JPH06167931A - 半導体装置識別用ラベル - Google Patents
半導体装置識別用ラベルInfo
- Publication number
- JPH06167931A JPH06167931A JP32008092A JP32008092A JPH06167931A JP H06167931 A JPH06167931 A JP H06167931A JP 32008092 A JP32008092 A JP 32008092A JP 32008092 A JP32008092 A JP 32008092A JP H06167931 A JPH06167931 A JP H06167931A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor device
- label
- adhesive layer
- photosensitive resin
- resin layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 ベアチップ状態の半導体装置の個体識別に適
したラベルを提供し、もってこの種の半導体装置の個体
管理を容易に行えるようにする。 【構成】 ポリイミドフィルムでなる基材2の表面に感
光性樹脂層3を設け、この感光性樹脂層3に半導体装置
の個体識別情報aを記録するとともに、基材2の裏面に
は接着剤層または粘着剤層4を設ける。そして、この接
着剤層または粘着剤層4を有する面を半導体装置の回路
面等に貼着して、上記感光性樹脂層3に記録された個体
識別情報aによって当該半導体装置を識別・管理する。
したラベルを提供し、もってこの種の半導体装置の個体
管理を容易に行えるようにする。 【構成】 ポリイミドフィルムでなる基材2の表面に感
光性樹脂層3を設け、この感光性樹脂層3に半導体装置
の個体識別情報aを記録するとともに、基材2の裏面に
は接着剤層または粘着剤層4を設ける。そして、この接
着剤層または粘着剤層4を有する面を半導体装置の回路
面等に貼着して、上記感光性樹脂層3に記録された個体
識別情報aによって当該半導体装置を識別・管理する。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は半導体装置識別用ラベ
ル、すなわち個々の半導体装置に貼着して各半導体装置
を識別するのに使用するラベルに関し、主として高集積
度半導体装置の個体識別に利用されるものである。
ル、すなわち個々の半導体装置に貼着して各半導体装置
を識別するのに使用するラベルに関し、主として高集積
度半導体装置の個体識別に利用されるものである。
【0002】
【従来の技術】近年、半導体装置の分野では、当該装置
の高集積度化の進展に伴って製造工程が複雑かつ大規模
化しているとともに、装置の価格も上昇している。この
ため、個々の半導体装置の個体管理が以前にも増して重
要となっている。
の高集積度化の進展に伴って製造工程が複雑かつ大規模
化しているとともに、装置の価格も上昇している。この
ため、個々の半導体装置の個体管理が以前にも増して重
要となっている。
【0003】従来、この種の半導体装置の個体管理は、
次のようにして行っている。すなわち、ウエハ状態の半
導体装置についてはレーザマーキングによる刻印で、ま
たパッケージに封止した後の半導体装置については当該
パッケージ上にレーザマーキングによる刻印又はスタン
ピングにより、その個体情報を記録し管理していた。
次のようにして行っている。すなわち、ウエハ状態の半
導体装置についてはレーザマーキングによる刻印で、ま
たパッケージに封止した後の半導体装置については当該
パッケージ上にレーザマーキングによる刻印又はスタン
ピングにより、その個体情報を記録し管理していた。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、ウエハ
から切り取られた後パッケージに封止されるまでの、い
わゆるベアチップ状態の半導体装置にあっては、その個
々の半導体装置を構成しているチップが微小で且つ非常
にデリケートであるため、上記のような刻印やスタンピ
ングを行うことは容易でない。このため、従来において
は、ベアチップ状態の半導体装置の場合、必要な個体識
別情報を記録して管理するのが非常に困難であった。
から切り取られた後パッケージに封止されるまでの、い
わゆるベアチップ状態の半導体装置にあっては、その個
々の半導体装置を構成しているチップが微小で且つ非常
にデリケートであるため、上記のような刻印やスタンピ
ングを行うことは容易でない。このため、従来において
は、ベアチップ状態の半導体装置の場合、必要な個体識
別情報を記録して管理するのが非常に困難であった。
【0005】本発明は、従来における上記のような問題
に対処するもので、ベアチップ状態における半導体装置
の個体識別に適したラベルを提供し、もってこの種の半
導体装置の個体管理を容易に行えるようにすることを目
的とする。
に対処するもので、ベアチップ状態における半導体装置
の個体識別に適したラベルを提供し、もってこの種の半
導体装置の個体管理を容易に行えるようにすることを目
的とする。
【0006】
【課題を解決するための手段】上記目的達成のため、本
発明は、個々の半導体装置を識別することができるよう
に半導体装置に貼着されるラベルにおいて、ポリイミド
フィルムでなる基材の表面に感光性樹脂層を設け、この
感光性樹脂層に半導体装置の個体識別情報を記録すると
ともに、基材の裏面には接着剤層または粘着剤層を設け
たことを特徴とする。
発明は、個々の半導体装置を識別することができるよう
に半導体装置に貼着されるラベルにおいて、ポリイミド
フィルムでなる基材の表面に感光性樹脂層を設け、この
感光性樹脂層に半導体装置の個体識別情報を記録すると
ともに、基材の裏面には接着剤層または粘着剤層を設け
たことを特徴とする。
【0007】ここで、本発明のラベルが貼着される半導
体装置の発生する熱を外部に効率的に逃がすべく、上記
接着剤層または粘着剤層に金属の微粒子ないし粉末を分
散させてもよい。この場合の金属としては銀、銅、アル
ミニウム等が挙げられ、その平均粒径は0.5μm以
下、また接着剤または粘着剤との含有比率は重量比で1
0%〜70%がそれぞれ好ましい。
体装置の発生する熱を外部に効率的に逃がすべく、上記
接着剤層または粘着剤層に金属の微粒子ないし粉末を分
散させてもよい。この場合の金属としては銀、銅、アル
ミニウム等が挙げられ、その平均粒径は0.5μm以
下、また接着剤または粘着剤との含有比率は重量比で1
0%〜70%がそれぞれ好ましい。
【0008】また、基材として使用されるポリイミドフ
ィルムの表面には、感光性樹脂層や接着剤層または粘着
剤層との接着力を向上させるために公知の各種の処理を
施してもよい。
ィルムの表面には、感光性樹脂層や接着剤層または粘着
剤層との接着力を向上させるために公知の各種の処理を
施してもよい。
【0009】一方、感光性樹脂層を構成する感光性樹脂
の種類は任意であるが、半導体装置の各種信頼性に悪影
響を与えないよう、慎重に選定する必要がある。そのよ
うなものとしては、特に感光性ポリイミド樹脂や感光性
エポキシ樹脂などの耐熱性を有する材料が好ましい。
の種類は任意であるが、半導体装置の各種信頼性に悪影
響を与えないよう、慎重に選定する必要がある。そのよ
うなものとしては、特に感光性ポリイミド樹脂や感光性
エポキシ樹脂などの耐熱性を有する材料が好ましい。
【0010】その場合、感光性樹脂に顔料を加えておけ
ば、情報の記録されている部分と記録されていない部分
との間のコントラストが強くなることにより、情報の記
録部分がより鮮明となり、目視あるいはCCD(個体撮
像素子)装置等による情報の読み取りが容易に行えるよ
うになるので好ましい。
ば、情報の記録されている部分と記録されていない部分
との間のコントラストが強くなることにより、情報の記
録部分がより鮮明となり、目視あるいはCCD(個体撮
像素子)装置等による情報の読み取りが容易に行えるよ
うになるので好ましい。
【0011】なお、感光性樹脂層には、例えば英数字、
バーコード、データコード、ベリーコード等の自動認識
用に開発されたパターンを用いて所定の個体情報を記録
することが可能である。
バーコード、データコード、ベリーコード等の自動認識
用に開発されたパターンを用いて所定の個体情報を記録
することが可能である。
【0012】また、上記接着剤または粘着剤としては、
電子部品業界において公知のあらゆる接着剤または粘着
剤を用いることができるが、前者については特にエポキ
シ系、シリコーン系、イミド系またはこれらの複合系の
接着剤が好ましく、後者については、アクリル系、ゴム
系、シリコーン系の粘着剤が好ましい。
電子部品業界において公知のあらゆる接着剤または粘着
剤を用いることができるが、前者については特にエポキ
シ系、シリコーン系、イミド系またはこれらの複合系の
接着剤が好ましく、後者については、アクリル系、ゴム
系、シリコーン系の粘着剤が好ましい。
【0013】さらに、上記ポリイミドフィルムの厚みは
10μm〜100μm、感光性樹脂層の厚みは5μm〜
50μm、接着剤層または粘着剤層の厚みは5μm〜5
0μmが好ましいが、特にこれらの厚みに限定されるも
のではない。
10μm〜100μm、感光性樹脂層の厚みは5μm〜
50μm、接着剤層または粘着剤層の厚みは5μm〜5
0μmが好ましいが、特にこれらの厚みに限定されるも
のではない。
【0014】
【作用】本発明の半導体装置識別用ラベルによれば、ポ
リイミドフィルムでなる基材の表面に感光性樹脂層が設
けられているから、周知の写真技術等を用いてその感光
性樹脂層に所定の情報を記録することで、従来の記録方
法であるレーザマーキングやスタンピングに比べて、高
密度な情報記録、つまり小さな面積に多量の情報を記録
することができる。
リイミドフィルムでなる基材の表面に感光性樹脂層が設
けられているから、周知の写真技術等を用いてその感光
性樹脂層に所定の情報を記録することで、従来の記録方
法であるレーザマーキングやスタンピングに比べて、高
密度な情報記録、つまり小さな面積に多量の情報を記録
することができる。
【0015】そして、このようにして個体識別情報が高
密度に記録されたラベルには、そのポリイミドフィルム
基材の裏面に接着剤層または粘着剤層が設けられている
から、この面を使用して半導体装置の被貼着面(回路面
でもその裏面でも任意である)に容易に貼り付けること
ができる。
密度に記録されたラベルには、そのポリイミドフィルム
基材の裏面に接着剤層または粘着剤層が設けられている
から、この面を使用して半導体装置の被貼着面(回路面
でもその裏面でも任意である)に容易に貼り付けること
ができる。
【0016】その場合、ベアチップ状態の半導体装置
は、そのサイズが小さいため、その被貼着面に貼り付け
られるラベルのサイズは更に小さなものとなる。しか
し、そのような小さなサイズであっても、本発明のラベ
ルによれば、上述のように必要とする情報を感光性樹脂
層に高密度に記録することが可能である。従って、ラベ
ルの感光性樹脂層に予め高密度の情報を記録しておき、
これをベアチップ状態の半導体装置に貼り付けること
で、個々の半導体装置(ベアチップ)の個体管理が容易
に行えることとなる。
は、そのサイズが小さいため、その被貼着面に貼り付け
られるラベルのサイズは更に小さなものとなる。しか
し、そのような小さなサイズであっても、本発明のラベ
ルによれば、上述のように必要とする情報を感光性樹脂
層に高密度に記録することが可能である。従って、ラベ
ルの感光性樹脂層に予め高密度の情報を記録しておき、
これをベアチップ状態の半導体装置に貼り付けること
で、個々の半導体装置(ベアチップ)の個体管理が容易
に行えることとなる。
【0017】
【実施例】以下、本発明の実施例について説明する。図
1および図2は、本発明に係る半導体装置識別用ラベル
を示す平面図とその拡大断面図である。
1および図2は、本発明に係る半導体装置識別用ラベル
を示す平面図とその拡大断面図である。
【0018】これらの図に示すように、この半導体装置
識別用ラベル1は、基材2が厚み50μmのポリイミド
フィルムによって構成されており、この基材2の表面に
エポキシ系感光性樹脂(太陽インキ株式会社製、商品
名:PMR−6000)でなる感光性樹脂層3が、また
裏面にシリコーン系粘着剤でなる粘着剤層4がそれぞれ
設けられている。この図例における感光性樹脂層3およ
び粘着剤層4の厚みは、いずれも15μmである。
識別用ラベル1は、基材2が厚み50μmのポリイミド
フィルムによって構成されており、この基材2の表面に
エポキシ系感光性樹脂(太陽インキ株式会社製、商品
名:PMR−6000)でなる感光性樹脂層3が、また
裏面にシリコーン系粘着剤でなる粘着剤層4がそれぞれ
設けられている。この図例における感光性樹脂層3およ
び粘着剤層4の厚みは、いずれも15μmである。
【0019】このうち感光性樹脂層3には、対象とする
半導体装置(図示せず)の個体識別情報aを示す英数字
が記録されている。これは、本実施例では、まず電算写
植機を用いて、線幅40μmの2ポイント英数字により
構成される個体識別情報を有するマスクフィルムを作成
し、次いで、そのマスクフィルムを感光性樹脂層3に重
ねてコンタクト露光を行い、その後、現像、乾燥、熱処
理を行うことにより、感光性樹脂層3に記録したもので
ある。
半導体装置(図示せず)の個体識別情報aを示す英数字
が記録されている。これは、本実施例では、まず電算写
植機を用いて、線幅40μmの2ポイント英数字により
構成される個体識別情報を有するマスクフィルムを作成
し、次いで、そのマスクフィルムを感光性樹脂層3に重
ねてコンタクト露光を行い、その後、現像、乾燥、熱処
理を行うことにより、感光性樹脂層3に記録したもので
ある。
【0020】なお、上記のラベル1は、離型紙(図示せ
ず)と重ねられた後、公知のシーリング加工機により所
定のサイズに整えられる。その際、本実施例では、各ラ
ベルを幅2mm、長さ10mmのサイズに整えることに
より、一枚のラベルに記録されている文字情報が20桁
となるように調整した。
ず)と重ねられた後、公知のシーリング加工機により所
定のサイズに整えられる。その際、本実施例では、各ラ
ベルを幅2mm、長さ10mmのサイズに整えることに
より、一枚のラベルに記録されている文字情報が20桁
となるように調整した。
【0021】このように構成された半導体装置識別用ラ
ベル1においては、そのポリイミドフィルム基材2の裏
面にシリコーン系粘着剤でなる粘着剤層4が設けられて
いるから、周知のラベル貼り付け機を用いてベアチップ
状態の半導体装置の回路面に容易に貼り付けることがで
きる。
ベル1においては、そのポリイミドフィルム基材2の裏
面にシリコーン系粘着剤でなる粘着剤層4が設けられて
いるから、周知のラベル貼り付け機を用いてベアチップ
状態の半導体装置の回路面に容易に貼り付けることがで
きる。
【0022】そして、そのようにして貼り付けられたラ
ベル1の表面(ポリイミドフィルム基材2の表面)には
感光性樹脂層3が設けられ、この部分に、英数字でなる
高密度の個体識別情報aが記録されているから、その個
体識別情報aを読み取ることによってベアチップ状態の
個々の半導体装置を容易に識別することができる。これ
により、従来のレーザマーキングやスタンピングによる
方法では困難であったベアチップ状態の半導体装置への
高密度情報の記録が可能となり、それらの個体管理が容
易に行えることとなる。
ベル1の表面(ポリイミドフィルム基材2の表面)には
感光性樹脂層3が設けられ、この部分に、英数字でなる
高密度の個体識別情報aが記録されているから、その個
体識別情報aを読み取ることによってベアチップ状態の
個々の半導体装置を容易に識別することができる。これ
により、従来のレーザマーキングやスタンピングによる
方法では困難であったベアチップ状態の半導体装置への
高密度情報の記録が可能となり、それらの個体管理が容
易に行えることとなる。
【0023】
【発明の効果】以上のように本発明によれば、ラベルを
構成するポリイミドフィルム基材の表面に情報の記録部
として使用される感光性樹脂層が設けられているから、
従来の記録方法であるレーザマーキングやスタンピング
に比べると、個々の半導体装置に関する個体識別情報を
高密度に記録することができる。従って、この高密度の
個体識別情報が記録されたラベルを、その裏面側の接着
剤層または粘着剤層を介してベアチップ状態の半導体装
置の回路面等に貼り付けることによって、個々のベアチ
ップ状態の半導体装置の個体管理が容易に行えることと
なる。
構成するポリイミドフィルム基材の表面に情報の記録部
として使用される感光性樹脂層が設けられているから、
従来の記録方法であるレーザマーキングやスタンピング
に比べると、個々の半導体装置に関する個体識別情報を
高密度に記録することができる。従って、この高密度の
個体識別情報が記録されたラベルを、その裏面側の接着
剤層または粘着剤層を介してベアチップ状態の半導体装
置の回路面等に貼り付けることによって、個々のベアチ
ップ状態の半導体装置の個体管理が容易に行えることと
なる。
【図1】本発明の実施例に係る半導体装置識別用ラベル
の一部切り欠き平面図である。
の一部切り欠き平面図である。
【図2】上記ラベルの拡大縦断面図である。
1・・・半導体装置識別用ラベル 2・・・基材(ポリイミドフィルム) 3・・・感光性樹脂層 4・・・接着剤層または粘着剤層
Claims (2)
- 【請求項1】 個々の半導体装置を識別することができ
るように各半導体装置に貼着されるラベルであって、ポ
リイミドフィルムでなる基材の表面に感光性樹脂層が設
けられており、この感光性樹脂層に半導体装置の個体識
別情報が記録されているとともに、基材の裏面には接着
剤層または粘着剤層が設けられていることを特徴とする
半導体装置識別用ラベル。 - 【請求項2】 接着剤層または粘着剤層には金属が分散
されていることを特徴とする請求項1に記載の半導体装
置識別用ラベル。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32008092A JPH06167931A (ja) | 1992-11-30 | 1992-11-30 | 半導体装置識別用ラベル |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32008092A JPH06167931A (ja) | 1992-11-30 | 1992-11-30 | 半導体装置識別用ラベル |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06167931A true JPH06167931A (ja) | 1994-06-14 |
Family
ID=18117499
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP32008092A Pending JPH06167931A (ja) | 1992-11-30 | 1992-11-30 | 半導体装置識別用ラベル |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06167931A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2003028072A1 (en) * | 2001-09-20 | 2003-04-03 | Renesas Technology Corp. | Method for manufacturing semiconductor device |
| CN113675128A (zh) * | 2020-05-14 | 2021-11-19 | 信越化学工业株式会社 | 用于转移微小结构体的基板及其制造方法 |
-
1992
- 1992-11-30 JP JP32008092A patent/JPH06167931A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2003028072A1 (en) * | 2001-09-20 | 2003-04-03 | Renesas Technology Corp. | Method for manufacturing semiconductor device |
| CN113675128A (zh) * | 2020-05-14 | 2021-11-19 | 信越化学工业株式会社 | 用于转移微小结构体的基板及其制造方法 |
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