JPH08146466A

JPH08146466A - 液晶表示装置の製造方法

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Publication number: JPH08146466A
Application number: JP28464494A
Authority: JP
Inventors: Noboru Taguchi; 昇田口
Original assignee: Citizen Watch Co Ltd
Current assignee: Citizen Watch Co Ltd
Priority date: 1994-11-18
Filing date: 1994-11-18
Publication date: 1996-06-07

Abstract

(57)【要約】【構成】基板１２上に第１のフォトレジスト１６をマ
スクにして行電極１３を形成する工程と、第１のフォト
レジスト１６を除去する工程と、全面を陽極酸化する工
程と、全面に透明電極膜２１を形成し透明電極上に第２
のフォトレジスト１７をパターンニングする工程と、第
２のフォトレジスト１７をレジスト軟化温度以上でポス
トベークする工程と、メタン、臭化水素、ヨウ化水素、
塩化水素、塩素の単一エッチングガスまたはこれらの複
合エッチングガスを用いて乾式エッチング法によりエッ
チングする工程と、第２のフォトレジスト１７を除去す
る工程とを有する。【効果】従来の湿式エッチングで発生したエッチング
液のフォトレジスト界面からのしみこみによる断線をな
くすことができ、超微細ＭＩＭ素子の素子寸法ばらつき
の非常に少ない高歩留まりな製造方法を提供することが
可能となる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は液晶表示装置の製造方法
に関し、とくにマトリクス状に配置した各画素に設けた
非線形素子であるＭＩＭ（金属層−絶縁体層−金属層）
素子を制御して液晶を駆動する液晶表示装置の製造方法
に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来のＭＩＭ素子構造を図１０の平面図
と、図１０の一部領域を拡大して示す図１１の平面図
と、図１２の断面図と、図１３の等価回路図を用いて説
明する。

【０００３】なお図１２の断面図は図１０のＢ−Ｂ線に
おける断面を示し、図１１の平面図は図１０のＤ部を拡
大して示す。

【０００４】図１０と図１１と図１２と図１３に示すよ
うに、一方の基板１２上に、行電極１３と、この行電極
１３上に陽極酸化層１４と、この陽極酸化層１４上に画
素電極１５とを形成する。

【０００５】行電極１３と陽極酸化層１４と画素電極１
５とからなるＭＩＭ素子３２を複数個形成した基板１２
と、複数のデータ電極３１を形成した他方の基板との間
に液晶３３を注入して、ＭＩＭ素子３２を制御して画像
表示を行う。

【０００６】この従来技術におけるＭＩＭ素子の製造方
法を、図１２の断面図を用いて説明する。

【０００７】ガラスからなる基板１２上にスパッタリン
グ法によりタンタル膜を１００ｎｍの膜厚で形成し、第
１のフォトレジスト（図示せず）を用いて乾式エッチン
グ法により、タンタル膜のエッチングを行い、行電極１
３を形成する。

【０００８】その後、この行電極１３の表面に陽極酸化
法により陽極酸化層１４を７０ｎｍの膜厚で形成する。

【０００９】さらにスパッタリング法によって、たとえ
ば酸化インジウムスズからなる透明電極膜を１００ｎｍ
の膜厚で形成し、第２のフォトレジスト（図示せず）を
用いて、透明電極膜のエッチングを湿式エッチングによ
り行い、画素電極１５を形成する。

【００１０】このようにして、金属層である行電極１３
と絶縁体層である陽極酸化層１４と金属層である画素電
極１５とからなるＭＩＭ素子を、２枚のフォトマスクに
より形成し、ＭＩＭ素子を形成する。

【００１１】

【発明が解決しようとする課題】近年、アクティブマト
リクス液晶パネルは大画面でしかも高画質が要求されて
おり、さらに液晶パネルを用いたビューファインダーや
プロジェクションテレビへと応用が広がり、より高精細
パターンで高歩留まりが要求されている。

【００１２】たとえば大きさ１インチパネルのビューフ
ァインダー液晶パネルの場合、画素数１０万画素におけ
る１つの画素寸法は、約３０×４０μｍであり、ＭＩＭ
素子面積は、２μｍ² 以下が要求される。しかもこのＭ
ＩＭ素子面積は、ばらつきがなく均一であることが要求
されている。

【００１３】このときＭＩＭ素子は図１０、図１１の平
面図に示すように、行電極１３と画素電極１５の交差す
る段差部１６において、第２のフォトレジストと透明電
極膜との密着性が弱いために、湿式エッチング液のしみ
込みによる画素電極１５の断線１９が多数発生する。

【００１４】さらに透明電極膜パターンエッジ形状は、
第２のフォトレジストと透明電極膜との密着性が弱いこ
とと、従来の湿式エッチング法は、透明電極膜の膜厚方
向とパターン幅方向のエッチング速度が同じである、等
方性エッチングであるために図１１の実線に示すように
ギザギザ形状となる。このため前述の要求事項である高
精細パターンを均一に形成することが困難である。

【００１５】最近、透明電極膜の乾式エッチング法に関
する検討が多くなされているが、エッチングマスクとし
て使用するフォトレジストが乾式エッチング処理のと
き、イオン衝撃により基板１２の表面温度が２００℃近
くまで上昇する。

【００１６】このためフォトレジストの変形を生じて、
パターン寸法精度が低下し、さらにフォトレジスト最表
面がイオン衝撃により変質して硬化し、フォトレジスト
の剥離性が著しく低下するなどの問題を発生してしま
う。

【００１７】そして、従来このようなフォトレジストの
変化が発生しない乾式エッチング条件での透明電極膜の
エッチング速度は、イオン衝撃を抑制するため、２０〜
３０ｎｍ／分程度でありエッチング速度が遅い。

【００１８】このため乾式エッチングによる透明電極膜
のパターニングは、量産工程に導入できる技術確立がな
されていないのが現状である。

【００１９】このように従来技術の製造方法において
は、行電極１３であるタンタルを乾式エッチング法によ
り行い、画素電極１５である透明電極膜を湿式エッチン
グ法により行い、ＭＩＭ素子の素子寸法をタンタルと透
明電極膜とのパターン線幅寸法は１．５μｍに形成して
いる。

【００２０】とくに透明電極膜の線幅寸法を均一性良く
微細な寸法で形成することは非常に困難である。このた
め前述のＭＩＭ素子面積２μｍ² 以下をばらつきなく均
一に制御することは、きわめて困難である。

【００２１】さらに従来の透明電極膜のエッチング法で
は、そのパターン線幅寸法を小さくすると、ＭＩＭ素子
面積バラツキによるＭＩＭ素子特性差を生じる。

【００２２】この結果、画素単位で発生する表示ムラを
生じ、さらにエッチング液のしみこみによる透明電極膜
の断線を生じて歩留まりの低下と、表示品質上問題を有
している。

【００２３】本発明の目的は、上記課題を解決して、微
細寸法を有するＭＩＭ素子を再現性よく、均一な素子寸
法を形成し、表示品質が良好な液晶表示装置の製造方法
を提供することである。

【００２４】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に本発明においては、下記記載の液晶表示装置の製造方
法を採用する。

【００２５】本発明の液晶表示装置の製造方法は、基板
上の全面に行電極材料を形成し、行電極材料上に第１の
フォトレジストをパターンニングし、第１のフォトレジ
ストをエッチングマスクに用いて行電極材料をパターニ
ングして行電極を形成する工程と、第１のフォトレジス
トを除去する工程と、陽極酸化処理を行う工程と、全面
に透明電極膜を形成し透明電極膜上に第２のフォトレジ
ストをパターンニングする工程と、第２のフォトレジス
トをレジスト軟化温度以上でポストベークする工程と、
メタン、臭化水素、ヨウ化水素、塩化水素、塩素の単一
エッチングガスあるいはこれらの複合エッチングガスを
用いて乾式エッチング法により透明電極膜をエッチング
する工程と、第２のフォトレジストを除去する工程とを
有することを特徴とする。

【００２６】本発明の液晶表示装置の製造方法は、基板
上の全面に行電極材料を形成し、行電極材料上に第１の
フォトレジストをパターンニングし、第１のフォトレジ
ストをエッチングマスクに用いて行電極材料をパターニ
ングして行電極を形成する工程と、第１のフォトレジス
トを除去する工程と、陽極酸化処理を行う工程と、全面
に透明電極膜を形成し透明電極膜上に第２のフォトレジ
ストをパターンニングする工程と、第２のフォトレジス
トをレジスト軟化温度以上でポストベークする工程と、
メタン、臭化水素、ヨウ化水素、塩化水素、塩素の単一
エッチングガスあるいはこれらの複合エッチングガスを
用いて乾式エッチング法によって透明電極膜をエッチン
グする工程と、第２のフォトレジスト表面の一部を除去
する工程と、第２のフォトレジストを除去する工程とを
有することを特徴とする。

【００２７】本発明の液晶表示装置の製造方法は、基板
上の全面に行電極材料を形成し、行電極材料上に第１の
フォトレジストをパターンニングし、第１のフォトレジ
ストをエッチングマスクにして行電極材料をパターニン
グして行電極を形成する工程と、第１のフォトレジスト
を除去する工程と、陽極酸化処理を行う工程と、全面に
透明電極膜を形成し透明電極膜上に第２のフォトレジス
トをパターンニングする工程と、第２のフォトレジスト
をレジスト軟化温度以上でポストベークする工程と、メ
タン、臭化水素、ヨウ化水素、塩化水素、塩素の単一ガ
スあるいはこれらの複合エッチングガスを圧力が１０〜
３０ｍＴｏｒｒに制御して、乾式エッチング法により透
明電極膜をエッチングする工程と、第２のフォトレジス
トを除去する工程とを有することを特徴とする。

【００２８】本発明の液晶表示装置の製造方法は、基板
上の全面に行電極材料を形成し、行電極材料上に第１の
フォトレジストをパターンニングし、第１のフォトレジ
ストをエッチングマスクにして行電極材料をパターニン
グして行電極を形成する工程と、第１のフォトレジスト
を除去する工程と、陽極酸化処理を行う工程と、全面に
透明電極膜を形成し透明電極膜上に第２のフォトレジス
トをパターンニングする工程と、第２のフォトレジスト
をレジスト軟化温度以上でポストベークする工程と、メ
タン、臭化水素、ヨウ化水素、塩化水素、塩素の単一ガ
スあるいはこれらの複合エッチングガスを圧力が１０〜
３０ｍＴｏｒｒに制御して、乾式エッチング法により透
明電極膜をエッチングする工程と、第２のフォトレジス
トの一部を除去する工程と、第２のフォトレジストを除
去する工程とを有することを特徴とする。

【００２９】本発明の液晶表示装置の製造方法は、基板
上の全面に行電極材料を形成し、行電極材料上に第１の
フォトレジストをパターンニングし、第１のフォトレジ
ストをエッチングマスクにして行電極材料をパターニン
グして行電極を形成する工程と、第１のフォトレジスト
を除去する工程と、陽極酸化処理を行う工程と、全面に
透明電極膜を形成し透明電極膜上に第２のフォトレジス
トをパターンニングする工程と、第２のフォトレジスト
をレジスト軟化温度以上でポストベークする工程と、メ
タン、臭化水素、ヨウ化水素、塩化水素、塩素の単一ガ
スあるいはこれらの複合エッチングガスを圧力が１０〜
３０ｍＴｏｒｒに制御して、基板をガス冷却構造電極で
温度制御して、乾式エッチング法によって透明電極膜を
エッチングする工程と、第２のフォトレジストを除去す
る工程とを有することを特徴とする。

【００３０】本発明の液晶表示装置の製造方法は、基板
上の全面に行電極材料を形成し、行電極材料上に第１の
フォトレジストをパターンニングし、第１のフォトレジ
ストをエッチングマスクにして行電極材料をパターニン
グして行電極を形成する工程と、第１のフォトレジスト
を除去する工程と、陽極酸化処理を行う工程と、全面に
透明電極膜を形成し透明電極膜上に第２のフォトレジス
トをパターンニングする工程と、第２のフォトレジスト
をレジスト軟化温度以上でポストベークする工程と、メ
タン、臭化水素、ヨウ化水素、塩化水素、塩素の単一ガ
スあるいはこれらの複合エッチングガスを圧力が１０〜
３０ｍＴｏｒｒに制御して、基板をガス冷却構造電極で
温度制御して、乾式エッチング法により透明電極膜をエ
ッチングする工程と、第２のフォトレジストの一部を除
去する工程と、第２のフォトレジストを除去する工程と
を有することを特徴とする。

【００３１】

【作用】本発明によるＭＩＭ素子形成方法は、行電極材
料であるタンタルを従来と同じ乾式エッチング方法で形
成する。

【００３２】そして、画素電極材料である透明電極膜を
乾式エッチング法で形成する際、第２のフォトレジスト
をフォトレジスト軟化温度以上、たとえば温度１６０℃
でポストベーク処理する。

【００３３】このことにより第２のフォトレジストのノ
ンボラック樹脂の樹化率を増加し、乾式エッチングの耐
イオン衝撃性を向上させ、温度上昇に起因するフォトレ
ジストの変形をおさえることができる。

【００３４】さらに透明電極膜を乾式エッチング処理す
るとき、基板をガス冷却構造電極で温度制御を行う。こ
のことによりイオン衝撃による温度上昇を防ぎ、第２の
フォトレジストの変形や、変質を防ぐことができる。

【００３５】またさらにメタン、臭化水素や、ヨウ化水
素や、塩化水素や、塩素や、水素の単一ガス、あるいは
これらの複合エッチングガスのエッチング圧力は、低圧
ほど陰極降下電圧が増加し、エッチング速度とエッチン
グ異方性は増加するがイオン衝撃による第２のフォトレ
ジストの変形も増加する。

【００３６】これとは逆にエッチング圧力が高圧側で
は、陰極降下電圧が低下し、エッチング速度は低下す
る。

【００３７】そこで本発明のエッチング圧力は、エッチ
ング速度の早い、低圧の１０〜３０ｍＴｏｒｒに制御す
る。

【００３８】このことにより透明電極膜のエッチング速
度は、１００ｎｍ／分以上を確保する。

【００３９】したがって本発明の製造方法では、第２の
フォトレジストのイオン衝撃による変形変質をフォトレ
ジスト軟化温度以上で第２のフォトレジストをポストベ
ーク処理して抑え、さらににガス冷却機構を採用するこ
とより防ぐことができる。

【００４０】このように、フォトレジストの変形や変質
を抑え、しかもエッチング速度が早い本発明では透明電
極膜を乾式エッチング方法でエッチングを行うことによ
り、高精細パターンを均一に再現性よく、透明電極膜の
湿式エッチングで生じた断線を防ぐことができる。この
結果、高歩留まり、しかも高精細なＭＩＭ素子を形成す
ることが可能となる。

【００４１】

【実施例】以下に本発明の液晶表示装置の製造方法にお
ける実施例を、図面を用いて説明する。図１から図６は
本発明の液晶表示装置の製造方法を示す断面図であり、
図７と図８は本発明の液晶表示装置を示す平面図であ
り、図９は本発明の液晶表示装置を形成するために用い
る装置を示す断面図である。

【００４２】まず図１に示すように、ガラスからなる基
板１２上に、行電極材料２０としてタンタル膜をスパッ
タリング法により１００〜５００ｎｍの膜厚で形成す
る。

【００４３】その後、ポジ型のフォトレジストを行電極
材料２０上の全面に、回転塗布法により形成し、第１の
フォトマスクを用いて露光、現像処理を行いフォトレジ
ストのパターンニングを行い、第１のフォトレジスト１
６を形成する。個のだ位１のフォトレジスト１６の平面
パターン形状は、図７の実線２１に示す。

【００４４】つぎに、平行平板型電極構造を有するエッ
チング装置のエッチングチャンバー内に六フッ化イオウ
を流量２００ｃｃ／分、ヘリウムを流量２０ｃｃ／分、
酸素を流量３０ｃｃ／分で導入し、圧力を５０ｍＴｏｒ
ｒに保ち高周波電力１ＫＷ投入し、第１のフォトレジス
ト１６をエッチングマスクにして行電極材料２０である
タンタル膜をパターンニングし、行電極１３を形成す
る。

【００４５】その後、図２に示すように、０．１ｗｔ％
クウェン酸溶液中で、陽極酸化処理を行い、行電極１３
表面に陽極酸化層１４を形成する。

【００４６】このとき陽極酸化層１４は、７０ｎｍの厚
さとなるように陽極酸化電圧を３６Ｖに設定し、０．２
Ｖ／分の速度で昇圧し、そして３時間のホールド電圧で
形成する。

【００４７】その後、図３に示すように、酸化インジウ
ムスズからなる透明電極膜２１を、１００ｎｍの膜厚で
形成する。この透明電極膜２１は酸素を０．５〜１％含
むアルゴンガスをスパッタリング装置のチャンバー内に
導入し、スパッター圧を１０ｍＴｏｒｒに制御するスパ
ッタリング法により形成する。

【００４８】つぎにフォトレジストを回転塗布法により
透明電極膜２１上の全面に形成し、第２のフォトマスク
１７を用いて露光、現像処理し、第２のフォトレジスト
１７を形成する。この第２の２のフォトレジスト１７の
平面パターン形状は、図７の実線２２に示す。

【００４９】その後、図４に示すように、第２のフォト
レジスト１７をレジスト軟化温度以上の温度１６０℃
で、時間４０分でポストベーク処理を行う。

【００５０】この加熱処理により第２のフォトレジスト
１７のノンボラック樹脂の樹脂化率が向上する。このた
めプラズマのイオン衝撃に対する耐性が増し、エッチン
グの際のイオン衝撃ダメージによるフォトレジストの変
形と変質とを減少させることができる。

【００５１】第２のフォトレジスト１７断面形状は、図
４に示すように、そのパターンエッジは矩形状から円弧
状に変化する。しかしながら第２のフォトレジスト１７
の線幅寸法に大きな変化はない。

【００５２】つぎに、図９に示す平行平板電極構造型を
有するエッチング装置のエッチングチャンバー内に、エ
ッチングガスとしてヨウ化水素ガスを３００ｃｃ／分の
流量で導入し、圧力が１０〜３０ｍＴｏｒｒとなるよう
に制御して、さらに高周波電力３ＫＷを陰極２５に投入
し、陰極２５に被エッチング部材である基板１２を置
き、透明電極膜２１を第２のフォトレジスト１７をエッ
チングマスクにして透明電極膜２１のエッチングを行
う。

【００５３】このときエッチング装置の陰極構造は、図
９に示すように、冷却ガスとしてヘリウムガスを用いる
ガス冷却構造電極２３とする。

【００５４】このことにより基板１２の基板冷却効率を
向上させ、温度上昇を抑制することができ、第２のフォ
トレジスト１７の変形と変質とを低減することができ
る。

【００５５】なおエッチングガスとしては、前述のヨウ
化水素以外に、メタンや、臭化水素や、塩酸や、塩素の
単一ガス、あるいはこれらのガスの複数種を混合する複
合エッチングガスも適用可能である。

【００５６】この第２のフォトレジスト１７をエッチン
グマスクに用いて、画素電極１５を形成したエッチング
処理後の形状を図５に示す。

【００５７】その後、図９に示すエッチング装置のエッ
チングチャンバー内に、酸素ガスを３００ｃｃ導入し、
圧力を２００〜３００ｍＴｏｒｒに制御し、第２のフォ
トレジスト１７表面の一部を除去する。

【００５８】この処理は乾式エッチング工程で変質した
第２のフォトレジスト１７の表面を除去し、湿式レジス
ト剥離を容易にするためである。なおこの第２のフォト
レジスト１７の表面の一部を除去する工程は、第２のフ
ォトレジスト１７の変質が少なければ省略することがで
きる。

【００５９】つぎに図６に示すように、第２のフォトレ
ジストを湿式剥離により除去し、透明電極膜２１からな
る画素電極１５を形成する。

【００６０】このようにしてＭＩＭ素子を、乾式エッチ
ング法だけを用いて２枚のフォトマスクにより形成する
ことができる。

【００６１】本発明の製造方法により形成したＭＩＭ素
子の平面形状を図７と図８に示す。なお図８は図７のＣ
部を拡大して示す。

【００６２】図８の平面図に示すように本発明により形
成した画素電極１５は、段差部１６での断線の発生はな
く、画素電極１５のパターンエッジも非常にシャープ
で、高精細パターンに適するエッチング形状が得られて
いる。

【００６３】本発明における液晶表示装置の製造方法
は、画素電極を乾式エッチング法により形成することで
超微細ＭＩＭ素子を、均一性よく、しかも再現性よく形
成することができる。

【００６４】そして、従来課題とされていたエッチング
レートは、エッチングガスの圧力を１０〜３０ｍＴｏｒ
ｒに制御することで、エッチング速度として１００ｎｍ
／分以上の高速エッチングを達成している。

【００６５】そのうえさらに、フォトレジストのイオン
衝撃による変形と変質とをフォトレジスト軟化温度以上
のポストベーク温度処理と、エッチング装置のガス冷却
機構電極の採用により解決することができる。

【００６６】したがって、従来の製造方法で発生してい
たＭＩＭ素子寸法バラツキによる画素単位で発生した表
示ムラの発生をなくし、良好な表示品質を有する液晶表
示装置が得られる。

【００６７】

【発明の効果】以上の説明で明らかなように、本発明の
液晶表示装置の製造方法においては、画素電極を乾式エ
ッチング法により形成している。このことにより加工精
度を、プラスマイナス０．１μｍ以内に制御することが
でき、さらに湿式エッチングで発生するエッチング液の
フォトレジスト界面からのしみこみによる断線の発生を
なくすことができる。このため、微細寸法を有するＭＩ
Ｍ素子の素子寸法のばらつきの非常に少なくでき、さら
に高歩留まりな製造方法を提供することが可能となる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施例における液晶表示装置の製造方
法を示す断面図である。

【図２】本発明の実施例における液晶表示装置の製造方
法を示す断面図である。

【図３】本発明の実施例における液晶表示装置の製造方
法を示す断面図である。

【図４】本発明の実施例における液晶表示装置の製造方
法を示す断面図である。

【図５】本発明の実施例における液晶表示装置の製造方
法を示す断面図である。

【図６】本発明の実施例における液晶表示装置の製造方
法を示す断面図である。

【図７】本発明の実施例における液晶表示装置の製造方
法を示す平面図である。

【図８】本発明の実施例における液晶表示装置の製造方
法を示す拡大平面図である。

【図９】本発明の実施例における透明電極膜の乾式エッ
チング装置の模式図である。

【図１０】従来のＭＩＭ素子を用いた液晶表示装置を示
す平面図である。

【図１１】従来のＭＩＭ素子を用いた液晶表示装置を示
す拡大平面図である。

【図１２】従来のＭＩＭ素子を用いた液晶表示装置を示
す断面図である。

【図１３】ＭＩＭ素子を用いた液晶表示装置の等価回路
を示す回路図である。

【符号の説明】

１２基板１３行電極１４陽極酸化層１５画素電極２１透明電極膜

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】基板上の全面に行電極材料を形成し、行
電極材料上に第１のフォトレジストをパターンニング
し、第１のフォトレジストをエッチングマスクに用いて
行電極材料をパターニングして行電極を形成する工程
と、第１のフォトレジストを除去する工程と、陽極酸化
処理を行う工程と、全面に透明電極膜を形成し透明電極
膜上に第２のフォトレジストをパターンニングする工程
と、第２のフォトレジストをレジスト軟化温度以上でポ
ストベークする工程と、メタン、臭化水素、ヨウ化水
素、塩化水素、塩素の単一エッチングガスあるいはこれ
らの複合エッチングガスを用いて乾式エッチング法によ
り透明電極膜をエッチングする工程と、第２のフォトレ
ジストを除去する工程とを有することを特徴とする液晶
表示装置の製造方法。
【請求項２】基板上の全面に行電極材料を形成し、行
電極材料上に第１のフォトレジストをパターンニング
し、第１のフォトレジストをエッチングマスクに用いて
行電極材料をパターニングして行電極を形成する工程
と、第１のフォトレジストを除去する工程と、陽極酸化
処理を行う工程と、全面に透明電極膜を形成し透明電極
膜上に第２のフォトレジストをパターンニングする工程
と、第２のフォトレジストをレジスト軟化温度以上でポ
ストベークする工程と、メタン、臭化水素、ヨウ化水
素、塩化水素、塩素の単一エッチングガスあるいはこれ
らの複合エッチングガスを用いて乾式エッチング法によ
って透明電極膜をエッチングする工程と、第２のフォト
レジスト表面の一部を除去する工程と、第２のフォトレ
ジストを除去する工程とを有することを特徴とする液晶
表示装置の製造方法。
【請求項３】基板上の全面に行電極材料を形成し、行
電極材料上に第１のフォトレジストをパターンニング
し、第１のフォトレジストをエッチングマスクにして行
電極材料をパターニングして行電極を形成する工程と、
第１のフォトレジストを除去する工程と、陽極酸化処理
を行う工程と、全面に透明電極膜を形成し透明電極膜上
に第２のフォトレジストをパターンニングする工程と、
第２のフォトレジストをレジスト軟化温度以上でポスト
ベークする工程と、メタン、臭化水素、ヨウ化水素、塩
化水素、塩素の単一ガスあるいはこれらの複合エッチン
グガスを圧力が１０〜３０ｍＴｏｒｒに制御して、乾式
エッチング法により透明電極膜をエッチングする工程
と、第２のフォトレジストを除去する工程とを有するこ
とを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
【請求項４】基板上の全面に行電極材料を形成し、行
電極材料上に第１のフォトレジストをパターンニング
し、第１のフォトレジストをエッチングマスクにして行
電極材料をパターニングして行電極を形成する工程と、
第１のフォトレジストを除去する工程と、陽極酸化処理
を行う工程と、全面に透明電極膜を形成し透明電極膜上
に第２のフォトレジストをパターンニングする工程と、
第２のフォトレジストをレジスト軟化温度以上でポスト
ベークする工程と、メタン、臭化水素、ヨウ化水素、塩
化水素、塩素の単一ガスあるいはこれらの複合エッチン
グガスを圧力が１０〜３０ｍＴｏｒｒに制御して、乾式
エッチング法により透明電極膜をエッチングする工程
と、第２のフォトレジストの一部を除去する工程と、第
２のフォトレジストを除去する工程とを有することを特
徴とする液晶表示装置の製造方法。
【請求項５】基板上の全面に行電極材料を形成し、行
電極材料上に第１のフォトレジストをパターンニング
し、第１のフォトレジストをエッチングマスクにして行
電極材料をパターニングして行電極を形成する工程と、
第１のフォトレジストを除去する工程と、陽極酸化処理
を行う工程と、全面に透明電極膜を形成し透明電極膜上
に第２のフォトレジストをパターンニングする工程と、
第２のフォトレジストをレジスト軟化温度以上でポスト
ベークする工程と、メタン、臭化水素、ヨウ化水素、塩
化水素、塩素の単一ガスあるいはこれらの複合エッチン
グガスを圧力が１０〜３０ｍＴｏｒｒに制御して、基板
をガス冷却構造電極で温度制御して、乾式エッチング法
により透明電極膜をエッチングする工程と、第２のフォ
トレジストを除去する工程とを有することを特徴とする
液晶表示装置の製造方法。
【請求項６】基板上の全面に行電極材料を形成し、行
電極材料上に第１のフォトレジストをパターンニング
し、第１のフォトレジストをエッチングマスクにして行
電極材料をパターニングして行電極を形成する工程と、
第１のフォトレジストを除去する工程と、陽極酸化処理
を行う工程と、全面に透明電極膜を形成し透明電極膜上
に第２のフォトレジストをパターンニングする工程と、
第２のフォトレジストをレジスト軟化温度以上でポスト
ベークする工程と、メタン、臭化水素、ヨウ化水素、塩
化水素、塩素の単一ガスあるいはこれらの複合エッチン
グガスを圧力が１０〜３０ｍＴｏｒｒに制御して、基板
をガス冷却構造電極で温度制御して、乾式エッチング法
により透明電極膜をエッチングする工程と、第２のフォ
トレジストの一部を除去する工程と、第２のフォトレジ
ストを除去する工程とを有することを特徴とする液晶表
示装置の製造方法。