JPH06202161A - 液晶表示装置の製造方法 - Google Patents
液晶表示装置の製造方法Info
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- JPH06202161A JPH06202161A JP1596793A JP1596793A JPH06202161A JP H06202161 A JPH06202161 A JP H06202161A JP 1596793 A JP1596793 A JP 1596793A JP 1596793 A JP1596793 A JP 1596793A JP H06202161 A JPH06202161 A JP H06202161A
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Landscapes
- Liquid Crystal (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【構成】 基板上に、行電極１３と、第１のフォトレジ
ストの非形成領域の行電極１３の側壁部を陽極酸化した
陽極酸化層１４と、透明電極膜からなる画素電極１５と
を形成する。 【効果】 ＭＩＭ素子容量を小さくし、液晶容量とＭＩ
Ｍ素子容量との容量比を充分にとることができ、液晶表
示装置の表示品質が向上する。
ストの非形成領域の行電極１３の側壁部を陽極酸化した
陽極酸化層１４と、透明電極膜からなる画素電極１５と
を形成する。 【効果】 ＭＩＭ素子容量を小さくし、液晶容量とＭＩ
Ｍ素子容量との容量比を充分にとることができ、液晶表
示装置の表示品質が向上する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、液晶表示装置の製造方
法に関し、とくにマトリクス状に配置した各画素に設け
た非線形素子であるＭＩＭ（金属層−絶縁体層−金属
層）素子を制御し、液晶を駆動する液晶表示装置の製造
方法に関する。
法に関し、とくにマトリクス状に配置した各画素に設け
た非線形素子であるＭＩＭ（金属層−絶縁体層−金属
層）素子を制御し、液晶を駆動する液晶表示装置の製造
方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来のＭＩＭ素子構造を図９の平面図
と、図１０の断面図と、図１１の等価回路図を用いて説
明する。なお図１０の断面図は、図９のＡ−Ａ線におけ
る断面を示す。
と、図１０の断面図と、図１１の等価回路図を用いて説
明する。なお図１０の断面図は、図９のＡ−Ａ線におけ
る断面を示す。
【０００３】図９と図１０と図１１に示すように、一方
の基板１２上に、行電極１３と、この行電極１３上に陽
極酸化層１４と、この陽極酸化層１４上に画素電極１５
とを形成する。
の基板１２上に、行電極１３と、この行電極１３上に陽
極酸化層１４と、この陽極酸化層１４上に画素電極１５
とを形成する。
【０００４】行電極１３と陽極酸化層１４と画素電極１
５からなるＭＩＭ素子３２を複数個形成した基板と、複
数のデータ電極３１を形成した他方の基板との間に液晶
３３を注入して、ＭＩＭ素子３２を制御して画像表示を
行う。
５からなるＭＩＭ素子３２を複数個形成した基板と、複
数のデータ電極３１を形成した他方の基板との間に液晶
３３を注入して、ＭＩＭ素子３２を制御して画像表示を
行う。
【０００５】この従来技術におけるＭＩＭ素子の製造方
法を、図１０の断面図を用いて説明する。
法を、図１０の断面図を用いて説明する。
【０００６】ガラスからなる基板１２上にスパッタリン
グ法によりタンタル膜を２００ｎｍの膜厚で形成し、第
１のフォトレジスト（図示せず）を用いて乾式エッチン
グ法により、タンタル膜のエッチングを行い、行電極１
３を形成する。
グ法によりタンタル膜を２００ｎｍの膜厚で形成し、第
１のフォトレジスト（図示せず）を用いて乾式エッチン
グ法により、タンタル膜のエッチングを行い、行電極１
３を形成する。
【０００７】その後、この行電極１３の表面に陽極酸化
法により陽極酸化層１４を８０ｎｍの膜厚で形成する。
法により陽極酸化層１４を８０ｎｍの膜厚で形成する。
【０００８】さらにスパッタリング法により、たとえば
酸化インジウムスズからなる透明電極膜を５０ｎｍの膜
厚で形成し、第２のフォトレジスト（図示せず）を用い
て、透明電極膜のエッチングを行い、画素電極１５を形
成する。
酸化インジウムスズからなる透明電極膜を５０ｎｍの膜
厚で形成し、第２のフォトレジスト（図示せず）を用い
て、透明電極膜のエッチングを行い、画素電極１５を形
成する。
【０００９】このようにしてＭＩＭ素子を２枚のフォト
マスクにより形成し、ＭＩＭ素子を形成する。
マスクにより形成し、ＭＩＭ素子を形成する。
【００１０】このときＭＩＭ素子面積は、図９の平面図
に示すように行電極１３と画素電極１５の交差部１９の
面積である。この交差部１９の面積によって、ＭＩＭ素
子容量が決定される。
に示すように行電極１３と画素電極１５の交差部１９の
面積である。この交差部１９の面積によって、ＭＩＭ素
子容量が決定される。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】近年、アクティブマト
リクス液晶パネルは大画面でしかも高画質が要求されて
おり、さらに液晶パネルを用いたビューファインダーや
プロジェクションテレビへと応用が広がり、より高精細
パターンが要求されている。
リクス液晶パネルは大画面でしかも高画質が要求されて
おり、さらに液晶パネルを用いたビューファインダーや
プロジェクションテレビへと応用が広がり、より高精細
パターンが要求されている。
【００１２】液晶を駆動するための印加電圧は、液晶層
とＭＩＭ素子容量との容量比に分割され、液晶容量とＭ
ＩＭ素子容量との容量比が小さいと、液晶に充分な大き
さの電圧が印加されないため、書き込みができず、液晶
表示装置の表示品質を低下させてしまう。
とＭＩＭ素子容量との容量比に分割され、液晶容量とＭ
ＩＭ素子容量との容量比が小さいと、液晶に充分な大き
さの電圧が印加されないため、書き込みができず、液晶
表示装置の表示品質を低下させてしまう。
【００１３】たとえば大きさ１インチパネルのビューフ
ァインダー液晶パネルの場合、画素数１０万画素におけ
る１つの画素寸法は、約３０×４０μｍであり、ＭＩＭ
素子面積は２μｍ2 以下が要求される。
ァインダー液晶パネルの場合、画素数１０万画素におけ
る１つの画素寸法は、約３０×４０μｍであり、ＭＩＭ
素子面積は２μｍ2 以下が要求される。
【００１４】しかし、従来の製造方法により、大型の基
板内にＭＩＭ素子面積を２μｍ2 以下の大きさで均一性
良く形成することは非常に困難である。またさらにＭＩ
Ｍ素子を小さくするとＭＩＭ素子面積バラツキによるＭ
ＩＭ特性差を生じ、表示品質上問題を有している。
板内にＭＩＭ素子面積を２μｍ2 以下の大きさで均一性
良く形成することは非常に困難である。またさらにＭＩ
Ｍ素子を小さくするとＭＩＭ素子面積バラツキによるＭ
ＩＭ特性差を生じ、表示品質上問題を有している。
【００１５】本発明の目的は上記課題を解決して、表示
品質が良好な液晶表示装置の製造方法を提供することで
ある。
品質が良好な液晶表示装置の製造方法を提供することで
ある。
【００１６】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に本発明においては、下記記載の液晶表示装置の製造方
法を採用する。
に本発明においては、下記記載の液晶表示装置の製造方
法を採用する。
【００１７】本発明の液晶表示装置の製造方法は、基板
上の全面に行電極材料を形成し、行電極材料上に第１の
フォトレジストを形成し、第１のフォトレジストをマス
クにして行電極材料をエッチングして行電極を形成する
工程と、第１のフォトレジストの一部を除去し行電極に
陽極酸化電極取り出し部を二重露光により形成する工程
と、行電極の側壁部を陽極酸化して陽極酸化層を形成す
る工程と、全面に透明電極膜を形成する工程と、第１の
フォトレジストを除去すると同時に第１のフォトレジス
ト上の透明電極膜を除去する工程と、第２のフォトレジ
ストを形成し、第２のフォトレジストをマスクにして透
明電極膜をエッチングして画素電極を形成する工程と、
第２のフォトレジストを除去する工程とを有することを
特徴とする。
上の全面に行電極材料を形成し、行電極材料上に第１の
フォトレジストを形成し、第１のフォトレジストをマス
クにして行電極材料をエッチングして行電極を形成する
工程と、第１のフォトレジストの一部を除去し行電極に
陽極酸化電極取り出し部を二重露光により形成する工程
と、行電極の側壁部を陽極酸化して陽極酸化層を形成す
る工程と、全面に透明電極膜を形成する工程と、第１の
フォトレジストを除去すると同時に第１のフォトレジス
ト上の透明電極膜を除去する工程と、第２のフォトレジ
ストを形成し、第２のフォトレジストをマスクにして透
明電極膜をエッチングして画素電極を形成する工程と、
第２のフォトレジストを除去する工程とを有することを
特徴とする。
【００１８】本発明の液晶表示装置の製造方法は、基板
上の全面に行電極材料を形成し、行電極材料上に第１の
フォトレジストを形成し、第１のフォトレジストをマス
クにして行電極材料をエッチングして行電極を形成する
工程と、遮蔽板を用いて第１のフォトレジストを露光し
第１のフォトレジストの一部を除去し行電極に陽極酸化
電極取り出し部を二重露光により形成する工程と、行電
極の側壁部を陽極酸化して陽極酸化層を形成する工程
と、全面に透明電極膜を形成する工程と、第１のフォト
レジストを除去すると同時に第１のフォトレジスト上の
透明電極膜を除去する工程と、第２のフォトレジストを
形成し、第２のフォトレジストをマスクにして透明電極
膜をエッチングして画素電極を形成する工程と、第２の
フォトレジストを除去する工程とを有することを特徴と
する。
上の全面に行電極材料を形成し、行電極材料上に第１の
フォトレジストを形成し、第１のフォトレジストをマス
クにして行電極材料をエッチングして行電極を形成する
工程と、遮蔽板を用いて第１のフォトレジストを露光し
第１のフォトレジストの一部を除去し行電極に陽極酸化
電極取り出し部を二重露光により形成する工程と、行電
極の側壁部を陽極酸化して陽極酸化層を形成する工程
と、全面に透明電極膜を形成する工程と、第１のフォト
レジストを除去すると同時に第１のフォトレジスト上の
透明電極膜を除去する工程と、第２のフォトレジストを
形成し、第２のフォトレジストをマスクにして透明電極
膜をエッチングして画素電極を形成する工程と、第２の
フォトレジストを除去する工程とを有することを特徴と
する。
【００１９】
【実施例】以下に本発明の液晶表示装置の製造方法にお
ける実施例を、図面を用いて説明する。図１から図７は
本発明の液晶表示装置の製造方法を工程順に示す断面図
であり、図８は本発明の液晶表示装置の製造方法を説明
するための平面図である。
ける実施例を、図面を用いて説明する。図１から図７は
本発明の液晶表示装置の製造方法を工程順に示す断面図
であり、図８は本発明の液晶表示装置の製造方法を説明
するための平面図である。
【００２０】まず図１に示すように、ガラスからなる基
板１２上に、行電極材料２０としてタンタル膜をスパッ
タリング法により１００〜５００ｎｍの膜厚で形成す
る。
板１２上に、行電極材料２０としてタンタル膜をスパッ
タリング法により１００〜５００ｎｍの膜厚で形成す
る。
【００２１】その後、ポジ型のフォトレジストを行電極
材料２０上の全面に、回転塗布法により形成し、第１の
フォトマスクを用いて露光、現像処理を行いフォトレジ
ストのパターンニングを行い、第１のフォトレジスト１
６を形成する。
材料２０上の全面に、回転塗布法により形成し、第１の
フォトマスクを用いて露光、現像処理を行いフォトレジ
ストのパターンニングを行い、第１のフォトレジスト１
６を形成する。
【００２２】このとき第１のフォトレジスト１６のポス
トベークは行わず、図２に示す陽極酸化電極取り出し部
１８を形成するための露光処理を行うまで、第１のフォ
トレジスト１６が感光しないようにする。
トベークは行わず、図２に示す陽極酸化電極取り出し部
１８を形成するための露光処理を行うまで、第１のフォ
トレジスト１６が感光しないようにする。
【００２３】その後、第１のフォトレジスト１６をマス
クにして乾式エッチング法により、行電極材料２０であ
るタンタル膜をパターンニングし、行電極１３を形成す
る。その行電極１３の平面パターン形状は、図８の破線
２６に示す。
クにして乾式エッチング法により、行電極材料２０であ
るタンタル膜をパターンニングし、行電極１３を形成す
る。その行電極１３の平面パターン形状は、図８の破線
２６に示す。
【００２４】つぎにポストベーク処理をしていない第１
のフォトレジスト１６を、第２のフォトマスクを用いて
露光処理して、二重露光を行い、第１のフォトレジスト
１６の現像処理を行い、図２に示す陽極酸化電極取り出
し部１８を行電極１３に形成する。
のフォトレジスト１６を、第２のフォトマスクを用いて
露光処理して、二重露光を行い、第１のフォトレジスト
１６の現像処理を行い、図２に示す陽極酸化電極取り出
し部１８を行電極１３に形成する。
【００２５】この陽極酸化電極取り出し部１８の平面パ
ターン形状は、図８の一点鎖線交差部２３に示す。
ターン形状は、図８の一点鎖線交差部２３に示す。
【００２６】この陽極酸化電極取り出し部１８は基板１
２のエッジ領域に設け、しかも陽極酸化電極取り出し部
１８寸法は、基板１２のエッジより５〜１０ｍｍであ
り、寸法精度を必要としない部分である。このため、フ
ォトマスクを使用せず、陽極酸化電極取り出し部１８以
外を遮光板を用いて遮蔽し、露光処理して、陽極酸化電
極取り出し部１８を形成することもできる。
２のエッジ領域に設け、しかも陽極酸化電極取り出し部
１８寸法は、基板１２のエッジより５〜１０ｍｍであ
り、寸法精度を必要としない部分である。このため、フ
ォトマスクを使用せず、陽極酸化電極取り出し部１８以
外を遮光板を用いて遮蔽し、露光処理して、陽極酸化電
極取り出し部１８を形成することもできる。
【００２７】その後、図３に示すように、０．０１ｗｔ
％クウェン酸溶液中で、陽極酸化電極取り出し部１８を
電極として用いて、陽極酸化処理を行う。
％クウェン酸溶液中で、陽極酸化電極取り出し部１８を
電極として用いて、陽極酸化処理を行う。
【００２８】この結果、行電極１３上に第１のフォトレ
ジスト１６を形成したまま陽極酸化処理をおこなうた
め、第１のフォトレジスト１６を被覆していない行電極
１３の側壁部を陽極酸化することになり、行電極１３側
壁部のみに８０ｎｍの厚さを有する陽極酸化層１４を形
成することができる。
ジスト１６を形成したまま陽極酸化処理をおこなうた
め、第１のフォトレジスト１６を被覆していない行電極
１３の側壁部を陽極酸化することになり、行電極１３側
壁部のみに８０ｎｍの厚さを有する陽極酸化層１４を形
成することができる。
【００２９】その後、図４に示すように、酸化インジウ
ムスズからなる透明電極膜２１を、酸素０．５〜１％含
むアルゴンガスをスパッタチャンバー内に導入し、スパ
ッター圧を１０ｍＴｏｒｒに制御するスパッタリング法
により１００ｎｍの膜厚で形成する。
ムスズからなる透明電極膜２１を、酸素０．５〜１％含
むアルゴンガスをスパッタチャンバー内に導入し、スパ
ッター圧を１０ｍＴｏｒｒに制御するスパッタリング法
により１００ｎｍの膜厚で形成する。
【００３０】その後、図５に示すように、第１のフォト
レジスト１６を湿式法によって除去し、第１のフォトレ
ジスト１６上の透明電極膜２１を、この第１のフォトレ
ジスト１６と同時に除去する。
レジスト１６を湿式法によって除去し、第１のフォトレ
ジスト１６上の透明電極膜２１を、この第１のフォトレ
ジスト１６と同時に除去する。
【００３１】つぎにフォトレジストを回転塗布法により
全面に形成し、第３のフォトマスクを用いて露光、現像
し、第２のフォトレジスト１７を形成する。
全面に形成し、第３のフォトマスクを用いて露光、現像
し、第２のフォトレジスト１７を形成する。
【００３２】その後、図７に示すように、第２のフォト
レジスト１７をエッチングマスクにして、湿式エッチン
グあるいは乾式エッチング法を用いて透明電極膜２１の
エッチングを行い、透明電極膜２１からなる画素電極１
５を形成する。
レジスト１７をエッチングマスクにして、湿式エッチン
グあるいは乾式エッチング法を用いて透明電極膜２１の
エッチングを行い、透明電極膜２１からなる画素電極１
５を形成する。
【００３３】つぎに、第２のフォトレジスト１７を除去
し、ＭＩＭ素子３２を行電極１３の側壁部に形成する。
し、ＭＩＭ素子３２を行電極１３の側壁部に形成する。
【００３４】このＭＩＭ素子３２の平面パターン形状を
図８の実線交差部２４に示し、画素電極１５の平面パタ
ーン形状を図８の実線２２に示す。
図８の実線交差部２４に示し、画素電極１５の平面パタ
ーン形状を図８の実線２２に示す。
【００３５】さらにその後、真空雰囲気中で温度３５０
℃、１時間の熱処理を行い、ＭＩＭ素子特性の安定化を
図る。このようにしてＭＩＭ素子を２枚、または３枚の
フォトマスクにより形成する。
℃、１時間の熱処理を行い、ＭＩＭ素子特性の安定化を
図る。このようにしてＭＩＭ素子を２枚、または３枚の
フォトマスクにより形成する。
【００３６】本発明における液晶表示装置の製造方法
は、行電極１３の側壁部にＭＩＭ素子３２を形成するこ
とにより、素子面積が小さく、素子容量の小さなＭＩＭ
素子を簡便に形成することができ、良好な表示品質を有
する液晶表示装置がえられた。
は、行電極１３の側壁部にＭＩＭ素子３２を形成するこ
とにより、素子面積が小さく、素子容量の小さなＭＩＭ
素子を簡便に形成することができ、良好な表示品質を有
する液晶表示装置がえられた。
【００３７】
【発明の効果】以上の説明で明らかなように、本発明の
液晶表示装置の製造方法においては、ＭＩＭ素子を行電
極の側壁部に形成している。このことによりＭＩＭ素子
容量を小さくし、液晶容量とＭＩＭ素子容量との容量比
を充分に大きくとることが可能となり、表示品質が従来
より遥かに向上した。またさらに本発明の製造方法によ
るＭＩＭ素子面積は、行電極の側壁、つまりタンタル膜
の厚さと、行電極と画素電極との接続部の長さの積であ
り、本発明の実施例では１μｍ2 のＭＩＭ素子面積が容
易に形成できた。このため、ＭＩＭ素子面積ばらつきが
非常に少ないアクティブマトリクス基板を、簡便な製造
方法で提供することが可能となる。
液晶表示装置の製造方法においては、ＭＩＭ素子を行電
極の側壁部に形成している。このことによりＭＩＭ素子
容量を小さくし、液晶容量とＭＩＭ素子容量との容量比
を充分に大きくとることが可能となり、表示品質が従来
より遥かに向上した。またさらに本発明の製造方法によ
るＭＩＭ素子面積は、行電極の側壁、つまりタンタル膜
の厚さと、行電極と画素電極との接続部の長さの積であ
り、本発明の実施例では１μｍ2 のＭＩＭ素子面積が容
易に形成できた。このため、ＭＩＭ素子面積ばらつきが
非常に少ないアクティブマトリクス基板を、簡便な製造
方法で提供することが可能となる。
【図１】本発明の実施例における液晶表示装置の製造方
法を示す断面図である。
法を示す断面図である。
【図２】本発明の実施例における液晶表示装置の製造方
法を示す断面図である。
法を示す断面図である。
【図３】本発明の実施例における液晶表示装置の製造方
法を示す断面図である。
法を示す断面図である。
【図４】本発明の実施例における液晶表示装置の製造方
法を示す断面図である。
法を示す断面図である。
【図５】本発明の実施例における液晶表示装置の製造方
法を示す断面図である。
法を示す断面図である。
【図６】本発明の実施例における液晶表示装置の製造方
法を示す断面図である。
法を示す断面図である。
【図７】本発明の実施例における液晶表示装置の製造方
法を示す断面図である。
法を示す断面図である。
【図８】本発明の実施例における液晶表示装置の製造方
法を示す平面図である。
法を示す平面図である。
【図９】従来のＭＩＭ素子を用いた液晶表示装置を示す
平面図である。
平面図である。
【図１０】従来のＭＩＭ素子を用いた液晶表示装置を示
す断面図である。
す断面図である。
【図１１】ＭＩＭ素子を用いた液晶表示装置の等価回路
を示す回路図である。
を示す回路図である。
１２ 基板 １３ 行電極 １４ 陽極酸化層 １５ 画素電極 １８ 陽極酸化電極取り出し部
Claims (2)
- 【請求項１】 基板上の全面に行電極材料を形成し、行
電極材料上に第１のフォトレジストを形成し、第１のフ
ォトレジストをマスクにして行電極材料をエッチングし
て行電極を形成する工程と、第１のフォトレジストの一
部を除去し行電極に陽極酸化電極取り出し部を二重露光
により形成する工程と、行電極の側壁部を陽極酸化して
陽極酸化層を形成する工程と、全面に透明電極膜を形成
する工程と、第１のフォトレジストを除去すると同時に
第１のフォトレジスト上の透明電極膜を除去する工程
と、第２のフォトレジストを形成し、第２のフォトレジ
ストをマスクにして透明電極膜をエッチングして画素電
極を形成する工程と、第２のフォトレジストを除去する
工程とを有することを特徴とする液晶表示装置の製造方
法。 - 【請求項２】 基板上の全面に行電極材料を形成し、行
電極材料上に第１のフォトレジストを形成し、第１のフ
ォトレジストをマスクにして行電極材料をエッチングし
て行電極を形成する工程と、遮蔽板を用いて第１のフォ
トレジストを露光し第１のフォトレジストの一部を除去
し行電極に陽極酸化電極取り出し部を二重露光により形
成する工程と、行電極の側壁部を陽極酸化して陽極酸化
層を形成する工程と、全面に透明電極膜を形成する工程
と、第１のフォトレジストを除去すると同時に第１のフ
ォトレジスト上の透明電極膜を除去する工程と、第２の
フォトレジストを形成し、第２のフォトレジストをマス
クにして透明電極膜をエッチングして画素電極を形成す
る工程と、第２のフォトレジストを除去する工程とを有
することを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1596793A JPH06202161A (ja) | 1993-01-05 | 1993-01-05 | 液晶表示装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1596793A JPH06202161A (ja) | 1993-01-05 | 1993-01-05 | 液晶表示装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06202161A true JPH06202161A (ja) | 1994-07-22 |
Family
ID=11903491
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1596793A Pending JPH06202161A (ja) | 1993-01-05 | 1993-01-05 | 液晶表示装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06202161A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5866301A (en) * | 1997-04-08 | 1999-02-02 | Citizen Watch Co., Ltd. | Method of manufacturing thin film diode |
-
1993
- 1993-01-05 JP JP1596793A patent/JPH06202161A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5866301A (en) * | 1997-04-08 | 1999-02-02 | Citizen Watch Co., Ltd. | Method of manufacturing thin film diode |
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