JPH06140451A - 半導体集積回路装置 - Google Patents

半導体集積回路装置

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JPH06140451A
JPH06140451A JP4311370A JP31137092A JPH06140451A JP H06140451 A JPH06140451 A JP H06140451A JP 4311370 A JP4311370 A JP 4311370A JP 31137092 A JP31137092 A JP 31137092A JP H06140451 A JPH06140451 A JP H06140451A
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浩 前田
Osamu Arashida
修 嵐田
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 半導体集積回路装置の電源ノイズ対策及び電
圧反射対策のための外付け回路部品の部品点数を減らす
ことができると共に、外付けのための手間を省くことが
できる半導体集積回路装置を提供する。 【構成】 半導体集積回路チップ１のボンディングパッ
ト５と前記半導体集積回路チップ１を内蔵するパッケー
ジのリード端子３が、１巻き以上巻回されインダクタン
スを形成するボンディングワイヤ１２で接続されてい
る。斯るインダクタンスを保有するボンディングワイヤ
１２は、電源ノイズ対策及び電圧反射対策に有効で、そ
のための外付け回路部品を削減できる。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ボンディング形式でパ
ッケージされる半導体集積回路装置に係わり、例えば電
源ノイズ及び電圧反射対策に有効な技術に関する。
【０００２】
【従来の技術】電源ノイズ対策として、インダクタン
ス、インダクタンスと容量素子、又はインダクタンスと
抵抗素子を、電源供給経路に設けることができる。この
ような対策について記載された文献の例としては、例え
ば、昭和５８年８月２０日に（株）オーム社から発行さ
れた『電子通信ハンドブック』の第１５４５頁がある。
また、電圧反射対策として、インダクタンス、又は、イ
ンダクタンスと抵抗素子を、信号経路に配置することが
できる。斯る対策について記載された文献の例として
は、前記『電子通信ハンドブック』の第９３２頁があ
る。本発明者は、電源ノイズ対策として、半導体集積回
路装置の電源用リード端子が接続される実装ボード上の
電源用の配線に、インダクタンスと抵抗素子を直列接続
したモジュールを設け、また電圧反射対策として、前記
実装ボード上の信号用の配線に、インダクタンスと抵抗
素子を接続したモジュールを設けることについて検討し
た。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、発明者
は、前記インダクタンス及びその他の素子を接続したモ
ジュールを前記半導体集積回路装置のリード端子が接続
される実装ボード上に設けると、それに係る手間とその
ための回路部品の点数が多くなることを見い出した。
【０００４】本発明の目的は、半導体集積回路装置の電
源ノイズ対策及び電圧反射対策のための外づけ回路部品
の部品点数を減らすこができると共に、外付けのための
手間を省くことができる半導体集積回路装置を提供する
ことにある。
【０００５】本発明の前記並びにその他の目的と新規な
特徴は本明細書の記述及び添付図面から明らかになるで
あろう。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち代表的なものの概要を簡単に説明すれば下記
の通りである。
【０００７】すなわち、本発明の半導体集積回路装置
は、電源ノイズ対策及び電圧反射対策を考慮し、そのた
めの回路素子として、ボンディングパッドに接続される
ボンディングワイヤの一部を１回以上巻回して成るイン
ダクタンスを内蔵する。さらに、その他の回路素子とし
て抵抗素子や容量素子を必要とするときには、これらを
該当するボンディングパッドに接続して半導体集積回路
チップに内蔵させるとよい。
【０００８】
【作用】上記した手段によれば、電源供給用ボンディン
グパットに接続され、インダクタンスを保有するボンデ
ィングワイヤは、外付け回路部品としてのインダクタン
ス素子を要することなく電源ノイズを低減する。前記ボ
ンディングワイヤに加え、半導体集積回路チップの内部
に設けた抵抗素子又は容量素子も同様に、同種の外付け
回路部品を省いて電源ノイズ対策に資する。信号用ボン
ディングパットに接続され、インダクタンスを保有する
ボンディングワイヤは、外付け回路部品としてのインダ
クタンス素子を要することなく電圧反射を低減する。前
記ボンディングワイヤに加え、半導体集積回路チップの
内部に設けた抵抗素子も同様に、同種の外付け回路部品
を省いて電圧反射対策に資する。
【０００９】
【実施例】図１には本発明の一実施例に係る半導体集積
回路装置の要部が示され、図２には、係る半導体集積回
路装置の全体がパッケージの一部を切欠して示されてい
る。
【００１０】本実施例の半導体集積回路装置は、半導体
集積回路チップ１と当該半導体集積回路チップ１を内蔵
するパッケージ２から成る。前記半導体集積回路チップ
１は特に制限されないが、公知の半導体集積回路製造技
術により、単結晶シリコンのような半導体基板に複数個
の回路素子が集積されて所定の回路機能を持ち、例え
ば、メモリ、マイクロコンピュータ、或いはアナログ用
ＬＳＩ（ラージ．スケール．インテグレーテッド．サー
キッツ）とされる。前記半導体集積回路装置は、前記半
導体集積回路チップ１と前記パッケージ２をつなぐ金細
線等のボンディングワイヤが熱圧着又は超音波ボンディ
ングされており、後述する電源ノイズ及び電圧反射対策
の手段を内蔵する。
【００１１】図２において、前記半導体集積回路チップ
１は、外部との電源供給、信号のやりとり等のための接
続箇所として、複数のボンディングパッドを備えてい
る。前記複数のボンディングパッドのうち、電源供給用
ボンディングパッド５は、ボンディングワイヤ１２でパ
ッケージ２の電源供給用リード端子３と接続されてい
る。又、前記複数のボンディングパッドのうち、信号用
ボンディングパッド８は、ボンディングワイヤ１３で信
号用リード端子６に接続されている。当該ボンディング
ワイヤ１２は、例えば予め形状を特定してコイル状に巻
かれた細い被覆ワイヤが、そのままの形状でボンディン
グされたもので、インダクタンスを形成して電源ノイズ
対策の有効な手段となる。前記ボンディングワイヤ１３
は、同様にされたもので、やはりインダクタンスを形成
して電圧反射対策の有効な手段となる。なお、前記ボン
ディングワイヤ１２，１３の形成するインダクタンス値
は、ボンディングワイヤのコイルの形、寸法、巻数及び
内部の物質の透磁率などによって決定され、必要とされ
るインダクタンス値から、その寸法や巻数を割り出すと
よい。
【００１２】前記半導体集積回路チップ１には、前記電
源ノイズ対策並びに電圧反射対策のために、前記インダ
クタンスに加えて、抵抗素子９，１０を内蔵することが
できる。斯る抵抗素子は接続する電源供給用ボンディン
グパット５又は信号用ボンディングパッド８に直列に接
続される。例えば前記抵抗素子９，１０は、Ｎ型半導体
領域にＰ型の不純物を選択拡散したり、ポリシリコンな
どの高抵抗配線材料を利用して形成することができる。
また、同様に前記チップには、内蔵された容量素子１１
を形成しておくことができる。この容量素子１１の一方
の蓄積電極は電源供給用ボンディングパッド５に接続さ
れ、他方の蓄積電極は極性の異なる電源（例として５Ｖ
のようなＶｄｄに対する０ＶのようなＶｓｓ）若しくは
電源の中間電位に接続される。斯る容量素子１１は、導
電型の異なる半導体領域を利用した接合容量、又は一対
の導電層の間に誘電体層を形成した構造などを採用する
ことができる。また、前記電源供給用ボンディングパッ
ト５に直列に接続された抵抗素子９や容量素子１１を内
蔵することにより、当該抵抗素子９や容量素子１１は、
ボンディングワイヤ１２とともに電源ノイズ対策の有効
な手段となる。また、前記信号用ボンディングパット８
に直列に接続された抵抗素子１０を内蔵することによ
り、当該抵抗素子１０は、ボンディングワイヤ１３とと
もに電圧反射対策の有効な手段となる。
【００１３】以上のように構成された本実施例の半導体
集積回路装置は、その他の集積回路装置や回路部品とと
もに、所定の実装ボード（図示せず）に搭載されること
になる。電源供給用リード端子３は実装ボード上の電源
配線に接続され、信号用リード端子６は実装ボード上の
所定の信号配線に接続される。このとき、半導体集積回
路装置ための電源ノイズ対策や電圧反射対策のための回
路素子は、この半導体集積回路装置本体に内蔵されてい
るため、斯る対策のために特別な外付け回路部品を実装
する必要はない。これによって、半導体集積回路装置の
ための電源ノイズ対策や電圧反射対策のための外付け回
路部品の点数を削減することができるとともに、これを
実装するための手間を省くことができる。
【００１４】特に本実施例においては、被覆ワイヤを利
用しているので、パッケージをモールドするときの流体
抵抗によってコイル部品が不所望に接触しても、コイル
自体の長さは変わらないから、規定のインダクタンス値
が不所望にばらつくおそれを回避することができる。
【００１５】更に半導体集積回路装置内蔵のインダクタ
ンスにボンディングワイヤを流用しているので、チップ
サイズそれ自体並びにパッケージのサイズに影響を与え
ない。
【００１６】以上本発明者によってなされた発明を実施
例に基づいて具体的に説明したが、本発明はそれに限定
されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲におい
て種々変更可能であることは言うまでもない。
【００１７】例えば、ボンディングワイヤ１２，１３
は、被覆ワイヤでなくてもよい。また、ボンディングワ
イヤ１２，１３をコイル状にしてボンディングする手段
は、その機能をボンディング装置に持たせてもよい。ま
た、抵抗素子９，１０や容量素子１１の構成には、その
他の構成を適宜採用できる。
【００１８】
【発明の効果】本願において開示される発明のうち代表
的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば下記
の通りである。
【００１９】すなわち、半導体集積回路装置の内部に、
ボンディングワイヤを巻回して形成されるインダクタン
ス、更に必要な場合には半導体集積回路チップ内部でそ
れに接続する抵抗や容量素子を設けてなる半導体集積回
路装置を実現し、これらが同装置の電源ノイズ対策や電
圧反射対策に寄与するから、それら対策のために必要と
された外付け回路部品の部品点数を少なくすることがで
きるとともに、それを実装するための手間を省くことが
できるという効果がある。
【００２０】更にインダクタンスは、ボンディングワイ
ヤを流用しているので、チップサイズやパッケージのサ
イズには一切影響を与えない。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施例に係る半導体集積回路装置の
要部を示す斜視図である。
【図２】半導体集積回路装置の全体を、パッケージの一
部を切欠して示す説明図である。
【符号の説明】
１ 半導体集積回路チップ ２ パッケージ ３ 電源供給用リード端子 ５ 電源供給用ボンディングパッド ６ 信号用リード端子 ８ 信号用ボンディングパッド ９ 〜１０ 抵抗素子 １１ 容量素子 １２〜１３ ボンディングワイヤ

Claims (5)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 半導体集積回路チップのボンディングパ
    ッドを、同チップを内蔵するパッケージのリード端子
    に、ボンディングワイヤで接続して成る半導体集積回路
    装置において、所定の前記ボンディングワイヤは、その
    一部が１回以上巻回されてインダクタンスを形成して成
    るものであることを特徴とする半導体集積回路装置。
  2. 【請求項２】 前記所定のボンディングワイヤは、電源
    供給用ボンディングパッドに接続され、当該ボンディン
    グワイヤが保有するインダクタンスは、電源ノイズ対策
    のための回路素子を構成するものであることを特徴とす
    る請求項１記載の半導体集積回路装置。
  3. 【請求項３】 半導体集積回路チップの内部には、前記
    電源供給用ボンディングパッドに接続した抵抗素子又は
    容量素子を設けて成るものであることを特徴とする請求
    項２記載の半導体集積回路装置。
  4. 【請求項４】 前記所定のボンディングワイヤは、信号
    入力、信号出力、又は信号入出力の中から選ばれた一つ
    の機能を有する信号用ボンディングパッドに結合され、
    当該ボンディングワイヤが保有するインダクタンスは、
    電圧反射対策のための回路素子を構成するものであるこ
    とを特徴とする請求項１記載の半導体集積回路装置。
  5. 【請求項５】 半導体集積回路チップの内部には、信号
    用ボンディングパッドに接続した抵抗素子を設けて成る
    ものであることを特徴とする請求項４記載の半導体集積
    回路装置。
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