JPH061976B2 - 電源回路 - Google Patents
電源回路Info
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- JPH061976B2 JPH061976B2 JP62177491A JP17749187A JPH061976B2 JP H061976 B2 JPH061976 B2 JP H061976B2 JP 62177491 A JP62177491 A JP 62177491A JP 17749187 A JP17749187 A JP 17749187A JP H061976 B2 JPH061976 B2 JP H061976B2
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- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 9
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- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
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- Dc-Dc Converters (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 (イ)産業上の利用分野 本発明は、電池より得られる直流電圧より正電圧及び負
電圧の二つの直流電圧を得るように構成された電源回路
に関する。
電圧の二つの直流電圧を得るように構成された電源回路
に関する。
(ロ)従来の技術 ディジタル信号に対応する凹凸が刻印されたディスクか
ら光ピックアップを用いて信号の読み出しを行なうCD
プレーヤーと呼ばれる音響機器が普及している。斯かる
CDプレーヤーは、一般に大出力を有する増幅器に接続
されて使用されるため電源として商用交流電源が使用さ
れるが最近ではラジオ付テープレコーダー等に組込まれ
るポータブル型即ち電源として電池を使用するCDプレ
ーヤーが普及しつつある。CDプレーヤーに組込まれて
いる光ピックアップの動作を制御する電源としては、一
般に正負の二電源電圧が使用されるため電池電圧より正
負の二電源電圧を得る電源回路が必要となる。電池電圧
より正負の二電源電圧を得る方法としては、一般にDC
−DCコンバーターと呼ばれる回路が使用されるが、斯
かる回路として例えば特開昭62-89473号公報に開示され
たものがある。
ら光ピックアップを用いて信号の読み出しを行なうCD
プレーヤーと呼ばれる音響機器が普及している。斯かる
CDプレーヤーは、一般に大出力を有する増幅器に接続
されて使用されるため電源として商用交流電源が使用さ
れるが最近ではラジオ付テープレコーダー等に組込まれ
るポータブル型即ち電源として電池を使用するCDプレ
ーヤーが普及しつつある。CDプレーヤーに組込まれて
いる光ピックアップの動作を制御する電源としては、一
般に正負の二電源電圧が使用されるため電池電圧より正
負の二電源電圧を得る電源回路が必要となる。電池電圧
より正負の二電源電圧を得る方法としては、一般にDC
−DCコンバーターと呼ばれる回路が使用されるが、斯
かる回路として例えば特開昭62-89473号公報に開示され
たものがある。
(ハ)発明が解決しようとする問題点 電池電圧より正負の二電源電圧を得る回路では、正電圧
出力及び負電圧出力を定電圧化するための回路を別々に
設ける必要があり、構成が複雑になるという問題があ
る。本発明は、斯かる点を改良した電源回路を提供しよ
うとするものである。
出力及び負電圧出力を定電圧化するための回路を別々に
設ける必要があり、構成が複雑になるという問題があ
る。本発明は、斯かる点を改良した電源回路を提供しよ
うとするものである。
(ニ)問題点を解決するための手段 本発明の電源回路は、電池より供給される電流により発
振動作する発振回路より出力される信号に基づいてスイ
ッチング動作を行なう第1及び第2のスイッチング回路
と、該第1スイッチング回路のオン・オフ周期に基づい
て第1出力端子に正電圧を出力する正電圧出力回路と、
前記第2スイッチング回路のオン・オフ周期に基づいて
第2出力端子に負電圧を出力する負電圧出力回路と、前
記正電圧出力回路又は負電圧出力回路の一方に設けられ
ていると共に第1スイッチング回路又は第2スイッチン
グ回路のオン・オフ周期を出力電圧が一定になるべく制
御する電圧制御回路と、前記第1出力端子と第2出力端
子との間に設けられた分圧回路とより構成されている。
振動作する発振回路より出力される信号に基づいてスイ
ッチング動作を行なう第1及び第2のスイッチング回路
と、該第1スイッチング回路のオン・オフ周期に基づい
て第1出力端子に正電圧を出力する正電圧出力回路と、
前記第2スイッチング回路のオン・オフ周期に基づいて
第2出力端子に負電圧を出力する負電圧出力回路と、前
記正電圧出力回路又は負電圧出力回路の一方に設けられ
ていると共に第1スイッチング回路又は第2スイッチン
グ回路のオン・オフ周期を出力電圧が一定になるべく制
御する電圧制御回路と、前記第1出力端子と第2出力端
子との間に設けられた分圧回路とより構成されている。
(ホ)作用 本発明は、正及び負電圧が出力される第1出力端子及び
第2出力端子間に分圧回路を設け、該分圧回路より得ら
れる電圧変化に基づいて電圧制御回路が設けられていな
い方の出力電圧を制御するようにしたものである。
第2出力端子間に分圧回路を設け、該分圧回路より得ら
れる電圧変化に基づいて電圧制御回路が設けられていな
い方の出力電圧を制御するようにしたものである。
(ヘ)実施例 図示した回路は、本発明の電源回路の一実施例である。
同図において、(1)は電源として使用される電池、(2)は
該電池(1)より電源が供給されると発振する発振回路で
あり、第1NAND回路(3)、第2NAND回路(4)、抵
抗(5),(6)及びコンデンサー(7)とより構成されている。
(8)は正電圧が出力される第1出力端子、(9)は負電圧が
出力される第2出力端子、(10)は前記電池(1)の負極端
子に接続されている基準端子、(11)は一方の入力端子が
前記電池(1)の正極端子に接続されていると共に他方の
入力端子に前記発振回路(2)の出力信号が抵抗(12)及び
コンデンサー(13)より成る積分回路(14)を通して印加さ
れる第3NAND回路であり、前記積分回路(14)によっ
て積分されて入力される信号のレベルが所定値よりも大
のときL(低い)レベルの信号を出力端子に出力し、積
分されて入力される信号のレベルが所定値よりも小のと
きH(高い)レベルの信号を出力端子に出力するように
構成されている。(15)は前記第3NAND回路(11)の出
力信号によってオン・オフ動作する第1スイッチングト
ランジスターであり、コレクタが前記基準端子(10)に接
続されていると共にベースは抵抗(16)を介して前記第3
NAND回路(11)の出力端子に接続されている。(17)は
前記第1スイッチングトランジスター(15)によって動作
が制御されるべくベースが抵抗(18)を介してそのエミッ
タに接続されていると共にエミッタが前記電池(1)の正
極端子に接続されている第2スイッチングトランジスタ
ーであり、そのコレクタは第1インダクタンス素子(19)
を介して前記第1出力端子(8)に接続されている。(20)
は前記第1出力端子(8)と基準端子(10)との間に接続さ
れている第1平滑用コンデンサー、(21)はアノードが前
記基準端子(10)に接続されていると共にカソードが前記
第2スイッチングトランジスター(17)のコレクタに接続
されている第1ダイオードであり、該第2スイッチング
トランジスター(17)がオン状態よりオフ状態に反転した
とき前記第1インダクタンス素子(19)に誘起される電圧
を前記第1出力端子(8)と基準端子(10)との間に接続さ
れている第1負荷(22)に供給する作用を有している。こ
のように発振回路(2)の出力信号に基づいてスイッチン
グ動作を行なう第1スイッチング回路(23)は、第3NA
ND回路(11)、第1スイッチングトランジスタ(15)及び
第2スイッチングトランジスター(17)によって構成さ
れ、該第1スイッチング回路(23)のオン・オフ周期に基
づいて第1出力端子(8)に正電圧を出力する正電圧出力
回路(24)は、第1インダクタンス素子(19)、第1平滑用
コンデンサー(20)及び第1ダイオード(21)によって構成
されている。(25)は一方の入力端子が前記電池(1)の正
極端子に接続されていると共に他方の入力端子に前記発
振回路(2)の出力信号が抵抗(26)及びコンデンサー(27)
より成る積分回路(28)を通して印加される第4NAND
回路であり、前記積分回路(28)によって積分されて入力
される信号のレベルが所定値よりも大のときLレベルの
信号を出力し、積分されて入力される信号のレベルが所
定値よりも小のときHレベルの信号を出力端子に出力す
るように構成されている。(29)は前記第4NAND回路
(25)の出力信号によってオン・オフ動作する第3スイッ
チングトランジスターであり、コレクタが前記基準端子
(10)に接続されていると共にベースは抵抗(30)を介して
前記第4NAND回路(25)の出力端子に接続されてい
る。(31)は前記第3スイッチングトランジスター(29)に
よって動作が制御されるべくベースが抵抗(32)を介して
そのエミッタに接続されていると共にエミッタが前記電
池(1)の正端子に接続されている第4スイッチングトラ
ンジスターであり、そのコレクタは第2インダクタンス
素子(33)を介して前記基準端子(10)に接続されている。
(34)は前記基準端子(10)と第2出力端子(9)との間に接
続されている第2平滑用コンデンサー、(35)はアノード
が前記第2出力端子(9)に接続されていると共にカソー
ドが前記第4スイッチングトランジスター(31)のコレク
タに接続されている第2ダイオードであり、該第4スイ
ッチングトランジスター(31)が導通状態より非導通状態
に反転したとき前記第2インダクタンス素子(33)に誘起
される電圧を基準端子(10)と第2出力端子(9)との間に
接続されていると第2負荷(36)に供給する作用を有して
いる。このように発振回路(2)の出力信号に基づいてス
イッチング動作を行なう第2スイッチング回路(37)は、
第4NAND回路(25)、第3スイッチングトランジスタ
ー(29)及び前記第4スイッチングトランジスター(31)に
よって構成され、該第2スイッチング回路(37)のオン・
オフ周期に基づいて第2出力端子(9)に負電圧を出力す
る負電圧出力回路(38)は、第2インダクタンス素子(3
3)、第2平滑用コンデンサー(34)及び第2ダイオード(3
5)によって構成されている。(39)及び(40)は前記第4N
AND回路(25)の発振回路(2)の出力信号が入力される
入力端子と電池(1)の正極端子との間に接続されている
抵抗であり、積分回路(28)によって積分された発振回路
(2)からの信号に直流電圧を加算する作用を有してい
る。(41)は該積分回路(28)によって積分された信号に加
算する直流電圧のレベルを可変する第1制御トランジス
ターであり、コレクタが抵抗(39)及び(40)の接続点(A)
に接続されていると共にエミッタは基準端子(10)に接続
され、且つベースは抵抗(42)を介して電池(1)の正極端
子に接続されている。(43)は前記第1制御トランジスタ
ー(41)の動作を制御するべくコレクタがそのベースに接
続されていると共にエミッタが前記基準端子(10)に接続
されている第2制御トランジスターであり、そのベース
は抵抗(44)及び(45)を介して電池(1)の正極端子に接続
されている。(46)はアノードが前記第2出力端子(9)に
接続されていると共にカソードが前記抵抗(44)と抵抗(4
5)との接続点(B)に接続されている。ツェナーダイオー
ドであり、第2出力端子(9)の電圧変化によって第2制
御トランジスター(43)のバイアスを変化せしめると共に
該第2制御トランジスター(43)の動作によって第1制御
トランジスター(41)のバイアスを変化せしめるようにさ
れている。(47)及び(48)は前記第3NAND回路(11)の
発振回路(2)の出力信号が入力される入力端子と電池(1)
の正極端子との間に接続されている抵抗であり、積分回
路(14)によって積分された発振回路(2)からの信号に直
流電圧を加算する作用を有している。(49)は前記第1出
力端子(8)と第2出力端子(9)との間に直列接続されてい
る第1抵抗(50)及び第2抵抗(51)により成る分圧回路、
(52)は前記積分回路(14)によって積分された信号に加算
する直流電圧のレベルを可変する第3制御トランジスタ
ーであり、コレクタが抵抗(47)及び(48)の接続点(C)に
接続されていると共にエミッタは基準端子(10)に接続さ
れ、且つベースは前記分圧回路(49)の分圧点(D)に接続
されている。
同図において、(1)は電源として使用される電池、(2)は
該電池(1)より電源が供給されると発振する発振回路で
あり、第1NAND回路(3)、第2NAND回路(4)、抵
抗(5),(6)及びコンデンサー(7)とより構成されている。
(8)は正電圧が出力される第1出力端子、(9)は負電圧が
出力される第2出力端子、(10)は前記電池(1)の負極端
子に接続されている基準端子、(11)は一方の入力端子が
前記電池(1)の正極端子に接続されていると共に他方の
入力端子に前記発振回路(2)の出力信号が抵抗(12)及び
コンデンサー(13)より成る積分回路(14)を通して印加さ
れる第3NAND回路であり、前記積分回路(14)によっ
て積分されて入力される信号のレベルが所定値よりも大
のときL(低い)レベルの信号を出力端子に出力し、積
分されて入力される信号のレベルが所定値よりも小のと
きH(高い)レベルの信号を出力端子に出力するように
構成されている。(15)は前記第3NAND回路(11)の出
力信号によってオン・オフ動作する第1スイッチングト
ランジスターであり、コレクタが前記基準端子(10)に接
続されていると共にベースは抵抗(16)を介して前記第3
NAND回路(11)の出力端子に接続されている。(17)は
前記第1スイッチングトランジスター(15)によって動作
が制御されるべくベースが抵抗(18)を介してそのエミッ
タに接続されていると共にエミッタが前記電池(1)の正
極端子に接続されている第2スイッチングトランジスタ
ーであり、そのコレクタは第1インダクタンス素子(19)
を介して前記第1出力端子(8)に接続されている。(20)
は前記第1出力端子(8)と基準端子(10)との間に接続さ
れている第1平滑用コンデンサー、(21)はアノードが前
記基準端子(10)に接続されていると共にカソードが前記
第2スイッチングトランジスター(17)のコレクタに接続
されている第1ダイオードであり、該第2スイッチング
トランジスター(17)がオン状態よりオフ状態に反転した
とき前記第1インダクタンス素子(19)に誘起される電圧
を前記第1出力端子(8)と基準端子(10)との間に接続さ
れている第1負荷(22)に供給する作用を有している。こ
のように発振回路(2)の出力信号に基づいてスイッチン
グ動作を行なう第1スイッチング回路(23)は、第3NA
ND回路(11)、第1スイッチングトランジスタ(15)及び
第2スイッチングトランジスター(17)によって構成さ
れ、該第1スイッチング回路(23)のオン・オフ周期に基
づいて第1出力端子(8)に正電圧を出力する正電圧出力
回路(24)は、第1インダクタンス素子(19)、第1平滑用
コンデンサー(20)及び第1ダイオード(21)によって構成
されている。(25)は一方の入力端子が前記電池(1)の正
極端子に接続されていると共に他方の入力端子に前記発
振回路(2)の出力信号が抵抗(26)及びコンデンサー(27)
より成る積分回路(28)を通して印加される第4NAND
回路であり、前記積分回路(28)によって積分されて入力
される信号のレベルが所定値よりも大のときLレベルの
信号を出力し、積分されて入力される信号のレベルが所
定値よりも小のときHレベルの信号を出力端子に出力す
るように構成されている。(29)は前記第4NAND回路
(25)の出力信号によってオン・オフ動作する第3スイッ
チングトランジスターであり、コレクタが前記基準端子
(10)に接続されていると共にベースは抵抗(30)を介して
前記第4NAND回路(25)の出力端子に接続されてい
る。(31)は前記第3スイッチングトランジスター(29)に
よって動作が制御されるべくベースが抵抗(32)を介して
そのエミッタに接続されていると共にエミッタが前記電
池(1)の正端子に接続されている第4スイッチングトラ
ンジスターであり、そのコレクタは第2インダクタンス
素子(33)を介して前記基準端子(10)に接続されている。
(34)は前記基準端子(10)と第2出力端子(9)との間に接
続されている第2平滑用コンデンサー、(35)はアノード
が前記第2出力端子(9)に接続されていると共にカソー
ドが前記第4スイッチングトランジスター(31)のコレク
タに接続されている第2ダイオードであり、該第4スイ
ッチングトランジスター(31)が導通状態より非導通状態
に反転したとき前記第2インダクタンス素子(33)に誘起
される電圧を基準端子(10)と第2出力端子(9)との間に
接続されていると第2負荷(36)に供給する作用を有して
いる。このように発振回路(2)の出力信号に基づいてス
イッチング動作を行なう第2スイッチング回路(37)は、
第4NAND回路(25)、第3スイッチングトランジスタ
ー(29)及び前記第4スイッチングトランジスター(31)に
よって構成され、該第2スイッチング回路(37)のオン・
オフ周期に基づいて第2出力端子(9)に負電圧を出力す
る負電圧出力回路(38)は、第2インダクタンス素子(3
3)、第2平滑用コンデンサー(34)及び第2ダイオード(3
5)によって構成されている。(39)及び(40)は前記第4N
AND回路(25)の発振回路(2)の出力信号が入力される
入力端子と電池(1)の正極端子との間に接続されている
抵抗であり、積分回路(28)によって積分された発振回路
(2)からの信号に直流電圧を加算する作用を有してい
る。(41)は該積分回路(28)によって積分された信号に加
算する直流電圧のレベルを可変する第1制御トランジス
ターであり、コレクタが抵抗(39)及び(40)の接続点(A)
に接続されていると共にエミッタは基準端子(10)に接続
され、且つベースは抵抗(42)を介して電池(1)の正極端
子に接続されている。(43)は前記第1制御トランジスタ
ー(41)の動作を制御するべくコレクタがそのベースに接
続されていると共にエミッタが前記基準端子(10)に接続
されている第2制御トランジスターであり、そのベース
は抵抗(44)及び(45)を介して電池(1)の正極端子に接続
されている。(46)はアノードが前記第2出力端子(9)に
接続されていると共にカソードが前記抵抗(44)と抵抗(4
5)との接続点(B)に接続されている。ツェナーダイオー
ドであり、第2出力端子(9)の電圧変化によって第2制
御トランジスター(43)のバイアスを変化せしめると共に
該第2制御トランジスター(43)の動作によって第1制御
トランジスター(41)のバイアスを変化せしめるようにさ
れている。(47)及び(48)は前記第3NAND回路(11)の
発振回路(2)の出力信号が入力される入力端子と電池(1)
の正極端子との間に接続されている抵抗であり、積分回
路(14)によって積分された発振回路(2)からの信号に直
流電圧を加算する作用を有している。(49)は前記第1出
力端子(8)と第2出力端子(9)との間に直列接続されてい
る第1抵抗(50)及び第2抵抗(51)により成る分圧回路、
(52)は前記積分回路(14)によって積分された信号に加算
する直流電圧のレベルを可変する第3制御トランジスタ
ーであり、コレクタが抵抗(47)及び(48)の接続点(C)に
接続されていると共にエミッタは基準端子(10)に接続さ
れ、且つベースは前記分圧回路(49)の分圧点(D)に接続
されている。
以上の如く本発明の電源回路は構成されており、次に動
作について説明する。電源スイッチ(図示せず)が閉成
されると電池(1)より各回路に電源が供給されると共に
発振回路(2)が発振動作を開始する。前記発振回路(2)が
発振動作を開始するとその発振出力が積分回路(14)及び
(28)によって積分されると共に直流電圧が加算されて第
3NAND回路(11)及び第4NAND回路(25)の入力端
子に入力される。そして、前記第3NAND回路(11)及
び第4NANAD回路(25)の入力端子に入力される信号
は、発振回路(2)の出力信号である矩形波が積分された
信号即ち三角波に直流電圧が加算された信号になるため
換算される直流電圧の変化に対応して第3NAND回路
(11)及び第4NAND回路(25)の出力端子にHレベルと
Lレベルの信号が出力される時間が変化することにな
る。前記第3NAND回路(11)の出力端子にLレベルの
信号が出力されると第1スイッチングトランジスター(1
5)及び第2スイッチングトランジスター(17)はオン状態
になり、Hレベルの信号が出力されると第1スイッチン
グトランジスター(15)及び第2スイッチングトランジス
ター(17)はオフ状態になる。前記第2スイッチングトラ
ンジスター(17)がオン状態にあるときにはそのエミッタ
・コレクタ間及び第1インダクタンス素子(19)を通して
第1出力端子(8)に正電圧が出力されて第1負荷(22)に
印加される。そして、第2スイッチングトランジスター
(17)がオフ状態に反転すると第1インダクタンス素子(1
9)に誘起される電圧が第1ダイオード(21)を通して第1
負荷(22)に供給されるため第1出力端子(8)に正電圧が
出力されることになる。このようにして正電圧出力回路
(24)による第1出力端子(8)への正電圧の出力動作は行
なわれるが、次に負電圧出力回路(38)の動作について説
明する。前記第4NAND回路(25)の出力端子にLレベ
ルの信号が出力されると第3スイッチングトランジスタ
ー(29)及び第4スイッチングトランジスター(31)はオン
状態になり、Hレベルの信号が出力されると第3スイッ
チングトランジスター(29)及び第4スイッチングトラン
ジスター(31)はオフ状態になる。前記第4スイッチング
トランジスター(31)がオン状態にあるきにはそのエミッ
タ・コレクタ間を通して第2インダクタンス素子(33)に
電流が流れるが、このとき第2負荷(36)に電圧が印加さ
れることはない。そして、前記第4スイッチングトラン
ジスター(31)がオフ状態に反転すると前記第2インダク
タンス素子(33)に誘起される電圧が第2ダイオード(35)
を通して第2負荷(36)に供給されるため第2出力端子
(9)に負電圧が出力されることになる。このように第4
スイッチングトランジスター(31)がオン状態よりオフ状
態に反転したとき第2出力端子(9)に負電圧が出力され
て第2負荷(36)に負電圧が供給されるが、このとき第2
平滑用コンデンサー(34)に充電電流が流れて充電され
る。従って、前記第4スイッチングトランジスター(31)
がオフ状態よりオン状態に反転すると前記第2コンデン
サー(34)に充電されていた電荷が第2負荷(36)に供給さ
れ、その結果該第2負荷(36)には負電圧が連続的に供給
されることになる。前述したように発振回路(2)が発振
動作状態にあるとき第1スイッチング回路(23)及び第2
スイッチング回路(37)がオン・オフ動作を繰り返し、そ
のオン・オフ動作に伴なって第1出力端子(8)及び第2
出力端子(9)に各々正電圧及び負電圧が出力される。そ
して、第2負荷(36)の変動によって第2出力端子(9)に
出力される電圧が上昇するとその電圧上昇がツェナーダ
イオード(46)を介して第2制御トランジスター(43)のベ
ース電位の上昇となり、該第2制御トランジスター(43)
のバイアスが深くなる。前記第2制御トランジスター(4
3)のバイアスが深くなるとそのコレクタ電位即ち第1制
御トランジスター(41)のベース電位が低下するため該第
1制御トランジスター(41)のコレクタ電位が上昇する。
従って、第4NAND回路(25)の入力端子に入力される
三角波の信号レベルが高くなり、該第4NAND回路(2
5)の出力端子にLレベルの信号が出力される時間が長く
なる。前記第4NAND回路(25)の出力端子にLレベル
の信号が出力される時間が長くなると第3スイッチング
トランジスター(29)及び第4スイッチングトランジスタ
ー(31)がオン状態になる時間が長くなり、その結果第2
出力端子(9)に出力される電圧が低下する。また、反対
に第2負荷(36)の変動によって第2出力端子(9)の出力
される電圧が低下するとその電圧低下がツェナーダイオ
ード(46)を介して第2制御トランジスター(43)のベース
電位の低下となり、該第2制御トランジスター(43)のバ
イアスが浅くなる。前記第2制御トランジスター(43)の
バイアスが浅くなるとそのコレクタ電位即ち第1制御ト
ランジスター(41)のベース電位が上昇するため該第1制
御トランジスター(41)のコレクタ電位が低下する。従っ
て、第4NAND回路(25)の入力端子に入力される三角
波の信号レベルが低かくなり、該第4NAND回路(25)
の出力端子にLレベルの信号が出力される時間が短かく
なる。前記第4NAD回路(25)の出力端子にLレベルの
信号が出力される時間が短くなると第3スイッチングト
ランジスター(29)及び第4スイッチングトランジスター
(31)がオン状態になる時間が短かくなり、その結果第2
出力端子(9)に出力される電圧が上昇する。第2負荷(3
6)の変動によって第2出力端子(9)の電圧が変化すると
前述した電圧補正動作が行なわれるため該第2出力端子
(9)には所定の負電圧が出力されることになる。このよ
うに第2出力端子(9)に出力される負電圧の定電圧化動
作は行なわれるが、次に第1出力端子(8)に出力される
正電圧の定電圧化動作について説明する。
作について説明する。電源スイッチ(図示せず)が閉成
されると電池(1)より各回路に電源が供給されると共に
発振回路(2)が発振動作を開始する。前記発振回路(2)が
発振動作を開始するとその発振出力が積分回路(14)及び
(28)によって積分されると共に直流電圧が加算されて第
3NAND回路(11)及び第4NAND回路(25)の入力端
子に入力される。そして、前記第3NAND回路(11)及
び第4NANAD回路(25)の入力端子に入力される信号
は、発振回路(2)の出力信号である矩形波が積分された
信号即ち三角波に直流電圧が加算された信号になるため
換算される直流電圧の変化に対応して第3NAND回路
(11)及び第4NAND回路(25)の出力端子にHレベルと
Lレベルの信号が出力される時間が変化することにな
る。前記第3NAND回路(11)の出力端子にLレベルの
信号が出力されると第1スイッチングトランジスター(1
5)及び第2スイッチングトランジスター(17)はオン状態
になり、Hレベルの信号が出力されると第1スイッチン
グトランジスター(15)及び第2スイッチングトランジス
ター(17)はオフ状態になる。前記第2スイッチングトラ
ンジスター(17)がオン状態にあるときにはそのエミッタ
・コレクタ間及び第1インダクタンス素子(19)を通して
第1出力端子(8)に正電圧が出力されて第1負荷(22)に
印加される。そして、第2スイッチングトランジスター
(17)がオフ状態に反転すると第1インダクタンス素子(1
9)に誘起される電圧が第1ダイオード(21)を通して第1
負荷(22)に供給されるため第1出力端子(8)に正電圧が
出力されることになる。このようにして正電圧出力回路
(24)による第1出力端子(8)への正電圧の出力動作は行
なわれるが、次に負電圧出力回路(38)の動作について説
明する。前記第4NAND回路(25)の出力端子にLレベ
ルの信号が出力されると第3スイッチングトランジスタ
ー(29)及び第4スイッチングトランジスター(31)はオン
状態になり、Hレベルの信号が出力されると第3スイッ
チングトランジスター(29)及び第4スイッチングトラン
ジスター(31)はオフ状態になる。前記第4スイッチング
トランジスター(31)がオン状態にあるきにはそのエミッ
タ・コレクタ間を通して第2インダクタンス素子(33)に
電流が流れるが、このとき第2負荷(36)に電圧が印加さ
れることはない。そして、前記第4スイッチングトラン
ジスター(31)がオフ状態に反転すると前記第2インダク
タンス素子(33)に誘起される電圧が第2ダイオード(35)
を通して第2負荷(36)に供給されるため第2出力端子
(9)に負電圧が出力されることになる。このように第4
スイッチングトランジスター(31)がオン状態よりオフ状
態に反転したとき第2出力端子(9)に負電圧が出力され
て第2負荷(36)に負電圧が供給されるが、このとき第2
平滑用コンデンサー(34)に充電電流が流れて充電され
る。従って、前記第4スイッチングトランジスター(31)
がオフ状態よりオン状態に反転すると前記第2コンデン
サー(34)に充電されていた電荷が第2負荷(36)に供給さ
れ、その結果該第2負荷(36)には負電圧が連続的に供給
されることになる。前述したように発振回路(2)が発振
動作状態にあるとき第1スイッチング回路(23)及び第2
スイッチング回路(37)がオン・オフ動作を繰り返し、そ
のオン・オフ動作に伴なって第1出力端子(8)及び第2
出力端子(9)に各々正電圧及び負電圧が出力される。そ
して、第2負荷(36)の変動によって第2出力端子(9)に
出力される電圧が上昇するとその電圧上昇がツェナーダ
イオード(46)を介して第2制御トランジスター(43)のベ
ース電位の上昇となり、該第2制御トランジスター(43)
のバイアスが深くなる。前記第2制御トランジスター(4
3)のバイアスが深くなるとそのコレクタ電位即ち第1制
御トランジスター(41)のベース電位が低下するため該第
1制御トランジスター(41)のコレクタ電位が上昇する。
従って、第4NAND回路(25)の入力端子に入力される
三角波の信号レベルが高くなり、該第4NAND回路(2
5)の出力端子にLレベルの信号が出力される時間が長く
なる。前記第4NAND回路(25)の出力端子にLレベル
の信号が出力される時間が長くなると第3スイッチング
トランジスター(29)及び第4スイッチングトランジスタ
ー(31)がオン状態になる時間が長くなり、その結果第2
出力端子(9)に出力される電圧が低下する。また、反対
に第2負荷(36)の変動によって第2出力端子(9)の出力
される電圧が低下するとその電圧低下がツェナーダイオ
ード(46)を介して第2制御トランジスター(43)のベース
電位の低下となり、該第2制御トランジスター(43)のバ
イアスが浅くなる。前記第2制御トランジスター(43)の
バイアスが浅くなるとそのコレクタ電位即ち第1制御ト
ランジスター(41)のベース電位が上昇するため該第1制
御トランジスター(41)のコレクタ電位が低下する。従っ
て、第4NAND回路(25)の入力端子に入力される三角
波の信号レベルが低かくなり、該第4NAND回路(25)
の出力端子にLレベルの信号が出力される時間が短かく
なる。前記第4NAD回路(25)の出力端子にLレベルの
信号が出力される時間が短くなると第3スイッチングト
ランジスター(29)及び第4スイッチングトランジスター
(31)がオン状態になる時間が短かくなり、その結果第2
出力端子(9)に出力される電圧が上昇する。第2負荷(3
6)の変動によって第2出力端子(9)の電圧が変化すると
前述した電圧補正動作が行なわれるため該第2出力端子
(9)には所定の負電圧が出力されることになる。このよ
うに第2出力端子(9)に出力される負電圧の定電圧化動
作は行なわれるが、次に第1出力端子(8)に出力される
正電圧の定電圧化動作について説明する。
第1負荷(22)の変動によって第1出力端子(8)に出力さ
れる電圧が上昇すると第2出力端子(9)の負電圧は前述
したように定電圧化されているため分圧回路(49)の分圧
点(D)の電位が上昇する。該分圧回路(49)の分圧点(D)の
電位が上昇すると該分圧点(D)にベースが接続されてい
る第3制御トランジスター(52)のバイアスが深くなる。
前記第3制御トランジスター(52)のバイアスが深くなる
とそのコレクタ電位が低下するため第3NAND回路(1
1)の入力端子に入力される三角波の信号レベルが低くな
り、該第3NAND回路(11)の出力端子にLレベルの信
号が出力される時間が短かくなる。前記第3NAND回
路(11)の出力端子にLレベルの信号が出力される時間が
短かくなると第1スイッチングトランジスター(15)及び
第2スイッチングトランジスター(17)がオン状態になる
時間が短かくなり、その結果第1出力端子(8)に出力さ
れる電圧が低下する。また、反対に第1負荷(22)の変動
によって第1出力端子(8)に出力される電圧が低下する
と分圧回路(49)の分圧点(D)の電位が低下する。該分圧
回路(49)の分圧点(D)の電位が低下すると該分圧点(D)に
ベースが接続されている第3制御トランジスター(52)の
バイアスが浅くなる。前記第3制御トランジスター(52)
のバイアスが浅くなるとそのコレクタ電位が上昇するた
め第3NAND回路(11)の入力端子に入力される三角波
の信号レベルが高くなり、該第3NAND回路(11)の出
力端子にLレベルの信号が出力される時間が長くなる。
前記第3NAND回路(11)の出力端子にLレベルの信号
が出力される時間が長くなると第1スイッチングトラン
ジスター(15)及び第2スイッチングトランジスター(17)
がオン状態になる時間が長くなり、その結果第1出力端
子(8)に出力される電圧が上昇する。このように第1負
荷(22)の変動によって第1出力端子(8)の電圧が変化す
ると電圧変化を補正する動作が行なわれるため該第1出
力端子(8)には所定の正電圧が出力されることになる。
れる電圧が上昇すると第2出力端子(9)の負電圧は前述
したように定電圧化されているため分圧回路(49)の分圧
点(D)の電位が上昇する。該分圧回路(49)の分圧点(D)の
電位が上昇すると該分圧点(D)にベースが接続されてい
る第3制御トランジスター(52)のバイアスが深くなる。
前記第3制御トランジスター(52)のバイアスが深くなる
とそのコレクタ電位が低下するため第3NAND回路(1
1)の入力端子に入力される三角波の信号レベルが低くな
り、該第3NAND回路(11)の出力端子にLレベルの信
号が出力される時間が短かくなる。前記第3NAND回
路(11)の出力端子にLレベルの信号が出力される時間が
短かくなると第1スイッチングトランジスター(15)及び
第2スイッチングトランジスター(17)がオン状態になる
時間が短かくなり、その結果第1出力端子(8)に出力さ
れる電圧が低下する。また、反対に第1負荷(22)の変動
によって第1出力端子(8)に出力される電圧が低下する
と分圧回路(49)の分圧点(D)の電位が低下する。該分圧
回路(49)の分圧点(D)の電位が低下すると該分圧点(D)に
ベースが接続されている第3制御トランジスター(52)の
バイアスが浅くなる。前記第3制御トランジスター(52)
のバイアスが浅くなるとそのコレクタ電位が上昇するた
め第3NAND回路(11)の入力端子に入力される三角波
の信号レベルが高くなり、該第3NAND回路(11)の出
力端子にLレベルの信号が出力される時間が長くなる。
前記第3NAND回路(11)の出力端子にLレベルの信号
が出力される時間が長くなると第1スイッチングトラン
ジスター(15)及び第2スイッチングトランジスター(17)
がオン状態になる時間が長くなり、その結果第1出力端
子(8)に出力される電圧が上昇する。このように第1負
荷(22)の変動によって第1出力端子(8)の電圧が変化す
ると電圧変化を補正する動作が行なわれるため該第1出
力端子(8)には所定の正電圧が出力されることになる。
以上の如く第1出力端子(8)及び第2出力端子(9)に出力
される正及び負電圧の定電圧化動作は行なわれるが、次
に定常状態にあるとき第2出力端子(9)の電圧が変動し
た場合の動作について説明する。前記第2出力端子(9)
の出力電圧が上昇すると分圧回路(49)の分圧点(D)の電
圧が上昇するため第3制御トランジスター(52)のバイア
スが深くなる。該第3制御トランジスター(52)のバイア
スが深くなると前述したように第3NAND回路(11)の
出力端子にLレベルの信号が出力される時間が短かくな
り、第1スイッチングトランジスター(15)及び第2スイ
ッチングトランジスター(17)がオン状態になる時間が短
かくなる。従って、第1出力端子(8)に出力される電圧
が低下することになり、該第1出力端子(8)及び第2出
力端子(9)に出力される電圧は基準端子(10)の電位との
差が小さくなるように変化する。また、第2出力端子
(9)の出力電圧が低下すると分圧回路(49)の分圧点(D)の
電圧が低下するため第3制御トランジスター(52)のバイ
アスが浅くなる。該第3制御トランジスター(52)のバイ
アスが浅くなると前述したように第3NAND回路(11)
の出力端子にLレベルの信号が出力される時間が長くな
り、第1スイッチングトランジスター(15)及び第2スイ
ッチングトランジスター(17)がオン状態になる時間が長
くなる。従って、第1出力端子(8)に出力される電圧が
上昇することになり、該第1出力端子(8)及び第2出力
端子(9)に出力される電圧は基準端子(10)の電位との差
が大きくなるように変化する。このように第2出力端子
(9)の出力電圧が変化するとその変化に対応して第1出
力端子(8)の出力電圧が変化するため第1負荷(22)及び
第2負荷(36)にバランス良く正負の電圧を供給すること
が出来る。
される正及び負電圧の定電圧化動作は行なわれるが、次
に定常状態にあるとき第2出力端子(9)の電圧が変動し
た場合の動作について説明する。前記第2出力端子(9)
の出力電圧が上昇すると分圧回路(49)の分圧点(D)の電
圧が上昇するため第3制御トランジスター(52)のバイア
スが深くなる。該第3制御トランジスター(52)のバイア
スが深くなると前述したように第3NAND回路(11)の
出力端子にLレベルの信号が出力される時間が短かくな
り、第1スイッチングトランジスター(15)及び第2スイ
ッチングトランジスター(17)がオン状態になる時間が短
かくなる。従って、第1出力端子(8)に出力される電圧
が低下することになり、該第1出力端子(8)及び第2出
力端子(9)に出力される電圧は基準端子(10)の電位との
差が小さくなるように変化する。また、第2出力端子
(9)の出力電圧が低下すると分圧回路(49)の分圧点(D)の
電圧が低下するため第3制御トランジスター(52)のバイ
アスが浅くなる。該第3制御トランジスター(52)のバイ
アスが浅くなると前述したように第3NAND回路(11)
の出力端子にLレベルの信号が出力される時間が長くな
り、第1スイッチングトランジスター(15)及び第2スイ
ッチングトランジスター(17)がオン状態になる時間が長
くなる。従って、第1出力端子(8)に出力される電圧が
上昇することになり、該第1出力端子(8)及び第2出力
端子(9)に出力される電圧は基準端子(10)の電位との差
が大きくなるように変化する。このように第2出力端子
(9)の出力電圧が変化するとその変化に対応して第1出
力端子(8)の出力電圧が変化するため第1負荷(22)及び
第2負荷(36)にバランス良く正負の電圧を供給すること
が出来る。
尚、本実施例では、出力電圧を定電圧化するための電圧
制御回路(53)をツェナーダイオード(46)及び第2制御ト
ランジスター(43)等によって構成したが他の回路構成に
することは勿論可能である。また、電圧制御回路(53)を
負電圧出力回路(38)側に設けたが正電圧出力回路(24)側
に設けることも出来る。更に、本実施例では、第1NA
ND回路(3)及び第2NAND回路(4)によって発振回路
(2)を構成したが、他の回路構成にすることも出来る。
制御回路(53)をツェナーダイオード(46)及び第2制御ト
ランジスター(43)等によって構成したが他の回路構成に
することは勿論可能である。また、電圧制御回路(53)を
負電圧出力回路(38)側に設けたが正電圧出力回路(24)側
に設けることも出来る。更に、本実施例では、第1NA
ND回路(3)及び第2NAND回路(4)によって発振回路
(2)を構成したが、他の回路構成にすることも出来る。
(ト)発明の効果 本発明は、電池より正電圧及び負電圧の極性の異なる二
つの直流電圧を得るように構成された電源回路におい
て、正電圧が出力される第1出力端子と負電圧が出力さ
れる第2出力端子との間に分圧回路を設け、該分圧回路
の分圧点と基準端子間に現れる電圧変化に基づいて出力
電圧を定電圧化する電圧制御回路が設けられていない方
の出力電圧の定電圧化動作を行なうようにしたので、回
路構成が簡単になるという利点を有している。
つの直流電圧を得るように構成された電源回路におい
て、正電圧が出力される第1出力端子と負電圧が出力さ
れる第2出力端子との間に分圧回路を設け、該分圧回路
の分圧点と基準端子間に現れる電圧変化に基づいて出力
電圧を定電圧化する電圧制御回路が設けられていない方
の出力電圧の定電圧化動作を行なうようにしたので、回
路構成が簡単になるという利点を有している。
また、前記分圧回路の分圧点と基準端子間に現れる電圧
変化に基づいて出力電圧の定電圧化動作を行なうように
したので、出力電圧を定電圧化する電圧制御回路が設け
られていない方の出力端子の電圧が変化した場合には、
該出力端子の電圧変化を抑える方向へ出力電圧を調整す
るだけでなく、出力電圧を定電圧化する電圧制御回路が
設けられている方の出力端子の電圧が変化した場合に
は、該出力端子の基準端子に対する電圧変化の方向と同
一方向へ他方の出力端子の電圧を変化させるように動作
するため、第1出力端子及び第2出力端子に出力される
正電圧及び負電圧をバランス良く変化させることが出
来、本発明は例えばポータブル型CDプレーヤーのよう
にバランスのとれた正負の電圧を必要とする機器の電源
回路として最適なものである。
変化に基づいて出力電圧の定電圧化動作を行なうように
したので、出力電圧を定電圧化する電圧制御回路が設け
られていない方の出力端子の電圧が変化した場合には、
該出力端子の電圧変化を抑える方向へ出力電圧を調整す
るだけでなく、出力電圧を定電圧化する電圧制御回路が
設けられている方の出力端子の電圧が変化した場合に
は、該出力端子の基準端子に対する電圧変化の方向と同
一方向へ他方の出力端子の電圧を変化させるように動作
するため、第1出力端子及び第2出力端子に出力される
正電圧及び負電圧をバランス良く変化させることが出
来、本発明は例えばポータブル型CDプレーヤーのよう
にバランスのとれた正負の電圧を必要とする機器の電源
回路として最適なものである。
図示した回路は、本発明の電源回路の一実施例である。 主な図番の説明 (1)…電池、(2)…発振回路、(8)…第1出力端子、(9)…
第2出力端子、(10)…基準端子、(15)…第1スイッチン
グトランジスター、(17)…第2スイッチングトランジス
ター、(19)…第1インダクタンス素子、(21)…第1ダイ
オード、(22)…第1負荷、(23)…第1スイッチング回
路、(24)…正電圧出力回路、(29)…第3スイッチングト
ランジスター、(31)…第4スイッチングトランジスタ
ー、(33)…第2インダクタンス素子、(35)…第2ダイオ
ード、(36)…第2負荷、(37)…第2スイッチング回路、
(38)…負電圧出力回路、(41)…第1制御トランジスタ
ー、(43)…第2制御トランジスター、(46)…ツェナーダ
イオード、(49)…分圧回路、(52)…第3制御トランジス
ター、(53)…電圧制御回路。
第2出力端子、(10)…基準端子、(15)…第1スイッチン
グトランジスター、(17)…第2スイッチングトランジス
ター、(19)…第1インダクタンス素子、(21)…第1ダイ
オード、(22)…第1負荷、(23)…第1スイッチング回
路、(24)…正電圧出力回路、(29)…第3スイッチングト
ランジスター、(31)…第4スイッチングトランジスタ
ー、(33)…第2インダクタンス素子、(35)…第2ダイオ
ード、(36)…第2負荷、(37)…第2スイッチング回路、
(38)…負電圧出力回路、(41)…第1制御トランジスタ
ー、(43)…第2制御トランジスター、(46)…ツェナーダ
イオード、(49)…分圧回路、(52)…第3制御トランジス
ター、(53)…電圧制御回路。
Claims (1)
- 【請求項1】電池より供給される電流により発振動作す
る発振回路と、該発振回路より出力される信号に基づい
てスイッチング動作を行なう第1及び第2のスイッチン
グ回路と、該第1スイッチング回路のオン・オフ周期に
基づいて第1出力端子と基準端子間に正電圧を出力する
正電圧出力回路と、前記第2スイッチング回路のオン・
オフ周期に基づいて第2出力端子と基準端子間に負電圧
を出力する負電圧出力回路と、前記正電圧出力回路又は
負電圧出力回路の一方に設けられていると共に第1スイ
ッチング回路又は第2スイッチング回路のオン・オフ周
期を前記第1出力端子又は第2出力端子に出力される電
圧が一定になるべく制御する電圧制御回路と、前記第1
出力端子と第2出力端子との間に設けられた分圧回路
と、分圧回路の分圧点と前記基準端子との間に得られる
電圧に基づいて導通状態が変化する制御トランジスター
とにより成り、前記制御トランジスターの導通状態の変
化により前記電圧制御回路が設けられていない方のスイ
ッチング回路のオン・オフ周期を前記第1出力端子と前
記基準端子間の電圧と第2出力端子と該基準端子間の電
圧とが等しくなるべく制御するようにしたことを特徴と
する電源回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62177491A JPH061976B2 (ja) | 1987-07-16 | 1987-07-16 | 電源回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62177491A JPH061976B2 (ja) | 1987-07-16 | 1987-07-16 | 電源回路 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6423760A JPS6423760A (en) | 1989-01-26 |
| JPH061976B2 true JPH061976B2 (ja) | 1994-01-05 |
Family
ID=16031828
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62177491A Expired - Lifetime JPH061976B2 (ja) | 1987-07-16 | 1987-07-16 | 電源回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH061976B2 (ja) |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5574282U (ja) * | 1978-11-10 | 1980-05-22 | ||
| JPS5617777U (ja) * | 1979-07-19 | 1981-02-16 | ||
| JPS5626852A (en) * | 1979-08-14 | 1981-03-16 | Eisai Co Ltd | Alpha,beta-dihydropolyprenylcarbonamide |
| JPS59168523A (ja) * | 1983-03-15 | 1984-09-22 | Tohoku Oki Denki Kk | Dc−dcコンバ−タ |
-
1987
- 1987-07-16 JP JP62177491A patent/JPH061976B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6423760A (en) | 1989-01-26 |
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