり得る。
で使用され、そして植物またはその作地に同時に、又は
連続して別の有効成分を共に適用しうる。これらの他の
有効成分は肥料、微量元素供給体、或いは植物生長に影
響を及ぼす他の製剤でもあり得る。しかし、所望によ
り、製剤業界にて慣用の他の担体、表面活性剤または適
用増強添加剤と共に使用して、選択的除草剤、殺虫剤、
殺菌剤、殺バクテリア剤、線虫駆除剤、軟体動物駆除剤
またはこれらの製剤のいくつかの混合物となり得る。
【0067】適当な担体および添加剤は固体または液体
であり、そして製剤業界において都合良く使用されうる
物質、例えば天然または再生鉱物、溶媒、分散剤、水和
剤、粘着剤、増粘剤、結合剤または肥料に相当する。
であり、そして製剤業界において都合良く使用されうる
物質、例えば天然または再生鉱物、溶媒、分散剤、水和
剤、粘着剤、増粘剤、結合剤または肥料に相当する。
【0068】式Iの有効成分またはこれらの有効成分の
少なくとも1種を含む農薬組成物の一つの施用法は、植
物への施用(葉への施用)である。しかしながら、式I
の有効成分はまた、液体製剤として植物の作地に含浸さ
せるか、或いは固体の形態、例えば粒剤の形態で土壌に
物質を混入することにより、根を介して土壌から植物に
到達する。しかし、式Iの化合物はまた、有効成分の液
体製剤で種子を含浸させるか、或いは固体製剤の層を施
用する(種子ドレッシングによる施用)かによって、種
子仁(コーティング)に適用される。さらに、施用の他
のタイプは特別な場合、例えば、植物の茎または芽の標
的処理に可能である。
少なくとも1種を含む農薬組成物の一つの施用法は、植
物への施用(葉への施用)である。しかしながら、式I
の有効成分はまた、液体製剤として植物の作地に含浸さ
せるか、或いは固体の形態、例えば粒剤の形態で土壌に
物質を混入することにより、根を介して土壌から植物に
到達する。しかし、式Iの化合物はまた、有効成分の液
体製剤で種子を含浸させるか、或いは固体製剤の層を施
用する(種子ドレッシングによる施用)かによって、種
子仁(コーティング)に適用される。さらに、施用の他
のタイプは特別な場合、例えば、植物の茎または芽の標
的処理に可能である。
【0069】式Iの化合物はそのままの形体で、或いは
好ましくは製剤業界で慣用の補助剤と共に使用される。
この目的のため、公知の方法により例えば、乳剤原液、
散布可能ペースト、直接噴霧可能な、又は希釈可能な溶
液、希釈乳剤、水和剤、水溶剤、粉剤、粒剤または例え
ば、ポリマー物質によるカプセル化剤に加工される。施
用法、例えば、噴霧、霧化、散粉、散水、はけ塗り又は
注水、並びに組成物のタイプは、目的とする対象および
使用環境に依存して選ばれる。有利な適用量は通常1ヘ
クタール当たり有効成分(AS)50gないし5kg、
好ましくは100gないし2kgAS/ha 、特に100
gないし600gAS/ha である。
好ましくは製剤業界で慣用の補助剤と共に使用される。
この目的のため、公知の方法により例えば、乳剤原液、
散布可能ペースト、直接噴霧可能な、又は希釈可能な溶
液、希釈乳剤、水和剤、水溶剤、粉剤、粒剤または例え
ば、ポリマー物質によるカプセル化剤に加工される。施
用法、例えば、噴霧、霧化、散粉、散水、はけ塗り又は
注水、並びに組成物のタイプは、目的とする対象および
使用環境に依存して選ばれる。有利な適用量は通常1ヘ
クタール当たり有効成分(AS)50gないし5kg、
好ましくは100gないし2kgAS/ha 、特に100
gないし600gAS/ha である。
【0070】製剤、即ち式Iの有効成分および適当な場
合には、固体又は液体の補助剤を含む組成物または製剤
または混合物は、始めに有効成分を溶媒、固体担体およ
び適当な場合には表面活性化合物(界面活性剤)のよう
な増量剤と十分に混合および/又は摩砕することによ
り、製造される。
合には、固体又は液体の補助剤を含む組成物または製剤
または混合物は、始めに有効成分を溶媒、固体担体およ
び適当な場合には表面活性化合物(界面活性剤)のよう
な増量剤と十分に混合および/又は摩砕することによ
り、製造される。
【0071】適当な溶媒は次のものである。:芳香族炭
化水素、好ましくは炭素原子数8ないし12の部分、例
えばキシレン混合物または置換ナフタレン;ジブチルフ
タレートまたはジオクチルフタレートのようなフタル酸
エステル;シクロヘキサンまたはパラフィンのような脂
肪族炭化水素;エタノール、エチレングリコール、エチ
レングリコールモノメチルまたはモノエチルエーテルの
ようなアルコールおよびグリコール並びにそれらのエー
テルおよびエステル;シクロヘキサノンのようなケト
ン;N−メチル−2−ピロリドン、ジメチルスルホキシ
ドまたはジメチルホルムアミドのような強極性溶媒;並
びにエポキシ化または非エポキシ化植物油、例えば、エ
ポキシ化ココナッツ油または大豆油;または水。
化水素、好ましくは炭素原子数8ないし12の部分、例
えばキシレン混合物または置換ナフタレン;ジブチルフ
タレートまたはジオクチルフタレートのようなフタル酸
エステル;シクロヘキサンまたはパラフィンのような脂
肪族炭化水素;エタノール、エチレングリコール、エチ
レングリコールモノメチルまたはモノエチルエーテルの
ようなアルコールおよびグリコール並びにそれらのエー
テルおよびエステル;シクロヘキサノンのようなケト
ン;N−メチル−2−ピロリドン、ジメチルスルホキシ
ドまたはジメチルホルムアミドのような強極性溶媒;並
びにエポキシ化または非エポキシ化植物油、例えば、エ
ポキシ化ココナッツ油または大豆油;または水。
【0072】例えば、粉剤および分散性粉末に一般的に
使用される固体担体は、方解石、タルク、カオリン、モ
ンモリロナイトまたはアタパルジャイトのような天然鉱
物から粉砕される。物理特性を向上するため、高分散性
シリカまたは高分散性吸収ポリマーを添加することがで
きる。適当な粒剤、吸収性粒状担体は多孔性タイプ、例
えば、軽石、破壊レンガ、セピオライトまたはベントナ
イトであり、適当な非収着担体材料は例えば、方解石ま
たは砂である。さらに、無機または有機天然物の多数の
前粒状材料、特にドロマイトまたは微細植物残渣が使用
されうる。
使用される固体担体は、方解石、タルク、カオリン、モ
ンモリロナイトまたはアタパルジャイトのような天然鉱
物から粉砕される。物理特性を向上するため、高分散性
シリカまたは高分散性吸収ポリマーを添加することがで
きる。適当な粒剤、吸収性粒状担体は多孔性タイプ、例
えば、軽石、破壊レンガ、セピオライトまたはベントナ
イトであり、適当な非収着担体材料は例えば、方解石ま
たは砂である。さらに、無機または有機天然物の多数の
前粒状材料、特にドロマイトまたは微細植物残渣が使用
されうる。
【0073】製剤された式Iの有効成分の性質により、
適する界面活性化合物は、良好な乳化、分散および水和
性を有する非イオン性、陽イオン性および/又は陰イオ
ン性界面活性剤である。界面活性剤はまた界面活性剤の
混合物も意味するものと理解すべきである。陽イオン性
界面活性剤は主に、N置換体として8ないし22個の炭
素原子を有する少なくとも1個のアルキル基を含み、さ
らに他の置換基として低級ハロゲン化もしくは遊離のア
ルキル基、ベンジル基、または低級ヒドロキシアルキル
基を持つ第4級アンモニウム塩である。
適する界面活性化合物は、良好な乳化、分散および水和
性を有する非イオン性、陽イオン性および/又は陰イオ
ン性界面活性剤である。界面活性剤はまた界面活性剤の
混合物も意味するものと理解すべきである。陽イオン性
界面活性剤は主に、N置換体として8ないし22個の炭
素原子を有する少なくとも1個のアルキル基を含み、さ
らに他の置換基として低級ハロゲン化もしくは遊離のア
ルキル基、ベンジル基、または低級ヒドロキシアルキル
基を持つ第4級アンモニウム塩である。
【0074】適当な陰イオン性界面活性剤はいわゆる水
溶性石ケンまたは水溶性合成界面活性化合物である。
溶性石ケンまたは水溶性合成界面活性化合物である。
【0075】上記の石ケンは、高級脂肪酸(炭素原子数
10ないし22)のアルカリ金属塩、アルカリ土類金属
塩、または未置換または置換のアンモニウム塩、例えば
オレイン酸またはステアリン酸、或いは例えばココナッ
ツ油または獣脂から得られる天然脂肪酸混合物のナトリ
ウムまたはカリウム塩である。使用されうる合成表面活
性剤は特に、脂肪アルコールスルホネート、脂肪アルコ
ールスルフェート、スルホン化ベンズイミダゾール誘導
体またはアルキルスルホネートである。脂肪アルコール
スルホネート、または脂肪アルコールスルフェートは一
般に、アルカリ金属塩、アルカリ土類金属塩、または未
置換もしくは置換されたアンモニウム塩の形態であり、
8ないし22個の炭素原子を有するアルキル基を含む。
10ないし22)のアルカリ金属塩、アルカリ土類金属
塩、または未置換または置換のアンモニウム塩、例えば
オレイン酸またはステアリン酸、或いは例えばココナッ
ツ油または獣脂から得られる天然脂肪酸混合物のナトリ
ウムまたはカリウム塩である。使用されうる合成表面活
性剤は特に、脂肪アルコールスルホネート、脂肪アルコ
ールスルフェート、スルホン化ベンズイミダゾール誘導
体またはアルキルスルホネートである。脂肪アルコール
スルホネート、または脂肪アルコールスルフェートは一
般に、アルカリ金属塩、アルカリ土類金属塩、または未
置換もしくは置換されたアンモニウム塩の形態であり、
8ないし22個の炭素原子を有するアルキル基を含む。
【0076】適当な非イオン性表面活性剤は主に、脂肪
族または脂環式アルコール、飽和または不飽和脂肪酸お
よびアルキルフェノールのポリグリコール・エーテル誘
導体であり、該誘導体は3ないし30個のグリコール・
エーテル基、及び(脂肪族)炭化水素部分に8ないし2
0個の炭素原子、そしてアルキルフェノールのアルキル
部分に6ないし18個の炭素原子を含む。
族または脂環式アルコール、飽和または不飽和脂肪酸お
よびアルキルフェノールのポリグリコール・エーテル誘
導体であり、該誘導体は3ないし30個のグリコール・
エーテル基、及び(脂肪族)炭化水素部分に8ないし2
0個の炭素原子、そしてアルキルフェノールのアルキル
部分に6ないし18個の炭素原子を含む。
【0077】該組成物は、特別な効果を成すために安定
剤、消泡剤、粘度調節剤、結合剤、粘着付与剤および肥
料または他の有効成分を含むこともできる。
剤、消泡剤、粘度調節剤、結合剤、粘着付与剤および肥
料または他の有効成分を含むこともできる。
【0078】農薬製剤は一般に、式Iの有効成分を0.
1ないし99重量%、特に0.1ないし95重量%、固
体または液体補助剤99.9ないし1重量%、特に9
9.8ないし5重量%、及び表面活性剤0ないし25重
量%、特に0.1ないし25重量%を含む。
1ないし99重量%、特に0.1ないし95重量%、固
体または液体補助剤99.9ないし1重量%、特に9
9.8ないし5重量%、及び表面活性剤0ないし25重
量%、特に0.1ないし25重量%を含む。
【0079】以下の実施例は本発明をさらに詳しく説明
するものであるが、これに限定されるものではない。
するものであるが、これに限定されるものではない。
【実施例】1.製造実施例 実施例1.1:7−メチルスルホニルオキシメチルベン
ゾ−1,2,3−チアジアゾール(化合物番号1.2
0)の製造
ゾ−1,2,3−チアジアゾール(化合物番号1.2
0)の製造
【化67】 50mlの塩化メチレンに溶解された3.32gの7−
ヒドロキシメチルベンゾ−1,2,3−チアジアゾー
ル、3.1mlのトリエチルアミン及び0.2gの4−
ジメチルアミノピリジンの溶液に、冷却しながら−5℃
ないし0℃で、15mlのジクロロメタンに溶解された
2.23gのメタンスルホニルクロリドの溶液を滴下
し、該混合物を2時間、室温で攪拌する。その後、反応
混合物を氷水で処理し、ジクロロメタンを使用して数回
抽出する。反応した抽出物を水で洗浄し、乾燥し、蒸発
させる。シリカゲル(CH2 Cl2 )でのクロマトグラ
フィ精製で粘性樹脂として標記化合物を得る。
ヒドロキシメチルベンゾ−1,2,3−チアジアゾー
ル、3.1mlのトリエチルアミン及び0.2gの4−
ジメチルアミノピリジンの溶液に、冷却しながら−5℃
ないし0℃で、15mlのジクロロメタンに溶解された
2.23gのメタンスルホニルクロリドの溶液を滴下
し、該混合物を2時間、室温で攪拌する。その後、反応
混合物を氷水で処理し、ジクロロメタンを使用して数回
抽出する。反応した抽出物を水で洗浄し、乾燥し、蒸発
させる。シリカゲル(CH2 Cl2 )でのクロマトグラ
フィ精製で粘性樹脂として標記化合物を得る。
【0080】実施例1.2:ベンゾ−1,2,3−チア
ジアゾール−7−カルバルデヒド(化合物番号1.4)
の製造
ジアゾール−7−カルバルデヒド(化合物番号1.4)
の製造
【化68】 a)99gのベンゾ−1,2,3−チアジアゾール−7
−カルボン酸クロリドを1.2リットルの酢酸エチルに
溶解し、該混合物を0〜5℃で200mlのテトラヒド
ロフランに溶解された58.7gの2,6−ルチジンの
溶液、並びに33gのパラジウム/木炭触媒(5%P
d)で処理し、そして低圧(104 Pa)下、57gの
パラジウム/木炭触媒及び500mlのテトラヒドロフ
ランの全量を5回に分けてさらに添加して水素添加させ
る。その後、触媒をろ過して除去し、テトラヒドロフラ
ンで洗浄し、ろ液を蒸発させる。残渣をシリカゲル(C
H2 Cl2 )で精製し、融点134〜136℃の標記化
合物を得る。
−カルボン酸クロリドを1.2リットルの酢酸エチルに
溶解し、該混合物を0〜5℃で200mlのテトラヒド
ロフランに溶解された58.7gの2,6−ルチジンの
溶液、並びに33gのパラジウム/木炭触媒(5%P
d)で処理し、そして低圧(104 Pa)下、57gの
パラジウム/木炭触媒及び500mlのテトラヒドロフ
ランの全量を5回に分けてさらに添加して水素添加させ
る。その後、触媒をろ過して除去し、テトラヒドロフラ
ンで洗浄し、ろ液を蒸発させる。残渣をシリカゲル(C
H2 Cl2 )で精製し、融点134〜136℃の標記化
合物を得る。
【0081】b)100mlのクロロホルムに溶解され
た16.6gの7−ヒドロキシメチルベンゾ−1,2,
3−チアジアゾールの溶液に、攪拌しながら室温で、3
5gの二酸化マグネシウムを混合する。その間、内部温
度が一時的に31℃に上がる。温度が再び25℃に下が
ったとき、混合物を一晩、加熱し、還流する。他の5g
の二酸化マグネシウムを引続き添加し、反応が完了する
まで混合物の加熱を続ける。温混合物をHyfloでろ
過し、その後、濾液を蒸発させる。残渣を少量のヘキサ
ンで温浸し、次いでろ過し、融点134〜136℃の標
記化合物15g(91.4%)を得る。
た16.6gの7−ヒドロキシメチルベンゾ−1,2,
3−チアジアゾールの溶液に、攪拌しながら室温で、3
5gの二酸化マグネシウムを混合する。その間、内部温
度が一時的に31℃に上がる。温度が再び25℃に下が
ったとき、混合物を一晩、加熱し、還流する。他の5g
の二酸化マグネシウムを引続き添加し、反応が完了する
まで混合物の加熱を続ける。温混合物をHyfloでろ
過し、その後、濾液を蒸発させる。残渣を少量のヘキサ
ンで温浸し、次いでろ過し、融点134〜136℃の標
記化合物15g(91.4%)を得る。
【0082】実施例1.3:7−トリクロロメチルベン
ゾ−1,2,3−チアジアゾール(化合物番号1.2)
の製造
ゾ−1,2,3−チアジアゾール(化合物番号1.2)
の製造
【化69】 26gの五塩化リンを9.0gの7−カルボキシベンゾ
−1,2,3−チアジアゾール及び10.7gのベンゼ
ンホスホン酸ジクロリドに窒素環境下、攪拌しながら数
回に分けて混合する。次いで、該混合物(固体の形態で
存在する)を、溶融が約100℃で始まる間、160℃
に加熱する。混合物を160℃で16時間攪拌した後、
冷却し、注意深く氷に注ぎ、固体炭酸ナトリウムを使用
して混合物をアルカリ性にする。その後、酢酸エチルを
使用して数回抽出し、抽出物を水で洗浄し、Hyflo
でろ過し、濾液を蒸発させる。シリカゲルでの精製(比
率8:2までヘキサンに酢酸エチルの添加を増やす)に
より、融点67〜69℃の白色結晶を得る。
−1,2,3−チアジアゾール及び10.7gのベンゼ
ンホスホン酸ジクロリドに窒素環境下、攪拌しながら数
回に分けて混合する。次いで、該混合物(固体の形態で
存在する)を、溶融が約100℃で始まる間、160℃
に加熱する。混合物を160℃で16時間攪拌した後、
冷却し、注意深く氷に注ぎ、固体炭酸ナトリウムを使用
して混合物をアルカリ性にする。その後、酢酸エチルを
使用して数回抽出し、抽出物を水で洗浄し、Hyflo
でろ過し、濾液を蒸発させる。シリカゲルでの精製(比
率8:2までヘキサンに酢酸エチルの添加を増やす)に
より、融点67〜69℃の白色結晶を得る。
【0083】実施例1.4:7−ジクロロメチルベンゾ
−1,2,3−チアジアゾール(化合物番号1.1)の
製造
−1,2,3−チアジアゾール(化合物番号1.1)の
製造
【化70】 8.7mlの塩化チオニルを始めに混合し、0.5ml
のトリエチルアミンを冷却しながら添加し、次いで6.
6gのベンゾ−1,2,3−チアジアゾール−7−カル
バルデヒドを数回に分けて15〜20℃で混合し、混合
物を引続き45℃で1時間、その後さらに95℃で4時
間加熱する。その間、気体のわずかな発生が観察され
る。形成した透明溶液を引続き蒸発させ、残渣を塩化メ
チレンに溶解し、混合物を氷水で洗浄する。有機層を硫
酸ナトリウムで乾燥し、蒸発させる。残渣を酢酸エチル
/ヘキサンから再結晶し、融点131〜133℃の標記
化合物を得る。
のトリエチルアミンを冷却しながら添加し、次いで6.
6gのベンゾ−1,2,3−チアジアゾール−7−カル
バルデヒドを数回に分けて15〜20℃で混合し、混合
物を引続き45℃で1時間、その後さらに95℃で4時
間加熱する。その間、気体のわずかな発生が観察され
る。形成した透明溶液を引続き蒸発させ、残渣を塩化メ
チレンに溶解し、混合物を氷水で洗浄する。有機層を硫
酸ナトリウムで乾燥し、蒸発させる。残渣を酢酸エチル
/ヘキサンから再結晶し、融点131〜133℃の標記
化合物を得る。
【0084】実施例1.5:7−クロロメチルベンゾ−
1,2,3−チアジアゾール(中間体)の製造
1,2,3−チアジアゾール(中間体)の製造
【化71】 199.2gの実施例1.15の化合物を150mlの
塩化メチレン及び150mlのピリジンを5℃で溶解
し、反応容器に混合し、5〜10℃で3/4時間かけ
て、200mlの塩化メチレンに溶解された120ml
の塩化チオニルの溶液で冷却しながら処理する。次い
で、攪拌を室温で一晩続け、懸濁液を氷水に注ぎ、混合
物を塩化メチレンを使用して抽出する。抽出物を氷水で
洗浄し、硫酸ナトリウムを乾燥し、ろ過し、濾液を蒸発
させる。得られた標記化合物は78〜80℃で溶解す
る。
塩化メチレン及び150mlのピリジンを5℃で溶解
し、反応容器に混合し、5〜10℃で3/4時間かけ
て、200mlの塩化メチレンに溶解された120ml
の塩化チオニルの溶液で冷却しながら処理する。次い
で、攪拌を室温で一晩続け、懸濁液を氷水に注ぎ、混合
物を塩化メチレンを使用して抽出する。抽出物を氷水で
洗浄し、硫酸ナトリウムを乾燥し、ろ過し、濾液を蒸発
させる。得られた標記化合物は78〜80℃で溶解す
る。
【0085】実施例1.6:7−アセチルベンゾ−1,
2,3−チアジアゾール(化合物番号1.5)の製造
2,3−チアジアゾール(化合物番号1.5)の製造
【化72】 3mlのジエチルエーテルに溶解した0.59gのマグ
ネシウム削り屑を1滴の臭素で活性化し、5.5mlの
ジエチルエーテルに溶解した1.5mlの沃化メチレン
の溶液を攪拌しながら滴下する。発熱反応が静まったと
き、混合物を加熱し、さらに1.5時間、浴温度55℃
で保つ。得られた溶液を窒素環境下、攪拌しながら−1
0℃で滴下し、150mlの無水テトラヒドロフランに
溶解された4.9gのN−メチル−N−メトキシベンゾ
−1,2,3−チアジアゾール−7−カルボキサミドの
溶液に最初に混合する。−10℃で1時間攪拌し続けた
後、混合物を加熱し、浴温度75℃で6時間還流する。
次いで、反応混合物を冷却し、氷水に注ぎ、2N塩酸で
酸性化し、酢酸エチルを使用して数回抽出する。抽出物
を水で洗浄し、硫酸ナトリウムで乾燥し、蒸発させる。
残渣をシリカゲル(CHCl3 )で精製し、融点126
〜127℃の標記化合物を得る。
ネシウム削り屑を1滴の臭素で活性化し、5.5mlの
ジエチルエーテルに溶解した1.5mlの沃化メチレン
の溶液を攪拌しながら滴下する。発熱反応が静まったと
き、混合物を加熱し、さらに1.5時間、浴温度55℃
で保つ。得られた溶液を窒素環境下、攪拌しながら−1
0℃で滴下し、150mlの無水テトラヒドロフランに
溶解された4.9gのN−メチル−N−メトキシベンゾ
−1,2,3−チアジアゾール−7−カルボキサミドの
溶液に最初に混合する。−10℃で1時間攪拌し続けた
後、混合物を加熱し、浴温度75℃で6時間還流する。
次いで、反応混合物を冷却し、氷水に注ぎ、2N塩酸で
酸性化し、酢酸エチルを使用して数回抽出する。抽出物
を水で洗浄し、硫酸ナトリウムで乾燥し、蒸発させる。
残渣をシリカゲル(CHCl3 )で精製し、融点126
〜127℃の標記化合物を得る。
【0086】実施例1.7:7−カルボキシメチルベン
ゾ−1,2,3−チアジアゾール(化合物番号1.3
9)の製造
ゾ−1,2,3−チアジアゾール(化合物番号1.3
9)の製造
【化73】 1.9gの7−シアノベンゾ−1,2,3−チアジアゾ
ールを80mlの濃塩酸中、一晩加熱する。次いで混合
物を蒸発させ、少量の冷水で処理し、形成した固体をろ
過し、水で洗浄する。残渣を乾燥し、融点148〜15
0℃の標記化合物1.7gを得る。
ールを80mlの濃塩酸中、一晩加熱する。次いで混合
物を蒸発させ、少量の冷水で処理し、形成した固体をろ
過し、水で洗浄する。残渣を乾燥し、融点148〜15
0℃の標記化合物1.7gを得る。
【0087】実施例1.8:3−〔ベンゾ−1,2,3
−チアジアゾール−7−イル〕アクリル酸(化合物番号
1.98)の製造
−チアジアゾール−7−イル〕アクリル酸(化合物番号
1.98)の製造
【化74】 1.96gのベンゾ−1,2,3−チアジアゾール−7
−カルバルデヒド、1.24gのマロン酸および6ml
のピリジンの混合物を、120℃で26時間、、さらに
0.6gのマロン酸を4時間および7時間後に2回添加
して加熱する。次いで、混合物を冷却し、氷水に注ぎ、
濃塩酸で酸性化する。形成した沈澱物をろ過し、希水酸
化ナトリウム溶液に溶解し、混合物を塩化メチレンで3
回洗浄し、引続き水層をさらに塩酸を使用して酸性化す
る。得られた沈澱物をろ過し、水で洗浄し、真空で乾燥
し、融点199〜202℃の標記化合物11gを得る。
−カルバルデヒド、1.24gのマロン酸および6ml
のピリジンの混合物を、120℃で26時間、、さらに
0.6gのマロン酸を4時間および7時間後に2回添加
して加熱する。次いで、混合物を冷却し、氷水に注ぎ、
濃塩酸で酸性化する。形成した沈澱物をろ過し、希水酸
化ナトリウム溶液に溶解し、混合物を塩化メチレンで3
回洗浄し、引続き水層をさらに塩酸を使用して酸性化す
る。得られた沈澱物をろ過し、水で洗浄し、真空で乾燥
し、融点199〜202℃の標記化合物11gを得る。
【0088】実施例1.9:7−シアノメチルベンゾ−
1,2,3−チアジアゾール(化合物番号1.38)の
製造
1,2,3−チアジアゾール(化合物番号1.38)の
製造
【化75】 18.4gの7−クロロメチルベンゾ−1,2,3−チ
アジアゾールを50mlのクロロホルムに溶解し、0.
5gのテトラブチルアンモニウム沃化物を添加し、混合
物を50〜55℃に加熱し、0.5時間かけて、20m
lの水に溶解された5.6gのシアン化ナトリウムの溶
液で攪拌しながら処理する。加熱を同じ温度で一晩続
け、翌日、混合物を冷却し、水で処理し、数回ジクロロ
メタンを使用して抽出する。抽出物を水で洗浄し、硫酸
ナトリウムで乾燥し、Hyfloでろ過し、濾液を蒸発
させる。残渣をシリカゲル(ヘキサン/酢酸エチル)で
精製し、融点78〜80℃の標記化合物を得る。
アジアゾールを50mlのクロロホルムに溶解し、0.
5gのテトラブチルアンモニウム沃化物を添加し、混合
物を50〜55℃に加熱し、0.5時間かけて、20m
lの水に溶解された5.6gのシアン化ナトリウムの溶
液で攪拌しながら処理する。加熱を同じ温度で一晩続
け、翌日、混合物を冷却し、水で処理し、数回ジクロロ
メタンを使用して抽出する。抽出物を水で洗浄し、硫酸
ナトリウムで乾燥し、Hyfloでろ過し、濾液を蒸発
させる。残渣をシリカゲル(ヘキサン/酢酸エチル)で
精製し、融点78〜80℃の標記化合物を得る。
【0089】実施例1.10:エチル3−〔ベンゾ−
1,2,3−チアジアゾリル〕−3−オキソ−2,2−
ジエトキシプロピオネート(化合物番号1.64)の製
造
1,2,3−チアジアゾリル〕−3−オキソ−2,2−
ジエトキシプロピオネート(化合物番号1.64)の製
造
【化76】 71.5gのベンゾ−1,2,3−チアジアゾール−7
−カルボン酸クロリド及び88.1gのテトラエトキシ
エチレンを180mlのトルエン中、17時間還流す
る。次いで、混合物を冷却し、炭酸水素ナトリウム溶液
及び水で洗浄し、硫酸ナトリウムで乾燥し、蒸発する。
固体残渣を温テトラヒドロフランに溶解し、ヘキサンで
攪拌しながら沈澱させる。これにより融点123〜12
5℃の標記化合物61.5gを得る。
−カルボン酸クロリド及び88.1gのテトラエトキシ
エチレンを180mlのトルエン中、17時間還流す
る。次いで、混合物を冷却し、炭酸水素ナトリウム溶液
及び水で洗浄し、硫酸ナトリウムで乾燥し、蒸発する。
固体残渣を温テトラヒドロフランに溶解し、ヘキサンで
攪拌しながら沈澱させる。これにより融点123〜12
5℃の標記化合物61.5gを得る。
【0090】実施例1.11:7−トリフルオロメチル
ベンゾ−1,2,3−チアジアゾールの製造
ベンゾ−1,2,3−チアジアゾールの製造
【化77】 100mlのジオキサンに溶解した38.8gの3,5
−ジアミノ−3−ベンジルチオベンゾトリフルオライド
を、0℃で勢いよく攪拌し、冷却しながら195mlの
5N塩酸に滴下する。引続き、混合物を−15℃に冷却
し、液面の高さ以下で、150mlの水に溶解した1
8.6gの硝酸ナトリウムで処理する。引続き、赤色溶
液を−5℃で6時間攪拌し、最終的に−10℃に冷却さ
れたホスフィン酸(71ml)に攪拌しながら注ぐ。混
合物を室温に一晩、攪拌しながら冷却させ、翌日、混合
物を数回、塩化メチレンを使用して抽出し、抽出物を水
で洗浄し、硫酸ナトリウムで乾燥し、蒸発する。80℃
/7.8Paでバルブチューブを使用して蒸留を繰り返
すことにより、油状残渣を塩化ベンジルから遊離する。
−ジアミノ−3−ベンジルチオベンゾトリフルオライド
を、0℃で勢いよく攪拌し、冷却しながら195mlの
5N塩酸に滴下する。引続き、混合物を−15℃に冷却
し、液面の高さ以下で、150mlの水に溶解した1
8.6gの硝酸ナトリウムで処理する。引続き、赤色溶
液を−5℃で6時間攪拌し、最終的に−10℃に冷却さ
れたホスフィン酸(71ml)に攪拌しながら注ぐ。混
合物を室温に一晩、攪拌しながら冷却させ、翌日、混合
物を数回、塩化メチレンを使用して抽出し、抽出物を水
で洗浄し、硫酸ナトリウムで乾燥し、蒸発する。80℃
/7.8Paでバルブチューブを使用して蒸留を繰り返
すことにより、油状残渣を塩化ベンジルから遊離する。
【0091】実施例1.12:3,5−ジアミノ−2−
ベンジルチオベンゾトリフルオライド(中間体)の製造
ベンジルチオベンゾトリフルオライド(中間体)の製造
【化78】 30mlのテトラヒドロフランに溶解された3gの2−
ベンジルチオ−3,5−ジニトロベンゾトリフルオライ
ドをガラス水素化装置中、室温で22時間、3gのラネ
イニッケルを使用して水素化する。生成のため、触媒を
ろ過により除去し、テトラヒドロフランで洗浄し、濾液
を蒸発させ、残渣を直接、粗生成物(茶色の液体)とし
て加工する。
ベンジルチオ−3,5−ジニトロベンゾトリフルオライ
ドをガラス水素化装置中、室温で22時間、3gのラネ
イニッケルを使用して水素化する。生成のため、触媒を
ろ過により除去し、テトラヒドロフランで洗浄し、濾液
を蒸発させ、残渣を直接、粗生成物(茶色の液体)とし
て加工する。
【0092】実施例1.13:2−ベンジルチオ−3,
5−ジニトロベンゾトリフルオライド(中間体)の製造
5−ジニトロベンゾトリフルオライド(中間体)の製造
【化79】 67.6gの2−クロロ−3,5−ジニトロベンゾトリ
フルオライドを150mlのN,N−ジメチルホルムア
ミド(DMF)に溶解し、混合物を35.9gの固体炭
酸カリウムで処理し、200mlのDMFに溶解した3
1gのベンジルメルカプタンで攪拌しながら0℃で処理
し、引続き、室温でさらに16時間攪拌し、冷却する。
次いで、反応混合物を氷水で処理し、数回塩化メチレン
を使用して抽出する。抽出物を水で洗浄し、乾燥し、蒸
発させる。残渣をヘキサンで加熱しながら温浸し、混合
物をろ過する。これにより、融点93〜95℃の黄色結
晶を得る。
フルオライドを150mlのN,N−ジメチルホルムア
ミド(DMF)に溶解し、混合物を35.9gの固体炭
酸カリウムで処理し、200mlのDMFに溶解した3
1gのベンジルメルカプタンで攪拌しながら0℃で処理
し、引続き、室温でさらに16時間攪拌し、冷却する。
次いで、反応混合物を氷水で処理し、数回塩化メチレン
を使用して抽出する。抽出物を水で洗浄し、乾燥し、蒸
発させる。残渣をヘキサンで加熱しながら温浸し、混合
物をろ過する。これにより、融点93〜95℃の黄色結
晶を得る。
【0093】実施例1.14:エチルベンゾ−1,2,
3−チアジアゾール−7−カルボキシイミデート塩酸塩
(中間体)の製造
3−チアジアゾール−7−カルボキシイミデート塩酸塩
(中間体)の製造
【化80】 7.2gの7−シアノベンゾ−1,2,3−チアジアゾ
ールを45℃で60mlの無水エタノール及び20ml
のテトラヒドロフランに溶解し、溶液を0℃に冷却し、
気体状の塩酸で1時間かけて0℃ないし15℃で、湿気
を除いて飽和させる。次いで反応混合物を24時間、冷
蔵庫に貯蔵し、70mlの無水ジエチルエーテルで処理
し、さらに4日間、冷蔵庫でそのままにしておく。次い
で固体をろ過し、ジエチルエーテルで洗浄し、乾燥す
る。これにより、融点270〜272℃のベージュ色結
晶の形態で9.4gの化合物5.2を得る。
ールを45℃で60mlの無水エタノール及び20ml
のテトラヒドロフランに溶解し、溶液を0℃に冷却し、
気体状の塩酸で1時間かけて0℃ないし15℃で、湿気
を除いて飽和させる。次いで反応混合物を24時間、冷
蔵庫に貯蔵し、70mlの無水ジエチルエーテルで処理
し、さらに4日間、冷蔵庫でそのままにしておく。次い
で固体をろ過し、ジエチルエーテルで洗浄し、乾燥す
る。これにより、融点270〜272℃のベージュ色結
晶の形態で9.4gの化合物5.2を得る。
【0094】実施例1.15:7−ヒドロキシメチルベ
ンゾ−1,2,3−チアジアゾール(中間体)の製造
ンゾ−1,2,3−チアジアゾール(中間体)の製造
【化81】 420mlのテトラヒドロフランに溶解された54gの
カルボキシベンゾ−1,2,3−チアジアゾールの懸濁
液に、窒素環境下、攪拌しながら室温で110mlのホ
ウ酸トリエチルを滴下し、混合物をさらに1時間攪拌
し、引続き60mlのテトラヒドロフランに溶解した4
5.6mlのボルナンジメチルスルフィド錯体で穏やか
に冷却しながら処理する。その間、気体が勢いよく発生
する。混合物を一晩攪拌し、室温でそのままにし、次い
で5〜10℃に冷却し、気体が勢いよく発生する間、攪
拌および勢いよく冷却しながら200mlのメタノール
で処理する。引続き、混合物を真空で蒸発させ、さらに
300mlのメタノールを添加し、混合物を再蒸発させ
る。残渣をシリカゲル(溶媒:酢酸エチル/ヘキサン)
で精製し、得られた生成物を酢酸エチル/ヘキサンから
再結晶する。得られた標記化合物は79〜81℃で溶解
する。
カルボキシベンゾ−1,2,3−チアジアゾールの懸濁
液に、窒素環境下、攪拌しながら室温で110mlのホ
ウ酸トリエチルを滴下し、混合物をさらに1時間攪拌
し、引続き60mlのテトラヒドロフランに溶解した4
5.6mlのボルナンジメチルスルフィド錯体で穏やか
に冷却しながら処理する。その間、気体が勢いよく発生
する。混合物を一晩攪拌し、室温でそのままにし、次い
で5〜10℃に冷却し、気体が勢いよく発生する間、攪
拌および勢いよく冷却しながら200mlのメタノール
で処理する。引続き、混合物を真空で蒸発させ、さらに
300mlのメタノールを添加し、混合物を再蒸発させ
る。残渣をシリカゲル(溶媒:酢酸エチル/ヘキサン)
で精製し、得られた生成物を酢酸エチル/ヘキサンから
再結晶する。得られた標記化合物は79〜81℃で溶解
する。
【0095】実施例1.16:6−クロロ−7−ヒドロ
キシメチルベンゾ−1,2,3−チアジアゾール(中間
体)の製造
キシメチルベンゾ−1,2,3−チアジアゾール(中間
体)の製造
【化82】 30mlの水および70mlのテトラヒドロフランに溶
解された4.5gの水素化ホウ素ナトリウムの懸濁液
に、1時間半かけて攪拌及び40〜50℃に加熱しなが
ら30mlのテトラヒドロフランに溶解された1.9g
の6−クロロ−7−カルボメトキシベンゾ−1,2,3
−チアジアゾールの溶液(温条件で溶解)を滴下する。
混合物の加熱を、反応が完了するまで続け、次いで、混
合物を−20ないし−30℃にCO2 冷却浴を使用して
冷却し、15mlのアセトンで処理する。その間、気体
が勢いよく発生する。引続き、反応混合物を15%塩酸
を使用してpH3にし、さらに−20℃ないし−10℃
(気体の発生)に勢いよく冷却し、攪拌を一晩続ける。
ほとんどのテトラヒドロフランはロータリーエバポレー
ターで蒸発され、残渣を酢酸エチルを使用して抽出す
る。抽出物を水で洗浄し、硫酸ナトリウムで乾燥し、蒸
発する。残渣は融点138〜140℃の標記化合物を得
る。
解された4.5gの水素化ホウ素ナトリウムの懸濁液
に、1時間半かけて攪拌及び40〜50℃に加熱しなが
ら30mlのテトラヒドロフランに溶解された1.9g
の6−クロロ−7−カルボメトキシベンゾ−1,2,3
−チアジアゾールの溶液(温条件で溶解)を滴下する。
混合物の加熱を、反応が完了するまで続け、次いで、混
合物を−20ないし−30℃にCO2 冷却浴を使用して
冷却し、15mlのアセトンで処理する。その間、気体
が勢いよく発生する。引続き、反応混合物を15%塩酸
を使用してpH3にし、さらに−20℃ないし−10℃
(気体の発生)に勢いよく冷却し、攪拌を一晩続ける。
ほとんどのテトラヒドロフランはロータリーエバポレー
ターで蒸発され、残渣を酢酸エチルを使用して抽出す
る。抽出物を水で洗浄し、硫酸ナトリウムで乾燥し、蒸
発する。残渣は融点138〜140℃の標記化合物を得
る。
【0096】実施例1.17:2−(ベンゾ−1,2,
3−チアジアゾリル)−2−ヒドロキシイミノアセトニ
トリル(化合物番号1.127)の製造
3−チアジアゾリル)−2−ヒドロキシイミノアセトニ
トリル(化合物番号1.127)の製造
【化83】 5mlの無水ジエチルエーテルに溶解された0.36g
の第三ブチル化カリウムの懸濁液を、−5℃で10分か
けて10mlの無水テトラヒドロフランに溶解された
0.5gの7−シアノメチルベンゾ−1,2,3−チア
ジアゾール及び0.43mlのイソアミルニトリルの溶
液で処理し、16時間、さらに16時間及び8時間の間
隔で添加されるべき0.43mlずつのイソアミルニト
リルを3回添加しながら室温で48時間攪拌する。次い
で、混合物を氷水で希釈し、1Nの塩酸で酸性化し、酢
酸エチルで抽出する。抽出物を水で洗浄し、硫酸ナトリ
ウムで乾燥し、蒸発する。シリカゲル(酢酸エチル/ヘ
キサン1:2)による残渣のクロマトグラフィは融点2
49〜253℃の標記化合物を得る。
の第三ブチル化カリウムの懸濁液を、−5℃で10分か
けて10mlの無水テトラヒドロフランに溶解された
0.5gの7−シアノメチルベンゾ−1,2,3−チア
ジアゾール及び0.43mlのイソアミルニトリルの溶
液で処理し、16時間、さらに16時間及び8時間の間
隔で添加されるべき0.43mlずつのイソアミルニト
リルを3回添加しながら室温で48時間攪拌する。次い
で、混合物を氷水で希釈し、1Nの塩酸で酸性化し、酢
酸エチルで抽出する。抽出物を水で洗浄し、硫酸ナトリ
ウムで乾燥し、蒸発する。シリカゲル(酢酸エチル/ヘ
キサン1:2)による残渣のクロマトグラフィは融点2
49〜253℃の標記化合物を得る。
【0097】実施例1.18:7−(1,1,1−トリ
クロロ−2−ヒドロキシ(エチル)ベンゾ−1,2,3
−チアジアゾール(化合物番号1.108)の製造
クロロ−2−ヒドロキシ(エチル)ベンゾ−1,2,3
−チアジアゾール(化合物番号1.108)の製造
【化84】 20mlのヘキサメチルホスホン酸トリアミドに溶解さ
れた5.8gのトリクロロ酢酸及び2.6gの7−ホル
ミルベンゾ−1,2,3−チアジアゾールの混合物を7
0℃で4時間加熱する。その間、CO2 の発生を伴いな
がら固体が素早く溶解する。次いで、混合物を冷却し、
氷水に注ぎ、酢酸エチルで抽出する。抽出物を水で洗浄
し、乾燥し、蒸発する。残渣を酢酸エチル/ヘキサンか
ら再結晶して、融点163〜165℃の標記化合物を得
る。
れた5.8gのトリクロロ酢酸及び2.6gの7−ホル
ミルベンゾ−1,2,3−チアジアゾールの混合物を7
0℃で4時間加熱する。その間、CO2 の発生を伴いな
がら固体が素早く溶解する。次いで、混合物を冷却し、
氷水に注ぎ、酢酸エチルで抽出する。抽出物を水で洗浄
し、乾燥し、蒸発する。残渣を酢酸エチル/ヘキサンか
ら再結晶して、融点163〜165℃の標記化合物を得
る。
【0098】実施例1.19:7−アミノメチルベンゾ
−1,2,3−チアジアゾール(化合物番号1.11
0)の製造
−1,2,3−チアジアゾール(化合物番号1.11
0)の製造
【化85】 水素化容器中、150mlのメタノールに溶解された1
4.5gの7−シアノベンゾ−1,2,3−チアジアゾ
ールの溶液を、4.4gのラネイニッケル及び15gの
液体窒素で処理する。引続き、水素を注入し、容器を加
熱し、水素がもはや集められなくなるまで混合物を60
℃及び107 Paの一定の水素圧で水素化する。次いで
混合物を冷却し、触媒をろ過により除去し、濾液を蒸発
し、及びシリカゲル(ヘキサン/酢酸エチル2:1)に
よるクロマトグラフィし、融点136〜139℃の標記
化合物を得る。
4.5gの7−シアノベンゾ−1,2,3−チアジアゾ
ールの溶液を、4.4gのラネイニッケル及び15gの
液体窒素で処理する。引続き、水素を注入し、容器を加
熱し、水素がもはや集められなくなるまで混合物を60
℃及び107 Paの一定の水素圧で水素化する。次いで
混合物を冷却し、触媒をろ過により除去し、濾液を蒸発
し、及びシリカゲル(ヘキサン/酢酸エチル2:1)に
よるクロマトグラフィし、融点136〜139℃の標記
化合物を得る。
【0099】実施例1.20:7−トリクロロアセチル
ベンゾ−1,2,3−チアジアゾール(化合物番号1.
107)の製造
ベンゾ−1,2,3−チアジアゾール(化合物番号1.
107)の製造
【化86】 30mlのクロロホルムに溶解された2.8gの7−
(1,1,1−トリクロロ−2−ヒドロキシエチ−2−
イル)ベンゾ−1,2,3−チアジアゾールの溶液を、
5gの二酸化マグネシウムで処理し、攪拌しながら16
時間還流する。さらに5g及び3gの二酸化マグネシウ
ムを、16時間および8時間の間隔でそれぞれ添加す
る。40時間後、混合物を冷却し、Hyfloで2回ろ
過し、濾液を蒸発し、シリカゲル(ヘキサン/酢酸エチ
ル7:3)を使用して精製し、屈折率nD 26=1.61
78の標記化合物を得る。
(1,1,1−トリクロロ−2−ヒドロキシエチ−2−
イル)ベンゾ−1,2,3−チアジアゾールの溶液を、
5gの二酸化マグネシウムで処理し、攪拌しながら16
時間還流する。さらに5g及び3gの二酸化マグネシウ
ムを、16時間および8時間の間隔でそれぞれ添加す
る。40時間後、混合物を冷却し、Hyfloで2回ろ
過し、濾液を蒸発し、シリカゲル(ヘキサン/酢酸エチ
ル7:3)を使用して精製し、屈折率nD 26=1.61
78の標記化合物を得る。
【0100】実施例1.21:7−アセチルチオメチル
ベンゾ−1,2,3−チアジアゾール(化合物番号1.
113)の製造
ベンゾ−1,2,3−チアジアゾール(化合物番号1.
113)の製造
【化87】 20℃で攪拌した20mlの無水ジメチルスルホキシド
に溶解された2.2gのチオ酢酸カリウムの溶液を、攪
拌しながら10mlのジメチルスルホキシドに溶解され
た2.8gの7−クロロメチル−1,2,3−チアジア
ゾールで処理する。その間、内部温度が37℃に上が
る。引続き、混合物を室温で一晩攪拌し、翌日、氷水に
注ぎ、酢酸エチルを使用して抽出する。抽出物を5回水
で洗浄し、硫酸ナトリウムで乾燥し、蒸発する。残った
残渣を真空で蒸留し、屈折率nD 27=1.6478の油
状物を得る。
に溶解された2.2gのチオ酢酸カリウムの溶液を、攪
拌しながら10mlのジメチルスルホキシドに溶解され
た2.8gの7−クロロメチル−1,2,3−チアジア
ゾールで処理する。その間、内部温度が37℃に上が
る。引続き、混合物を室温で一晩攪拌し、翌日、氷水に
注ぎ、酢酸エチルを使用して抽出する。抽出物を5回水
で洗浄し、硫酸ナトリウムで乾燥し、蒸発する。残った
残渣を真空で蒸留し、屈折率nD 27=1.6478の油
状物を得る。
【0101】実施例1.22:7−ジメトキシメチルベ
ンゾ−1,2,3−チアジアゾール(化合物番号1.1
2)の製造
ンゾ−1,2,3−チアジアゾール(化合物番号1.1
2)の製造
【化88】 50mlのメタノールに溶解された3.3gの7−ホル
ミルベンゾ−1,2,3−チアジアゾールおよび0.2
gのp−トルエンスルホン酸の溶液を、モレキュラシー
ブA4 を詰めたソックスレー装置中で、6時間還流す
る。次いで、混合物を冷却し、固体の炭酸カリウムを使
用して塩基性にし、Hyfloでろ過し、蒸発する。残
渣をヘキサン/酢酸エチル(1:1)を使用してシリカ
ゲルで精製し、屈折率nD 21=1.5750の標記化合
物を得る。
ミルベンゾ−1,2,3−チアジアゾールおよび0.2
gのp−トルエンスルホン酸の溶液を、モレキュラシー
ブA4 を詰めたソックスレー装置中で、6時間還流す
る。次いで、混合物を冷却し、固体の炭酸カリウムを使
用して塩基性にし、Hyfloでろ過し、蒸発する。残
渣をヘキサン/酢酸エチル(1:1)を使用してシリカ
ゲルで精製し、屈折率nD 21=1.5750の標記化合
物を得る。
【0102】実施例1.23:ベンゾ−1,2,3−チ
アジアゾール−7−N−メトキヒドロキサム酸(化合物
番号1.112)の製造
アジアゾール−7−N−メトキヒドロキサム酸(化合物
番号1.112)の製造
【化89】 −5℃で攪拌した2.4gのO−メチルヒドロキシルア
ミン塩酸塩、4.5gの炭酸カリウムおよび20mlの
ジクロロメタンの懸濁液を、冷却および攪拌しながら、
25mlのジクロロメタンに溶解された4.96gのベ
ンゾ−1,2,3−チアジアゾール−7−カルボン酸ク
ロリドの溶液で処理する。混合物を室温で一晩攪拌し、
ろ過し、濾液を蒸発する。残渣をシリカゲル(酢酸エチ
ル/テトラヒドロフラン1:1)で洗浄する。これによ
り融点188〜190℃の標記化合物を得る。
ミン塩酸塩、4.5gの炭酸カリウムおよび20mlの
ジクロロメタンの懸濁液を、冷却および攪拌しながら、
25mlのジクロロメタンに溶解された4.96gのベ
ンゾ−1,2,3−チアジアゾール−7−カルボン酸ク
ロリドの溶液で処理する。混合物を室温で一晩攪拌し、
ろ過し、濾液を蒸発する。残渣をシリカゲル(酢酸エチ
ル/テトラヒドロフラン1:1)で洗浄する。これによ
り融点188〜190℃の標記化合物を得る。
【0103】実施例1.24:7−メトキシメチルベン
ゾ−1,2,3−チアジアゾール(化合物番号1.7)
の製造
ゾ−1,2,3−チアジアゾール(化合物番号1.7)
の製造
【化90】 15mlの無水ジメチルスルホキシドに溶解された1.
4gの水素化ナトリウム〕(油中50%の分散液)を反
応容器中に混合し、15mlのテトラヒドロフランに溶
解された4.15gの7−ヒドロキシメチルベンゾ−
1,2,3−チアジアゾールの溶液を、0〜5℃で窒素
環境下、攪拌しながら添加する。その間、水素が発生し
ている。10℃で20分間攪拌した後、混合物を0〜5
℃に冷却し、15mlのテトラヒドロフランに溶解され
た4gの沃化メチルの溶液を滴下する。攪拌を室温でさ
らに1時間続け、混合物を冷却し、氷水で処理し、希塩
酸で中和し、酢酸エチルで抽出する。抽出物を水で冷却
し、硫酸ナトリウムで乾燥し、蒸発し、残渣を高圧で乾
燥して、nD 27=1.5912の黄色油状物の形態で標
記化合物を得る。
4gの水素化ナトリウム〕(油中50%の分散液)を反
応容器中に混合し、15mlのテトラヒドロフランに溶
解された4.15gの7−ヒドロキシメチルベンゾ−
1,2,3−チアジアゾールの溶液を、0〜5℃で窒素
環境下、攪拌しながら添加する。その間、水素が発生し
ている。10℃で20分間攪拌した後、混合物を0〜5
℃に冷却し、15mlのテトラヒドロフランに溶解され
た4gの沃化メチルの溶液を滴下する。攪拌を室温でさ
らに1時間続け、混合物を冷却し、氷水で処理し、希塩
酸で中和し、酢酸エチルで抽出する。抽出物を水で冷却
し、硫酸ナトリウムで乾燥し、蒸発し、残渣を高圧で乾
燥して、nD 27=1.5912の黄色油状物の形態で標
記化合物を得る。
【0104】実施例1.25:7−オキシイミノベンゾ
−1,2,3−チアジアゾール(化合物番号1.65)
の製造
−1,2,3−チアジアゾール(化合物番号1.65)
の製造
【化91】 70mlの無水メタノールに溶解した4.9gの7−ホ
ルミルベンゾ−1,2,3−チアジアゾールの溶液を
2.1gのヒドロキシルアミン塩酸塩および2.4gの
酢酸ナトリウムの溶液で処理し、混合物を70℃で6時
間保つ。次いで溶媒のほとんどを真空で蒸発させ、残渣
を氷水で処理し、沈澱をろ過し、水で洗浄し、乾燥し、
融点230〜231℃(分解)の標記化合物を得る。解
する。
ルミルベンゾ−1,2,3−チアジアゾールの溶液を
2.1gのヒドロキシルアミン塩酸塩および2.4gの
酢酸ナトリウムの溶液で処理し、混合物を70℃で6時
間保つ。次いで溶媒のほとんどを真空で蒸発させ、残渣
を氷水で処理し、沈澱をろ過し、水で洗浄し、乾燥し、
融点230〜231℃(分解)の標記化合物を得る。解
する。
【0105】実施例1.26:7−メトキシイミノベン
ゾ−1,2,3−チアジアゾール(化合物番号1.6
6)の製造
ゾ−1,2,3−チアジアゾール(化合物番号1.6
6)の製造
【化92】 10mlのジメチルスルホキシド及び10mlのテトラ
ヒドロフランに溶解した0.92gの水素化ナトリウム
の懸濁液(油中50%の分散液)を窒素環境下、攪拌し
ながら0〜10℃で、10mlのテトラヒドロフランに
溶解した3.0gの7−オキシイミノベンゾ−1,2,
3−チアジアゾールの溶液で処理し、15〜20℃で
0.5時間攪拌した後、10mlのテトラヒドロフラン
に溶解した2.7gの沃化メチルで処理する。室温で5
時間攪拌した後、混合物を氷水で処理し、沃化メチレン
で抽出し、抽出物を水で洗浄し、乾燥する。蒸発後に残
った残渣をヘキサンで温浸し、融点121〜123℃の
薄い黄色結晶を得る。
ヒドロフランに溶解した0.92gの水素化ナトリウム
の懸濁液(油中50%の分散液)を窒素環境下、攪拌し
ながら0〜10℃で、10mlのテトラヒドロフランに
溶解した3.0gの7−オキシイミノベンゾ−1,2,
3−チアジアゾールの溶液で処理し、15〜20℃で
0.5時間攪拌した後、10mlのテトラヒドロフラン
に溶解した2.7gの沃化メチルで処理する。室温で5
時間攪拌した後、混合物を氷水で処理し、沃化メチレン
で抽出し、抽出物を水で洗浄し、乾燥する。蒸発後に残
った残渣をヘキサンで温浸し、融点121〜123℃の
薄い黄色結晶を得る。
【0106】実施例1.27:7−(3−トリフルオロ
メチルフェニルイミノ)ベンゾ−1,2,3−チアジア
ゾール(化合物番号1.79)の製造
メチルフェニルイミノ)ベンゾ−1,2,3−チアジア
ゾール(化合物番号1.79)の製造
【化93】 2.46gの7−ホルミルベンゾ−1,2,3−チアジ
アゾール及び2.41gの3−アミノベンゾトリフルオ
ライドの溶液を、室温で16時間、50mlのトルエン
に溶解したスパチュラの先端分のp−トルエンスルホン
酸及び約5gのモレキュラシーブA4 で攪拌する。その
後、混合物をろ過し、濾液を蒸発させ、残渣をヘキサン
で洗浄し、乾燥して、融点120〜122℃の標記化合
物を得る。
アゾール及び2.41gの3−アミノベンゾトリフルオ
ライドの溶液を、室温で16時間、50mlのトルエン
に溶解したスパチュラの先端分のp−トルエンスルホン
酸及び約5gのモレキュラシーブA4 で攪拌する。その
後、混合物をろ過し、濾液を蒸発させ、残渣をヘキサン
で洗浄し、乾燥して、融点120〜122℃の標記化合
物を得る。
【0107】実施例1.28:ベンゾ−1,2,3−チ
アジアゾール−7−カルバルデヒドの2,4,6−トリ
クロロフェニルヒドラゾン(化合物番号1.89)の製
造
アジアゾール−7−カルバルデヒドの2,4,6−トリ
クロロフェニルヒドラゾン(化合物番号1.89)の製
造
【化94】 2.11gの2,4,6−トリクロロフェニルヒドラジ
ンを温条件下で30mlのメタノール及び20mlのテ
トラヒドロフランに溶解し、混合物を40℃に冷却し、
2.46gのベンゾ−1,2,3−チアジアゾール−7
−カルバルデヒドの溶液と一緒に、10mlのメタノー
ルに攪拌しながら注ぐ。室温で4時間攪拌した後、8m
lの氷酢酸を添加し、反応が完了するまで40℃で攪拌
を続ける。その後、混合物をろ過し、メタノールで洗浄
し、乾燥し、ベージュ色の固体(融点>250℃)の標
記化合物を得る。
ンを温条件下で30mlのメタノール及び20mlのテ
トラヒドロフランに溶解し、混合物を40℃に冷却し、
2.46gのベンゾ−1,2,3−チアジアゾール−7
−カルバルデヒドの溶液と一緒に、10mlのメタノー
ルに攪拌しながら注ぐ。室温で4時間攪拌した後、8m
lの氷酢酸を添加し、反応が完了するまで40℃で攪拌
を続ける。その後、混合物をろ過し、メタノールで洗浄
し、乾燥し、ベージュ色の固体(融点>250℃)の標
記化合物を得る。
【0108】実施例1.29:ベンゾ−1,2,3−チ
アジアゾール−7−(N−ヒドロキシカルボジイミド
(アミド))(化合物番号1.106)の製造
アジアゾール−7−(N−ヒドロキシカルボジイミド
(アミド))(化合物番号1.106)の製造
【化95】 5.0gの7−シアノベンゾ−1,2,3−チアジアゾ
ールの溶液を反応容器に混合し、34mlのエタノール
及び16mlの水に溶解した2.5gのヒドロキシルア
ミン塩酸塩を6.4gの炭酸カリウムで処理する。その
間、CO2 を穏やかに発生しながら内部温度が24ない
し36℃に上げる。室温で1時間半攪拌した後、混合物
をさらに3時間還流し、形成された懸濁液を氷水で処理
し、固体をろ過し、水及び少量のジエチルエーテルで洗
浄する。沈澱物は融点209〜211℃の標記化合物に
相当する。
ールの溶液を反応容器に混合し、34mlのエタノール
及び16mlの水に溶解した2.5gのヒドロキシルア
ミン塩酸塩を6.4gの炭酸カリウムで処理する。その
間、CO2 を穏やかに発生しながら内部温度が24ない
し36℃に上げる。室温で1時間半攪拌した後、混合物
をさらに3時間還流し、形成された懸濁液を氷水で処理
し、固体をろ過し、水及び少量のジエチルエーテルで洗
浄する。沈澱物は融点209〜211℃の標記化合物に
相当する。
【0109】実施例1.30:7−ブロモアセチルベン
ゾ−1,2,3−チアジアゾール(化合物番号1.12
5)の製造 0.9gの7−アセチルベンゾ−1,2,3−チアジア
ゾールの溶液を20mlのクロロホルムに溶解し、0.
88gの臭素を室温で滴下する。次いで、攪拌を同じ温
度で2時間続ける。その間、黄色沈澱が形成する。沈澱
をろ過し、ヘキサンで洗浄し、乾燥する。このように得
られた標記化合物は155〜157℃で溶解する。
ゾ−1,2,3−チアジアゾール(化合物番号1.12
5)の製造 0.9gの7−アセチルベンゾ−1,2,3−チアジア
ゾールの溶液を20mlのクロロホルムに溶解し、0.
88gの臭素を室温で滴下する。次いで、攪拌を同じ温
度で2時間続ける。その間、黄色沈澱が形成する。沈澱
をろ過し、ヘキサンで洗浄し、乾燥する。このように得
られた標記化合物は155〜157℃で溶解する。
【0110】実施例1.31:N,N’−ジフェニル−
C−〔ベンゾ−1,2,3−チアジアゾール−7’−イ
ル〕ホルマザン(化合物番号4.1)の製造 1.65gのアニリンを0℃で、2.2mlの水に溶解
した1.25gの硝酸ナトリウムの溶液を使用して、4
mlの塩酸(30%)及び1.8gの氷の存在下、ジア
ゾ化する。60mlのピリジン及び90mlのエタノー
ルに溶解した4.6gのベンゾ−1,2,3−チアジア
ゾール−7−カルバルデヒドフェニルヒドラゾンの溶液
を反応容器に混合し、ジアゾニウム塩溶液を攪拌および
−5℃ないし0℃に冷却しながら滴下し、反応混合物を
室温でさらに18時間攪拌する。引続き、混合物を真空
で濃縮し、酢酸エチルで抽出する。抽出物を水で洗浄
し、乾燥し、蒸発する。残渣をシリカゲル(酢酸エチル
/ヘキサン9:1)で精製し、融点185〜187℃の
標記化合物を得る。
C−〔ベンゾ−1,2,3−チアジアゾール−7’−イ
ル〕ホルマザン(化合物番号4.1)の製造 1.65gのアニリンを0℃で、2.2mlの水に溶解
した1.25gの硝酸ナトリウムの溶液を使用して、4
mlの塩酸(30%)及び1.8gの氷の存在下、ジア
ゾ化する。60mlのピリジン及び90mlのエタノー
ルに溶解した4.6gのベンゾ−1,2,3−チアジア
ゾール−7−カルバルデヒドフェニルヒドラゾンの溶液
を反応容器に混合し、ジアゾニウム塩溶液を攪拌および
−5℃ないし0℃に冷却しながら滴下し、反応混合物を
室温でさらに18時間攪拌する。引続き、混合物を真空
で濃縮し、酢酸エチルで抽出する。抽出物を水で洗浄
し、乾燥し、蒸発する。残渣をシリカゲル(酢酸エチル
/ヘキサン9:1)で精製し、融点185〜187℃の
標記化合物を得る。
【0111】
【表1】
【表2】
【表3】
【表4】
【表5】
【0112】
【表6】
【表7】
【0113】
【表8】
【0114】
【表9】
【0115】 有効成分の製剤例(%=重量パーセント) 2.1.水和剤 a) b) c) 表の有効成分 25% 50% 75% リグノスルホン酸ナトリウム 5% 5% −− ラウリル硫酸ナトリウム 3% −− 5% ジイソブチルナフタレンスルホン 酸ナトリウム −− 6% 10% オクチルフェノールポリエチレン グリコールエーテル(7−8モル エチレンオキシド) −− 2% −− 高分散ケイ酸 5% 10% 10% カオリン 62% 27% −− 有効成分は添加剤と混合し、均質化するまで適当なミル
粉砕する。望ましい濃度の懸濁液を得るために、水で希
釈できる水和剤を得る。
粉砕する。望ましい濃度の懸濁液を得るために、水で希
釈できる水和剤を得る。
【0116】2.2.乳剤原液 表の有効成分 10% オクチルフェノールポリエチレングリコール 3% (4−5モルのエチレンオキシド) ドデシルベンゼンスルホン酸カルシウム 3% ヒマシ油ポリグリコールエーテル (エチレンオキシド35モル) 4% シクロヘキサノン 30% キシレン混合物 50% いかなる望ましい濃度の乳剤も、この原液を水で希釈す
ることによって調整される。
ることによって調整される。
【0117】 すのままで使用できる粉剤は、担体と有効成分を混合
し、適当なミルで混合物を粉砕することにより、得られ
る。
し、適当なミルで混合物を粉砕することにより、得られ
る。
【0118】2.4.押し出し粒剤 表の有効成分 10% リグニンスルホン酸ナトリウム 2% カルボキシメチルセルロース 1% カオリン 87% 有効成分を添加剤と混合し、混合物を粉砕し、水で湿ら
せる。混合物を押し出し成形し、空気流で乾燥する。
せる。混合物を押し出し成形し、空気流で乾燥する。
【0119】2.5.被覆粒剤 表の有効成分 3% ポリエチレングリコール(分子量200) 3% カオリン 94% カオリンをポリエチレングリコールで湿らせ、ミキサー
中で、有効成分の細粉物を均一に被覆する。この方法
で、非粉塵性の被覆粒剤を得る。
中で、有効成分の細粉物を均一に被覆する。この方法
で、非粉塵性の被覆粒剤を得る。
【0120】2.6.懸濁原液 表の有効成分 40% エチレングリコール 10% ノニルフェノールポリエチレング リコールエーテル(エチレンオキ シド15モル ) 6% リグニンスルホン酸ナトリウム 10% カルボキシメチルセルロース 1% 37%水性ホルムアルデヒド溶液 0.2% 75%水性乳剤のシリコン油 0.8% 水 32% 細粉された有効成分を添加剤と完全に混合する。水と希
釈する事によってどんな望みの濃度の懸濁液も作れる懸
濁原液を得る。
釈する事によってどんな望みの濃度の懸濁液も作れる懸
濁原液を得る。
【0121】3.生物学的実施例 実施例3.1:キュキュミス サチヴス エル.(Cucum
is sativus L.)におけるコレトトリキュム ラゲナリウ
ム(Colletotrichum lagenarium) に対する活性 a)きゅうり植物を2週間生長させ、その後、有効成分
の水和剤で調整された噴霧混合物(濃度:200pp
m)で噴霧する。48時間後、植物を菌の胞子懸濁液
(1.5×105 胞子/ml)で感染させ、高大気湿度
および23℃で36時間培養する。その後、培養を標準
大気湿度および22℃ないし23℃で続ける。 保護作用は、パラメーターとして菌の蔓延を使用して感
染の7〜8日後に評価される。
is sativus L.)におけるコレトトリキュム ラゲナリウ
ム(Colletotrichum lagenarium) に対する活性 a)きゅうり植物を2週間生長させ、その後、有効成分
の水和剤で調整された噴霧混合物(濃度:200pp
m)で噴霧する。48時間後、植物を菌の胞子懸濁液
(1.5×105 胞子/ml)で感染させ、高大気湿度
および23℃で36時間培養する。その後、培養を標準
大気湿度および22℃ないし23℃で続ける。 保護作用は、パラメーターとして菌の蔓延を使用して感
染の7〜8日後に評価される。
【0122】b)きゅうり植物を2週間生長させ、その
後、土壌施用により、有効成分の水和剤で調整された噴
霧混合物(濃度:土壌容量に基づいて60または20p
pm)で処理する。48時間後、植物を菌の胞子懸濁液
(1.5×105 胞子/ml)で感染させ、高大気湿度
および23℃で36時間培養する。その後、培養を標準
大気湿度および22℃で続ける。 保護作用は、パラメーターとして菌の蔓延を使用して感
染の7〜8日後に評価される。
後、土壌施用により、有効成分の水和剤で調整された噴
霧混合物(濃度:土壌容量に基づいて60または20p
pm)で処理する。48時間後、植物を菌の胞子懸濁液
(1.5×105 胞子/ml)で感染させ、高大気湿度
および23℃で36時間培養する。その後、培養を標準
大気湿度および22℃で続ける。 保護作用は、パラメーターとして菌の蔓延を使用して感
染の7〜8日後に評価される。
【0123】c)きゅうり植物を2週間生長させ、その
後、有効成分の水和剤で調整された噴霧混合物(濃度:
200ppm)で噴霧する。 3週間後、植物を菌の胞子懸濁液(1.5×105 胞子
/ml)で感染させ、高大気湿度および23℃で36時
間培養する。その後、培養を標準大気湿度および22℃
ないし23℃で続ける。保護作用は、パラメーターとし
て菌の蔓延を使用して感染の7〜8日後に評価される。
後、有効成分の水和剤で調整された噴霧混合物(濃度:
200ppm)で噴霧する。 3週間後、植物を菌の胞子懸濁液(1.5×105 胞子
/ml)で感染させ、高大気湿度および23℃で36時
間培養する。その後、培養を標準大気湿度および22℃
ないし23℃で続ける。保護作用は、パラメーターとし
て菌の蔓延を使用して感染の7〜8日後に評価される。
【0124】試験(a)及び(b)において、良好な活
性は第1ないし4表の化合物で示される。例えば、化合
物1.2,1.6,1.7,1.12,1.33,1.
38,1.64,1.79,1.83,1.85,1.
89,1.91,1.106,1.108,1.11
0,1.113,1.125,1.127,3.1,
4.1及び4.2は菌の蔓延を0ないし20%に減少す
る。対照的に、未処理で感染された対照植物は100%
のコレトトリキュム蔓延を示す。
性は第1ないし4表の化合物で示される。例えば、化合
物1.2,1.6,1.7,1.12,1.33,1.
38,1.64,1.79,1.83,1.85,1.
89,1.91,1.106,1.108,1.11
0,1.113,1.125,1.127,3.1,
4.1及び4.2は菌の蔓延を0ないし20%に減少す
る。対照的に、未処理で感染された対照植物は100%
のコレトトリキュム蔓延を示す。
【0125】実施例3.2:トマト植物におけるフィト
フトラ インゲスタンス(Phytophthora infestans)に対
する活性 a)トマト植物を3週間生長させ、その後、有効成分の
水和剤で調整された噴霧混合物(0.02%有効成分)
で噴霧する。24時間後、処理された植物を菌の胞子嚢
懸濁液で感染する。菌の蔓延を、90〜100%の大気
湿度および20℃で5日間、感染された植物を培養した
後、評価する。
フトラ インゲスタンス(Phytophthora infestans)に対
する活性 a)トマト植物を3週間生長させ、その後、有効成分の
水和剤で調整された噴霧混合物(0.02%有効成分)
で噴霧する。24時間後、処理された植物を菌の胞子嚢
懸濁液で感染する。菌の蔓延を、90〜100%の大気
湿度および20℃で5日間、感染された植物を培養した
後、評価する。
【0126】b)トマト植物を3週間生長させ、その
後、有効成分の水和剤で調整された噴霧混合物(土壌容
量に基づいて0.006%有効成分)をそれらの近くに
注ぐ。噴霧混合物が植物の地上部分に接触しないように
気をつける。48時間後、処理された植物を菌の胞子嚢
懸濁液で感染する。菌の蔓延を、90〜100%の大気
湿度および20℃で5日間、感染された植物を培養した
後、評価する。
後、有効成分の水和剤で調整された噴霧混合物(土壌容
量に基づいて0.006%有効成分)をそれらの近くに
注ぐ。噴霧混合物が植物の地上部分に接触しないように
気をつける。48時間後、処理された植物を菌の胞子嚢
懸濁液で感染する。菌の蔓延を、90〜100%の大気
湿度および20℃で5日間、感染された植物を培養した
後、評価する。
【0127】第1ないし4表の化合物はフィトフトラ菌
に対して良好な保護作用を示す。例えば、菌の蔓延は試
験a)において化合物1.6,1.31,1.38,
1.83,1.127及び4.1により、及び試験b)
において化合物1.1,1.6,1.12,1.31,
1.38,1.83,1.85,1.101および1.
106により0ないし20%に減少する。対照的に、未
処理で感染された対照植物は100%のフィトフトラ蔓
延を示す。
に対して良好な保護作用を示す。例えば、菌の蔓延は試
験a)において化合物1.6,1.31,1.38,
1.83,1.127及び4.1により、及び試験b)
において化合物1.1,1.6,1.12,1.31,
1.38,1.83,1.85,1.101および1.
106により0ないし20%に減少する。対照的に、未
処理で感染された対照植物は100%のフィトフトラ蔓
延を示す。
【0128】実施例3.3:稲植物におけるピリキュラ
リア オリザエ(Pyricularia oryzae)に対する活性 a)稲植物を2週間生長させ、その後、有効成分の水和
剤で調整された噴霧混合物(0.02%有効成分)で噴
霧する。48時間後、処理された植物を菌の分生子懸濁
液で感染する。菌の蔓延を、95〜100%の相対大気
湿度および24℃で5日間培養した後、評価する。
リア オリザエ(Pyricularia oryzae)に対する活性 a)稲植物を2週間生長させ、その後、有効成分の水和
剤で調整された噴霧混合物(0.02%有効成分)で噴
霧する。48時間後、処理された植物を菌の分生子懸濁
液で感染する。菌の蔓延を、95〜100%の相対大気
湿度および24℃で5日間培養した後、評価する。
【0129】b)有効成分の水和剤で調整された噴霧混
合物(土壌容量に基づいて0.006%有効成分)を2
週令の稲植物の近くに注ぐ。その後、稲植物の茎のより
低い部分が水で浸る量で鉢に水を満たす。96時間後、
処理された植物を菌の分生子懸濁液で感染する。菌の蔓
延を、相対大気湿度95〜100%および約24℃で5
日間、感染された植物を培養した後、評価する。
合物(土壌容量に基づいて0.006%有効成分)を2
週令の稲植物の近くに注ぐ。その後、稲植物の茎のより
低い部分が水で浸る量で鉢に水を満たす。96時間後、
処理された植物を菌の分生子懸濁液で感染する。菌の蔓
延を、相対大気湿度95〜100%および約24℃で5
日間、感染された植物を培養した後、評価する。
【0130】有効成分として第1ないし4表の化合物を
含む噴霧混合物で処理された未処理対照植物(100%
蔓延)に比較して、低いレベルの菌の蔓延のみが示され
た。例えば、蔓延は試験a)において化合物1.6,
1.98,1.101及び4.1により、及び試験b)
において化合物1.6,1.64,1.66,1.10
1,4.1および4.7により0ないし20%に減少す
る。
含む噴霧混合物で処理された未処理対照植物(100%
蔓延)に比較して、低いレベルの菌の蔓延のみが示され
た。例えば、蔓延は試験a)において化合物1.6,
1.98,1.101及び4.1により、及び試験b)
において化合物1.6,1.64,1.66,1.10
1,4.1および4.7により0ないし20%に減少す
る。
【0131】実施例3.4:タバコ植物におけるペロノ
スポラ タバシ(Peronospora tabasina)に対する活性 a)葉施用 タバコ植物(8週令)を有効成分で調整された溶液(濃
度:0.02%有効成分)で噴霧する。処理4日後、植
物をペロノスポラ タバシの胞子嚢懸濁液(104 胞子
嚢/ml)で接種し、暗所、25℃及び高大気湿度で2
0時間保ち、さらに標準の日中/夜間リズムで培養す
る。
スポラ タバシ(Peronospora tabasina)に対する活性 a)葉施用 タバコ植物(8週令)を有効成分で調整された溶液(濃
度:0.02%有効成分)で噴霧する。処理4日後、植
物をペロノスポラ タバシの胞子嚢懸濁液(104 胞子
嚢/ml)で接種し、暗所、25℃及び高大気湿度で2
0時間保ち、さらに標準の日中/夜間リズムで培養す
る。
【0132】b)土壌施用 タバコ植物(8週令)を、土壌施用により有効成分で調
整された溶液(濃度:土壌容量に基づいて0.006%
有効成分)で処理する。4日後、植物をペロノスポラ
タバシの胞子嚢懸濁液(104 胞子嚢/ml)で接種
し、暗所、25℃及び高大気湿度で20時間保ち、その
後、さらに標準の日中/夜間リズムで培養する。試験A
及びBにおける兆候は、パラメーターとして菌が蔓延し
た葉の部分を使用して評価される。対照植物は90ない
し100%の蔓延を示す。試験Aにおいて、化合物1.
6または4.1で処理された植物は0〜30%の蔓延を
示す。
整された溶液(濃度:土壌容量に基づいて0.006%
有効成分)で処理する。4日後、植物をペロノスポラ
タバシの胞子嚢懸濁液(104 胞子嚢/ml)で接種
し、暗所、25℃及び高大気湿度で20時間保ち、その
後、さらに標準の日中/夜間リズムで培養する。試験A
及びBにおける兆候は、パラメーターとして菌が蔓延し
た葉の部分を使用して評価される。対照植物は90ない
し100%の蔓延を示す。試験Aにおいて、化合物1.
6または4.1で処理された植物は0〜30%の蔓延を
示す。
【0133】実施例3.5:レタスにおけるブレミア
ラクツカエ(Bremia lactucae) に対する活性 有効成分で調整された溶液(濃度:土壌容量に基づいて
0.002%有効成分)を2週令のレタス植物の近くに
注ぐ。5日後、処理された植物を菌の胞子懸濁液(5×
104 胞子/ml)で接種する。植物を18℃で、最初
に覆いの下(相対大気湿度90〜100%)で2日間、
次に、覆いなしで7日間培養する。菌の胞子形成を誘発
するため、植物を再び3日間、覆いの下に置く。菌の蔓
延は、パラメーターとして菌の蔓延した葉の部分を使用
して接種12日後に評価される。
ラクツカエ(Bremia lactucae) に対する活性 有効成分で調整された溶液(濃度:土壌容量に基づいて
0.002%有効成分)を2週令のレタス植物の近くに
注ぐ。5日後、処理された植物を菌の胞子懸濁液(5×
104 胞子/ml)で接種する。植物を18℃で、最初
に覆いの下(相対大気湿度90〜100%)で2日間、
次に、覆いなしで7日間培養する。菌の胞子形成を誘発
するため、植物を再び3日間、覆いの下に置く。菌の蔓
延は、パラメーターとして菌の蔓延した葉の部分を使用
して接種12日後に評価される。
【0134】第1ないし4表の化合物はブレミアに対し
て良好な活性を示す。例えば、化合物1.1,1.2,
1.6,1.98または4.1で処理された植物は、蔓
延から広範囲に免れて生き残る(損害0〜30%)。対
照的に、未処理で感染された植物(対照)は100%の
ブレミア蔓延を示す。
て良好な活性を示す。例えば、化合物1.1,1.2,
1.6,1.98または4.1で処理された植物は、蔓
延から広範囲に免れて生き残る(損害0〜30%)。対
照的に、未処理で感染された植物(対照)は100%の
ブレミア蔓延を示す。
【0135】実施例3.6:小麦におけるエリシフェ
グラミニス(Erysiphe graminis) に対する活性 保護作用: 17日令の小麦植物に、有効成分で調整され
た溶液(濃度:0.02%有効成分)を噴霧する。処理
した後すぐに、植物を円筒状の覆いの下で培養する。2
4時間後、植物の覆いを取る。さらに3日後、処理され
た植物を一番目の葉の上で切断する。一番目の葉を水平
に置き、接種塔中、エリシフェ グラミニス(胞子濃
度:0.2mg/m2 )で接種する。試験は20℃、1
2時間光(18KLux)を照射、及び18℃、12時
間暗所で管理された環境キャビネット中で行われる。蔓
延は、接種9日及び13日後に評価される。
グラミニス(Erysiphe graminis) に対する活性 保護作用: 17日令の小麦植物に、有効成分で調整され
た溶液(濃度:0.02%有効成分)を噴霧する。処理
した後すぐに、植物を円筒状の覆いの下で培養する。2
4時間後、植物の覆いを取る。さらに3日後、処理され
た植物を一番目の葉の上で切断する。一番目の葉を水平
に置き、接種塔中、エリシフェ グラミニス(胞子濃
度:0.2mg/m2 )で接種する。試験は20℃、1
2時間光(18KLux)を照射、及び18℃、12時
間暗所で管理された環境キャビネット中で行われる。蔓
延は、接種9日及び13日後に評価される。
【0136】この試験において、有効成分として使用さ
れた第1ないし4表の化合物はエリシフェ グラミニス
に対して良好な活性を示した。例えば、化合物1.1,
1.2,1.6,1.7,1.12,1.31,1.3
3,1.38,1.66,1.83,1.98,1.1
08,4.1または4.2で処理された植物は、エリシ
フェの蔓延から広範囲に免れて生き残る(損害0〜20
%)。対照的に、未処理で感染された植物(対照)は1
00%のエリシフェ蔓延を示す。
れた第1ないし4表の化合物はエリシフェ グラミニス
に対して良好な活性を示した。例えば、化合物1.1,
1.2,1.6,1.7,1.12,1.31,1.3
3,1.38,1.66,1.83,1.98,1.1
08,4.1または4.2で処理された植物は、エリシ
フェの蔓延から広範囲に免れて生き残る(損害0〜20
%)。対照的に、未処理で感染された植物(対照)は1
00%のエリシフェ蔓延を示す。
【0137】実施例3.7:落花生植物におけるセルコ
スポラ アラキディコラ(Cercospora arachidicola) に
対する活性) 10〜15cmの高さの落花生植物に、有効成分の水和
剤で調整された溶液(0.02%有効成分)を噴霧し、
48時間後、菌の分生子懸濁液で感染する。感染した植
物を約21℃及び高大気湿度で72時間培養し、引続
き、葉に典型的な病変が生じるまで、温室中に置く。殺
菌活性は感染12日後に、パラメータをして病変の数及
び大きさを使用して評価される。
スポラ アラキディコラ(Cercospora arachidicola) に
対する活性) 10〜15cmの高さの落花生植物に、有効成分の水和
剤で調整された溶液(0.02%有効成分)を噴霧し、
48時間後、菌の分生子懸濁液で感染する。感染した植
物を約21℃及び高大気湿度で72時間培養し、引続
き、葉に典型的な病変が生じるまで、温室中に置く。殺
菌活性は感染12日後に、パラメータをして病変の数及
び大きさを使用して評価される。
【0138】未処理で感染された対照植物(病変の数及
び大きさ=100%)に比較して、表1ないし4の有効
成分で処理された落花生植物はセルコスポラの蔓延に対
して実質的な減少を示した。例えば、上記実施例におい
て、化合物番号1.83,1.85,1.108,1.
125,1.127,3.1及び4.7が病変の発生を
広範囲に防ぐ(0〜20%)。
び大きさ=100%)に比較して、表1ないし4の有効
成分で処理された落花生植物はセルコスポラの蔓延に対
して実質的な減少を示した。例えば、上記実施例におい
て、化合物番号1.83,1.85,1.108,1.
125,1.127,3.1及び4.7が病変の発生を
広範囲に防ぐ(0〜20%)。
【0139】実施例3.8:小麦におけるプシニア グ
ラミニス(Puccinia graminis) に対する活性 a)残留−保護作用 播種6日後、小麦植物に、有効成分の水和剤で調整され
た噴霧混合物(0.02%有効成分)を噴霧し、24時
間後、処理された植物を菌の夏胞子懸濁液で感染させ
る。約20℃及び95〜100%の相対大気湿度で48
時間培養した後、感染された植物を約22℃で温室中に
置く。サビ病のイボの発達が感染12日後に評価され
る。
ラミニス(Puccinia graminis) に対する活性 a)残留−保護作用 播種6日後、小麦植物に、有効成分の水和剤で調整され
た噴霧混合物(0.02%有効成分)を噴霧し、24時
間後、処理された植物を菌の夏胞子懸濁液で感染させ
る。約20℃及び95〜100%の相対大気湿度で48
時間培養した後、感染された植物を約22℃で温室中に
置く。サビ病のイボの発達が感染12日後に評価され
る。
【0140】b)浸透作用 播種5日後、有効成分の水和剤で調整された噴霧混合物
(土壌容量に基づいて0.006%有効成分)を小麦植
物の近くに注ぐ。48時間後、処理された植物を菌の夏
胞子懸濁液で感染させる。約20℃及び95〜100%
の相対大気湿度で48時間培養した後、感染された植物
を約22℃で温室中に置く。サビ病のイボの発達が感染
12日後に評価される。
(土壌容量に基づいて0.006%有効成分)を小麦植
物の近くに注ぐ。48時間後、処理された植物を菌の夏
胞子懸濁液で感染させる。約20℃及び95〜100%
の相対大気湿度で48時間培養した後、感染された植物
を約22℃で温室中に置く。サビ病のイボの発達が感染
12日後に評価される。
【0141】未処理で感染された対照植物は100%の
プシニアの蔓延を示す。第1ないし4表の化合物はプシ
ニア菌に対して良好な活性を示す。例えば、菌の蔓延は
試験a)において、化合物番号1.7,1.8,1.3
1,1.64,1.79,1.83,1.98,1.1
13,1.125,1.127により、及び試験b)に
おいて、化合物番号1.113により20%より少なく
減少される。
プシニアの蔓延を示す。第1ないし4表の化合物はプシ
ニア菌に対して良好な活性を示す。例えば、菌の蔓延は
試験a)において、化合物番号1.7,1.8,1.3
1,1.64,1.79,1.83,1.98,1.1
13,1.125,1.127により、及び試験b)に
おいて、化合物番号1.113により20%より少なく
減少される。
【0142】実施例3.9:キュキュミス サチヴス
エル.(Cucumis sativus L.)におけるシュードモナス
ラチリマンス(Pseudomonas lachrymans)に対する活性 A)葉施用 きゅうり植物を2週間生長させ、その後、有効成分の水
和剤で調整された噴霧混合物(濃度:0.02%有効成
分)で噴霧する。1週間後、植物をバクテリア懸濁液
(108 バクテリア/ml)で感染させ、高大気湿度お
よび23℃で7日間培養する。保護作用は、パラメータ
ーとしてバクテリアの蔓延を使用して感染の7〜8日後
に評価される。
エル.(Cucumis sativus L.)におけるシュードモナス
ラチリマンス(Pseudomonas lachrymans)に対する活性 A)葉施用 きゅうり植物を2週間生長させ、その後、有効成分の水
和剤で調整された噴霧混合物(濃度:0.02%有効成
分)で噴霧する。1週間後、植物をバクテリア懸濁液
(108 バクテリア/ml)で感染させ、高大気湿度お
よび23℃で7日間培養する。保護作用は、パラメータ
ーとしてバクテリアの蔓延を使用して感染の7〜8日後
に評価される。
【0143】表1ないし4の化合物はシュードモナス
ラチリマンスに対して良好な活性を示す。例えば、化合
物1.31,1.38,1.108または4.2で処理
された植物はシュードモナスから広範囲に免れて生き残
る(蔓延20ないし0%)。
ラチリマンスに対して良好な活性を示す。例えば、化合
物1.31,1.38,1.108または4.2で処理
された植物はシュードモナスから広範囲に免れて生き残
る(蔓延20ないし0%)。
【0144】B)土壌施用 きゅうり植物を2週間生長させ、その後、土壌施用によ
り有効成分の水和剤で調整された噴霧混合物(濃度:土
壌容量に基づいて0.002%有効成分)で処理する。
1週間後、植物をバクテリアの懸濁液(108 バクテリ
ア/ml)で感染させ、高大気湿度および23℃で7日
間培養する。保護作用は、パラメーターとしてバクテリ
アの蔓延を使用して感染の7〜8日後に評価される。
り有効成分の水和剤で調整された噴霧混合物(濃度:土
壌容量に基づいて0.002%有効成分)で処理する。
1週間後、植物をバクテリアの懸濁液(108 バクテリ
ア/ml)で感染させ、高大気湿度および23℃で7日
間培養する。保護作用は、パラメーターとしてバクテリ
アの蔓延を使用して感染の7〜8日後に評価される。
【0145】第1ないし4表の化合物はシュードモナス
ラチリマンスに対して良好な免疫をもたらす。例え
ば、化合物1.31,1.33,1.38または1.1
08で処理された植物はシュードモナスから実質的に完
全に免れて生き残る(蔓延20ないし0%)。試験A及
びBにおいて、未処理で感染された対照植物は100%
の疾病レベルを示す。
ラチリマンスに対して良好な免疫をもたらす。例え
ば、化合物1.31,1.33,1.38または1.1
08で処理された植物はシュードモナスから実質的に完
全に免れて生き残る(蔓延20ないし0%)。試験A及
びBにおいて、未処理で感染された対照植物は100%
の疾病レベルを示す。
【0146】実施例3.10:ブドウのツルにおけるプ
ラスモパラ ヴィチコラ(Plasmopara viticola) に対す
る活性 第4〜5葉期のブドウのツルの若木に、有効成分の水和
剤で調整された噴霧混合物(濃度:0.02%有効成
分)を噴霧する。1週間後、処理された植物を菌の胞子
嚢懸濁液(5×104 胞子嚢/ml)で感染させる。保
護作用は、95〜100%の相対大気湿度および20℃
で6日間培養後、評価される。この試験において、未処
理で感染された対照植物は100%の蔓延を示す。
ラスモパラ ヴィチコラ(Plasmopara viticola) に対す
る活性 第4〜5葉期のブドウのツルの若木に、有効成分の水和
剤で調整された噴霧混合物(濃度:0.02%有効成
分)を噴霧する。1週間後、処理された植物を菌の胞子
嚢懸濁液(5×104 胞子嚢/ml)で感染させる。保
護作用は、95〜100%の相対大気湿度および20℃
で6日間培養後、評価される。この試験において、未処
理で感染された対照植物は100%の蔓延を示す。
【0147】第1ないし4表の化合物はプラスモパラ
ヴィチコラに対して良好な免疫をもたらす。例えば、化
合物1.83または1.125で処理されたブドウのツ
ルはプラスモパラ ヴィチコラから広範囲に免れて生き
残る(蔓延20ないし0%)。
ヴィチコラに対して良好な免疫をもたらす。例えば、化
合物1.83または1.125で処理されたブドウのツ
ルはプラスモパラ ヴィチコラから広範囲に免れて生き
残る(蔓延20ないし0%)。
【0148】実施例3.11:タバコ植物におけるセル
コスポラ ニコチアナエ(Cercospora nicotianae) に対
する活性 葉施用 タバコ植物(8週令)に有効成分で調整された溶液(濃
度:200ppm)を噴霧する。処理4日後、植物をセ
ルコスポラ ニコチアナエの胞子懸濁液(105 胞子/
ml)で接種し、暗所、高大気湿度及び22〜25℃で
5日間培養する。その後、培養を標準大気湿度および2
0〜22℃で続ける。試験における兆候は、パラメータ
ーとして菌の蔓延を使用して、感染12〜14日後に評
価される。対照植物は100%の蔓延を示す。化合物
1.83,1.85,1.108,1.125,1.1
27,3.1または4.7で処理された植物は、0〜2
0%の蔓延を示す。
コスポラ ニコチアナエ(Cercospora nicotianae) に対
する活性 葉施用 タバコ植物(8週令)に有効成分で調整された溶液(濃
度:200ppm)を噴霧する。処理4日後、植物をセ
ルコスポラ ニコチアナエの胞子懸濁液(105 胞子/
ml)で接種し、暗所、高大気湿度及び22〜25℃で
5日間培養する。その後、培養を標準大気湿度および2
0〜22℃で続ける。試験における兆候は、パラメータ
ーとして菌の蔓延を使用して、感染12〜14日後に評
価される。対照植物は100%の蔓延を示す。化合物
1.83,1.85,1.108,1.125,1.1
27,3.1または4.7で処理された植物は、0〜2
0%の蔓延を示す。
【0149】実施例3.12:トウモロコシ(Zea maiz
e) 〔メイズ(maize、品種スイートコーン(Sweet Cor
n)〕におけるピチウム ウルチミュム(Pythium ultimu
m) に対する活性 試験原則:土壌菌:保護−局部土壌施用 試験方法:ピチウム ウルチミュムの菌糸体を土壌に混
合し(土壌10リットルあたり500mlの菌糸体懸濁
液)、250mlのプラスチック皿に菌/土壌混合物を
満たす。10℃で4日間培養した後、試験植物(メイ
ズ)の10種をそれぞれの皿に置く。翌日、この方法で
調整された皿にそれぞれ、20、6、2、0.6、0.
2、0.06及び0.02ppm有効成分を含む、25
%水和剤および水で調整された噴霧溶液50mlを注
ぐ。10℃で7日間培養、引続き、22℃で4日間培養
した後、試験化合物の有効性は試験植物の発芽の数値的
測定により評価される。
e) 〔メイズ(maize、品種スイートコーン(Sweet Cor
n)〕におけるピチウム ウルチミュム(Pythium ultimu
m) に対する活性 試験原則:土壌菌:保護−局部土壌施用 試験方法:ピチウム ウルチミュムの菌糸体を土壌に混
合し(土壌10リットルあたり500mlの菌糸体懸濁
液)、250mlのプラスチック皿に菌/土壌混合物を
満たす。10℃で4日間培養した後、試験植物(メイ
ズ)の10種をそれぞれの皿に置く。翌日、この方法で
調整された皿にそれぞれ、20、6、2、0.6、0.
2、0.06及び0.02ppm有効成分を含む、25
%水和剤および水で調整された噴霧溶液50mlを注
ぐ。10℃で7日間培養、引続き、22℃で4日間培養
した後、試験化合物の有効性は試験植物の発芽の数値的
測定により評価される。
【0150】第1ないし4表の化合物はピチウム ウル
チミュムに対して良好な活性を示す。例えば、化合物
1.125は80%以上の活性を示す。
チミュムに対して良好な活性を示す。例えば、化合物
1.125は80%以上の活性を示す。
Claims (20)
- 【請求項1】 有効成分として、少なくとも1個の次式
I 【化1】 {式中、X1 ,X2 及びX3 は互いに独立して水素原
子、メチル基、メトキシ基、メチルチオ基、ハロゲン原
子またはニトロ基を表わし、Aは最大3個のX−炭素原
子数1ないし4のアルキル基により置換された炭素原子
数1ないし2のアルキル基、2若しくは3個のハロゲン
原子により置換されたメチル基、ヒドロキシル基および
/または4個より多くないハロゲン原子により置換され
たエチル基、未置換若しくは3個より多くないハロゲン
原子により置換されたビニル基;さらに、エチニル基、
プロパルギル基、ホルミル基、アセチル基、3個より多
くないハロゲン原子により置換されたアセチル基、また
は基C(R)=N−N(R2 )R3 ,C(N=N=
U1 )=N−NH−U1 ,CH(R)−〔N(R1 )〕
n −N(R2 )R3 ,C(R)(CN)OR4 ,C
(R)=N(O)n R3 ,CH(R)−O−N=C(R
1 )R2 ,CH(R)−O−N=C(CN)−CONH
−R5 ,C(R6 )=N−(O)n R,CH(R)−Y
−E−R3 ,CO−〔C(OR)2 〕n Q,C(Q)=
CH−ORまたはT−Qの一つを表わし、さらにnは0
または1を表わし、X及びYは互いに独立して酸素原子
または硫黄原子を表わし、R及びR1 は互いに独立して
水素原子または炭素原子数1ないし2のアルキル基を表
わし、R2 は水素原子、炭素原子数1ないし8のアルキ
ル基、炭素原子数3ないし6のアルケニル基、炭素原子
数3ないし6のアルキニル基、炭素原子数3ないし7の
シクロアルキル基、ベンジル基、またはシアノ基を表わ
し、R3 は水素原子、炭素原子数1ないし6のアルキル
基、炭素原子数3ないし6のアルケニル基、炭素原子数
3ないし6のアルキニル基、炭素原子数3ないし7のシ
クロアルキル基、ベンジル基またはアリール官能基Uを
表わし、 R4 は水素原子、炭素原子数1ないし6のアルキル基、
Si(炭素原子数1ないし6のアルキル)3 基、または
OCO−炭素原子数1ないし3のアルキル基を表わし、 R5 は水素原子、またはCONHR1 を表わし、R6は
N(R1 )R2 、ヒドラジノ基またはQを表わし、 EはCOまたはSO2 を表わし、 U及びU1 は互いに独立して、未置換またはメチル基、
メトキシ基、ハロゲン原子、トリフルオロメチル基、ニ
トロ基もしくはシアノ基からなる群から同一または異な
る置換基により一置換または多置換されたフェニル官能
基を表わし、 Tは炭素原子数1ないし2のアルキレン基、互いに独立
した置換基であるアミノ基、ヒドロキシル基またはハロ
ゲン原子により置換されたメチレン基、または未置換も
しくはハロゲン原子もしくはシアノ基により置換された
エテニレン基を表わし、 QはCOXRまたはシアノ基を表わす}で表わされる化
合物を、適当な担体材料と一緒に含む、有害微生物によ
る蔓延を防除または予防するための組成物。 - 【請求項2】 有効成分として、少なくとも1個の式I
において、 X1 ,X2 及びX3 は互いに独立して水素原子または弗
素原子を表わし、Aは最大3個のX−炭素原子数1ない
し4のアルキル基により置換された炭素原子数1ないし
2のアルキル基、2若しくは3個のハロゲン原子により
置換されたメチル基、ヒドロキシル基および/または4
個より多くないハロゲン原子により置換されたエチル
基、またはホルミル基、アセチル基、または基C(R)
=N−N(R2 )R3 ,CH(R)−〔N(R1 )〕n
−N(R2 )R3 ,C(R)(CN)OR4 ,C(R)
=N(O)n R3 ,CH(R)−O−N=C(R1 )R
2 ,CH(R)−O−N=C(CN)−CONH−
R5 ,C(R6 )=N−(O)n R,CH(R)−Y−
E−R3 ,CO−〔C(OR)2 〕n COXR,C
(Q)=CH−ORまたはT−Qの一つを表わし、さら
にnは0または1を表わし、X及びYは酸素原子を表わ
し、R及びR1 は互いに独立して水素原子または炭素原
子数1ないし2のアルキル基を表わし、R2 は水素原
子、炭素原子数1ないし4のアルキル基、炭素原子数3
ないし4のアルケニル基、炭素原子数3ないし4のアル
キニル基、炭素原子数3ないし6のシクロアルキル基、
またはベンジル基を表わし、R3 は水素原子、炭素原子
数1ないし4のアルキル基、炭素原子数3ないし4のア
ルケニル基、炭素原子数3ないし4のアルキニル基、炭
素原子数3ないし6のシクロアルキル基、またはメチル
基、ハロゲン原子またはトリフルオロメチル基からなる
群から同一若しくは異なる置換基により置換されたフェ
ニル官能基を表わし、 R4 は水素原子、炭素原子数1ないし3のアルキル基、
またはSi(炭素原子数1ないし2のアルキル)3 基を
表わし、 R5 は水素原子、またはCONH−炭素原子数1ないし
3のアルキル基を表わし、R6 はアミノ基またはシアノ
基を表わし、 EはCOを表わし、 Tはメチレン、アミノ基により置換されたメチレン、ま
たはエテニレンを表わし、QはCOORまたはシアノ基
を表わす化合物を含む請求項1記載の組成物。 - 【請求項3】 有効成分として、少なくとも1個の式I
において、 X1 ,X2 及びX3 は水素原子を表わし、Aは最大2個
のX−炭素原子数1ないし4のアルキル基により置換さ
れたメチル基、2若しくは3個の弗素原子または塩素原
子により置換されたメチル基、ヒドロキシル基または塩
素原子により置換されたエチル基、またはホルミル基、
アセチル基、または基C(R)=N−N(R2 )R3 ,
CH(R)−〔N(R1 )〕n −N(R2 )R3 ,C
(R)(CN)OR4 ,C(R)=N(O)n R3 ,C
H(R)−O−N=C(R1 )R2 ,CH(R)−O−
N=C(CN)−CONH−R5 ,C(R6 )=N−O
R,CH(R)−Y−E−R3 ,CO−〔C(O
R)2 〕n COXR,C(COOR)=CH−ORまた
はT−Qの一つを表わし、さらにnは1を表わし、Xは
酸素原子を表わし、R及びR1は互いに独立して水素原
子またはメチル基を表わし、R2 は水素原子、炭素原子
数1ないし2のアルキル基、アリル基、プロパルギル
基、シクロプロピル基、またはベンジル基を表わし、R
3 は水素原子、炭素原子数1ないし2のアルキル基、ア
リル基、プロパルギル基、シクロプロピル基、またはメ
チル基、弗素原子、塩素原子もしくはトリフルオロメチ
ル基からなる群から同一若しくは異なる置換基により置
換されたフェニル官能基を表わし、 R4 は水素原子、炭素原子数1ないし2のアルキル基、
またはSi(CH3 )3 基を表わし、 R5 は水素原子、またはCONH−炭素原子数1ないし
2のアルキル基を表わし、R6 はアミノ基を表わし、Y
は酸素原子を表わし、 EはCOを表わし、 Tはメチレン、またはシアノ基を表わす化合物を含む請
求項1記載の組成物。 - 【請求項4】 有効成分として、少なくとも1個の式I
において、 X1 ,X2 及びX3 は水素原子を表わし、Aは最大2個
のX−炭素原子数1ないし2のアルキル基により置換さ
れたメチル基、2若しくは3個の弗素原子により置換さ
れたメチル基、ヒドロキシル基または塩素原子により置
換されたエチル基、またはホルミル基、または基C
(R)=N−N(R2 )R3 ,CH(R)−〔N
(R1 )〕n −N(R2 )R3 ,C(R)(CN)OR
4 ,C(R)=N−OR3 ,CH(R)−O−N=C
(R1 )R2 ,C(R6 )=N−OR,CH(R)−Z
−E−R3 ,CO−〔C(OR)2 〕n COXRまたは
T−Qの一つを表わし、さらにnは1を表わし、Xは酸
素原子を表わし、R及びR1 は互いに独立して水素原子
またはメチル基を表わし、R2 は水素原子、メチル基、
アリル基、シクロプロピル基、またはベンジル基を表わ
し、R3 は水素原子、メチル基、アリル基、シクロプロ
ピル基、またはメチル基、弗素原子、塩素原子もしくは
トリフルオロメチル基からなる群から同一若しくは異な
る置換基により置換されたフェニル官能基を表わし、 R4 は水素原子、メチル基、またはSi(CH3 )3基
を表わし、 R5 は水素原子、またはCONH−CH2 −CH3 を表
わし、R6 はアミノ基を表わし、Yは酸素原子を表わ
し、 EはCOを表わし、 Tはメチレンを表わし、QはCOOCH3 またはシアノ
基を表わす化合物を含む請求項1記載の組成物。 - 【請求項5】 有効成分として、 7−ホルミル−1,2,3−ベンゾチアジアゾール、 7−アセトキシメチル−1,2,3−ベンゾチアジアゾ
ール、 7−〔メトキシイミノ−(2−シアノアセトアミジ
ル)〕−1,2,3−ベンゾチアジアゾール、 7−(N−メトキシイミノメチル)−1,2,3−ベン
ゾチアジアゾール、 7−(N−メトキシイミノヒドロキシメチル)−1,
2,3−ベンゾチアジアゾール、 7−メトキシメチル−1,2,3−ベンゾチアジアゾー
ル、 3−(7−ベンゾ−1,2,3−チアジアゾリル)アク
リル酸、 7−シアノメチル−1,2,3−ベンゾチアジアゾー
ル、 7−トリクロロメチル−1,2,3−ベンゾチアジアゾ
ール、 7−ジクロロメチル−1,2,3−ベンゾチアジアゾー
ル、 ベンゾ−1,2,3−チアジアゾール−7−(N−ヒド
ロキシカルボキシイミドアミド)、 ベンゾ−1,2,3−チアジアゾール−7−(N−メト
キシヒドロキサム酸)、 2−(ベンゾ−1,2,3−チアジアゾリル)−2−ヒ
ドロキシイミノアセトニトリル、 5−フルオロ−ベンゾ−1,2,3−チアジアゾール−
7−カルバルデヒド、 6−フルオロ−ベンゾ−1,2,3−チアジアゾール−
7−カルバルデヒド、 4−フルオロ−ベンゾ−1,2,3−チアジアゾール−
7−カルバルデヒド、 N,N−ジフェニル−C−〔ベンゾ−1,2,3−チア
ジアゾール−7’イル〕ホルマザン、 7−アセチルベンゾ−1,2,3−チアジアゾール、 7−(ブロモアセチル)ベンゾ−1,2,3−チアジア
ゾールの群から少なくとも1個の化合物を含む請求項1
記載の組成物。 - 【請求項6】 7−ホルミル−1,2,3−ベンゾチア
ジアゾール、 7−アセチル−1,2,3−ベンゾチアジアゾール、 6−クロロ−7−ホルミル−1,2,3−ベンゾチアジ
アゾール、 6−メチルチオ−7−ホルミル−1,2,3−ベンゾチ
アジアゾール、 4−ブロモ−6−クロロ−7−ホルミル−1,2,3−
ベンゾチアジアゾール、 6−メトキシ−7−ホルミル−1,2,3−ベンゾチア
ジアゾール、 7−ヒドロキシイミノ−1,2,3−ベンゾチアジアゾ
ール、 6−メトキシ−7−オキシイミノ−1,2,3−ベンゾ
チアジアゾール、 7−ジブロモアセチル−1,2,3−ベンゾチアジアゾ
ールを除いた請求項1記載の式Iの化合物。 - 【請求項7】 7−ホルミル−1,2,3−ベンゾチア
ジアゾール、 7−アセチル−1,2,3−ベンゾチアジアゾール、 6−クロロ−7−ホルミル−1,2,3−ベンゾチアジ
アゾール、 6−メチルチオ−7−ホルミル−1,2,3−ベンゾチ
アジアゾール、 4−ブロモ−6−クロロ−7−ホルミル−1,2,3−
ベンゾチアジアゾール、 7−メトキシ−7−ホルミル−1,2,3−ベンゾチア
ジアゾール、 7−ヒドロキシイミノ−1,2,3−ベンゾチアジアゾ
ール、 6−メトキシ−7−オキシイミノ−1,2,3−ベンゾ
チアジアゾール、 7−ジブロモアセチル−1,2,3−ベンゾチアジアゾ
ールを除いた請求項2記載の式Iの化合物。 - 【請求項8】 7−ホルミル−1,2,3−ベンゾチア
ジアゾール、 7−アセチル−1,2,3−ベンゾチアジアゾール、 6−クロロ−7−ホルミル−1,2,3−ベンゾチアジ
アゾール、 6−メチルチオ−7−ホルミル−1,2,3−ベンゾチ
アジアゾール、 4−ブロモ−6−クロロ−7−ホルミル−1,2,3−
ベンゾチアジアゾール、 7−メトキシ−7−ホルミル−1,2,3−ベンゾチア
ジアゾール、 7−ヒドロキシイミノ−1,2,3−ベンゾチアジアゾ
ール、 6−メトキシ−7−オキシイミノ−1,2,3−ベンゾ
チアジアゾール、 7−ジブロモアセチル−1,2,3−ベンゾチアジアゾ
ールを除いた請求項3記載の式Iの化合物。 - 【請求項9】 7−ホルミル−1,2,3−ベンゾチア
ジアゾール、 7−アセチル−1,2,3−ベンゾチアジアゾール、 6−クロロ−7−ホルミル−1,2,3−ベンゾチアジ
アゾール、 6−メチルチオ−7−ホルミル−1,2,3−ベンゾチ
アジアゾール、 4−ブロモ−6−クロロ−7−ホルミル−1,2,3−
ベンゾチアジアゾール、 6−メトキシ−7−ホルミル−1,2,3−ベンゾチア
ジアゾール、 7−ヒドロキシイミノ−1,2,3−ベンゾチアジアゾ
ール、 6−メトキシ−7−オキシイミノ−1,2,3−ベンゾ
チアジアゾール、 7−ジブロモアセチル−1,2,3−ベンゾチアジアゾ
ールを除いた請求項4記載の式Iの化合物。 - 【請求項10】 7−アセトキシメチル−1,2,3−
ベンゾチアジアゾール、 7−〔メトキシイミノ−(2−シアノアセトアミジ
ル)〕−1,2,3−ベンゾチアジアゾール、 7−(N−メトキシイミノメチル)−1,2,3−ベン
ゾチアジアゾール、 7−(N−メトキシイミノヒドロキシメチル)−1,
2,3−ベンゾチアジアゾール、 7−メトキシメチル−1,2,3−ベンゾチアジアゾー
ル、 3−(7−ベンゾ−1,2,3−ベンゾチアジアゾリ
ル)アクリル酸、 7−シアノメチル−1,2,3−ベンゾチアジアゾー
ル、 7−トリクロロメチル−1,2,3−ベンゾチアジアゾ
ール、 7−ジクロロメチル−1,2,3−ベンゾチアジアゾー
ル、 ベンゾ−1,2,3−チアジアゾール−7−(N−ヒド
ロキシカルボジイミド−アミド)、 ベンゾ−1,2,3−チアジアゾール−7−(N−メト
キシヒドロキサム酸)、 2−(ベンゾ−1,2,3−チアジアゾリル)−2−ヒ
ドロキシイミノアセトニトリル、 5−フルオロ−ベンゾ−1,2,3−チアジアゾール−
7−カルバルデヒド、 6−フルオロ−ベンゾ−1,2,3−チアジアゾール−
7−カルバルデヒド、 4−フルオロ−ベンゾ−1,2,3−チアジアゾール−
7−カルバルデヒド、 N,N−ジフェニル−C−〔ベンゾ−1,2,3−チア
ジアゾール−7’イル〕ホルマザン、 7−アセチルベンゾ−1,2,3−チアジアゾール、 7−(ブロモアセチル)ベンゾ−1,2,3−チアジア
ゾールの群から選ばれた式Iの化合物。 - 【請求項11】 植物、植物部分または植物の生育場所
に、有効成分として請求項1記載の式Iの化合物を施用
することからなる植物病原性微生物による作物植物の蔓
延を防除または予防する方法。 - 【請求項12】 請求項2記載の化合物を有効成分とし
て施用する請求項11記載の防除または予防方法。 - 【請求項13】 請求項3記載の化合物を有効成分とし
て施用する請求項11記載の防除または予防方法。 - 【請求項14】 請求項4記載の化合物を有効成分とし
て施用する請求項11記載の防除または予防方法。 - 【請求項15】 請求項5記載の化合物を有効成分とし
て施用する請求項11記載の防除または予防方法。 - 【請求項16】 植物病原性菌またはバクテリアが防除
される請求項11記載の方法。 - 【請求項17】 有益植物が疾病に対して免疫化する請
求項11記載の方法。 - 【請求項18】 少なくとも1個の式Iの化合物が適当
な固体および/または液体担体と完全に混合される請求
項1記載の農薬組成物の製造方法。 - 【請求項19】 疾病に対して植物を保護するための請
求項1記載の式Iで表わされる化合物の使用方法。 - 【請求項20】 請求項2ないし5のいずれか一つに記
載の化合物を使用する請求項19記載の使用方法。
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