JPH061095A - メモリカード - Google Patents

メモリカード

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JPH061095A
JPH061095A JP4160965A JP16096592A JPH061095A JP H061095 A JPH061095 A JP H061095A JP 4160965 A JP4160965 A JP 4160965A JP 16096592 A JP16096592 A JP 16096592A JP H061095 A JPH061095 A JP H061095A
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semiconductor memories
wiring pattern
semiconductor
connection terminals
circuit board
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Akio Katsumata
章夫 勝又
Kimihiro Ikebe
公弘 池部
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Toshiba Corp
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Toshiba Corp
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Abstract

(57)【要約】 【目的】この発明の目的は、同一サイズのカードにおい
て、記憶容量を増加することができるとともに、配線パ
ターンのデザインが容易であり、且つ、ノイズの影響を
受け難いメモリカードを提供することである。 【構成】印刷基板21の表面及び裏面にはTCP(Tape Carri
er Package) タイプの半導体メモリ22〜25が積層して配
設されている。このため、従来と同様のサイズのカード
内に従来の倍の数の半導体メモリを収容できる。また、
TCP タイプの半導体メモリ22〜25は、その一側部にアウ
ターリード22a 〜25a が設けられているため、同一機能
を有するアウターリード22a 〜25a を、印刷基板21に設
けられた直線状の配線パターンにより接続できる。よっ
て、配線パターンのデザインが容易であり、且つ配線パ
ターンを従来に比べて短縮できるため、ノイズの影響を
軽減できる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】この発明は、例えばバーソナルコ
ンピュータやワークステーション等の記憶装置として使
用されるメモリカードに関する。
【0002】
【従来の技術】図6は、従来の標準タイプのメモリカー
ドの一部を示す断面図である。
【0003】メモリカード10の内部には、印刷基板1
1が設けられている。この印刷基板11の両面には、T
SOP(Thin Small Outline Package)に収容された例
えば16MビットE2 PROMからなる半導体メモリ1
2、13が配設されている。メモリカード10の表面及
び裏面には、半導体メモリ12、13を覆う絶縁板1
4、15及びステンレススティール製の意匠板16、1
7が設けられている。前記印刷基板11の表面及び裏面
には、実際には、それぞれ8個ずつ計16個の半導体メ
モリが配設されている。
【0004】一般に、前記印刷基板の厚みは0.40mm、1
個の半導体メモリの厚みは1.20mmである。したがって、
印刷基板と2個の半導体メモリを含む厚みは2.8mm であ
り、2組の絶縁板と意匠板の厚みは0.5mm であるため、
メモリカード10全体の厚みは3.3mm となる。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】ところで、標準サイズ
のメモリカードの記憶容量は、平面的にはTSOPのパ
ッケージサイズによって規定され、厚さ方向にはTSO
Pのパッケージの厚みによって規制される。このため、
標準サイズのメモリカードは、上記のように16個の半
導体メモリしか実装することができないものであった。
【0006】また、TSOPは、アウタリードがパッケ
ージの両側面から取出されている。このため、特に、印
刷基板11の同一面に配設された半導体メモリのうち、
アウタリードの並び方向と直交する方向に隣接して配設
された半導体メモリ同志の同一の機能を有するアウタリ
ードを接続する場合、配線パターンを直線状とすること
が困難であり、配線パターンをデザインする場合に制約
を受けるものであった。さらに、この場合、デザインさ
れた配線パターンの配線長が長くなるため、ノイズの影
響を受けやすくなるという問題を有している。
【0007】この発明は、上記課題を解決するためにな
されたものであり、その目的とするところは、同一サイ
ズのカードにおいて、記憶容量を増加することができる
とともに、配線パターンのデザインが容易であり、且
つ、ノイズの影響を受け難いメモリカードを提供しよう
とするものである。
【0008】
【課題を解決するための手段】この発明は、上記課題を
解決するため、印刷基板と、この印刷基板の表面及び裏
面にそれぞれ積層して配設され、一側面に複数の接続端
子が設けられたTCPタイプの複数の半導体メモリと、
前記印刷基板に設けられ、これら半導体メモリの同一機
能を有する前記接続端子を接続する直線状の配線パター
ンとを有している。
【0009】また、印刷基板と、この印刷基板の表面及
び裏面にそれぞれ配設され、一側面に複数の接続端子が
設けられたTCPタイプの第1、第2の半導体メモリ
と、前記第1、第2の半導体メモリに対してそれぞれ裏
返しに積層され、一側面に複数の接続端子が設けられた
前記TCPタイプの第3、第4の半導体メモリと、前記
印刷基板に設けられ、これら第1、第3の半導体メモリ
の同一機能を有する前記接続端子、及び第2、第4の半
導体メモリの同一機能を有する前記接続端子をそれぞれ
接続する直線状の配線パターンとを有している。
【0010】さらに、印刷基板と、この印刷基板の表面
及び裏面にそれぞれ配設され、一側面に複数の接続端子
が設けられたTCPタイプの第1、第2の半導体メモリ
と、前記第1、第2の半導体メモリと接続端子の位置が
左右対称とされ、前記第1、第2の半導体メモリと同一
の向きに積層された前記TCPタイプの第3、第4の半
導体メモリと、前記印刷基板に設けられ、これら第1、
第3の半導体メモリの同一機能を有する前記接続端子、
及び第2、第4の半導体メモリの同一機能を有する前記
接続端子をそれぞれ接続する直線状の配線パターンとを
有している。
【0011】
【作用】すなわち、この発明は、印刷基板の表面及び裏
面にそれぞれ積層して、一側面に複数の接続端子が設け
られたTCPタイプの複数の半導体メモリを配設してい
る。したがって、従来と同様のサイズのメモリカード内
に、従来の倍の数の半導体メモリを収容できる。
【0012】また、TCPタイプの半導体メモリは、そ
の一側面に接続端子が設けられているため、半導体メモ
リの同一機能を有する接続端子同志を、印刷基板に設け
られた直線状の配線パターンによって接続できる。した
がって、配線パターンのデザインが容易であるととも
に、配線パターンを従来に比べて短縮することができる
ため、ノイズの影響を軽減できる。
【0013】
【実施例】以下、この発明の一実施例について図面を参
照して説明する。この実施例においては、TCP(Tape
Carrier Package)タイプの半導体メモリが使用され
る。
【0014】図2(a)(b)は、TCPタイプの半導
体メモリを示すものである。この半導体メモリ20はペ
レット20aの周縁部に図示せぬ内部回路と接続された
複数のバンプ20bが設けられ、これらバンプ20bに
はテープ20cに形成されたアウタリード20dの一端
がそれぞれ接続されている。これらアウターリード20
dの他端は半導体メモリ20の一側部に位置され、テー
プ20cとともにガルウィング形状にフォーミングされ
ている。さらに、ペレットの表面には絶縁性の樹脂20
eが塗布されている。
【0015】TCPタイプの半導体メモリは、図2に示
すように、その一側部にのみアウタリードが設けられて
いる。したがって、この半導体メモリを図2(c)に示
すように裏返した場合においても、アウタリードの並び
方向の位置関係は変化しない。
【0016】図1は、上記半導体メモリ20を用いたメ
モリカードの第1の実施例を示すものであり、第1乃至
第4の半導体メモリ22〜25は、半導体メモリ20と
同一の構成である。
【0017】図1において、メモリカード30の内部に
設けられた印刷基板21の両面には、第1、第2の半導
体メモリ22、23が配設される。これら半導体メモリ
22、23のアウタリード22a、23aは印刷基板2
1に印刷された図示せぬ配線パターンに接続される。こ
れら半導体メモリ22、23の表面には、第3、第4の
半導体メモリ24、25が第1、第2の半導体メモリ2
2、23とは裏返しに配設される。すなわち、第1、第
3の半導体メモリ22、24は互いに樹脂22b、24
bを接して配設され、第2、第4の半導体メモリ23、
25は互いに樹脂23b、25bを接して配設されてい
る。
【0018】これら第3、第4の半導体メモリ24、2
5のアウタリード24a、25aは第1、第2の半導体
メモリ22、23のアウタリード22a、23aより長
くされており、これらアウタリード24a、25aは、
第1、第2の半導体メモリ22、23のアウタリード2
2a、23aとは逆方向に折曲され、印刷基板に設けら
れた図示せぬ配線パターンに接続される。メモリカード
30の表面部及び裏面部には、第3、第4の半導体メモ
リ24、25等を覆う絶縁板26、27と意匠板28、
29が設けられる。
【0019】印刷基板21の厚みは0.4mm 、1個の半導
体メモリの厚みは0.6mm 以下である。したがって、印刷
基板21と第1乃至第4の半導体メモリ22〜25を含
めた厚みは2.8mm 以下であり、2組の絶縁板と意匠板の
厚みは0.5mm であるため、メモリカード全体の厚みは、
2.8mm +0.5mm =3.3mm となり、従来のメモリカードと
同一の厚みとなる。したがって、従来と同様のサイズの
メモリカードに従来と比べて2倍の数の半導体メモリを
収容することができる。すなわち、従来は16個の半導
体メモリしか収容できなかったが、この実施例の場合、
TCPタイプの半導体メモリ(16MビットE2 PRO
M)を32個収容できる。
【0020】また、第1、第2の半導体メモリ22、2
3のアウタリード22a、23aのうち、例えばアドレ
ス信号を入出力するアウタリードは、第3、第4の半導
体メモリ24、25のアウタリード24a、25aのう
ち、アドレス信号を入出力するアウタリードと一直線に
接続することができる。同様に、印刷基板の同一面に隣
接して配設された他の半導体メモリのアドレス信号を入
力するアウターリードとも一直線状の配線パターンを用
いて接続することができる。図3は、各アウターリード
を接続する配線パターンの構成を説明するものである。
【0021】図3(a)は印刷基板11の表面に隣接し
て積層された複数の半導体メモリ22、23、31、3
2を配設した状態を示しており、印刷基板11の裏面に
も同様に図示せぬ複数の半導体メモリが配設されてい
る。
【0022】図3(b)は図3(a)に示す複数の半導
体メモリ22、23、31、32に設けられたアドレス
信号を入力するアウターリードを接続するための配線パ
ターン33の一例を示すものである。
【0023】TCPタイプの半導体メモリの場合、アウ
ターリードはペレットの一側部にのみ設けられている。
このため、積層された半導体メモリの同一アウターリー
ド22a、23a、31a、32a、及びアウターリー
ドの並び方向と直交方向に隣接して配設された半導体メ
モリ23、31のアウターリード23a、31aは同一
位置にあり、しかも、これらアウターリードの相互間に
は他のアウターリードが配設されていない。したがっ
て、これらアウターリード22a、23a、31a、3
2aを接続するための配線パターン33は折り曲げる必
要がなく、直線とすることができる。この配線パターン
33には、複数の接続パッド33aが設けられており、
各アウターリード22a、23a、31a、32aはこ
れら接続パッド33aにおいて配線パターン33と接続
される。
【0024】また、半導体メモリに設けられたデータ信
号を入出力するためのアウターリードは、図3(c)に
示すように、配線パッド34aおよびこれら配線パッド
34aに接続されたスルーホール34bを介して印刷基
板21の内部あるいは裏面に設けられた図示せぬ配線パ
ターンと接続される。
【0025】上記実施例によれば、TCPタイプの半導
体メモリを積層して配設することにより、従来と同一の
厚みのメモリカードの内部に、従来に比べて2倍の数の
半導体メモリを配設することができる。したがって、同
一のサイズで倍の記憶容量を得ることができる。
【0026】また、TCPタイプの半導体メモリを使用
することにより、積層された半導体メモリの同一機能を
有するアウターリード同志を接続する場合、及びアウタ
ーリードの並び方向と直交方向に隣接して配設された半
導体メモリ同志の同一機能を有するアウターリード同志
を接続する場合においても、配線パターンを直線とする
ことができる。したがって、配線パターンをデザインす
る上での制約が少なく、従来に比べて自由度を向上する
ことができる。しかも、配線パターンを従来の約1/2
に短縮できるため、ノイズの影響を減少することができ
るものである。
【0027】図4は、この発明の第2の実施例を示すも
のであり、第1の実施例と同一部分には同一符号を付
し、異なる部分についてのみ説明する。第1の実施例で
は、第1乃至第4の半導体メモリを同一の半導体メモリ
によって構成したが、この実施例で使用する第3、第4
の半導体メモリ41、42は、第1、第2の半導体メモ
リと左右対称の構成とされている。つまり、図2に示す
半導体メモリはアウターリードがペレットの左側部に設
けられていたが、この実施例の第3、第4の半導体メモ
リ41、42は、アウターリードがペレットの右側部に
設けられている。
【0028】また、第1の実施例において、第3、第4
の半導体メモリ27、28は、第1、第2の半導体メモ
リ21、22とは裏返しに配設されていたが、この実施
例において、第3、第4の半導体メモリ41、42は、
第1、第2の半導体メモリ21、22と同一の向きで、
第1、第2の半導体メモリ21、22にそれぞれ積層し
て配設される。
【0029】このように、第1、第2の半導体メモリ2
1、22に対して左右対称とされた第3、第4の半導体
メモリ41、42を、第1、第2の半導体メモリ21、
22と同一の向きに積層しても、第1の実施例と同様の
効果を得ることができる。図5は、この発明の第3の実
施例を示すものであり、第2の実施例と同一部分には同
一符号を付し、異なる部分についてのみ説明する。
【0030】この実施例は、第2の実施例に示す第1、
第2の半導体メモリ21、22を第3、第4の半導体メ
モリ41、42に対して裏返しに配設したものである。
すなわち、第1、第2の半導体メモリ51、52はその
樹脂51a、52aが印刷基板11に当接して配設され
ている。これら第1の半導体メモリ51と第3の半導体
メモリ41の相互間、及び第2の半導体メモリ52と第
4の半導体メモリ42の相互間には絶縁フィルム53、
54がそれぞれ設けられている。上記第3の実施例によ
っても第1、第2の実施例と同様の効果を得ることがで
きる。
【0031】尚、上記第1乃至第3の引用例において、
半導体メモリのアウターリードはガルウィング形状とし
たが、これに限定されるものではなく、例えばJ−ベン
ド形状としてもよい。その他、この発明は、上記実施例
に限定されるものではなく、発明の要旨を変えない範囲
において種々変形実施可能なことは勿論である。
【0032】
【発明の効果】以上、詳述したようにこの発明によれ
ば、同一サイズのカードにおいて、記憶容量を増加する
ことができるとともに、配線パターンのデザインが容易
であり、且つ、ノイズの影響を受け難いメモリカードを
提供できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】この発明の第1の実施例を示す要部の断面図。
【図2】この発明に適用されるTCPタイプの半導体メ
モリを示すものであり、図2(a)は平面図、図2
(b)は図2(a)の側面図、図2(c)は図2(a)
の裏面図。
【図3】図1に示す半導体メモリを接続するための配線
パターンを説明するために示す図。
【図4】この発明の第2の実施例を示す要部の断面図。
【図5】この発明の第3の実施例を示す要部の断面図。
【図6】従来のメモリカードの一例を示す要部の断面
図。
【符号の説明】
21…印刷基板、30…メモリカード、22〜25、3
1、32、41、42、51、52…TCPタイプの半
導体メモリ、22a〜25a、31a、32a、41
a、42a…アウターリード、26、27…絶縁板、2
8、29…意匠板、55、54…絶縁フィルム。

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 印刷基板と、この印刷基板の表面及び裏
    面にそれぞれ積層して配設され、一側面に複数の接続端
    子が設けられたTCP(Tape Carrier Package)タイプ
    の複数の半導体メモリと、 前記印刷基板に設けられ、これら半導体メモリの同一機
    能を有する前記接続端子を接続する直線状の配線パター
    ンと、 を具備することを特徴とするメモリカード。
  2. 【請求項2】 印刷基板と、 この印刷基板の表面及び裏面にそれぞれ配設され、一側
    面に複数の接続端子が設けられたTCPタイプの第1、
    第2の半導体メモリと、 前記第1、第2の半導体メモリに対してそれぞれ裏返し
    に積層され、一側面に複数の接続端子が設けられた前記
    TCPタイプの第3、第4の半導体メモリと、 前記印刷基板に設けられ、これら第1、第3の半導体メ
    モリの同一機能を有する前記接続端子、及び第2、第4
    の半導体メモリの同一機能を有する前記接続端子をそれ
    ぞれ接続する直線状の配線パターンと、 を具備することを特徴とするメモリカード。
  3. 【請求項3】 印刷基板と、 この印刷基板の表面及び裏面にそれぞれ配設され、一側
    面に複数の接続端子が設けられたTCPタイプの第1、
    第2の半導体メモリと、 前記第1、第2の半導体メモリと接続端子の位置が左右
    対称とされ、前記第1、第2の半導体メモリと同一の向
    きに積層された前記TCPタイプの第3、第4の半導体
    メモリと、 前記印刷基板に設けられ、これら第1、第3の半導体メ
    モリの同一機能を有する前記接続端子、及び第2、第4
    の半導体メモリの同一機能を有する前記接続端子をそれ
    ぞれ接続する直線状の配線パターンと、 を具備することを特徴とするメモリカード。
JP4160965A 1992-06-19 1992-06-19 メモリカード Pending JPH061095A (ja)

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JP4160965A JPH061095A (ja) 1992-06-19 1992-06-19 メモリカード
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KR1019930011155A KR970004541B1 (ko) 1992-06-19 1993-06-18 메모리카드

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