JPH06192820A - 光学薄膜成膜方法 - Google Patents
光学薄膜成膜方法Info
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- JPH06192820A JPH06192820A JP4359409A JP35940992A JPH06192820A JP H06192820 A JPH06192820 A JP H06192820A JP 4359409 A JP4359409 A JP 4359409A JP 35940992 A JP35940992 A JP 35940992A JP H06192820 A JPH06192820 A JP H06192820A
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- JP
- Japan
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- thin film
- substrate
- ion beam
- crystal
- optical thin
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 ＫＤＰ，ＤＫＤＰあるいはＡＤＰの結晶の表
面に密着性のよい薄膜を作製する。 【構成】 真空室１を減圧し、基板ホルダ４を回転させ
ながらイオンビーム発生装置６からＫＤＰ，ＤＫＤＰ，
ＡＤＰのいずれか一つの結晶からなる基板３の表面にイ
オンビームを照射し、基板３の表面を少くとも５ｎｍ以
上エッチングすることで清浄化したのち、クラスターイ
オンビーム発生装置２からクラスターイオンビームを発
生させて基板３の表面に薄膜を蒸着させる。これらの工
程は基板３を加熱することなく行われる。
面に密着性のよい薄膜を作製する。 【構成】 真空室１を減圧し、基板ホルダ４を回転させ
ながらイオンビーム発生装置６からＫＤＰ，ＤＫＤＰ，
ＡＤＰのいずれか一つの結晶からなる基板３の表面にイ
オンビームを照射し、基板３の表面を少くとも５ｎｍ以
上エッチングすることで清浄化したのち、クラスターイ
オンビーム発生装置２からクラスターイオンビームを発
生させて基板３の表面に薄膜を蒸着させる。これらの工
程は基板３を加熱することなく行われる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、高出力レーザー用素子
等に用いられる光学単結晶の表面を反射防止膜等の光学
薄膜で被覆する光学薄膜成膜方法に関するものである。
等に用いられる光学単結晶の表面を反射防止膜等の光学
薄膜で被覆する光学薄膜成膜方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】レーザー光用の波長変換素子、光スイッ
チ、光変調器等に用いられる各種の光学単結晶のうち
で、りん酸２水素カリウム［ＫＨ2 ＰＯ4 ］（以下、
「ＫＤＰ」という。）の単結晶、りん酸２重水素カリウ
ム［ＫＤ2 ＰＯ4 ］（以下、「ＤＫＤＰ」という。）の
単結晶またはりん酸２水素アンモニウム［ＮＨ4 Ｈ2 Ｐ
Ｏ4］（以下、「ＡＤＰ」という。）の単結晶は、結晶
の大きさおよび結晶育成コストの点で他の材料の単結晶
よりすぐれているが、反面、柔かくて潮解性が大きく、
また、加熱すると加水分解する性質をもっているため、
反射防止膜等の薄膜を直接結晶の表面へ蒸着することが
できない。すなわち、他の材料の単結晶、例えば、ＣS
Ｈ2 ＡS Ｏ4 ，ＫＴi ＯＰＯ4 ，β−Ｂa Ｂ2 Ｏ4 ，Ｋ
Ｎb Ｏ3 等の単結晶の場合、真空室内で、結晶を加熱し
ながら結晶の表面に蒸発物質を蒸着することによって反
射防止膜等の薄膜を成膜するが、この方法は、加熱する
と加水分解を起こすＫＤＰ、ＤＫＤＰまたはＡＤＰの結
晶には適用できない。また、真空室内で結晶を加熱する
ことなく、常温でＫＤＰ、ＤＫＤＰあるいはＡＤＰの結
晶の表面に蒸発物質を蒸着すると、成膜された薄膜と前
記結晶の表面との密着性が極めて悪いため、薄膜がはが
れやすく、高出力レーザー用素子に用いることはできな
い。従って、従来は、レーザー透過窓を有する密閉容器
内に乾燥窒素、乾燥空気等とともにＫＤＰ、ＤＫＤＰま
たはＡＤＰの結晶を封入し、レーザー透過窓の表面に反
射防止膜を設けるのが一般的であった。
チ、光変調器等に用いられる各種の光学単結晶のうち
で、りん酸２水素カリウム［ＫＨ2 ＰＯ4 ］（以下、
「ＫＤＰ」という。）の単結晶、りん酸２重水素カリウ
ム［ＫＤ2 ＰＯ4 ］（以下、「ＤＫＤＰ」という。）の
単結晶またはりん酸２水素アンモニウム［ＮＨ4 Ｈ2 Ｐ
Ｏ4］（以下、「ＡＤＰ」という。）の単結晶は、結晶
の大きさおよび結晶育成コストの点で他の材料の単結晶
よりすぐれているが、反面、柔かくて潮解性が大きく、
また、加熱すると加水分解する性質をもっているため、
反射防止膜等の薄膜を直接結晶の表面へ蒸着することが
できない。すなわち、他の材料の単結晶、例えば、ＣS
Ｈ2 ＡS Ｏ4 ，ＫＴi ＯＰＯ4 ，β−Ｂa Ｂ2 Ｏ4 ，Ｋ
Ｎb Ｏ3 等の単結晶の場合、真空室内で、結晶を加熱し
ながら結晶の表面に蒸発物質を蒸着することによって反
射防止膜等の薄膜を成膜するが、この方法は、加熱する
と加水分解を起こすＫＤＰ、ＤＫＤＰまたはＡＤＰの結
晶には適用できない。また、真空室内で結晶を加熱する
ことなく、常温でＫＤＰ、ＤＫＤＰあるいはＡＤＰの結
晶の表面に蒸発物質を蒸着すると、成膜された薄膜と前
記結晶の表面との密着性が極めて悪いため、薄膜がはが
れやすく、高出力レーザー用素子に用いることはできな
い。従って、従来は、レーザー透過窓を有する密閉容器
内に乾燥窒素、乾燥空気等とともにＫＤＰ、ＤＫＤＰま
たはＡＤＰの結晶を封入し、レーザー透過窓の表面に反
射防止膜を設けるのが一般的であった。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来の技術によれば、前述のように、密閉容器内に封入さ
れたレーザー用素子は、材料コストの上昇および製造工
程の複雑化を招き、製造コストの上昇を避けることがで
きない。また、真空室を加熱することなく、常温で直接
ＫＤＰ、ＤＫＤＰまたはＡＤＰの結晶の表面に密着性の
よい薄膜を成膜する方法は、いまだに開発されていな
い。
来の技術によれば、前述のように、密閉容器内に封入さ
れたレーザー用素子は、材料コストの上昇および製造工
程の複雑化を招き、製造コストの上昇を避けることがで
きない。また、真空室を加熱することなく、常温で直接
ＫＤＰ、ＤＫＤＰまたはＡＤＰの結晶の表面に密着性の
よい薄膜を成膜する方法は、いまだに開発されていな
い。
【０００４】本発明は、上記従来の技術の有する未解決
の課題に鑑みてなされたものであり、ＫＤＰ、ＤＫＤＰ
またはＡＤＰの結晶の表面に密着性のすぐれた薄膜を作
製することのできる光学薄膜成膜方法を提供することを
目的とするものである。
の課題に鑑みてなされたものであり、ＫＤＰ、ＤＫＤＰ
またはＡＤＰの結晶の表面に密着性のすぐれた薄膜を作
製することのできる光学薄膜成膜方法を提供することを
目的とするものである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに本発明の光学薄膜成膜方法は、りん酸２水素カリウ
ム、りん酸２重水素カリウム、りん酸２水素アンモニウ
ムのいずれか一つの結晶からなる基板の表面に薄膜を蒸
着する光学薄膜成膜方法であって、基板の表面を少くと
も厚さ５ｎｍ以上エッチングする工程と、エッチングさ
れた基板の表面に薄膜を蒸着する工程からなり、前記工
程のすべてが、減圧された真空室内で前記基板を加熱す
ることなく行われることを特徴とする。
めに本発明の光学薄膜成膜方法は、りん酸２水素カリウ
ム、りん酸２重水素カリウム、りん酸２水素アンモニウ
ムのいずれか一つの結晶からなる基板の表面に薄膜を蒸
着する光学薄膜成膜方法であって、基板の表面を少くと
も厚さ５ｎｍ以上エッチングする工程と、エッチングさ
れた基板の表面に薄膜を蒸着する工程からなり、前記工
程のすべてが、減圧された真空室内で前記基板を加熱す
ることなく行われることを特徴とする。
【０００６】また、薄膜が、クラスターイオンビーム蒸
着法またはイオンビームアシスト蒸着法によって蒸着さ
れるとよい。
着法またはイオンビームアシスト蒸着法によって蒸着さ
れるとよい。
【０００７】
【作用】上記方法によれば、ＫＤＰ，ＤＫＤＰあるいは
ＡＤＰの結晶の基板の表面をエッチングによって清浄化
したのち、常温で薄膜を蒸着する。これによって、前記
材料の結晶を加水分解させることなく、その表面に密着
性のよい薄膜を作製できる。薄膜をクラスターイオンビ
ーム蒸着法あるいはイオンビームアシスト蒸着法によっ
て蒸着すれば、さらに密着性のよい薄膜を作製できる。
ＡＤＰの結晶の基板の表面をエッチングによって清浄化
したのち、常温で薄膜を蒸着する。これによって、前記
材料の結晶を加水分解させることなく、その表面に密着
性のよい薄膜を作製できる。薄膜をクラスターイオンビ
ーム蒸着法あるいはイオンビームアシスト蒸着法によっ
て蒸着すれば、さらに密着性のよい薄膜を作製できる。
【０００８】
【実施例】本発明の実施例を図面に基づいて説明する。
【０００９】図１は、一実施例に用いる蒸着装置の一例
を示す模式断面図であって、真空室１は、図示しない排
気ポンプに連通する排気口１ａを有し、真空室１の下部
にはクラスターイオンビームを発生するクラスターイオ
ンビーム発生装置２が配置され、真空室１の上部には、
周方向に等間隔で複数の基板３を保持する基板ホルダ４
が配置されている。基板ホルダ４は、直径８０ｃｍの円
板状の本体４ａを有し、図示しない駆動装置によってそ
の中心軸のまわりに回転される。基板ホルダ４の近傍に
は水晶振動子式の膜厚モニタ５が設けられ、また、基板
ホルダ４の図示下面から下方に約１５ｃｍ程離れた位置
にイオンビーム発生装置６が配置されている。
を示す模式断面図であって、真空室１は、図示しない排
気ポンプに連通する排気口１ａを有し、真空室１の下部
にはクラスターイオンビームを発生するクラスターイオ
ンビーム発生装置２が配置され、真空室１の上部には、
周方向に等間隔で複数の基板３を保持する基板ホルダ４
が配置されている。基板ホルダ４は、直径８０ｃｍの円
板状の本体４ａを有し、図示しない駆動装置によってそ
の中心軸のまわりに回転される。基板ホルダ４の近傍に
は水晶振動子式の膜厚モニタ５が設けられ、また、基板
ホルダ４の図示下面から下方に約１５ｃｍ程離れた位置
にイオンビーム発生装置６が配置されている。
【００１０】イオンビーム発生装置６は、グリッドサイ
ズ２．５×４０ｃｍのリニア型イオンガンを２台並設し
たもので、これらは、基板ホルダ４に保持された基板３
の表面に平行に、スキャン幅９０ｃｍで往復移動され、
基板ホルダ４に保持されたすべての基板３の表面を均一
にエッチングすることができる。
ズ２．５×４０ｃｍのリニア型イオンガンを２台並設し
たもので、これらは、基板ホルダ４に保持された基板３
の表面に平行に、スキャン幅９０ｃｍで往復移動され、
基板ホルダ４に保持されたすべての基板３の表面を均一
にエッチングすることができる。
【００１１】各基板３は、ＫＤＰ、ＤＫＤＰまたはＡＤ
Ｐの単結晶からなり、これらを基板ホルダ４に装着した
うえで、前述の排気ポンプによって真空室１を所定の真
空度に排気したのち、基板ホルダ４を回転させながら各
基板３にイオンビーム発生装置６からＡｒガスのイオン
ビームを加速電圧７００ｅＶで照射して、各基板３の表
面を５ｎｍ以上、例えば、１００ｎｍの深さだけエッチ
ングする。次いで、前述の真空度を維持しながら、常温
でクラスターイオンビーム発生装置２からクラスターイ
オンビームを発生させ、各基板３の表面に薄膜を成膜す
る。なお、クラスターイオンビーム発生装置２は、図示
しない複数のクラスターイオンビーム発生源を有し、こ
れらを順次加熱、蒸発させることによって、各基板３の
表面に異なる材料からなる複数の薄膜層を順次積層する
ものである。
Ｐの単結晶からなり、これらを基板ホルダ４に装着した
うえで、前述の排気ポンプによって真空室１を所定の真
空度に排気したのち、基板ホルダ４を回転させながら各
基板３にイオンビーム発生装置６からＡｒガスのイオン
ビームを加速電圧７００ｅＶで照射して、各基板３の表
面を５ｎｍ以上、例えば、１００ｎｍの深さだけエッチ
ングする。次いで、前述の真空度を維持しながら、常温
でクラスターイオンビーム発生装置２からクラスターイ
オンビームを発生させ、各基板３の表面に薄膜を成膜す
る。なお、クラスターイオンビーム発生装置２は、図示
しない複数のクラスターイオンビーム発生源を有し、こ
れらを順次加熱、蒸発させることによって、各基板３の
表面に異なる材料からなる複数の薄膜層を順次積層する
ものである。
【００１２】本実施例は、真空室を排気したうえで、Ｋ
ＤＰ、ＤＫＤＰまたはＡＤＰの単結晶からなる基板の表
面をイオンビームによってエッチングすることによっ
て、該基板の表面のオイル、研磨剤、あるいは表面層の
変質部分を除去することで母材の表面を露出させ、次い
で、基板を加熱することなく、その表面に薄膜を蒸着す
るものである。イオンビームエッチングによって、母材
の表面から不純物を除去することにより、光学薄膜と結
晶の表面との結合力を大きく向上させることができる。
従って、常温で薄膜を蒸着しても、結晶の表面に対する
密着性が不足するおそれはない。また、蒸発源にクラス
ターイオンビーム発生装置を用いることによって、前述
の密着性をより一層向上させることができる。クラスタ
ーイオンビーム発生装置の替わりに、イオン化せずに蒸
気を発生する蒸発源と、基板の表面近傍の蒸気に向って
イオンビームを照射し、これによって基板表面の蒸気を
活性化するイオンビームアシスト蒸着装置を用いてもよ
い。なお、イオンビームによるエッチングは、イオンビ
ームの加速電圧が２０００ｅＶ以下であるのが望まし
い。
ＤＰ、ＤＫＤＰまたはＡＤＰの単結晶からなる基板の表
面をイオンビームによってエッチングすることによっ
て、該基板の表面のオイル、研磨剤、あるいは表面層の
変質部分を除去することで母材の表面を露出させ、次い
で、基板を加熱することなく、その表面に薄膜を蒸着す
るものである。イオンビームエッチングによって、母材
の表面から不純物を除去することにより、光学薄膜と結
晶の表面との結合力を大きく向上させることができる。
従って、常温で薄膜を蒸着しても、結晶の表面に対する
密着性が不足するおそれはない。また、蒸発源にクラス
ターイオンビーム発生装置を用いることによって、前述
の密着性をより一層向上させることができる。クラスタ
ーイオンビーム発生装置の替わりに、イオン化せずに蒸
気を発生する蒸発源と、基板の表面近傍の蒸気に向って
イオンビームを照射し、これによって基板表面の蒸気を
活性化するイオンビームアシスト蒸着装置を用いてもよ
い。なお、イオンビームによるエッチングは、イオンビ
ームの加速電圧が２０００ｅＶ以下であるのが望まし
い。
【００１３】次に実験例を説明する。
【００１４】厚さ２ｃｍ、表面寸法３×３ｃｍの光学研
磨したＤＫＤＰの単結晶の基板に、Ｎｄ：ＹＡＧレーザ
ー（波長１０６４ｎｍ）用反射防止膜を、図１の蒸着装
置を用いて成膜した場合のレーザー耐力と母材表面に対
する密着力を測定し、クラスターイオンビーム発生装置
の替わりにイオンビームアシスト蒸着装置を用いた場合
および蒸気をイオン化することなく蒸着する蒸着装置を
用いた場合と比較するとともに、基板の表面にイオンビ
ームによるエッチングを施すことなく同様の実験を行っ
た。
磨したＤＫＤＰの単結晶の基板に、Ｎｄ：ＹＡＧレーザ
ー（波長１０６４ｎｍ）用反射防止膜を、図１の蒸着装
置を用いて成膜した場合のレーザー耐力と母材表面に対
する密着力を測定し、クラスターイオンビーム発生装置
の替わりにイオンビームアシスト蒸着装置を用いた場合
および蒸気をイオン化することなく蒸着する蒸着装置を
用いた場合と比較するとともに、基板の表面にイオンビ
ームによるエッチングを施すことなく同様の実験を行っ
た。
【００１５】成膜される光学薄膜の構成は、レーザー波
長の１／２の厚さのＳｉＯ2 をアンダーコートとし、同
１／４の厚さのＡｌ2 Ｏ3 とＭｇＦ2 を積層したもので
あり、その成膜条件は表１に示す通りである。
長の１／２の厚さのＳｉＯ2 をアンダーコートとし、同
１／４の厚さのＡｌ2 Ｏ3 とＭｇＦ2 を積層したもので
あり、その成膜条件は表１に示す通りである。
【００１６】
【表１】 ここで、成膜方法（１）は、蒸気をイオン化することな
く蒸着する蒸着装置を用いて成膜した場合 成膜方法（２）は、イオンビームアシスト蒸着装置を用
いるイオンビームアシスト蒸着法によって薄膜を成膜し
た場合 成膜方法（３）は、図１の装置によるクラスターイオン
ビーム蒸着法によって成膜した場合 なお、成膜方法（２）におけるアシスト用のイオンは酸
素イオンを使用した。また、成膜方法（１）、（２）、
（３）いずれの場合も基板温度は常温であった。
く蒸着する蒸着装置を用いて成膜した場合 成膜方法（２）は、イオンビームアシスト蒸着装置を用
いるイオンビームアシスト蒸着法によって薄膜を成膜し
た場合 成膜方法（３）は、図１の装置によるクラスターイオン
ビーム蒸着法によって成膜した場合 なお、成膜方法（２）におけるアシスト用のイオンは酸
素イオンを使用した。また、成膜方法（１）、（２）、
（３）いずれの場合も基板温度は常温であった。
【００１７】各成膜方法（１）、（２）、（３）によっ
て薄膜を成膜するに際して、蒸着前に基板の表面をイオ
ンビームを用いてエッチングすることなく、成膜した場
合のサンプルＡ〜Ｃと、前記条件によるイオンビームを
用いて基板の表面をエッチングしたのちに成膜した場合
のサンプルＤ〜Ｆについてレーザー耐力および密着力を
測定した結果を表２に示す。
て薄膜を成膜するに際して、蒸着前に基板の表面をイオ
ンビームを用いてエッチングすることなく、成膜した場
合のサンプルＡ〜Ｃと、前記条件によるイオンビームを
用いて基板の表面をエッチングしたのちに成膜した場合
のサンプルＤ〜Ｆについてレーザー耐力および密着力を
測定した結果を表２に示す。
【００１８】
【表２】 ○：合格 ×：不合格 レーザー耐力の測定は、パルス幅１ｎｓのＮｄ：ＹＡＧ
レーザーを用いて行い、 各サンプル面上にスポット径
３６０μｍで照射し、損傷の生じたしきい値エネルギー
を測定した。密着力の評価は成膜直後の各サンプルおよ
び恒温恒湿槽（５０℃−７０％）に１００時間放置した
後の各サンプルに対して、スコッチテープを貼った後ス
ナップをきかせ垂直に剥し、１０回繰り返した後の薄膜
の変化を目視で評価し、少しでも変化が生じた場合は不
合格（×）とした。
レーザーを用いて行い、 各サンプル面上にスポット径
３６０μｍで照射し、損傷の生じたしきい値エネルギー
を測定した。密着力の評価は成膜直後の各サンプルおよ
び恒温恒湿槽（５０℃−７０％）に１００時間放置した
後の各サンプルに対して、スコッチテープを貼った後ス
ナップをきかせ垂直に剥し、１０回繰り返した後の薄膜
の変化を目視で評価し、少しでも変化が生じた場合は不
合格（×）とした。
【００１９】表２の結果から成膜条件（１）のエッチン
グ無しのサンプルＡのみ耐久試験後の密着力が不合格と
なった。レーザー耐力は、エッチング無し基板に成膜し
た薄膜はすべて２．５Ｊ／ｃｍ2 程度であったのに対し
て、エッチングした基板を用いると成膜方法によらず、
約１０Ｊ／ｃｍ2 と大幅に向上した。
グ無しのサンプルＡのみ耐久試験後の密着力が不合格と
なった。レーザー耐力は、エッチング無し基板に成膜し
た薄膜はすべて２．５Ｊ／ｃｍ2 程度であったのに対し
て、エッチングした基板を用いると成膜方法によらず、
約１０Ｊ／ｃｍ2 と大幅に向上した。
【００２０】また、基板表面をエッチングした後一度大
気圧に戻して湿度２５％のデシケーターに３日間放置し
たＤＫＤＰ結晶の基板にサンプルＤ〜Ｆと同様の薄膜を
製作し、評価したところ、密着力に関してはエッチング
後同一真空中で成膜した薄膜と変わらなかったが、レー
ザー耐力は約１０〜２０％低下していた。
気圧に戻して湿度２５％のデシケーターに３日間放置し
たＤＫＤＰ結晶の基板にサンプルＤ〜Ｆと同様の薄膜を
製作し、評価したところ、密着力に関してはエッチング
後同一真空中で成膜した薄膜と変わらなかったが、レー
ザー耐力は約１０〜２０％低下していた。
【００２１】ＫＤＰおよびＡＤＰの結晶に対しても反射
防止膜を製作し、ＤＫＤＰ同様の評価を行った。反射防
止膜の構成は、ＤＫＤＰと屈折率がほぼ同じであるため
同一膜構成であり、成膜条件も表１の条件で室温成膜し
た。結果は、表２に示したＤＫＤＰの結晶とほぼ同様で
あった。
防止膜を製作し、ＤＫＤＰ同様の評価を行った。反射防
止膜の構成は、ＤＫＤＰと屈折率がほぼ同じであるため
同一膜構成であり、成膜条件も表１の条件で室温成膜し
た。結果は、表２に示したＤＫＤＰの結晶とほぼ同様で
あった。
【００２２】
【発明の効果】本発明は上述のとおり構成されているの
で、以下に記載するような効果を奏する。
で、以下に記載するような効果を奏する。
【００２３】ＫＤＰ，ＤＫＤＰあるいはＡＤＰの結晶を
加水分解させることなく、その表面に密着性のよい薄膜
を蒸着することができる。その結果、前記材料の結晶を
用いた高出力レーザー用素子の製造コストを低減でき
る。
加水分解させることなく、その表面に密着性のよい薄膜
を蒸着することができる。その結果、前記材料の結晶を
用いた高出力レーザー用素子の製造コストを低減でき
る。
【図１】一実施例に用いる蒸着装置の一例を示す模式断
面図である。
面図である。
１ 真空室 ２ クラスターイオンビーム発生装置 ３ 基板 ４ 基板ホルダ ５ 膜厚モニタ ６ イオンビーム発生装置
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 沢村 光治 東京都大田区下丸子３丁目30番２号 キヤ ノン株式会社内
Claims (3)
- 【請求項１】 りん酸２水素カリウム、りん酸２重水素
カリウム、りん酸２水素アンモニウムのいずれか一つの
結晶からなる基板の表面に薄膜を蒸着する光学薄膜成膜
方法であって、基板の表面を少くとも厚さ５ｎｍ以上エ
ッチングする工程と、エッチングされた基板の表面に薄
膜を蒸着する工程からなり、前記工程のすべてが、減圧
された真空室内で前記基板を加熱することなく行われる
ことを特徴とする光学薄膜成膜方法。 - 【請求項２】 薄膜が、クラスターイオンビーム蒸着法
またはイオンビームアシスト蒸着法によって蒸着される
ことを特徴とする請求項１記載の光学薄膜成膜方法。 - 【請求項３】 基板の表面を、２０００ｅＶ以下の加速
電圧で照射されるイオンビームによってエッチングする
ことを特徴とする請求項１または２記載の光学薄膜成膜
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4359409A JPH06192820A (ja) | 1992-12-25 | 1992-12-25 | 光学薄膜成膜方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4359409A JPH06192820A (ja) | 1992-12-25 | 1992-12-25 | 光学薄膜成膜方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06192820A true JPH06192820A (ja) | 1994-07-12 |
Family
ID=18464361
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4359409A Pending JPH06192820A (ja) | 1992-12-25 | 1992-12-25 | 光学薄膜成膜方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06192820A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007154274A (ja) * | 2005-12-06 | 2007-06-21 | Canon Inc | クラスタビームを用いた弗化物膜形成方法およびこれによって得られた弗化物膜を用いた光学素子 |
-
1992
- 1992-12-25 JP JP4359409A patent/JPH06192820A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007154274A (ja) * | 2005-12-06 | 2007-06-21 | Canon Inc | クラスタビームを用いた弗化物膜形成方法およびこれによって得られた弗化物膜を用いた光学素子 |
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