JPH0618229B2 - 半導体ウエハの検査装置 - Google Patents
半導体ウエハの検査装置Info
- Publication number
- JPH0618229B2 JPH0618229B2 JP14953791A JP14953791A JPH0618229B2 JP H0618229 B2 JPH0618229 B2 JP H0618229B2 JP 14953791 A JP14953791 A JP 14953791A JP 14953791 A JP14953791 A JP 14953791A JP H0618229 B2 JPH0618229 B2 JP H0618229B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- chip
- needle
- probe
- wafer
- probe needle
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Landscapes
- Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
- Measuring Leads Or Probes (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体ウエハの検査装置
に関する。 【０００２】 【従来の技術】一般に半導体ウエハからＩＣチップを得
る場合、各チップの検査は、各チップが分離される前の
段階、即ちウエハに組み込まれている段階で行われる。 【０００３】従来このような検査を行なうためには、ウ
エハ上にマトリクス状に形成された例えば数百個のチッ
プのうちの１個のチップに対し、オペレ−タ−がチップ
内の電極パッドにプロ−ブ針を接触させて適正な位置で
あることを顕微鏡、モニタ−テレビなどで確認し、半導
体ウエハ測定装置の機械精度（自動認識装置の精度も含
む）とチップの繰り返し精度を信頼して、パッドにプロ
−ブ針が正確に接触されているという仮定のもとに、プ
ロ−ブ針に接続されているテスタ−でチップの良否を判
定している。 【０００４】上記の判定作業により、不良チップである
と判定された時点では、当該チップが真実不良なの
か、半導体ウエハの電極パッド面に対するプロ−ブ針
の接触状態が悪くて不良と判定されたのか、以上のいず
れとも判別することができない。従って例えば実際の検
査において連続的にチップの不良が続いた場合は、検査
対象を不良チップが続く前の合格したチップに戻し、再
度プロ−ブ針列を、戻した当該チップに接触させて試験
をやり直している。この場合測定結果が前の結果と同じ
であれば連続して不良と判定されたチップは不良のチッ
プとして取り扱っている。 【０００５】 【発明が解決しようとする課題】しかしながら従来の検
査方法では、定期的にオペレ−タ−により顕微鏡などを
用いて電極パッドに対する接触状態を確認しなければな
らず、自動検査装置を用いているにもかかわらずオペレ
−タ−の手間を要するので効率的ではない。 【０００６】また電極パッドの指定領域の境界線上にプ
ロ−ブ針が接触した場合には検査状態としては不安定で
あるが、この場合にもそのまま検査が行われるので、検
査結果の信頼性が低いという問題点がある。 【０００７】本発明はこのような事情のもとになされた
ものであり、その目的は、半導体ウエハについて効率的
でかつ信頼性の高い検査を行うことのできる装置を提供
することにある。 【０００８】 【課題を解決するための手段】本発明は、多数のチップ
が配列された半導体ウエハをウエハ載置台に載置し、検
査位置にて各チップにプローブ針を接触させて電気的測
定を行ない、その測定結果に基づいてチップの良否を検
査する装置において、前記チップの電気的測定後、当該
チップが検査位置から認識位置に移動するようにウエハ
載置台を制御する制御部と、前記認識位置にてプローブ
針によるチップの針跡を認識し、認識した針跡が予め指
定された領域内にあるか否かを判断すると共に、当該針
跡の面積が予め設定された設定範囲にあるか否かを判断
し、これら判断結果に基づいてプローブ針の接触状態を
判定する認識手段と、を設けたことを特徴とする。 【０００９】 【作用】例えば各チップに対して検査が終了する度毎
に、あるいは所定個数のチップを検査した後などに、例
えばウエハを所定位置に移動し、認識手段により針跡の
領域と面積とについて、夫々設定領域にあるか否か、設
定範囲内にあるか否かについて判断し、その結果プロ−
ブ針の接触状態が良好であると判定されれば、検査を続
行し、不良と判定されれば検査を中止する。 【００１０】 【実施例】図１は本発明の実施例に係る装置を示す図で
あり、この装置はウエハＷを真空吸着により吸着保持す
るウエハ載置台１と、この載置台１をＸ軸、Ｙ軸、Ｚ軸
に沿って移動させると共にＺ軸の回りに回転させるため
の駆動機構２と、ウエハＷにおけるチップの電極パッド
に形成された後述のプロ−ブ針による針跡を認識する認
識手段３と、前記駆動機構２及び認識手段３に対して制
御指令を出す制御部４とを備えている。 【００１１】前記駆動機構２は、各チップの電極パッド
が後述のプロ−ブ針に順次接触されるように載置台１を
移動させると共に、図２に示すようにチップ５の電極パ
ッド６がプロ−ブ針に接触される検査位置Ａとその針跡
を認識してプロ−ブ針の接触状態の良否を判定するため
の認識位置Ｂとの間で移動するように載置台１を駆動す
る機能を持っている。 【００１２】前記認識手段３はパッド６上の針跡を認識
して、その領域と面積（大きさ）とを検出する機能と、
検出した領域がメモリ３１に格納されている指定領域内
に含まれているか否かを判断すると共に、検出した面積
が、メモリ３１に格納されている設定範囲にあるか否か
を判断する機能を備えている。なお針跡の面積について
は、予め下限値と上限値とを定めておき、その間の大き
さであれば適正であると判断することが望ましい。 【００１３】次に上述の装置を用いてウエハＷの各チッ
プ５に対して検査を行なう様子について説明する。今ウ
エハＷのチップ群のうち図２に示すチップ５の検査を行
なう場合、チップ５の所定の電極パッド６が図３に示す
プロ−ブ針７の下方に、即ち検査位置Ａに位置するよう
に駆動機構２を駆動させてウエハＷを移動させる。 【００１４】続いて駆動機構２により載置台１を上昇さ
せて図３の右側に示すようにプロ−ブ針７を電極パッド
６に接触させて押圧し、図示しないテスタにより電気的
測定を行なう。その後チップ５のパッド６とプローブ針
７の針跡を認識するために駆動機構２により載置台１を
下降させて電極パッド６をプロ−ブ針７から離した後、
当該電極パッド６が認識位置Ｂに位置するようにウエハ
Ｗを移動させる。なお前記電気的測定においては、実際
には１個のチップ５上の４個の電極パッド６にプロ−ブ
針７の針跡が残るが、説明の便宜上１個の電極パッド６
の針跡について説明していく。 【００１５】そして前記認識手段３によりプロ−ブ針７
の針跡Ｒを認識して、この針跡Ｒの領域と、面積（大き
さ）とを検出し、針跡Ｒの領域がメモリ３１に記憶され
た、図４の（ａ）に示す指定領域Ｑの中に含まれるか否
かを判断すると共に、針跡Ｒの面積が設定範囲内例えば
Ｓ１〜Ｓ２の範囲にあるか否かを判断する。図４の
（ｂ）に示すように針跡Ｒの領域が指定領域Ｑの中に位
置し、かつその面積が設定範囲内にあれば、プロ−ブ針
７と電極パッド６との接触状態は良好であると判定して
次の電極パッドが検査位置Ａに位置するようにウエハを
移動させる。また、これらの条件のうちの少なくともそ
の一方が満たされない場合、例えば図４の（ｃ）に示す
ように針跡Ｒの領域が指定領域Ｑの外にあればプロ−ブ
針７と電極パッド６との接触状態は不適切であると判定
してその後の検査を中止する。 【００１６】上述実施例では、各チップについてプロ−
ブ針により検査する度毎にプロ−ブ針と電極パッドとの
接触状態を認識するようにしているが、本発明装置の用
い方としては、半導体ウエハの各チップの検査を行なう
工程の中で、プロ−ブ針の針跡の領域と面積とに基づい
て、接触状態を判定する使い方であれば、実施例に限定
されるものではない。 【００１７】 【発明の効果】以上のように本発明によれば、半導体ウ
エハのチップの検査を行なうにあたって、チップの電気
的測定後に、認識手段によりプローブ針によるチップの
針跡の領域と面積とに基づいてプローブ針と電極パッド
との接触状態を判定するようにしているため、その接触
状態を確実に把握することができると共に、オペレータ
による顕微鏡などの目視を必要とせずにチップの測定が
プローブ針と良好に接触した状態で行われたか否かを監
視できるので、信頼性が高くかつ効率のよい検査を行な
うことができる。また、認識手段により自動的にプロー
ブ針の接触状態を判定できるため、頻繁にその判定を行
なっても煩わしくないから、そのような使い方をするこ
とによって電極パッドの指定領域の境界線上にプローブ
針が接触するといった状況をいち早く捉えることができ
る。
に関する。 【０００２】 【従来の技術】一般に半導体ウエハからＩＣチップを得
る場合、各チップの検査は、各チップが分離される前の
段階、即ちウエハに組み込まれている段階で行われる。 【０００３】従来このような検査を行なうためには、ウ
エハ上にマトリクス状に形成された例えば数百個のチッ
プのうちの１個のチップに対し、オペレ−タ−がチップ
内の電極パッドにプロ−ブ針を接触させて適正な位置で
あることを顕微鏡、モニタ−テレビなどで確認し、半導
体ウエハ測定装置の機械精度（自動認識装置の精度も含
む）とチップの繰り返し精度を信頼して、パッドにプロ
−ブ針が正確に接触されているという仮定のもとに、プ
ロ−ブ針に接続されているテスタ−でチップの良否を判
定している。 【０００４】上記の判定作業により、不良チップである
と判定された時点では、当該チップが真実不良なの
か、半導体ウエハの電極パッド面に対するプロ−ブ針
の接触状態が悪くて不良と判定されたのか、以上のいず
れとも判別することができない。従って例えば実際の検
査において連続的にチップの不良が続いた場合は、検査
対象を不良チップが続く前の合格したチップに戻し、再
度プロ−ブ針列を、戻した当該チップに接触させて試験
をやり直している。この場合測定結果が前の結果と同じ
であれば連続して不良と判定されたチップは不良のチッ
プとして取り扱っている。 【０００５】 【発明が解決しようとする課題】しかしながら従来の検
査方法では、定期的にオペレ−タ−により顕微鏡などを
用いて電極パッドに対する接触状態を確認しなければな
らず、自動検査装置を用いているにもかかわらずオペレ
−タ−の手間を要するので効率的ではない。 【０００６】また電極パッドの指定領域の境界線上にプ
ロ−ブ針が接触した場合には検査状態としては不安定で
あるが、この場合にもそのまま検査が行われるので、検
査結果の信頼性が低いという問題点がある。 【０００７】本発明はこのような事情のもとになされた
ものであり、その目的は、半導体ウエハについて効率的
でかつ信頼性の高い検査を行うことのできる装置を提供
することにある。 【０００８】 【課題を解決するための手段】本発明は、多数のチップ
が配列された半導体ウエハをウエハ載置台に載置し、検
査位置にて各チップにプローブ針を接触させて電気的測
定を行ない、その測定結果に基づいてチップの良否を検
査する装置において、前記チップの電気的測定後、当該
チップが検査位置から認識位置に移動するようにウエハ
載置台を制御する制御部と、前記認識位置にてプローブ
針によるチップの針跡を認識し、認識した針跡が予め指
定された領域内にあるか否かを判断すると共に、当該針
跡の面積が予め設定された設定範囲にあるか否かを判断
し、これら判断結果に基づいてプローブ針の接触状態を
判定する認識手段と、を設けたことを特徴とする。 【０００９】 【作用】例えば各チップに対して検査が終了する度毎
に、あるいは所定個数のチップを検査した後などに、例
えばウエハを所定位置に移動し、認識手段により針跡の
領域と面積とについて、夫々設定領域にあるか否か、設
定範囲内にあるか否かについて判断し、その結果プロ−
ブ針の接触状態が良好であると判定されれば、検査を続
行し、不良と判定されれば検査を中止する。 【００１０】 【実施例】図１は本発明の実施例に係る装置を示す図で
あり、この装置はウエハＷを真空吸着により吸着保持す
るウエハ載置台１と、この載置台１をＸ軸、Ｙ軸、Ｚ軸
に沿って移動させると共にＺ軸の回りに回転させるため
の駆動機構２と、ウエハＷにおけるチップの電極パッド
に形成された後述のプロ−ブ針による針跡を認識する認
識手段３と、前記駆動機構２及び認識手段３に対して制
御指令を出す制御部４とを備えている。 【００１１】前記駆動機構２は、各チップの電極パッド
が後述のプロ−ブ針に順次接触されるように載置台１を
移動させると共に、図２に示すようにチップ５の電極パ
ッド６がプロ−ブ針に接触される検査位置Ａとその針跡
を認識してプロ−ブ針の接触状態の良否を判定するため
の認識位置Ｂとの間で移動するように載置台１を駆動す
る機能を持っている。 【００１２】前記認識手段３はパッド６上の針跡を認識
して、その領域と面積（大きさ）とを検出する機能と、
検出した領域がメモリ３１に格納されている指定領域内
に含まれているか否かを判断すると共に、検出した面積
が、メモリ３１に格納されている設定範囲にあるか否か
を判断する機能を備えている。なお針跡の面積について
は、予め下限値と上限値とを定めておき、その間の大き
さであれば適正であると判断することが望ましい。 【００１３】次に上述の装置を用いてウエハＷの各チッ
プ５に対して検査を行なう様子について説明する。今ウ
エハＷのチップ群のうち図２に示すチップ５の検査を行
なう場合、チップ５の所定の電極パッド６が図３に示す
プロ−ブ針７の下方に、即ち検査位置Ａに位置するよう
に駆動機構２を駆動させてウエハＷを移動させる。 【００１４】続いて駆動機構２により載置台１を上昇さ
せて図３の右側に示すようにプロ−ブ針７を電極パッド
６に接触させて押圧し、図示しないテスタにより電気的
測定を行なう。その後チップ５のパッド６とプローブ針
７の針跡を認識するために駆動機構２により載置台１を
下降させて電極パッド６をプロ−ブ針７から離した後、
当該電極パッド６が認識位置Ｂに位置するようにウエハ
Ｗを移動させる。なお前記電気的測定においては、実際
には１個のチップ５上の４個の電極パッド６にプロ−ブ
針７の針跡が残るが、説明の便宜上１個の電極パッド６
の針跡について説明していく。 【００１５】そして前記認識手段３によりプロ−ブ針７
の針跡Ｒを認識して、この針跡Ｒの領域と、面積（大き
さ）とを検出し、針跡Ｒの領域がメモリ３１に記憶され
た、図４の（ａ）に示す指定領域Ｑの中に含まれるか否
かを判断すると共に、針跡Ｒの面積が設定範囲内例えば
Ｓ１〜Ｓ２の範囲にあるか否かを判断する。図４の
（ｂ）に示すように針跡Ｒの領域が指定領域Ｑの中に位
置し、かつその面積が設定範囲内にあれば、プロ−ブ針
７と電極パッド６との接触状態は良好であると判定して
次の電極パッドが検査位置Ａに位置するようにウエハを
移動させる。また、これらの条件のうちの少なくともそ
の一方が満たされない場合、例えば図４の（ｃ）に示す
ように針跡Ｒの領域が指定領域Ｑの外にあればプロ−ブ
針７と電極パッド６との接触状態は不適切であると判定
してその後の検査を中止する。 【００１６】上述実施例では、各チップについてプロ−
ブ針により検査する度毎にプロ−ブ針と電極パッドとの
接触状態を認識するようにしているが、本発明装置の用
い方としては、半導体ウエハの各チップの検査を行なう
工程の中で、プロ−ブ針の針跡の領域と面積とに基づい
て、接触状態を判定する使い方であれば、実施例に限定
されるものではない。 【００１７】 【発明の効果】以上のように本発明によれば、半導体ウ
エハのチップの検査を行なうにあたって、チップの電気
的測定後に、認識手段によりプローブ針によるチップの
針跡の領域と面積とに基づいてプローブ針と電極パッド
との接触状態を判定するようにしているため、その接触
状態を確実に把握することができると共に、オペレータ
による顕微鏡などの目視を必要とせずにチップの測定が
プローブ針と良好に接触した状態で行われたか否かを監
視できるので、信頼性が高くかつ効率のよい検査を行な
うことができる。また、認識手段により自動的にプロー
ブ針の接触状態を判定できるため、頻繁にその判定を行
なっても煩わしくないから、そのような使い方をするこ
とによって電極パッドの指定領域の境界線上にプローブ
針が接触するといった状況をいち早く捉えることができ
る。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施例に係る装置を示す説明図であ
る。 【図２】ウエハが検査位置と認識位置とに置かれている
状態を示す説明図である。 【図３】プロ−ブ針によるチップの検査の様子を示す説
明図である。 【図４】プロ−ブ針の針跡について接触状態の判定条件
を示す説明図である。 【符号の説明】 １ ウエハ載置台 ３ 認識手段 ５ チップ ６ 電極パッド ７ プローブ針 Ｑ 指定領域 Ｒ 針跡 Ｗ ウエハ
る。 【図２】ウエハが検査位置と認識位置とに置かれている
状態を示す説明図である。 【図３】プロ−ブ針によるチップの検査の様子を示す説
明図である。 【図４】プロ−ブ針の針跡について接触状態の判定条件
を示す説明図である。 【符号の説明】 １ ウエハ載置台 ３ 認識手段 ５ チップ ６ 電極パッド ７ プローブ針 Ｑ 指定領域 Ｒ 針跡 Ｗ ウエハ
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、多数のチップが配列された半導体ウエハをウエハ載
置台に載置し、検査位置にて各チップにプローブ針を接
触させて電気的測定を行ない、その測定結果に基づいて
チップの良否を検査する装置において、前記チップの電気的測定後、当該チップが検査位置から
認識位置に移動するようにウエハ載置台を制御する制御
部と、 前記認識位置にて プローブ針によるチップの針跡を認識
し、認識した針跡が予め指定された領域内にあるか否か
を判断すると共に、当該針跡の面積が予め設定された設
定範囲にあるか否かを判断し、これら判断結果に基づい
てプローブ針の接触状態を判定する認識手段と、を設け
たことを特徴とする半導体ウエハの検査装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14953791A JPH0618229B2 (ja) | 1991-05-24 | 1991-05-24 | 半導体ウエハの検査装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14953791A JPH0618229B2 (ja) | 1991-05-24 | 1991-05-24 | 半導体ウエハの検査装置 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58132179A Division JPS6024030A (ja) | 1983-07-19 | 1983-07-19 | 半導体ウエハ測定方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04340241A JPH04340241A (ja) | 1992-11-26 |
| JPH0618229B2 true JPH0618229B2 (ja) | 1994-03-09 |
Family
ID=15477311
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14953791A Expired - Lifetime JPH0618229B2 (ja) | 1991-05-24 | 1991-05-24 | 半導体ウエハの検査装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0618229B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5644245A (en) * | 1993-11-24 | 1997-07-01 | Tokyo Electron Limited | Probe apparatus for inspecting electrical characteristics of a microelectronic element |
| CN116297442A (zh) * | 2023-01-04 | 2023-06-23 | 上海安其威微电子科技有限公司 | 一种芯片引脚接触可靠性检测方法 |
-
1991
- 1991-05-24 JP JP14953791A patent/JPH0618229B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH04340241A (ja) | 1992-11-26 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR0138754B1 (ko) | 전기회로측정용 탐침의 접촉검지장치 및 이 접촉검지장치를 이용한 전기회로 측정장치 | |
| US4780836A (en) | Method of testing semiconductor devices using a probe card | |
| JPH04130639A (ja) | プローブカードの触針とウェーハとの接触検出方法および検出装置 | |
| JPS6362245A (ja) | ウエハプロ−バ | |
| KR100487658B1 (ko) | 프로브 침 클리닝장치 및 방법 | |
| JPH0441495B2 (ja) | ||
| JPH0713990B2 (ja) | プローブ針とパッドの位置合わせ方法 | |
| US7154258B2 (en) | IC transfer device | |
| JPH0737941A (ja) | プローブ装置 | |
| JPH04340241A (ja) | 半導体ウエハの検査装置 | |
| JPH065690B2 (ja) | 半導体ウエハプローブ方法 | |
| JPH0685409B2 (ja) | ウェハ搬送装置 | |
| JPS6024031A (ja) | 半導体ウエハプロ−バ | |
| JPS62136041A (ja) | ウエハプロ−バ | |
| JPS6386445A (ja) | ウエハプロ−バのｚ軸オ−バドライブ量制御装置および方法 | |
| JPS621247B2 (ja) | ||
| JPS63244855A (ja) | プロ−ブ装置によるウエハの検査方法 | |
| JPH0828408B2 (ja) | 半導体ウエハ測定方法 | |
| KR200156141Y1 (ko) | 프로빙 검증 칩이 구비된 웨이퍼 | |
| JP2001249162A (ja) | ベアチップ検査装置及びベアチップ検査方法 | |
| KR100615086B1 (ko) | 반도체 웨이퍼 칩 검사장치 및 이를 이용한 검사방법 | |
| JPS6115340A (ja) | ウエハプロ−バ | |
| JPS63127545A (ja) | プロ−ブ装置 | |
| JPS6143239Y2 (ja) | ||
| JPS62115837A (ja) | プロ−ビング装置 |