JPH06132185A - クリーン領域の空気清浄化方法 - Google Patents
クリーン領域の空気清浄化方法Info
- Publication number
- JPH06132185A JPH06132185A JP27641092A JP27641092A JPH06132185A JP H06132185 A JPH06132185 A JP H06132185A JP 27641092 A JP27641092 A JP 27641092A JP 27641092 A JP27641092 A JP 27641092A JP H06132185 A JPH06132185 A JP H06132185A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- air
- clean
- air cleaning
- clean area
- boron
- Prior art date
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- Withdrawn
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- Filtering Of Dispersed Particles In Gases (AREA)
- Ventilation (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 本発明は，半導体工場のクリーンルーム, ク
リーンブース, 或いは,クリーンベンチ等のクリーン領
域の空気清浄化方法に関し，空気清浄用フィルタからの
ボロン等の汚染物の発生を防いで，半導体基板表面への
付着を防止する手段を提供することを目的とする。 【構成】 クリーン領域１の空気清浄用フィルタ２の手
前に吸湿材３を装着して，空気清浄用フィルタ２からの
吹き出しエア４の相対湿度を２０％以下に，また，併せ
て，吹き出しエア４中の弗素イオン量を０．０５μｇ／
ｍ3 以下にするように構成する。
リーンブース, 或いは,クリーンベンチ等のクリーン領
域の空気清浄化方法に関し，空気清浄用フィルタからの
ボロン等の汚染物の発生を防いで，半導体基板表面への
付着を防止する手段を提供することを目的とする。 【構成】 クリーン領域１の空気清浄用フィルタ２の手
前に吸湿材３を装着して，空気清浄用フィルタ２からの
吹き出しエア４の相対湿度を２０％以下に，また，併せ
て，吹き出しエア４中の弗素イオン量を０．０５μｇ／
ｍ3 以下にするように構成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は，半導体工場のクリーン
ルーム, クリーンブース, 或いは, クリーンベンチ等の
クリーン領域の空気清浄化方法に関する。
ルーム, クリーンブース, 或いは, クリーンベンチ等の
クリーン領域の空気清浄化方法に関する。
【０００２】近年，半導体デバイス構造の高集積化，微
細化にともない，半導体基板表面は一層厳しい清浄度が
要求されるようになり，分子レベルで雰囲気を管理する
必要がある。
細化にともない，半導体基板表面は一層厳しい清浄度が
要求されるようになり，分子レベルで雰囲気を管理する
必要がある。
【０００３】
【従来の技術】図３は従来例の説明図である。図におい
て，19はクリーン領域，20は空気清浄用フィルタ, 21は
ダクト, 22はファン, 23は吹き出しエアである。
て，19はクリーン領域，20は空気清浄用フィルタ, 21は
ダクト, 22はファン, 23は吹き出しエアである。
【０００４】従来，図３に模式断面図で示すように，半
導体工場のクリーン領域19では，ミクロな粉塵を除去す
る高性能の空気清浄用フィルタ20を設置し，フアン26に
より空気をダクト25を通して循環させて微粒子を除去し
てきた。
導体工場のクリーン領域19では，ミクロな粉塵を除去す
る高性能の空気清浄用フィルタ20を設置し，フアン26に
より空気をダクト25を通して循環させて微粒子を除去し
てきた。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】ところが，これらの空
気清浄用フィルタ20では，原子，或いは分子レベルの汚
染物は通過してしまい，捕集除去することはできない。
気清浄用フィルタ20では，原子，或いは分子レベルの汚
染物は通過してしまい，捕集除去することはできない。
【０００６】また，空気清浄用フィルター20自身からも
ボロン(B) 等の汚染物を発生し, クリーンベンチやドラ
フト、ブース等のクリーン領域19内で処理する半導体基
板表面に付着するという問題が生じていた。
ボロン(B) 等の汚染物を発生し, クリーンベンチやドラ
フト、ブース等のクリーン領域19内で処理する半導体基
板表面に付着するという問題が生じていた。
【０００７】このため, 半導体基板表面に付着したボロ
ン等の不純物は, 熱処理等により半導体基板中に侵入し
て, 半導体基板内の不純物濃度が乱れる等, 特性的な障
害を引き起こし, 歩留りや品質を低下させていた。
ン等の不純物は, 熱処理等により半導体基板中に侵入し
て, 半導体基板内の不純物濃度が乱れる等, 特性的な障
害を引き起こし, 歩留りや品質を低下させていた。
【０００８】本発明は，上記の問題点を鑑み，空気清浄
用フィルタからのボロン等の汚染物の発生を防いで，半
導体基板表面への付着を防止する手段を提供することを
目的とする。
用フィルタからのボロン等の汚染物の発生を防いで，半
導体基板表面への付着を防止する手段を提供することを
目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】図１は本発明の原理説明
図である。図において，１はクリーン領域，２は空気清
浄用フィルタ，３は吸湿材，４は吹き出しエア，５はダ
クト，６はファンである。
図である。図において，１はクリーン領域，２は空気清
浄用フィルタ，３は吸湿材，４は吹き出しエア，５はダ
クト，６はファンである。
【００１０】クリーンルーム等に用いるＨＥＰＡフィル
タ等の高性能の空気清浄用フィルタ２は微細なガラス繊
維で構成されており, 従来クリーンベンチやクリーンル
ーム等のクリーン領域１内でこれら空気清浄用フィルタ
２からボロンが発生するのは, 空気清浄用フィルタ２の
ガラス繊維の中の酸化ボロンが雰囲気中の弗素イオンと
反応して, 三弗化ボロンとなって飛散するためと考えら
れていた。
タ等の高性能の空気清浄用フィルタ２は微細なガラス繊
維で構成されており, 従来クリーンベンチやクリーンル
ーム等のクリーン領域１内でこれら空気清浄用フィルタ
２からボロンが発生するのは, 空気清浄用フィルタ２の
ガラス繊維の中の酸化ボロンが雰囲気中の弗素イオンと
反応して, 三弗化ボロンとなって飛散するためと考えら
れていた。
【００１１】しかしながら, 弗素イオンとの反応だけで
はなく, 水蒸気が空気清浄用フィルタ２に当たっただけ
でボロンが発生することが下表に示すように，実験によ
り確認された。
はなく, 水蒸気が空気清浄用フィルタ２に当たっただけ
でボロンが発生することが下表に示すように，実験によ
り確認された。
【００１２】すなわち，空気清浄用フィルタ２に弗化水
素酸の蒸気を含む吹き出しエア４を通した場合の空気清
浄用フィルタ２からのボロンの発生量を表１に示す。
素酸の蒸気を含む吹き出しエア４を通した場合の空気清
浄用フィルタ２からのボロンの発生量を表１に示す。
【００１３】
【表１】 空気清浄用フィルタ２に弗酸蒸気を当てた場合のボロン
発生量の違いで，弗素イオン量の少ない方が，ボロンの
発生量は少ない。
発生量の違いで，弗素イオン量の少ない方が，ボロンの
発生量は少ない。
【００１４】また，空気清浄用フィルタ２へ通した吹き
出しエア４の相対湿度と，空気清浄用フィルタ２からの
ボロンの発生量を表２に示す。
出しエア４の相対湿度と，空気清浄用フィルタ２からの
ボロンの発生量を表２に示す。
【００１５】
【表２】 表２に示すように，相対湿度を２０％以下とすること
で，ボロンの発生を抑えることができる。従って，クリ
ーンルーム内の弗素の量とともに湿度を下げる必要があ
ることが分かる。
で，ボロンの発生を抑えることができる。従って，クリ
ーンルーム内の弗素の量とともに湿度を下げる必要があ
ることが分かる。
【００１６】即ち，本発明の目的は，図１に示すよう
に，クリーン領域１の空気清浄用フィルタ２の手前に吸
湿材３を装着して，吹き出しエア４の相対湿度を２０％
以下にすることにより，また，併せて，吹き出しエアの
中の弗素イオン量を０．０５μｇ／ｍ3 以下にすること
により達成される。
に，クリーン領域１の空気清浄用フィルタ２の手前に吸
湿材３を装着して，吹き出しエア４の相対湿度を２０％
以下にすることにより，また，併せて，吹き出しエアの
中の弗素イオン量を０．０５μｇ／ｍ3 以下にすること
により達成される。
【００１７】
【作用】本発明では，クリーン領域内で発生した過剰な
水分を除去するため, 高性能空気清浄フィルタの手前直
前にシリカゲル等の除湿材を装着して, 相対湿度を２０
％以下に下げ，また，排気設備の強化，及び活性炭等の
弗素イオン吸着剤の併用により，半導体基板の表面処理
の薬液槽等から発生する雰囲気の弗素イオン量を０．０
５μｇ／ｍ3 以下に抑えることによって，空気清浄用フ
ィルタから発生するボロンの量を大幅に減少させること
ができる。
水分を除去するため, 高性能空気清浄フィルタの手前直
前にシリカゲル等の除湿材を装着して, 相対湿度を２０
％以下に下げ，また，排気設備の強化，及び活性炭等の
弗素イオン吸着剤の併用により，半導体基板の表面処理
の薬液槽等から発生する雰囲気の弗素イオン量を０．０
５μｇ／ｍ3 以下に抑えることによって，空気清浄用フ
ィルタから発生するボロンの量を大幅に減少させること
ができる。
【００１８】
【実施例】図２は本発明の一実施例の説明図である。図
において，７はクリーンブース, ８はＨＥＰＡフィル
タ，９はシリカゲル,10は活性炭, 11はダクト, 12はフ
ァン, 13は吹き出しエア, 14は湿度調整機 (外調機), 1
5 は弗素イオン除去装置, 16は大気, 17は大気吸込口,
18は大気排出口である。
において，７はクリーンブース, ８はＨＥＰＡフィル
タ，９はシリカゲル,10は活性炭, 11はダクト, 12はフ
ァン, 13は吹き出しエア, 14は湿度調整機 (外調機), 1
5 は弗素イオン除去装置, 16は大気, 17は大気吸込口,
18は大気排出口である。
【００１９】図２により本発明の一実施例について説明
する。本発明は、弗素イオンや水分の除去方法というよ
りも，弗素イオンと水分が或る濃度以下になれば，空気
清浄用フイルタを構成するガラス成分中からのボロンの
発生量が減少するというデータに着目した空気清浄化の
方法であり，弗素イオンを減少させるのは公害防止，安
全衛生上，半導体工場の廃液，排気処理システムで大規
模に行われているものであるから，これに併せて，水分
を減らせば，尚一層、ボロンの発生が抑制される。
する。本発明は、弗素イオンや水分の除去方法というよ
りも，弗素イオンと水分が或る濃度以下になれば，空気
清浄用フイルタを構成するガラス成分中からのボロンの
発生量が減少するというデータに着目した空気清浄化の
方法であり，弗素イオンを減少させるのは公害防止，安
全衛生上，半導体工場の廃液，排気処理システムで大規
模に行われているものであるから，これに併せて，水分
を減らせば，尚一層、ボロンの発生が抑制される。
【００２０】そのため，本発明では，クリーンブース７
への吹き出しエア13の供給を循環エアのみに頼らず, 一
部を大気中より補給し, 吹き出しエア13の一部を外気に
放出して, クリーン度を高めるとともに, あらかじめ,
外調機（湿度調整機）17により一定湿度で, また, 弗素
イオン除去装置18により弗素イオンを大部分除去した大
気をクリーンブース７の直前まで送風し，本発明の方法
によるクリーンブース７内のＨＥＰＡフィルタ12の直前
にもうけた活性炭16により弗素イオンと水分を吸着し,
続いてシリカゲル13により再度寸分を吸着してから，Ｈ
ＥＰＡフィルタ12を通して, クリーンブース７内に所望
の吹き出しエア14を送り込む。
への吹き出しエア13の供給を循環エアのみに頼らず, 一
部を大気中より補給し, 吹き出しエア13の一部を外気に
放出して, クリーン度を高めるとともに, あらかじめ,
外調機（湿度調整機）17により一定湿度で, また, 弗素
イオン除去装置18により弗素イオンを大部分除去した大
気をクリーンブース７の直前まで送風し，本発明の方法
によるクリーンブース７内のＨＥＰＡフィルタ12の直前
にもうけた活性炭16により弗素イオンと水分を吸着し,
続いてシリカゲル13により再度寸分を吸着してから，Ｈ
ＥＰＡフィルタ12を通して, クリーンブース７内に所望
の吹き出しエア14を送り込む。
【００２１】これにより，クリーンブース７からの空気
清浄用のＨＥＰＡフィルタ８を通しての吹き出しエア13
の相対湿度を２０％以下に，また, 弗素イオン量を０．
０５μｇ／ｍ3 以下にすることができ，その結果，ボロ
ンの発生量が０．０２μｇ／ｍ3 以下に減少した。
清浄用のＨＥＰＡフィルタ８を通しての吹き出しエア13
の相対湿度を２０％以下に，また, 弗素イオン量を０．
０５μｇ／ｍ3 以下にすることができ，その結果，ボロ
ンの発生量が０．０２μｇ／ｍ3 以下に減少した。
【００２２】
【発明の効果】本発明によれば, クリーン領域の高性能
空気清浄用フィルタから吹き出すエア中に浮遊するボロ
ンの量を大幅に減少して，デバイスの特性劣化を防止
し，品質並びに信頼性の向上に寄与するところが大き
い。
空気清浄用フィルタから吹き出すエア中に浮遊するボロ
ンの量を大幅に減少して，デバイスの特性劣化を防止
し，品質並びに信頼性の向上に寄与するところが大き
い。
【図１】 本発明の原理説明図
【図２】 本発明の一実施例の説明図
【図３】 従来例の説明図
１ クリーン領域 ２ 空気清浄用フィルタ ３ 吸湿材 ４ 吹き出しエア ５ ダクト ６ ファン ７ クリーンブース ８ ＨＥＰＡフィルタ ９ シリカゲル 10 活性炭 11 ダクト 12 ファン 13 吹き出しエア 14 湿度調整機 15 弗素イオン除去装置 16 大気 17 大気吸込口 18 大気排出口
Claims (1)
- 【請求項１】 クリーン領域(1) の空気清浄用フィルタ
(2) の手前に吸湿材(3) を装着して, 該空気清浄用フィ
ルタ(2) からの吹き出しエア(4) の相対湿度を２０％以
下に，また, 併せて, 該吹き出しエア(4) 中の弗素イオ
ン量を０．０５μｇ／ｍ3 以下にすることを特徴とする
クリーン領域の空気清浄化方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27641092A JPH06132185A (ja) | 1992-10-15 | 1992-10-15 | クリーン領域の空気清浄化方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27641092A JPH06132185A (ja) | 1992-10-15 | 1992-10-15 | クリーン領域の空気清浄化方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06132185A true JPH06132185A (ja) | 1994-05-13 |
Family
ID=17569020
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27641092A Withdrawn JPH06132185A (ja) | 1992-10-15 | 1992-10-15 | クリーン領域の空気清浄化方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06132185A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN111725066A (zh) * | 2019-03-22 | 2020-09-29 | 东莞新科技术研究开发有限公司 | 一种半导体表面去除氟杂质的方法 |
-
1992
- 1992-10-15 JP JP27641092A patent/JPH06132185A/ja not_active Withdrawn
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN111725066A (zh) * | 2019-03-22 | 2020-09-29 | 东莞新科技术研究开发有限公司 | 一种半导体表面去除氟杂质的方法 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20000104 |