JPH06103857A - 真空インタラプタ用電極の製造方法 - Google Patents
真空インタラプタ用電極の製造方法Info
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- JPH06103857A JPH06103857A JP24916392A JP24916392A JPH06103857A JP H06103857 A JPH06103857 A JP H06103857A JP 24916392 A JP24916392 A JP 24916392A JP 24916392 A JP24916392 A JP 24916392A JP H06103857 A JPH06103857 A JP H06103857A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01H—ELECTRIC SWITCHES; RELAYS; SELECTORS; EMERGENCY PROTECTIVE DEVICES
- H01H1/00—Contacts
- H01H1/02—Contacts characterised by the material thereof
- H01H1/0203—Contacts characterised by the material thereof specially adapted for vacuum switches
Landscapes
- High-Tension Arc-Extinguishing Switches Without Spraying Means (AREA)
- Manufacture Of Switches (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 アトマイズ製法により得られるＣｕ−Ｃｒ粉
末を原料粉末とする粉末治金法による真空インタラプタ
用電極の製造を実現する。 【構成】 アトマイズ法により得られるＣｕとＣｒの合
金粉体に、粒径が１００μｍ以下の範囲に８０％が含ま
れるＣｕ粉末を添加して成形性を向上させ、この混合粉
末をスパイラル溝を有する金型に充填し、成形密度が理
論密度の７０％以上となるように加圧成形し、得られた
成形体を不活性雰囲気で加熱焼結する。
末を原料粉末とする粉末治金法による真空インタラプタ
用電極の製造を実現する。 【構成】 アトマイズ法により得られるＣｕとＣｒの合
金粉体に、粒径が１００μｍ以下の範囲に８０％が含ま
れるＣｕ粉末を添加して成形性を向上させ、この混合粉
末をスパイラル溝を有する金型に充填し、成形密度が理
論密度の７０％以上となるように加圧成形し、得られた
成形体を不活性雰囲気で加熱焼結する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は真空インタラプタ用電極
の製造方法に関する。
の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】一般に、真空インタラプタ用電極として
は、図１に示すように磁気駆動によりアークを拡散する
形状（以下、スパイラル形状と呼ぶ）が用いられてい
る。このような電極１は、おもに素材を機械加工（表面
加工、スパイラル溝加工）することにより得られてい
た。図中、２がスパイラル溝であり、３がペダルであ
る。
は、図１に示すように磁気駆動によりアークを拡散する
形状（以下、スパイラル形状と呼ぶ）が用いられてい
る。このような電極１は、おもに素材を機械加工（表面
加工、スパイラル溝加工）することにより得られてい
た。図中、２がスパイラル溝であり、３がペダルであ
る。
【０００３】しかし、機械加工を行うことは価格上昇に
なることから、粉末冶金法による無加工をめざし、価格
低下を図った電極材料の製造方法として、特開昭５３−
１４９６７６号公報等に開示のものが提供されている。
この方法は、金属の粉末材料をスパイラル形電極形状に
加圧成形し、これを焼結するものである。
なることから、粉末冶金法による無加工をめざし、価格
低下を図った電極材料の製造方法として、特開昭５３−
１４９６７６号公報等に開示のものが提供されている。
この方法は、金属の粉末材料をスパイラル形電極形状に
加圧成形し、これを焼結するものである。
【０００４】ところで、最近では電極材料として銅（以
下、Ｃｕ）−クロム（以下、Ｃｒ）系が多く用いられる
ようになっている。そして、アトマイズ製法により得ら
れたＣｕ−Ｃｒ粉体を原料に用いたＣｕ−Ｃｒ電極が開
発されている（特公平４−９５３１８号公報）。この電
極は従来のＣｕ，Ｃｒ混合粉末の粉末治金製法、溶浸製
法に比べ遮断性能に優れているところが知られている。
下、Ｃｕ）−クロム（以下、Ｃｒ）系が多く用いられる
ようになっている。そして、アトマイズ製法により得ら
れたＣｕ−Ｃｒ粉体を原料に用いたＣｕ−Ｃｒ電極が開
発されている（特公平４−９５３１８号公報）。この電
極は従来のＣｕ，Ｃｒ混合粉末の粉末治金製法、溶浸製
法に比べ遮断性能に優れているところが知られている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかし、ガスアトマイ
ズ製法により得られる原料粉体は、形状が球形でＣｒが
微細に分散しているため、プレス成形が困難であり、上
述のような粉末冶金法による製作が適用し得ず、るつぼ
に粉体を充填し、それを融点直下で短時間で加熱し製造
していた。つまり、得られたインゴットを機械加工によ
り図１に示したようなスパイラル形状に機械加工してい
たのである。
ズ製法により得られる原料粉体は、形状が球形でＣｒが
微細に分散しているため、プレス成形が困難であり、上
述のような粉末冶金法による製作が適用し得ず、るつぼ
に粉体を充填し、それを融点直下で短時間で加熱し製造
していた。つまり、得られたインゴットを機械加工によ
り図１に示したようなスパイラル形状に機械加工してい
たのである。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかし、Ｃｕ−Ｃｒイ
ンゴットを機械加工する上記方法では１）切削加工によ
る素材のロスが多い、２）機械加工による加工費が高価
である、３）製作に時間がかかるため、製品の日程管
理、在庫調整が煩雑である、４）製品である電極自体も
コスト高となるなどの問題があった。
ンゴットを機械加工する上記方法では１）切削加工によ
る素材のロスが多い、２）機械加工による加工費が高価
である、３）製作に時間がかかるため、製品の日程管
理、在庫調整が煩雑である、４）製品である電極自体も
コスト高となるなどの問題があった。
【０００７】なお、原料粉体の成形時の加圧力を増大さ
せて成形することも考えられるが、ある値以上加圧力を
大きくしても密度の向上はあまり望めないのが実情であ
る。
せて成形することも考えられるが、ある値以上加圧力を
大きくしても密度の向上はあまり望めないのが実情であ
る。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記課題にか
んがみ、アトマイズ製法により得られたＣｕ−Ｃｒ粉末
より粉末治金法による真空インタラプタ用電極の製造を
実現することを目的としてなされたものであり、その構
成は、アトマイズ法により得られるＣｕとＣｒの合金粉
体に、粒径が１００μｍ以下の範囲に８０％が含まれる
Ｃｕ粉体を添加し、この混合粉体をスパイラル溝を有す
る金型に充填し、成形密度が理論密度の７０％以上とな
るように成形し、その後不活性雰囲気で焼結するように
したものである。
んがみ、アトマイズ製法により得られたＣｕ−Ｃｒ粉末
より粉末治金法による真空インタラプタ用電極の製造を
実現することを目的としてなされたものであり、その構
成は、アトマイズ法により得られるＣｕとＣｒの合金粉
体に、粒径が１００μｍ以下の範囲に８０％が含まれる
Ｃｕ粉体を添加し、この混合粉体をスパイラル溝を有す
る金型に充填し、成形密度が理論密度の７０％以上とな
るように成形し、その後不活性雰囲気で焼結するように
したものである。
【０００９】
【作用】成形が困難なＣｕ−Ｃｒのアトマイズ粉体に、
例えば電解法等により得られたＣｕ粉末を添加すること
により成形性が向上し、金型に充填してのプレス成形が
可能となる。ただし、Ｃｕ粉末はその粒径が１００μｍ
以下の範囲に８０％のものが含有するようにする。１０
０μｍより大きくては密度の向上が望めないからであ
る。Ｃｕ粉末自体には流動性はなくてもよい。アトマイ
ズ粉体が非常に流動性がよいため、混合粉体も流動性を
持ち、金型に充填する際ホッパの目詰りなども生じな
い。
例えば電解法等により得られたＣｕ粉末を添加すること
により成形性が向上し、金型に充填してのプレス成形が
可能となる。ただし、Ｃｕ粉末はその粒径が１００μｍ
以下の範囲に８０％のものが含有するようにする。１０
０μｍより大きくては密度の向上が望めないからであ
る。Ｃｕ粉末自体には流動性はなくてもよい。アトマイ
ズ粉体が非常に流動性がよいため、混合粉体も流動性を
持ち、金型に充填する際ホッパの目詰りなども生じな
い。
【００１０】
【実施例】次に、本発明の一実施例に係る電極の製造方
法について説明する。出発原料として、Ｃｕ−Ｃｒアト
マイズ粉体を用いる。ここで採用したＣｕ−Ｃｒアトマ
イズ粉体は、８０重量％Ｃｕ−２０重量％Ｃｒの混合物
を真空中で加熱溶解後、アルゴンガスにより５〜８ＭＰ
ａの圧力で噴霧して得られたものである。このＣｕ−Ｃ
ｒ粉末の粒径は１５０μｍ以下であり、成分は初期の混
合物と同等であった。また、この合金粉末を電子顕微鏡
で観察すると、５μｍ以下のＣｒ粒子が均一に分散して
いることが確認された。
法について説明する。出発原料として、Ｃｕ−Ｃｒアト
マイズ粉体を用いる。ここで採用したＣｕ−Ｃｒアトマ
イズ粉体は、８０重量％Ｃｕ−２０重量％Ｃｒの混合物
を真空中で加熱溶解後、アルゴンガスにより５〜８ＭＰ
ａの圧力で噴霧して得られたものである。このＣｕ−Ｃ
ｒ粉末の粒径は１５０μｍ以下であり、成分は初期の混
合物と同等であった。また、この合金粉末を電子顕微鏡
で観察すると、５μｍ以下のＣｒ粒子が均一に分散して
いることが確認された。
【００１１】上記製法で得られたアトマイズ粉体に電解
Ｃｕ粉を１５重量％混合する。ガスアトマイズ製法によ
り得られる粒体は形状が球形であるため成形性が悪い
が、粒子形状が樹枝状又は片状の電解Ｃｕ粉を混合する
ことにより成形性、圧縮性が向上する。
Ｃｕ粉を１５重量％混合する。ガスアトマイズ製法によ
り得られる粒体は形状が球形であるため成形性が悪い
が、粒子形状が樹枝状又は片状の電解Ｃｕ粉を混合する
ことにより成形性、圧縮性が向上する。
【００１２】ただし、混合する場合、最良の効果が得ら
れるように、Ｃｕ粉体の粒径範囲は、１００μｍ以下の
範囲に８０％含有するものとする。これは、１００μｍ
より大きくては密度の向上が期待できないからである。
なお、Ｃｕ粉体の流動度はなくてもよい。アトマイズ粉
体が非常に流動性が良いため、混合後の粉体は流動性を
有するものとなるからである。
れるように、Ｃｕ粉体の粒径範囲は、１００μｍ以下の
範囲に８０％含有するものとする。これは、１００μｍ
より大きくては密度の向上が期待できないからである。
なお、Ｃｕ粉体の流動度はなくてもよい。アトマイズ粉
体が非常に流動性が良いため、混合後の粉体は流動性を
有するものとなるからである。
【００１３】次に、混合粉体を図１に示したようなスパ
イラル形状を形成し得る金型に充填する。この充填は、
金型上方のホッパを通して混合粉体を装入することによ
りなされるが、前述の如く混合粉体には流動度が確保さ
れているので、ホッパに目詰りが生じて充填不良といっ
た不具合は生じない。
イラル形状を形成し得る金型に充填する。この充填は、
金型上方のホッパを通して混合粉体を装入することによ
りなされるが、前述の如く混合粉体には流動度が確保さ
れているので、ホッパに目詰りが生じて充填不良といっ
た不具合は生じない。
【００１４】次に、プレスにより加圧し、成形体を得
る。このとき、成形体の密度が理論密度の７０％以上に
なるようにする。７０％以上とすることにより、成形体
のハンドリングの際の破損等の問題が生じなくなるから
である。図２には、粒径範囲の異なるＣｕ粉についての
成形圧力と密度との関係について示す。が粒径１０〜
５０μｍの範囲、が粒径３０〜１００μｍの範囲、
が粒径５０〜１５０μｍの範囲に粉体の８０％以上が含
まれるものをそれぞれ示す。平均粒径の小さいＣｕ粉末
を混合することにより成形体密度が高まることがわか
る。
る。このとき、成形体の密度が理論密度の７０％以上に
なるようにする。７０％以上とすることにより、成形体
のハンドリングの際の破損等の問題が生じなくなるから
である。図２には、粒径範囲の異なるＣｕ粉についての
成形圧力と密度との関係について示す。が粒径１０〜
５０μｍの範囲、が粒径３０〜１００μｍの範囲、
が粒径５０〜１５０μｍの範囲に粉体の８０％以上が含
まれるものをそれぞれ示す。平均粒径の小さいＣｕ粉末
を混合することにより成形体密度が高まることがわか
る。
【００１５】次に、得られた成形体を真空炉において、
５×１０-5Torrの真空中で、かつ不活性ガスとしてアル
ゴン（Ａｒ）を分圧0.２Torrで導入下、Ｃｕの融点直下
の温度１０６０℃で２時間加熱処理を施し、焼結体を得
た。得られた焼結体の密度を図３に示す。
５×１０-5Torrの真空中で、かつ不活性ガスとしてアル
ゴン（Ａｒ）を分圧0.２Torrで導入下、Ｃｕの融点直下
の温度１０６０℃で２時間加熱処理を施し、焼結体を得
た。得られた焼結体の密度を図３に示す。
【００１６】得られた焼結体は、図１に示すような形状
をなし、これを機械加工せずそのまま電極として用いて
図５に示すように真空インタラプタを作製し、遮断試験
を行った。導電率については図４に示す結果が得られ
た。添加Ｃｕ粉末の粒径範囲が小さくなるほど導電率は
向上する。なお、図５中、２１，２２が焼結体をそのま
ま用いた電極であり、２３，２４がリード棒で、両者は
ろう付けされる。
をなし、これを機械加工せずそのまま電極として用いて
図５に示すように真空インタラプタを作製し、遮断試験
を行った。導電率については図４に示す結果が得られ
た。添加Ｃｕ粉末の粒径範囲が小さくなるほど導電率は
向上する。なお、図５中、２１，２２が焼結体をそのま
ま用いた電極であり、２３，２４がリード棒で、両者は
ろう付けされる。
【００１７】上記実施例ではＣｕ粉体の混合割合を１５
重量％としたが、１０重量％以上であればよい。１０重
量％より少ないときには、所定密度で成形したとして
も、成形体に先端カケが生じ、ハンドリングの面でも不
具合が生じる。
重量％としたが、１０重量％以上であればよい。１０重
量％より少ないときには、所定密度で成形したとして
も、成形体に先端カケが生じ、ハンドリングの面でも不
具合が生じる。
【００１８】
【発明の効果】本発明に係る真空インタラプタ用電極の
製造方法によれば、アトマイズ法により得られるＣｕと
Ｃｒの合金粉体に、粒径が１００μｍ以下の範囲に８０
％が含まれるＣｕ粉体を添加したものを原料粉体とする
ので成形性が向上し、遮断性能等に優れるアトマイズ粉
体利用の電極が従来に比べ容易に製作できるようになっ
た。
製造方法によれば、アトマイズ法により得られるＣｕと
Ｃｒの合金粉体に、粒径が１００μｍ以下の範囲に８０
％が含まれるＣｕ粉体を添加したものを原料粉体とする
ので成形性が向上し、遮断性能等に優れるアトマイズ粉
体利用の電極が従来に比べ容易に製作できるようになっ
た。
【００１９】また、粒径の細かいＣｕ粉末をアトマイズ
粉体に混合するので、成形密度、焼結後の密度が向上
し、機械強度、導電率が向上する。
粉体に混合するので、成形密度、焼結後の密度が向上
し、機械強度、導電率が向上する。
【００２０】さらに、成形時の密度も理論密度の７０％
以上となるように特定するので、成形体にカケやワレが
生ずることもない。
以上となるように特定するので、成形体にカケやワレが
生ずることもない。
【図１】スパイラル溝を有する真空インタラプタ用電極
の平面図と側面図である。
の平面図と側面図である。
【図２】添加するＣｕ粉の粒径範囲を変えた場合の成形
圧力と密度との関係を示す線図である。
圧力と密度との関係を示す線図である。
【図３】添加するＣｕ粉の粒径範囲を変えた場合の成形
圧力と焼結体の密度との関係を示す線図である。
圧力と焼結体の密度との関係を示す線図である。
【図４】添加するＣｕ粉の粒径範囲を変えた場合の成形
圧力と導電率との関係を示す線図である。
圧力と導電率との関係を示す線図である。
【図５】真空インタラプタの一例の断面図である。
１ 電極 ２ スパイラル溝 ３ ペダル ２１，２２ 焼結体 ２３，２４ リード棒
Claims (1)
- 【請求項１】 アトマイズ法により得られる銅とクロム
の合金粉体に、粒径が１００μｍ以下の範囲に８０％が
含まれる銅粉体を添加し、この混合粉体をスパイラル溝
を有する金型に充填し、成形密度が理論密度の７０％以
上となるように成形し、その後不活性雰囲気で焼結する
ことを特徴とする真空インタラプタ用電極の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24916392A JPH06103857A (ja) | 1992-09-18 | 1992-09-18 | 真空インタラプタ用電極の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24916392A JPH06103857A (ja) | 1992-09-18 | 1992-09-18 | 真空インタラプタ用電極の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06103857A true JPH06103857A (ja) | 1994-04-15 |
Family
ID=17188846
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24916392A Withdrawn JPH06103857A (ja) | 1992-09-18 | 1992-09-18 | 真空インタラプタ用電極の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06103857A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100477297B1 (ko) * | 2001-07-17 | 2005-03-17 | 가부시키가이샤 히타치세이사쿠쇼 | 소결체 및 전극, 그들의 표면 압밀화 방법, 상기 방법을이용하는 전극의 제조 방법 및 차단기 |
-
1992
- 1992-09-18 JP JP24916392A patent/JPH06103857A/ja not_active Withdrawn
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100477297B1 (ko) * | 2001-07-17 | 2005-03-17 | 가부시키가이샤 히타치세이사쿠쇼 | 소결체 및 전극, 그들의 표면 압밀화 방법, 상기 방법을이용하는 전극의 제조 방법 및 차단기 |
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| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
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