JPH06108094A - クリーナー液 - Google Patents
クリーナー液Info
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- JPH06108094A JPH06108094A JP19316192A JP19316192A JPH06108094A JP H06108094 A JPH06108094 A JP H06108094A JP 19316192 A JP19316192 A JP 19316192A JP 19316192 A JP19316192 A JP 19316192A JP H06108094 A JPH06108094 A JP H06108094A
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- salt
- quaternary ammonium
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
- C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
- C11D1/00—Detergent compositions based essentially on surface-active compounds; Use of these compounds as a detergent
- C11D1/38—Cationic compounds
- C11D1/62—Quaternary ammonium compounds
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Oil, Petroleum & Natural Gas (AREA)
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- Organic Chemistry (AREA)
- Detergent Compositions (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 クリーナー液の塗布により回転する記録媒体
への塵芥の付着を防止する。 【構成】 回転する記録媒体に、ヒドロキシアルキル基
を有する第4級アンモニウム塩型帯電防止剤と水及び/
又は親水性溶媒を含むクリーナー液を塗布する。前記第
4級アンモニウム塩には、ドデシルジ(2−ヒドロキシ
エチル)メチルアンモニウム塩などのジアルキルジ(ヒ
ドロキシアルキル)アンモニウム塩が含まれる。前記第
4級アンモニウム塩の含有量は0.01〜5重量%であ
る。濃度0.1重量%の前記第4級アンモニウム塩の水
溶液は、25〜60dynes/cm程度の表面張力を
示す。クリーナー液を用いると、光ディスクなどの記録
媒体に付着した塵芥を容易に除去できるとともに、記録
媒体に高い帯電防止能及び非粘着性を付与でき、塵芥の
付着を防止できる。
への塵芥の付着を防止する。 【構成】 回転する記録媒体に、ヒドロキシアルキル基
を有する第4級アンモニウム塩型帯電防止剤と水及び/
又は親水性溶媒を含むクリーナー液を塗布する。前記第
4級アンモニウム塩には、ドデシルジ(2−ヒドロキシ
エチル)メチルアンモニウム塩などのジアルキルジ(ヒ
ドロキシアルキル)アンモニウム塩が含まれる。前記第
4級アンモニウム塩の含有量は0.01〜5重量%であ
る。濃度0.1重量%の前記第4級アンモニウム塩の水
溶液は、25〜60dynes/cm程度の表面張力を
示す。クリーナー液を用いると、光ディスクなどの記録
媒体に付着した塵芥を容易に除去できるとともに、記録
媒体に高い帯電防止能及び非粘着性を付与でき、塵芥の
付着を防止できる。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、回転する記録媒体、例
えば、光記録媒体などに好適に使用されるクリーナー液
に関する。
えば、光記録媒体などに好適に使用されるクリーナー液
に関する。
【0002】
【従来の技術】光ディスクなどの記録媒体は、1800
rpmや3600rpmなどの高速回転下で情報の記録
と再生が行なわれる。そのため、回転する記録媒体と空
気との摩擦により帯電し、記録媒体に塵芥などが付着す
る。そして、塵芥が記録媒体に付着すると、光ヘッドか
らのレーザ光による情報の記録・再生および消去が妨げ
られ、エラー信号を生成する。
rpmや3600rpmなどの高速回転下で情報の記録
と再生が行なわれる。そのため、回転する記録媒体と空
気との摩擦により帯電し、記録媒体に塵芥などが付着す
る。そして、塵芥が記録媒体に付着すると、光ヘッドか
らのレーザ光による情報の記録・再生および消去が妨げ
られ、エラー信号を生成する。
【0003】本発明者らは、特開昭63−160030
号公報および特願平1−124973号において、光デ
ィスク基板の表面を帯電防止剤で処理することを提案し
た。また、帯電防止剤を混練し、プラスチックに帯電防
止能を付与することも知られている。
号公報および特願平1−124973号において、光デ
ィスク基板の表面を帯電防止剤で処理することを提案し
た。また、帯電防止剤を混練し、プラスチックに帯電防
止能を付与することも知られている。
【0004】しかし、高速で回転する記録媒体を帯電防
止剤で処理すると、記録媒体の表面に光学的歪が生成
し、エラー信号の割合が増加したり、信号特性、例え
ば、C/N比が低下する。そのため、情報を精度よく記
録したり再生することが困難となるだけでなく、著しい
場合には、トラッキングサーボやフォーカシングサーボ
が不能となる。
止剤で処理すると、記録媒体の表面に光学的歪が生成
し、エラー信号の割合が増加したり、信号特性、例え
ば、C/N比が低下する。そのため、情報を精度よく記
録したり再生することが困難となるだけでなく、著しい
場合には、トラッキングサーボやフォーカシングサーボ
が不能となる。
【0005】特に、静電気の発生を防止するため、通常
の帯電防止剤で光ディスクの表面を処理すると、帯電防
止剤により粘着性が生じる。そのため、反って記録媒体
に塵芥や汚れが物理化学的に付着する。一方、粘着性を
低減するため、少量の帯電防止剤で処理すると、帯電防
止能が付与されず、静電気的に塵芥の付着を防止できな
い。このように、高速回転する記録媒体では、帯電防止
性及び非粘着性の双方の特性を両立させることが困難で
ある。
の帯電防止剤で光ディスクの表面を処理すると、帯電防
止剤により粘着性が生じる。そのため、反って記録媒体
に塵芥や汚れが物理化学的に付着する。一方、粘着性を
低減するため、少量の帯電防止剤で処理すると、帯電防
止能が付与されず、静電気的に塵芥の付着を防止できな
い。このように、高速回転する記録媒体では、帯電防止
性及び非粘着性の双方の特性を両立させることが困難で
ある。
【0006】特開昭62−31080号公報及び特開昭
62−208482号公報には、カートリッジ内に回転
可能に装着された光ディスク基板に付着した塵芥を拭き
取る方法が提案されている。前記特開昭62−2084
82号公報には、ディスクドライブ中に、光ディスク基
板に付着した塵芥を拭き取る方法も開示されている。
62−208482号公報には、カートリッジ内に回転
可能に装着された光ディスク基板に付着した塵芥を拭き
取る方法が提案されている。前記特開昭62−2084
82号公報には、ディスクドライブ中に、光ディスク基
板に付着した塵芥を拭き取る方法も開示されている。
【0007】しかし、これらの方法は、光ディスクを使
用する毎に吹き取る必要があり、作業が煩雑である。ま
た、拭き取り時の摩擦により、逆に光ディスク基板の表
面が帯電する事態も生じる。
用する毎に吹き取る必要があり、作業が煩雑である。ま
た、拭き取り時の摩擦により、逆に光ディスク基板の表
面が帯電する事態も生じる。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】従って、本発明の目的
は、回転する記録媒体に付着した塵芥などを容易に除去
できるとともに、記録媒体に高い帯電防止能及び非粘着
性を付与し、塵芥の付着を防止できるクーナー液を提供
することにある。
は、回転する記録媒体に付着した塵芥などを容易に除去
できるとともに、記録媒体に高い帯電防止能及び非粘着
性を付与し、塵芥の付着を防止できるクーナー液を提供
することにある。
【0009】
【発明の構成】本発明者らは、前記目的を達成するため
鋭意検討の結果、特定の帯電防止剤が付着した塵芥を高
い効率で除去し、高い帯電防止能を有するだけでなく、
塵芥の付着を防止することを見いだし、本発明を完成し
た。
鋭意検討の結果、特定の帯電防止剤が付着した塵芥を高
い効率で除去し、高い帯電防止能を有するだけでなく、
塵芥の付着を防止することを見いだし、本発明を完成し
た。
【0010】すなわち、本発明は、回転する記録媒体に
適用されるクリーナー液であって、ヒドロキシアルキル
基を有する第4級アンモニウム塩型帯電防止剤を含むク
リーナー液を提供する。
適用されるクリーナー液であって、ヒドロキシアルキル
基を有する第4級アンモニウム塩型帯電防止剤を含むク
リーナー液を提供する。
【0011】前記第4級アンモニウム塩としては、例え
ば、オクチル(2−ヒドロキシエチル)ジメチルアンモ
ニウム塩、デシル(2−ヒドロキシエチル)ジメチルア
ンモニウム塩、ドデシル(2−ヒドロキシエチル)ジメ
チルアンモニウム塩、トリデシル(2−ヒドロキシエチ
ル)ジメチルアンモニウム塩、テトラデシル(2−ヒド
ロキシエチル)ジメチルアンモニウム塩、ペンタデシル
(2−ヒドロキシエチル)ジメチルアンモニウム塩、ヘ
キサデシル(2−ヒドロキシエチル)ジメチルアンモニ
ウム塩、オクタデシル(2−ヒドロキシエチル)ジメチ
ルアンモニウム塩、オレイル(2−ヒドロキシエチル)
ジメチルアンモニウム塩、ドデシル(2−ヒドロキシプ
ロピル)ジメチルアンモニウム塩、ドデシル(2−ヒド
ロキシエチル)ジエチルアンモニウム塩などの飽和又は
不飽和の炭素数8〜20程度のモノアルキル基と、ヒド
ロキシル基を有する炭素数1〜4程度のモノ低級アルキ
ル基と、炭素数1〜4程度のジ低級アルキル基を有する
アンモニウム塩;オクチルジ(2−ヒドロキシエチル)
メチルアンモニウム塩、デシルジ(2−ヒドロキシエチ
ル)メチルアンモニウム塩、ドデシルジ(2−ヒドロキ
シエチル)メチルアンモニウム塩、トリデシルジ(2−
ヒドロキシエチル)メチルアンモニウム塩、テトラデシ
ルジ(2−ヒドロキシエチル)メチルアンモニウム塩、
ペンタデシルジ(2−ヒドロキシエチル)メチルアンモ
ニウム塩、ヘキサデシルジ(2−ヒドロキシエチル)メ
チルアンモニウム塩、オクタデシルジ(2−ヒドロキシ
エチル)メチルアンモニウム塩、オレイルジ(2−ヒド
ロキシエチル)メチルアンモニウム塩、ドデシルジ(2
−ヒドロキシプロピル)メチルアンモニウム塩、ドデシ
ルジ(2−ヒドロキシエチル)エチルアンモニウム塩な
どの飽和又は不飽和の炭素数8〜20程度のモノアルキ
ル基と、ヒドロキシル基を有する炭素数1〜4程度のジ
低級アルキル基と、炭素数1〜4程度のモノ低級アルキ
ル基とを有するアンモニウム塩;オクチルトリ(2−ヒ
ドロキシエチル)アンモニウム塩、デシルトリ(2−ヒ
ドロキシエチル)アンモニウム塩、ドデシルトリ(2−
ヒドロキシエチル)アンモニウム塩、トリデシルトリ
(2−ヒドロキシエチル)アンモニウム塩、テトラデシ
ルトリ(2−ヒドロキシエチル)アンモニウム塩、ペン
タデシルトリ(2−ヒドロキシエチル)アンモニウム
塩、ヘキサデシルトリ(2−ヒドロキシエチル)アンモ
ニウム塩、オクタデシルトリ(2−ヒドロキシエチル)
アンモニウム塩、オレイルトリ(2−ヒドロキシエチ
ル)アンモニウム塩、ドデシルトリ(2−ヒドロキシプ
ロピル)アンモニウム塩、ドデシルトリ(3−ヒドロキ
シプロピル)アンモニウム塩などの飽和又は不飽和の炭
素数8〜20程度のモノアルキル基と、ヒドロキシル基
を有する炭素数1〜4程度のトリ低級アルキル基とを有
するアンモニウム塩;ベンジルジ(ヒドロキシエチル)
ドデシルオキシエチルアンモニウム塩、ジベンジル(ド
デシルオキシエチル)ヒドロキシエチルアンモニウム塩
などのベンジル基と、ヒドロキシル基を有する炭素数1
〜4程度のトリ低級アルキル基とを有するアンモニウム
塩などが例示される。
ば、オクチル(2−ヒドロキシエチル)ジメチルアンモ
ニウム塩、デシル(2−ヒドロキシエチル)ジメチルア
ンモニウム塩、ドデシル(2−ヒドロキシエチル)ジメ
チルアンモニウム塩、トリデシル(2−ヒドロキシエチ
ル)ジメチルアンモニウム塩、テトラデシル(2−ヒド
ロキシエチル)ジメチルアンモニウム塩、ペンタデシル
(2−ヒドロキシエチル)ジメチルアンモニウム塩、ヘ
キサデシル(2−ヒドロキシエチル)ジメチルアンモニ
ウム塩、オクタデシル(2−ヒドロキシエチル)ジメチ
ルアンモニウム塩、オレイル(2−ヒドロキシエチル)
ジメチルアンモニウム塩、ドデシル(2−ヒドロキシプ
ロピル)ジメチルアンモニウム塩、ドデシル(2−ヒド
ロキシエチル)ジエチルアンモニウム塩などの飽和又は
不飽和の炭素数8〜20程度のモノアルキル基と、ヒド
ロキシル基を有する炭素数1〜4程度のモノ低級アルキ
ル基と、炭素数1〜4程度のジ低級アルキル基を有する
アンモニウム塩;オクチルジ(2−ヒドロキシエチル)
メチルアンモニウム塩、デシルジ(2−ヒドロキシエチ
ル)メチルアンモニウム塩、ドデシルジ(2−ヒドロキ
シエチル)メチルアンモニウム塩、トリデシルジ(2−
ヒドロキシエチル)メチルアンモニウム塩、テトラデシ
ルジ(2−ヒドロキシエチル)メチルアンモニウム塩、
ペンタデシルジ(2−ヒドロキシエチル)メチルアンモ
ニウム塩、ヘキサデシルジ(2−ヒドロキシエチル)メ
チルアンモニウム塩、オクタデシルジ(2−ヒドロキシ
エチル)メチルアンモニウム塩、オレイルジ(2−ヒド
ロキシエチル)メチルアンモニウム塩、ドデシルジ(2
−ヒドロキシプロピル)メチルアンモニウム塩、ドデシ
ルジ(2−ヒドロキシエチル)エチルアンモニウム塩な
どの飽和又は不飽和の炭素数8〜20程度のモノアルキ
ル基と、ヒドロキシル基を有する炭素数1〜4程度のジ
低級アルキル基と、炭素数1〜4程度のモノ低級アルキ
ル基とを有するアンモニウム塩;オクチルトリ(2−ヒ
ドロキシエチル)アンモニウム塩、デシルトリ(2−ヒ
ドロキシエチル)アンモニウム塩、ドデシルトリ(2−
ヒドロキシエチル)アンモニウム塩、トリデシルトリ
(2−ヒドロキシエチル)アンモニウム塩、テトラデシ
ルトリ(2−ヒドロキシエチル)アンモニウム塩、ペン
タデシルトリ(2−ヒドロキシエチル)アンモニウム
塩、ヘキサデシルトリ(2−ヒドロキシエチル)アンモ
ニウム塩、オクタデシルトリ(2−ヒドロキシエチル)
アンモニウム塩、オレイルトリ(2−ヒドロキシエチ
ル)アンモニウム塩、ドデシルトリ(2−ヒドロキシプ
ロピル)アンモニウム塩、ドデシルトリ(3−ヒドロキ
シプロピル)アンモニウム塩などの飽和又は不飽和の炭
素数8〜20程度のモノアルキル基と、ヒドロキシル基
を有する炭素数1〜4程度のトリ低級アルキル基とを有
するアンモニウム塩;ベンジルジ(ヒドロキシエチル)
ドデシルオキシエチルアンモニウム塩、ジベンジル(ド
デシルオキシエチル)ヒドロキシエチルアンモニウム塩
などのベンジル基と、ヒドロキシル基を有する炭素数1
〜4程度のトリ低級アルキル基とを有するアンモニウム
塩などが例示される。
【0012】これらの第4級アンモニウム塩における塩
には、クロライド、ブロマイドなどのハライド、ナイト
レート、ローダネート、サイアニドなどが含まれる。こ
れらの第4級アンモニウム塩は、一種又は二種以上使用
できる。
には、クロライド、ブロマイドなどのハライド、ナイト
レート、ローダネート、サイアニドなどが含まれる。こ
れらの第4級アンモニウム塩は、一種又は二種以上使用
できる。
【0013】ヒドロキシアルキル基を有する第4級アン
モニウム塩は、塵芥や汚れの除去効率が高く、帯電防止
性が高いだけでなく、塵芥の付着性が小さい。また、こ
のような効果は、少なくとも半年以上持続する。
モニウム塩は、塵芥や汚れの除去効率が高く、帯電防止
性が高いだけでなく、塵芥の付着性が小さい。また、こ
のような効果は、少なくとも半年以上持続する。
【0014】好ましい第4級アンモニウム塩には、ジア
ルキルジ(2−ヒドロキシエチル)アンモニウム塩、特
に、飽和又は不飽和の炭素数8〜20程度のモノアルキ
ル基と、炭素数1〜3程度のモノ低級アルキル基と、ヒ
ドロキシル基を有する炭素数2又は3程度のジ低級アル
キル基とを有するアンモニウム塩が含まれる。ジアルキ
ルジ(ヒドロキシアルキル)アンモニウム塩は、洗浄性
および帯電防止性がさらに高いだけでなく、塵芥の付着
性が著しく小さい。
ルキルジ(2−ヒドロキシエチル)アンモニウム塩、特
に、飽和又は不飽和の炭素数8〜20程度のモノアルキ
ル基と、炭素数1〜3程度のモノ低級アルキル基と、ヒ
ドロキシル基を有する炭素数2又は3程度のジ低級アル
キル基とを有するアンモニウム塩が含まれる。ジアルキ
ルジ(ヒドロキシアルキル)アンモニウム塩は、洗浄性
および帯電防止性がさらに高いだけでなく、塵芥の付着
性が著しく小さい。
【0015】さらに、ヒドロキシアルキル基を有する第
4級アンモニウム塩は、濃度0.1重量%の水溶液にお
いて、25〜60dynes/cm、好ましくは30〜
50dynes/cm、さらに好ましくは35〜45d
ynes/cm程度の表面張力を示す。
4級アンモニウム塩は、濃度0.1重量%の水溶液にお
いて、25〜60dynes/cm、好ましくは30〜
50dynes/cm、さらに好ましくは35〜45d
ynes/cm程度の表面張力を示す。
【0016】ヒドロキシアルキル基を有する第4級アン
モニウム塩は、他の第4級アンモニウム塩と併用するの
も好ましい。他の第4級アンモニウム塩としては、例え
ば、オクチルトリメチルアンモニウム塩、デシルトリメ
チルアンモニウム塩、ドデシルトリメチルアンモニウム
塩、トリデシルトリメチルアンモニウム塩、テトラデシ
ルトリメチルアンモニウム塩、ヘキサデシルトリメチル
アンモニウム塩、オクタデシルトリメチルアンモニウム
塩、オレイルトリメチルアンモニウム塩などの飽和又は
不飽和の炭素数8〜20程度のモノアルキル基と、炭素
数1〜4程度のトリ低級アルキル基とを有するアンモニ
ウム塩;デシルトリ(エトキシメチル)アンモニウム
塩、ドデシルトリ(エトキシメチル)アンモニウム塩、
テトラデシルトリ(エトキシメチル)アンモニウム塩な
どの飽和又は不飽和の炭素数8〜20程度のモノアルキ
ル基と、アルコキシ基を有する炭素数1〜4程度のトリ
低級アルキル基とを有するアンモニウム塩;ベンジルデ
シルジメチルアンモニウム塩、ベンジルデシルジエチル
アンモニウム塩、ベンジルドデシルジメチルアンモニウ
ム塩、ベンジルドデシルジエチルアンモニウム塩、ベン
ジルジエチルチオエチルグリシドアンモニウム塩、ベン
ジルジエチルゲラニルアンモニウム塩、ドデシルジメチ
ルp−ニトロベンジルアンモニウム塩、ベンジルジエチ
ルペンタデシルアンモニウム塩などの1以上のベンジル
基を有するアンモニウム塩;アリルジブチルドデシルア
ンモニウム塩、アセトニトリルドデシルジエチルアンモ
ニウム塩などが例示される。
モニウム塩は、他の第4級アンモニウム塩と併用するの
も好ましい。他の第4級アンモニウム塩としては、例え
ば、オクチルトリメチルアンモニウム塩、デシルトリメ
チルアンモニウム塩、ドデシルトリメチルアンモニウム
塩、トリデシルトリメチルアンモニウム塩、テトラデシ
ルトリメチルアンモニウム塩、ヘキサデシルトリメチル
アンモニウム塩、オクタデシルトリメチルアンモニウム
塩、オレイルトリメチルアンモニウム塩などの飽和又は
不飽和の炭素数8〜20程度のモノアルキル基と、炭素
数1〜4程度のトリ低級アルキル基とを有するアンモニ
ウム塩;デシルトリ(エトキシメチル)アンモニウム
塩、ドデシルトリ(エトキシメチル)アンモニウム塩、
テトラデシルトリ(エトキシメチル)アンモニウム塩な
どの飽和又は不飽和の炭素数8〜20程度のモノアルキ
ル基と、アルコキシ基を有する炭素数1〜4程度のトリ
低級アルキル基とを有するアンモニウム塩;ベンジルデ
シルジメチルアンモニウム塩、ベンジルデシルジエチル
アンモニウム塩、ベンジルドデシルジメチルアンモニウ
ム塩、ベンジルドデシルジエチルアンモニウム塩、ベン
ジルジエチルチオエチルグリシドアンモニウム塩、ベン
ジルジエチルゲラニルアンモニウム塩、ドデシルジメチ
ルp−ニトロベンジルアンモニウム塩、ベンジルジエチ
ルペンタデシルアンモニウム塩などの1以上のベンジル
基を有するアンモニウム塩;アリルジブチルドデシルア
ンモニウム塩、アセトニトリルドデシルジエチルアンモ
ニウム塩などが例示される。
【0017】ヒドロキシアルキル基を有する前記第4級
アンモニウム塩は、必要に応じて、前記以外の他の帯電
防止剤、例えば、アルキルピリジニウム塩、N−エチル
アルカンアミドアンモニウム塩などのカチオン系帯電防
止剤、スルホン酸塩、硫酸アルキル塩などのアニオン系
帯電防止剤、アルキルベタイン塩などの両性帯電防止
剤、グリセリン脂肪酸エステル、脂肪酸多価アルコール
ポリオキシエチレン、アルキルフェニルポリオキシエチ
レンなどのノニオン系帯電防止剤と併用することもでき
る。
アンモニウム塩は、必要に応じて、前記以外の他の帯電
防止剤、例えば、アルキルピリジニウム塩、N−エチル
アルカンアミドアンモニウム塩などのカチオン系帯電防
止剤、スルホン酸塩、硫酸アルキル塩などのアニオン系
帯電防止剤、アルキルベタイン塩などの両性帯電防止
剤、グリセリン脂肪酸エステル、脂肪酸多価アルコール
ポリオキシエチレン、アルキルフェニルポリオキシエチ
レンなどのノニオン系帯電防止剤と併用することもでき
る。
【0018】ヒドロキシアルキル基を有する第4級アン
モニウム塩と他の帯電防止剤との割合は、広い範囲で選
択でき、例えば、ヒドロキシアルキル基を有する第4級
アンモニウム塩5〜100重量%、好ましくは10〜1
00重量%、さらに好ましくは25〜100重量%程度
である。
モニウム塩と他の帯電防止剤との割合は、広い範囲で選
択でき、例えば、ヒドロキシアルキル基を有する第4級
アンモニウム塩5〜100重量%、好ましくは10〜1
00重量%、さらに好ましくは25〜100重量%程度
である。
【0019】本発明のクリーナー液は、前記第4級アン
モニウム塩と溶媒とを含んでいる。ヒドロキシアルキル
基を有する第4級アンモニウム塩の含有量は、帯電防止
性及び非粘着性が発現する範囲で選択でき、通常、0.
01〜5重量%、好ましくは0.02〜2.5重量%、
さらに好ましくは0.05〜2重量%程度である。
モニウム塩と溶媒とを含んでいる。ヒドロキシアルキル
基を有する第4級アンモニウム塩の含有量は、帯電防止
性及び非粘着性が発現する範囲で選択でき、通常、0.
01〜5重量%、好ましくは0.02〜2.5重量%、
さらに好ましくは0.05〜2重量%程度である。
【0020】好ましいジアルキルジ(ヒドロキシアルキ
ル)アンモニウム塩は、その含有量が著しく少なくて
も、記録媒体に高い帯電防止能を付与し、かつ粘着性に
起因する塵芥の付着を有効に防止する。さらに、付着し
た塵芥や汚れの除去効率及び洗浄性も高い。ジアルキル
ジ(ヒドロキシアルキル)アンモニウム塩の含有量は、
単独で使用する場合、例えば、0.01〜0.25重量
%、好ましくは0.05〜0.2重量%、さらに好まし
くは0.075〜0.15重量%程度である。
ル)アンモニウム塩は、その含有量が著しく少なくて
も、記録媒体に高い帯電防止能を付与し、かつ粘着性に
起因する塵芥の付着を有効に防止する。さらに、付着し
た塵芥や汚れの除去効率及び洗浄性も高い。ジアルキル
ジ(ヒドロキシアルキル)アンモニウム塩の含有量は、
単独で使用する場合、例えば、0.01〜0.25重量
%、好ましくは0.05〜0.2重量%、さらに好まし
くは0.075〜0.15重量%程度である。
【0021】なお、ヒドロキシアルキル基を有する第4
級アンモニウム塩の含有量が少ないと、帯電防止性を付
与できず、多すぎると、塵芥が逆に付着し易くなる。
級アンモニウム塩の含有量が少ないと、帯電防止性を付
与できず、多すぎると、塵芥が逆に付着し易くなる。
【0022】前記溶媒としては、例えば、水;メタノー
ル、エタノール、プロパノール、イソプロパノール、ブ
タノール、イソブタノール、t−ブタノールなどのアル
コール類;メチルセロソルブ、エチルセロソルブ、ブチ
ルセロソルブなどのセロソルブ類;ジエチルエーテル、
ジプロピルエーテル、ジイソプロピルエーテル、アニソ
ールなどのエーテル類;アセトン、メチルエチルケトン
などのケトン類;酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ブチ
ル、安息香酸エチルなどのエステル類;ペンタン、ヘキ
サンなどの脂肪族炭化水素類;シクロヘキサンなどの脂
環族炭化水素類;ベンゼン、トルエン、キシレンなどの
芳香族炭化水素類;塩化メチレン、クロロホルムなどの
ハロゲン化炭化水素類;エチルアミン、アニリンなどの
アミン類;アセトニトリルなどのニトリル類などが例示
される。水、アルコール類及びセロソルブ類以外の溶媒
は、水、アルコール類及びセロソルブ類に不溶な第4級
アンモニウム塩を可溶化させる場合に有用である。
ル、エタノール、プロパノール、イソプロパノール、ブ
タノール、イソブタノール、t−ブタノールなどのアル
コール類;メチルセロソルブ、エチルセロソルブ、ブチ
ルセロソルブなどのセロソルブ類;ジエチルエーテル、
ジプロピルエーテル、ジイソプロピルエーテル、アニソ
ールなどのエーテル類;アセトン、メチルエチルケトン
などのケトン類;酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ブチ
ル、安息香酸エチルなどのエステル類;ペンタン、ヘキ
サンなどの脂肪族炭化水素類;シクロヘキサンなどの脂
環族炭化水素類;ベンゼン、トルエン、キシレンなどの
芳香族炭化水素類;塩化メチレン、クロロホルムなどの
ハロゲン化炭化水素類;エチルアミン、アニリンなどの
アミン類;アセトニトリルなどのニトリル類などが例示
される。水、アルコール類及びセロソルブ類以外の溶媒
は、水、アルコール類及びセロソルブ類に不溶な第4級
アンモニウム塩を可溶化させる場合に有用である。
【0023】なお、前記溶剤のなかで、記録媒体の基材
などを浸蝕する溶媒は、溶媒全体として基材を浸蝕しな
い範囲で使用するのが好ましい。好ましい溶媒は、水及
び/又は親水性溶媒、特に水と親水性溶媒との混合溶媒
で構成される。親水性溶媒には、アルコール類、セロソ
ルブ類およびこれらの混合溶媒、なかでも揮発性アルコ
ール類が含まれる。水と親水性溶媒との割合は、広い範
囲で選択でき、例えば、水/親水性溶媒=5〜95/9
5〜5(重量%)、好ましくは10〜90/90〜10
(重量%)、さらに好ましくは20〜80/80〜20
(重量%)程度である。
などを浸蝕する溶媒は、溶媒全体として基材を浸蝕しな
い範囲で使用するのが好ましい。好ましい溶媒は、水及
び/又は親水性溶媒、特に水と親水性溶媒との混合溶媒
で構成される。親水性溶媒には、アルコール類、セロソ
ルブ類およびこれらの混合溶媒、なかでも揮発性アルコ
ール類が含まれる。水と親水性溶媒との割合は、広い範
囲で選択でき、例えば、水/親水性溶媒=5〜95/9
5〜5(重量%)、好ましくは10〜90/90〜10
(重量%)、さらに好ましくは20〜80/80〜20
(重量%)程度である。
【0024】クリーナー液は、必要に応じて、被膜形成
能を有するバインダーを含んでいてもよい。バインダー
としては、例えば、ポリメタクリル酸メチル、アクリル
酸−メタクリル酸共重合体などのアクリル樹脂、ポリス
チレン、スチレン−マレイン酸共重合体などのスチレン
系ポリマー、ポリ酢酸ビニル、エチレン−酢酸ビニル共
重合体、ポリビニルアルコール、エチレン−ビニルアル
コール共重合体、ポリエチレン、ポリプロピレンなどの
オレフィン系ポリマー、ニトロセルロース、酢酸セルロ
ースなどのセルロース誘導体、ポリ塩化ビニル、酢酸ビ
ニル−塩化ビニル共重合体、ポリエステル、ポリカーボ
ネートなどが挙げられる。クリーナー液を光ディスクな
どの光記録媒体に適用する場合、好ましいバインダーに
は透明性を有するポリマーが含まれる。これらのバイン
ダーは一種又は二種以上使用できる。また、バインダー
を使用する場合、バインダーの種類に応じた良溶媒を使
用できる。
能を有するバインダーを含んでいてもよい。バインダー
としては、例えば、ポリメタクリル酸メチル、アクリル
酸−メタクリル酸共重合体などのアクリル樹脂、ポリス
チレン、スチレン−マレイン酸共重合体などのスチレン
系ポリマー、ポリ酢酸ビニル、エチレン−酢酸ビニル共
重合体、ポリビニルアルコール、エチレン−ビニルアル
コール共重合体、ポリエチレン、ポリプロピレンなどの
オレフィン系ポリマー、ニトロセルロース、酢酸セルロ
ースなどのセルロース誘導体、ポリ塩化ビニル、酢酸ビ
ニル−塩化ビニル共重合体、ポリエステル、ポリカーボ
ネートなどが挙げられる。クリーナー液を光ディスクな
どの光記録媒体に適用する場合、好ましいバインダーに
は透明性を有するポリマーが含まれる。これらのバイン
ダーは一種又は二種以上使用できる。また、バインダー
を使用する場合、バインダーの種類に応じた良溶媒を使
用できる。
【0025】バインダーの含有量は、通常、0〜50重
量%、好ましくは1〜25重量%、さらに好ましくは
2.5〜10重量%程度である。なお、バインダーを使
用する場合、ヒドロキシアルキル基を有する第4級アン
モニウム塩の含有量は、単独の場合よりも多くしてもよ
い。
量%、好ましくは1〜25重量%、さらに好ましくは
2.5〜10重量%程度である。なお、バインダーを使
用する場合、ヒドロキシアルキル基を有する第4級アン
モニウム塩の含有量は、単独の場合よりも多くしてもよ
い。
【0026】本発明のクリーナー液は、種々の回転する
記録媒体、例えば円盤状レコード、好ましくは光記録媒
体などに適用される。光記録媒体は、再生専用型、追記
型、光磁気ディスクなどの書換型などのいずれであって
もよい。光記録媒体においては、情報の記録、再生や消
去が行なわれる光照射面に前記クリーナー液を適用すれ
ばよい。
記録媒体、例えば円盤状レコード、好ましくは光記録媒
体などに適用される。光記録媒体は、再生専用型、追記
型、光磁気ディスクなどの書換型などのいずれであって
もよい。光記録媒体においては、情報の記録、再生や消
去が行なわれる光照射面に前記クリーナー液を適用すれ
ばよい。
【0027】クリーナー液は、天然繊維又は合成繊維な
どの織布、不織布や多孔質体などからなるハケ、ブラ
シ、スポンジ、羽毛などの拭き取り具に、噴霧、浸漬又
は含浸、混練などの適宜の方法により付着させて使用す
る場合が多い。この場合、クリーナー液の溶媒は必要に
応じて乾燥により除去してもよい。拭き取り具により記
録媒体表面に付着した塵芥を容易に拭き取ることができ
る。クリーナー液による塵芥の除去は、手動により行な
ってもよく、ディクスカートリッジまたはディスクドラ
イブに装着された前記拭き取り具により、自動的に行な
ってもよい。
どの織布、不織布や多孔質体などからなるハケ、ブラ
シ、スポンジ、羽毛などの拭き取り具に、噴霧、浸漬又
は含浸、混練などの適宜の方法により付着させて使用す
る場合が多い。この場合、クリーナー液の溶媒は必要に
応じて乾燥により除去してもよい。拭き取り具により記
録媒体表面に付着した塵芥を容易に拭き取ることができ
る。クリーナー液による塵芥の除去は、手動により行な
ってもよく、ディクスカートリッジまたはディスクドラ
イブに装着された前記拭き取り具により、自動的に行な
ってもよい。
【0028】本発明のクリーナー液により光記録媒体を
繰返し拭いても、バイトエラー率が小さく、情報の記
録、再生及び消去特性が低下することがない。
繰返し拭いても、バイトエラー率が小さく、情報の記
録、再生及び消去特性が低下することがない。
【0029】図1は本発明のクリーナー液を用いた拭き
取り具の一例を示す概略断面図である。この例では、柄
1に取付けられたスポンジなどの多孔質体2には、含
浸、噴霧などによりクリーナー液が付着している。この
ようなハンドクリーナー3は、クリーナー液が付着した
多孔質体2により記録媒体に付着した塵芥を容易に除去
できる。
取り具の一例を示す概略断面図である。この例では、柄
1に取付けられたスポンジなどの多孔質体2には、含
浸、噴霧などによりクリーナー液が付着している。この
ようなハンドクリーナー3は、クリーナー液が付着した
多孔質体2により記録媒体に付着した塵芥を容易に除去
できる。
【0030】図2は本発明のクリーナー液を用いた拭き
取り具を装着したディスクカートリッジを示す概略断面
図である。この例では、ディスクカートリッジ11内に
回転可能に配された光記録媒体12の表面に付着した塵
芥を自動的に除去するため、ディスクカートリッジ11
内には、クリーナー液が含浸された天然又は合成繊維か
らなるハケ13が、前記光記録媒体12と接触可能に装
着されている。
取り具を装着したディスクカートリッジを示す概略断面
図である。この例では、ディスクカートリッジ11内に
回転可能に配された光記録媒体12の表面に付着した塵
芥を自動的に除去するため、ディスクカートリッジ11
内には、クリーナー液が含浸された天然又は合成繊維か
らなるハケ13が、前記光記録媒体12と接触可能に装
着されている。
【0031】このようなカートリッジ11では、回転す
る光記録媒体12に、ハケ13を周期的又は連続的に接
触させることにより、光記録媒体12に付着した塵芥を
自動的に除去できる。
る光記録媒体12に、ハケ13を周期的又は連続的に接
触させることにより、光記録媒体12に付着した塵芥を
自動的に除去できる。
【0032】こりようにして塵芥を除去すると、前記ク
リーナー液により、記録媒体に高い帯電防止能及び非粘
着性を付与できる。そのため、塵芥の付着を防止でき
る。
リーナー液により、記録媒体に高い帯電防止能及び非粘
着性を付与できる。そのため、塵芥の付着を防止でき
る。
【0033】
【発明の効果】本発明のクリーナー液は、特定の第4級
アンモニウム塩型帯電防止剤を含むので、回転する記録
媒体に付着した塵芥や汚れを容易かつ効率よく除去でき
るだけでなく、記録媒体に高い帯電防止能及び非粘着性
を付与し、塵芥の付着を防止できる。
アンモニウム塩型帯電防止剤を含むので、回転する記録
媒体に付着した塵芥や汚れを容易かつ効率よく除去でき
るだけでなく、記録媒体に高い帯電防止能及び非粘着性
を付与し、塵芥の付着を防止できる。
【0034】
【実施例】以下に、実施例に基づいて本発明をより詳細
に説明する。
に説明する。
【0035】実施例1 ドデシルジ(2−ヒドロキシエチル)メチルアンモニウ
ムナイトレート0.1重量部を、水49.9重量部、エ
タノール45重量部、メタノール5重量部、イソプロパ
ノール5重量部の混合溶媒に溶解し、クリーナー液を調
製した。
ムナイトレート0.1重量部を、水49.9重量部、エ
タノール45重量部、メタノール5重量部、イソプロパ
ノール5重量部の混合溶媒に溶解し、クリーナー液を調
製した。
【0036】実施例2 ドデシルジ(2−ヒドロキシエチル)メチルアンモニウ
ムナイトレート0.2重量部を、水49.8重量部、エ
タノール45重量部、メタノール5重量部、イソプロパ
ノール5重量部の混合溶媒に溶解し、クリーナー液を調
製した。
ムナイトレート0.2重量部を、水49.8重量部、エ
タノール45重量部、メタノール5重量部、イソプロパ
ノール5重量部の混合溶媒に溶解し、クリーナー液を調
製した。
【0037】実施例3 テトラデシルジ(2−ヒドロキシエチル)メチルアンモ
ニウムナイトレート0.1重量部を、水49.9重量
部、エタノール45重量部、メタノール5重量部、イソ
プロパノール5重量部の混合溶媒に溶解し、クリーナー
液を調製した。
ニウムナイトレート0.1重量部を、水49.9重量
部、エタノール45重量部、メタノール5重量部、イソ
プロパノール5重量部の混合溶媒に溶解し、クリーナー
液を調製した。
【0038】実施例4 ドデシルジ(2−ヒドロキシエチル)メチルアンモニウ
ムナイトレート0.1重量部、及びドデシルトリメチル
アンモニウムクロライド0.1重量部を、水49.8重
量部、エタノール40重量部、イソプロパノール10重
量部の混合溶媒に溶解し、クリーナー液を調製した。
ムナイトレート0.1重量部、及びドデシルトリメチル
アンモニウムクロライド0.1重量部を、水49.8重
量部、エタノール40重量部、イソプロパノール10重
量部の混合溶媒に溶解し、クリーナー液を調製した。
【0039】実施例5 ドデシルジ(2−ヒドロキシエチル)メチルアンモニウ
ムナイトレート0.1重量部、及びドデシルトリメチル
アンモニウムクロライド0.4重量部を、水49.5重
量部、エタノール40重量部、イソプロパノール10重
量部の混合溶媒に溶解し、クリーナー液を調製した。
ムナイトレート0.1重量部、及びドデシルトリメチル
アンモニウムクロライド0.4重量部を、水49.5重
量部、エタノール40重量部、イソプロパノール10重
量部の混合溶媒に溶解し、クリーナー液を調製した。
【0040】実施例6 ドデシルジ(2−ヒドロキシエチル)メチルアンモニウ
ムナイトレート0.5重量部、及びポリ酢酸ビニル4.
5重量部を、水20重量部、エタノール65重量部、酢
酸エチル10重量部の混合溶媒に溶解し、クリーナー液
を調製した。
ムナイトレート0.5重量部、及びポリ酢酸ビニル4.
5重量部を、水20重量部、エタノール65重量部、酢
酸エチル10重量部の混合溶媒に溶解し、クリーナー液
を調製した。
【0041】比較例 ドデシルベンゼンスルホン酸ナトリウム0.3重量部
を、エタノール20重量部、メチルエチルケトン15重
量部、エチルセロソルブ64.7重量部の混合溶媒に溶
解し、クリーナー液を調製した。
を、エタノール20重量部、メチルエチルケトン15重
量部、エチルセロソルブ64.7重量部の混合溶媒に溶
解し、クリーナー液を調製した。
【0042】そして、前記実施例1〜6及び比較例のク
リーナー液を、ポリカーボネートを基板とする光磁気デ
ィスク(130mmφ)に、2000rpm、10秒の
スピンコートにより塗布し、23℃、65%RHの条件
下、3日間放置し、表面固有抵抗値を測定するととも
に、次のような特性を評価した。
リーナー液を、ポリカーボネートを基板とする光磁気デ
ィスク(130mmφ)に、2000rpm、10秒の
スピンコートにより塗布し、23℃、65%RHの条件
下、3日間放置し、表面固有抵抗値を測定するととも
に、次のような特性を評価した。
【0043】(1)帯電電位が半減する半減期 光磁気ディスクを、20℃、60%RHで3日間以上調
湿した後、20℃、60%RHの環境下、8kVで30
秒間帯電させ、帯電量が半減するまでの時間を静電気帯
電減衰度測定機(サイトウ技研製、タイプS−4104
型)を用いて測定した。
湿した後、20℃、60%RHの環境下、8kVで30
秒間帯電させ、帯電量が半減するまでの時間を静電気帯
電減衰度測定機(サイトウ技研製、タイプS−4104
型)を用いて測定した。
【0044】(2)バイトエラー率 光磁気ディスクの表面をクリーナー液で300回拭き、
バイトエラー率を測定した。バイトエラー率は、ディス
クドライブ(ソニー社製)を用い、0〜18750トラ
ックまで20バイト毎に測定した。
バイトエラー率を測定した。バイトエラー率は、ディス
クドライブ(ソニー社製)を用い、0〜18750トラ
ックまで20バイト毎に測定した。
【0045】(3)塵芥の付着性 塵芥としてシリカ−アルミナ微粉末を用い、塵芥が浮遊
する空間内で、光磁気ディスクを1800rpmで4時
間回転させた。その後、顕微鏡により光磁気ディスクの
表面を観察し、塵芥の付着の程度を下記の基準で評価し
た。
する空間内で、光磁気ディスクを1800rpmで4時
間回転させた。その後、顕微鏡により光磁気ディスクの
表面を観察し、塵芥の付着の程度を下記の基準で評価し
た。
【0046】優:試験に供する前の光磁気ディスクと同
じく塵芥が殆ど付着しない 良:塵芥の付着が少い 不可:塵芥の付着が著しく多い 結果を表に示す。
じく塵芥が殆ど付着しない 良:塵芥の付着が少い 不可:塵芥の付着が著しく多い 結果を表に示す。
【0047】
【表1】 表より明らかなように、ヒドロキシアルキル基を有する
第4級アンモニウム塩を含むクリーナー液は、帯電防止
性が高いだけでなく、塵芥の付着を著しく防止する。
第4級アンモニウム塩を含むクリーナー液は、帯電防止
性が高いだけでなく、塵芥の付着を著しく防止する。
【0048】実施例7 実施例1で得られたクリーナー液を、図1に示すハンド
クリーナーのスポンジに含浸させ、光磁気ディスク(1
30mmφ)表面を拭き、顕微鏡で表面を観察したとこ
ろ、微少な汚れ、微細な塵芥を除去できた。
クリーナーのスポンジに含浸させ、光磁気ディスク(1
30mmφ)表面を拭き、顕微鏡で表面を観察したとこ
ろ、微少な汚れ、微細な塵芥を除去できた。
【0049】その後、シリカ−アルミナ微粉末が浮遊す
る空間内に配したディスクドライブを用い、光磁気ディ
スクを1800rpmで24時間連続的に回転させたと
ころ、顕微鏡観察によってもディスク表面への微粉末の
付着は、殆ど観察されなかった。また、情報の記録、再
生及び消去特性は低下しなかった。
る空間内に配したディスクドライブを用い、光磁気ディ
スクを1800rpmで24時間連続的に回転させたと
ころ、顕微鏡観察によってもディスク表面への微粉末の
付着は、殆ど観察されなかった。また、情報の記録、再
生及び消去特性は低下しなかった。
【0050】実施例8 実施例1で得られたクリーナー液を、図2に示すハケに
含浸させ、室温下で自然乾燥した。得られたハケをカー
トリッジ内に装着し、シリカ−アルミナ微粉末が浮遊す
る空間内に配したディスクドライブを用い、光磁気ディ
スク(130mmφ)を1800rpmで24時間連続
的に回転させたところ、顕微鏡観察によってもディスク
表面への微粉末の付着は、殆ど観察されなかった。ま
た、情報の記録、再生及び消去特性は低下しなかった。
含浸させ、室温下で自然乾燥した。得られたハケをカー
トリッジ内に装着し、シリカ−アルミナ微粉末が浮遊す
る空間内に配したディスクドライブを用い、光磁気ディ
スク(130mmφ)を1800rpmで24時間連続
的に回転させたところ、顕微鏡観察によってもディスク
表面への微粉末の付着は、殆ど観察されなかった。ま
た、情報の記録、再生及び消去特性は低下しなかった。
【図1】図1は本発明のクリーナー液を用いた拭き取り
具の一例を示す概略断面図である。
具の一例を示す概略断面図である。
【図2】図2は本発明のクリーナー液を用いた拭き取り
具を装着したディスクカートリッジを示す概略断面図で
ある。
具を装着したディスクカートリッジを示す概略断面図で
ある。
Claims (5)
- 【請求項1】 回転する記録媒体に適用されるクリーナ
ー液であって、ヒドロキシアルキル基を有する第4級ア
ンモニウム塩型帯電防止剤を含むクリーナー液。 - 【請求項2】 水及び/又は親水性溶媒を含み、ヒドロ
キシアルキル基を有する第4級アンモニウム塩型帯電防
止剤の含有量が0.01〜5重量%である請求項1記載
のクリーナー液。 - 【請求項3】 第4級アンモニウム塩型帯電防止剤が、
ジアルキルジ(ヒドロキシアルキル)アンモニウム塩で
ある請求項1又は2記載のクリーナー液。 - 【請求項4】 ジアルキルジ(ヒドロキシアルキル)ア
ンモニウム塩を0.01〜0.25重量%含む請求項3
記載のクリーナー液。 - 【請求項5】 濃度0.1重量%での水溶液の表面張力
が25〜60dynes/cmである請求項1記載のク
リーナー液。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19316192A JPH06108094A (ja) | 1992-06-25 | 1992-06-25 | クリーナー液 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19316192A JPH06108094A (ja) | 1992-06-25 | 1992-06-25 | クリーナー液 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06108094A true JPH06108094A (ja) | 1994-04-19 |
Family
ID=16303306
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19316192A Pending JPH06108094A (ja) | 1992-06-25 | 1992-06-25 | クリーナー液 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06108094A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000504066A (ja) * | 1996-10-18 | 2000-04-04 | ザ、プロクター、エンド、ギャンブル、カンパニー | 洗剤組成物 |
| KR100419924B1 (ko) * | 2001-05-02 | 2004-02-25 | 삼성전자주식회사 | 세정액 및 이를 사용한 반사방지막 성분의 세정 방법 |
| WO2004078898A1 (ja) * | 2003-03-06 | 2004-09-16 | Tokuyama Corporation | 帯電防止性洗浄剤 |
| JP2025044910A (ja) * | 2023-09-20 | 2025-04-02 | 常盤化学工業株式会社 | 洗浄剤組成物 |
-
1992
- 1992-06-25 JP JP19316192A patent/JPH06108094A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000504066A (ja) * | 1996-10-18 | 2000-04-04 | ザ、プロクター、エンド、ギャンブル、カンパニー | 洗剤組成物 |
| KR100419924B1 (ko) * | 2001-05-02 | 2004-02-25 | 삼성전자주식회사 | 세정액 및 이를 사용한 반사방지막 성분의 세정 방법 |
| WO2004078898A1 (ja) * | 2003-03-06 | 2004-09-16 | Tokuyama Corporation | 帯電防止性洗浄剤 |
| JP2025044910A (ja) * | 2023-09-20 | 2025-04-02 | 常盤化学工業株式会社 | 洗浄剤組成物 |
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