JPH06207277A - 微小パターン成形体の製造方法 - Google Patents
微小パターン成形体の製造方法Info
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- JPH06207277A JPH06207277A JP5171516A JP17151693A JPH06207277A JP H06207277 A JPH06207277 A JP H06207277A JP 5171516 A JP5171516 A JP 5171516A JP 17151693 A JP17151693 A JP 17151693A JP H06207277 A JPH06207277 A JP H06207277A
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- B29C59/16—Surface shaping of articles, e.g. embossing; Apparatus therefor by wave energy or particle radiation, e.g. infrared heating
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- G03F7/039—Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 金属担体上に、ＬＩＧＡ法にも適用し得る、
適当な接着層を形成することができる改善された微小パ
ターン成形体製造方法を提供すること。 【構成】 接着層により導電性担体上に装着された重合
体を、シンクロトロン放射線により画像形成露出し、画
像形成露出された部分を除去することにより、数μｍか
らｍｍ領域のパターン深さを有する微小パターン成形体
を製造する方法であって、少なくとも２種類の相違する
化学元素から成る接着層が、同時に蒸散もしくは陰極ス
パッタリングにより導電性担体上に施され、次いで導電
性担体上に施された化学元素の少なくとも一方が、重合
体積層前に、選択的もしくは部分的に除去されることを
特徴とする方法。
適当な接着層を形成することができる改善された微小パ
ターン成形体製造方法を提供すること。 【構成】 接着層により導電性担体上に装着された重合
体を、シンクロトロン放射線により画像形成露出し、画
像形成露出された部分を除去することにより、数μｍか
らｍｍ領域のパターン深さを有する微小パターン成形体
を製造する方法であって、少なくとも２種類の相違する
化学元素から成る接着層が、同時に蒸散もしくは陰極ス
パッタリングにより導電性担体上に施され、次いで導電
性担体上に施された化学元素の少なくとも一方が、重合
体積層前に、選択的もしくは部分的に除去されることを
特徴とする方法。
Description
【０００１】
【技術分野】接着層により導電性担体上に装着された重
合体を、シンクロトロン放射線により画像形成露出し、
画像形成露出された部分を除去し、使用された接着層が
重合体積層前に部分的に除去することにより、数μｍか
らｍｍ領域のパターン深さを有する微小パターン成形体
の製造方法に関するものである。
合体を、シンクロトロン放射線により画像形成露出し、
画像形成露出された部分を除去し、使用された接着層が
重合体積層前に部分的に除去することにより、数μｍか
らｍｍ領域のパターン深さを有する微小パターン成形体
の製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来技術】マイクロエレクトロニクス技術の発展によ
り、徹底した微細化と集積化が行われ、対応する技術と
共にほとんど展望し得ないほどの多種多様な新規製品が
開発されて来た。ここ数年間、マイクロエレクトロニク
スは、他の産業部門に対し微細化において圧倒的な優位
を獲得した。また将来他の微小技術も大きな進展をと
げ、ことにマイクロメカニックおよび集積光学技術が注
目を集めることになると考えられている。これら諸技術
はマイクロエレクトロニクスと結びついて、思いも及ば
ぬ多数の、新規の電気的、光学的、生物学的、機械的機
能素子を開発するものと期待される。
り、徹底した微細化と集積化が行われ、対応する技術と
共にほとんど展望し得ないほどの多種多様な新規製品が
開発されて来た。ここ数年間、マイクロエレクトロニク
スは、他の産業部門に対し微細化において圧倒的な優位
を獲得した。また将来他の微小技術も大きな進展をと
げ、ことにマイクロメカニックおよび集積光学技術が注
目を集めることになると考えられている。これら諸技術
はマイクロエレクトロニクスと結びついて、思いも及ば
ぬ多数の、新規の電気的、光学的、生物学的、機械的機
能素子を開発するものと期待される。
【０００３】マイクロエレクトロニクスの非電気的素
子、システム構成素子、サブシステムの大量生産によ
り、当然のことながら、著しく効率的な半導体技術的製
造方法が、極めて大規模に利用される。同時に、従来の
シリコンプレート技術の狭い領域を離れ、多種多様な形
態、材料で構成されるべき新規技術形成の可能性を開拓
可能ならしめるために、マイクロメカニック用微細材料
技術の古典的方法を洗練させ、これに対応して改変され
る半導体大量生産技術と融合させるための研究が行われ
ねばならない。この必要性は、例えばいわゆるＬＩＧＡ
法で大いに充足される。このＬＩＧＡ法は、次の工程、
すなわちリトグラフィー（Ｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｉ
ｅ）、電気的成形（Ｇａｌｖａｎｏｆｏｒｍｕｎｇ）お
よびモールド成形（Ａｂｆｏｒｍｕｎｇ）から成り、ケ
ルンフォルシュングスツェントルム、カルルスルーエ
（ＫｆＫ）（Ｋｅｒｎｆｏｒｓｃｈｕｎｇｓｚｅｎｔｒ
ｕｍ Ｋａｒｌｓｒｕｈｅ）で開発されたものである。
子、システム構成素子、サブシステムの大量生産によ
り、当然のことながら、著しく効率的な半導体技術的製
造方法が、極めて大規模に利用される。同時に、従来の
シリコンプレート技術の狭い領域を離れ、多種多様な形
態、材料で構成されるべき新規技術形成の可能性を開拓
可能ならしめるために、マイクロメカニック用微細材料
技術の古典的方法を洗練させ、これに対応して改変され
る半導体大量生産技術と融合させるための研究が行われ
ねばならない。この必要性は、例えばいわゆるＬＩＧＡ
法で大いに充足される。このＬＩＧＡ法は、次の工程、
すなわちリトグラフィー（Ｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｉ
ｅ）、電気的成形（Ｇａｌｖａｎｏｆｏｒｍｕｎｇ）お
よびモールド成形（Ａｂｆｏｒｍｕｎｇ）から成り、ケ
ルンフォルシュングスツェントルム、カルルスルーエ
（ＫｆＫ）（Ｋｅｒｎｆｏｒｓｃｈｕｎｇｓｚｅｎｔｒ
ｕｍ Ｋａｒｌｓｒｕｈｅ）で開発されたものである。
【０００４】関心が寄せられている微細パターン製品
は、加速、流動ないし循環、超音波、湿分ないし湿度な
どのセンサ、マイクロモータ、微小空気力学的構成素
子、マイクロエレクトロニクス用コネクタ、マイクロ光
学素子、ファイバーオプティクス、マイクロエレクトロ
ード、紡糸ノズル、マイクロフィルタ、マイクロベアリ
ング、薄膜などである。
は、加速、流動ないし循環、超音波、湿分ないし湿度な
どのセンサ、マイクロモータ、微小空気力学的構成素
子、マイクロエレクトロニクス用コネクタ、マイクロ光
学素子、ファイバーオプティクス、マイクロエレクトロ
ード、紡糸ノズル、マイクロフィルタ、マイクロベアリ
ング、薄膜などである。
【０００５】ＬＩＧＡ法の本質的処理工程は、使用され
る重合体の精密な放射線露出である。ＬＩＧＡ法の原則
的な実施可能性は、特別に製造されたポリメチルメタク
リレート（以下ＰＭＭＡと略称する）による微小パター
ン成形体に依存することが実証されている。
る重合体の精密な放射線露出である。ＬＩＧＡ法の原則
的な実施可能性は、特別に製造されたポリメチルメタク
リレート（以下ＰＭＭＡと略称する）による微小パター
ン成形体に依存することが実証されている。
【０００６】数μｍからｍｍ領域のパターン深さを有す
る複雑な三次元パターンを上述のＬＩＧＡ法により製造
するためには、ＰＭＭＡあるいは西独特許出願公開４１
０７６６２号、４０１７８５１号、４１４１３５２号各
公報に記載されているような感Ｘ線性の特定の重合体を
導電性担体板上に装着しなければならない。
る複雑な三次元パターンを上述のＬＩＧＡ法により製造
するためには、ＰＭＭＡあるいは西独特許出願公開４１
０７６６２号、４０１７８５１号、４１４１３５２号各
公報に記載されているような感Ｘ線性の特定の重合体を
導電性担体板上に装着しなければならない。
【０００７】上記方法において、これまで接着層として
チタンが使用されており、これは蒸着もしくはスパッタ
リングにより銅担体上に施され、次いでその表面が酸化
される（Ｊ．Ｖａｃ．Ｓｃｉ．Ｔｅｃｈｎｏｌ．Ｂ６
（１）Ｊａｎ／Ｆｅｂ １９８８、１７８頁における
Ｗ．エールフェルト、Ｐ．ブライ、Ｆ．ゲッツ、Ｊ．モ
ール、Ｄ．ミュンヒマイア、Ｗ．シェルプ、Ｈ．Ｊ．バ
ーリング、Ｄ．ベーツらの論稿参照）。
チタンが使用されており、これは蒸着もしくはスパッタ
リングにより銅担体上に施され、次いでその表面が酸化
される（Ｊ．Ｖａｃ．Ｓｃｉ．Ｔｅｃｈｎｏｌ．Ｂ６
（１）Ｊａｎ／Ｆｅｂ １９８８、１７８頁における
Ｗ．エールフェルト、Ｐ．ブライ、Ｆ．ゲッツ、Ｊ．モ
ール、Ｄ．ミュンヒマイア、Ｗ．シェルプ、Ｈ．Ｊ．バ
ーリング、Ｄ．ベーツらの論稿参照）。
【０００８】しかしながら、このような方法は必ずしも
満足し得るものではない。重合体の導電性担体上の接着
も、以後に行われる電気的処理の際の出発時点の厚さ
も、不充分であって、酸化により表面に成形される接着
層の再現可能性が充分ではなく、重合体とチタンもしく
は酸化チタンとの境界層において、チタンによる高度の
Ｘ線吸収が行われるため蓄積線量が飛躍的に上昇し、こ
れにより好ましくない熱の発生とＸ線および電子の背面
散乱効果をもたらすに至るからである。
満足し得るものではない。重合体の導電性担体上の接着
も、以後に行われる電気的処理の際の出発時点の厚さ
も、不充分であって、酸化により表面に成形される接着
層の再現可能性が充分ではなく、重合体とチタンもしく
は酸化チタンとの境界層において、チタンによる高度の
Ｘ線吸収が行われるため蓄積線量が飛躍的に上昇し、こ
れにより好ましくない熱の発生とＸ線および電子の背面
散乱効果をもたらすに至るからである。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】そこで本発明の目的と
するところは、上述した欠点を回避克服し、金属担体上
に、ＬＩＧＡ法にも適用し得る、適当な接着層を形成す
ることができる改善された微小パターン成形体製造方法
を提供することである。
するところは、上述した欠点を回避克服し、金属担体上
に、ＬＩＧＡ法にも適用し得る、適当な接着層を形成す
ることができる改善された微小パターン成形体製造方法
を提供することである。
【００１０】
【課題を解決するための手段】しかるに上述の目的は、
同時に少なくとも２種類の互いに相違する化学元素を蒸
着もしくは陰極スパッタリングにより金属担体上に施
し、両元素の一方を選択的にあるいは部分的に除去する
方法により、上述した欠点をもたらさない接着層を形成
し得ることが見出された。
同時に少なくとも２種類の互いに相違する化学元素を蒸
着もしくは陰極スパッタリングにより金属担体上に施
し、両元素の一方を選択的にあるいは部分的に除去する
方法により、上述した欠点をもたらさない接着層を形成
し得ることが見出された。
【００１１】本発明の対象は、接着層により導電性担体
上に装着された重合体を、シンクロトロン放射線に対し
て画像形成露出し、画像形成露出された部分を除去する
ことにより、数μｍからｍｍ領域のパターン深さを有す
る微小パターン成形体を製造する方法であって、少なく
とも２種類の相違する化学元素から成る接着層が、同時
に蒸散もしくは陰極スパッタリングにより導電性担体上
に施され、次いで導電性担体上に施された化学元素の少
なくとも一方が、重合体積層前に、選択的もしくは部分
的に除去されることを特徴とする方法。
上に装着された重合体を、シンクロトロン放射線に対し
て画像形成露出し、画像形成露出された部分を除去する
ことにより、数μｍからｍｍ領域のパターン深さを有す
る微小パターン成形体を製造する方法であって、少なく
とも２種類の相違する化学元素から成る接着層が、同時
に蒸散もしくは陰極スパッタリングにより導電性担体上
に施され、次いで導電性担体上に施された化学元素の少
なくとも一方が、重合体積層前に、選択的もしくは部分
的に除去されることを特徴とする方法。
【００１２】化学元素の部分的ないし選択的除去は、エ
ッチングにより行われ得る。また接着層化学元素の一方
の全体的もしくは部分的除去は、無機酸、塩基性化合物
により化学的にまたはプラズマエッチング法により行わ
れ得る。接着層厚さは１０-4μｍから１０μｍの範囲が
好ましい。
ッチングにより行われ得る。また接着層化学元素の一方
の全体的もしくは部分的除去は、無機酸、塩基性化合物
により化学的にまたはプラズマエッチング法により行わ
れ得る。接着層厚さは１０-4μｍから１０μｍの範囲が
好ましい。
【００１３】接着層の化学元素としては、例えばベリリ
ウム、硼素、マグネシウムあるいはアルミニウムと、こ
れとの組合わせとして炭素、珪素、チタンあるいはクロ
ムとが挙げられる。
ウム、硼素、マグネシウムあるいはアルミニウムと、こ
れとの組合わせとして炭素、珪素、チタンあるいはクロ
ムとが挙げられる。
【００１４】本発明方法により、感Ｘ線性重合体から、
パターン深さ３μｍから２００μｍ、横方向寸法が１０
μｍ以内の微小パターン成形体が得られる。
パターン深さ３μｍから２００μｍ、横方向寸法が１０
μｍ以内の微小パターン成形体が得られる。
【００１５】本発明方法は、ことにこれに続いてＬＩＧ
Ａ法において慣用の電気的成形およびモールド成形を行
って金属もしくは合成樹脂から微小パターン成形体を製
造するのに適する。
Ａ法において慣用の電気的成形およびモールド成形を行
って金属もしくは合成樹脂から微小パターン成形体を製
造するのに適する。
【００１６】担体としては、あらゆる導電性材料が使用
され得るが、好ましいのは金属、例えばスチール、ニッ
ケル、アルミニウム、銅であるが、ことに厚さ８ｍｍ程
度の銅板が好ましい。なお担体としてさらにシリコンウ
エハが使用され得る。
され得るが、好ましいのは金属、例えばスチール、ニッ
ケル、アルミニウム、銅であるが、ことに厚さ８ｍｍ程
度の銅板が好ましい。なお担体としてさらにシリコンウ
エハが使用され得る。
【００１７】接着層厚さは１０-4μｍから１０μｍ、こ
とに３から６μｍの範囲が好ましい。接着層の形成は、
２０℃において固体状の２種類もしくはそれ以上の種類
の化学元素が使用され得るが、好ましいのは周期表１族
から３族の、固体状で空気雰囲気中で安定な元素の組合
わせであって、ベリリウム、硼素および／あるいはマグ
ネシウムおよび／あるいはアルミニウムと、炭素および
／あるいは珪素および／あるいはチタンおよび／あるい
はクロムとの組合わせがことに好ましい。
とに３から６μｍの範囲が好ましい。接着層の形成は、
２０℃において固体状の２種類もしくはそれ以上の種類
の化学元素が使用され得るが、好ましいのは周期表１族
から３族の、固体状で空気雰囲気中で安定な元素の組合
わせであって、ベリリウム、硼素および／あるいはマグ
ネシウムおよび／あるいはアルミニウムと、炭素および
／あるいは珪素および／あるいはチタンおよび／あるい
はクロムとの組合わせがことに好ましい。
【００１８】本発明方法による接着層の形成は、蒸着、
電弧成層あるいは化学的気相分離により行われるが、こ
とに陰極スパッタリングによるのが好ましい。この陰極
スパッタリングには種々の方法、例えばマグネトロンス
パッタリング、ＤＣもしくはＲＦスパッタリング、バイ
アススパッタリング、反応性スパッタリング、これらの
併用が適当である。マグネトロンスパッタリングの場
合、スパッタリング処理されるべき外部磁場内のターゲ
ット部分にプラズマが集中され、これによりスパッタリ
ング効果が高められる。ＤＣないしＲＦスパッタリング
の場合、スパッタリングプラズマの励起は、それ自体公
知の態様でＤＣもしくはＲＦの発生器により行われる。
バイアススパッタリングの場合、成層されるべき成形体
は、原則的に負のバイアス電圧が賦課され、成層処理の
間、イオンによる成形体の集中的衝撃が行われる。多重
金属要素合金の製造は、常法により、適当なターゲット
を層形成装置中に設置し、希ガスプラズマ、ことにアル
ゴンプラズマ内においてスパッタリングする。適当なタ
ーゲットは、公知の態様で溶融法ないし粉末冶金法によ
り製造される均質合金ターゲット、あるいは種々相違す
る化学的構成要素の各部分の結合もしくは小板状材料を
均質ターゲット上に載置して製造される非均質モザイッ
クターゲツトである。さらに、２種類もしくはそれ以上
の種類の構成要素のターゲットを同時にスパッタリング
処理して合金を製造することもできる。ＤＣないしＲＦ
発生器は直流電圧（ＤＣ）あるいは高周波電圧（ＲＦ）
を発生させる電源回路である。
電弧成層あるいは化学的気相分離により行われるが、こ
とに陰極スパッタリングによるのが好ましい。この陰極
スパッタリングには種々の方法、例えばマグネトロンス
パッタリング、ＤＣもしくはＲＦスパッタリング、バイ
アススパッタリング、反応性スパッタリング、これらの
併用が適当である。マグネトロンスパッタリングの場
合、スパッタリング処理されるべき外部磁場内のターゲ
ット部分にプラズマが集中され、これによりスパッタリ
ング効果が高められる。ＤＣないしＲＦスパッタリング
の場合、スパッタリングプラズマの励起は、それ自体公
知の態様でＤＣもしくはＲＦの発生器により行われる。
バイアススパッタリングの場合、成層されるべき成形体
は、原則的に負のバイアス電圧が賦課され、成層処理の
間、イオンによる成形体の集中的衝撃が行われる。多重
金属要素合金の製造は、常法により、適当なターゲット
を層形成装置中に設置し、希ガスプラズマ、ことにアル
ゴンプラズマ内においてスパッタリングする。適当なタ
ーゲットは、公知の態様で溶融法ないし粉末冶金法によ
り製造される均質合金ターゲット、あるいは種々相違す
る化学的構成要素の各部分の結合もしくは小板状材料を
均質ターゲット上に載置して製造される非均質モザイッ
クターゲツトである。さらに、２種類もしくはそれ以上
の種類の構成要素のターゲットを同時にスパッタリング
処理して合金を製造することもできる。ＤＣないしＲＦ
発生器は直流電圧（ＤＣ）あるいは高周波電圧（ＲＦ）
を発生させる電源回路である。
【００１９】接着層のエッチングは、反応性ガス、プラ
ズマにより、あるいは有機酸、無機酸、酸化剤、塩基性
試薬を使用して電気化学的もしくは化学的に行われる。
これらの処理により、接着層中に在る化学元素の少なく
とも一方は、全体的もしくは部分的に表面から除去され
る。これにより接着層中に微細空隙ないし欠損部分がも
たらされ、これは重合体の機械的接合のための接着作用
をなす。
ズマにより、あるいは有機酸、無機酸、酸化剤、塩基性
試薬を使用して電気化学的もしくは化学的に行われる。
これらの処理により、接着層中に在る化学元素の少なく
とも一方は、全体的もしくは部分的に表面から除去され
る。これにより接着層中に微細空隙ないし欠損部分がも
たらされ、これは重合体の機械的接合のための接着作用
をなす。
【００２０】Ａｌ／Ｓｉ層のエッチングのためには、苛
性ソーダ液および／あるいはＨＣｌおよび／あるいはＨ
Ｆを使用するのが好ましい。このエッチングのために
は、接着層上に薄い亜鉛層を形成するため亜鉛酸塩液も
使用され得る。しかしながら、亜鉛酸塩はエッチング処
理後の追加的処理用に使用される。亜鉛酸塩液は例えば
水酸化ナトリウムのほかに、さらに亜鉛塩、例えば炭酸
亜鉛、酸化亜鉛、場合によりさらに他の添加剤、例えば
ＦｅＣｌ2 および／あるいはカリウムナトリウムタータ
レートおよび／あるいはナトリウムグルコネートおよび
／あるいはサリチル酸を含有し得る。この追加的処理
は、重合体の積層、画像形成露出および／現像後、電気
的成形前に始めて実施され、鍍金金属の良好な接着性を
もたらすことができる。
性ソーダ液および／あるいはＨＣｌおよび／あるいはＨ
Ｆを使用するのが好ましい。このエッチングのために
は、接着層上に薄い亜鉛層を形成するため亜鉛酸塩液も
使用され得る。しかしながら、亜鉛酸塩はエッチング処
理後の追加的処理用に使用される。亜鉛酸塩液は例えば
水酸化ナトリウムのほかに、さらに亜鉛塩、例えば炭酸
亜鉛、酸化亜鉛、場合によりさらに他の添加剤、例えば
ＦｅＣｌ2 および／あるいはカリウムナトリウムタータ
レートおよび／あるいはナトリウムグルコネートおよび
／あるいはサリチル酸を含有し得る。この追加的処理
は、重合体の積層、画像形成露出および／現像後、電気
的成形前に始めて実施され、鍍金金属の良好な接着性を
もたらすことができる。
【００２１】重合体としてはＬＩＧＡ法に適当なすべて
の感Ｘ線性レジストを使用し得るが、ポリメチルメタク
リレート、ポリオキシメチレン、脂肪族ポリエステル、
例えばポリラクタイド、ポリアクタイド／グリコライド
共重合体がことに好ましい。重合体は射出成形により、
あるいは押出しおよびカレンダー処理により重合体シー
トを、接着層が施された担体上に施される。
の感Ｘ線性レジストを使用し得るが、ポリメチルメタク
リレート、ポリオキシメチレン、脂肪族ポリエステル、
例えばポリラクタイド、ポリアクタイド／グリコライド
共重合体がことに好ましい。重合体は射出成形により、
あるいは押出しおよびカレンダー処理により重合体シー
トを、接着層が施された担体上に施される。
【００２２】
【実施例】以下の実施例により本発明をさらに具体的に
説明するが、ここで使用される％、部は、特に言及され
ない限り、すべて重量に関するものである。
説明するが、ここで使用される％、部は、特に言及され
ない限り、すべて重量に関するものである。
【００２３】（Ａ）アルミニウム／シリコン接着層 研磨された銅薄板（１００×７０ｍｍ2 、厚さ１ｍｍ）
を陰極スパッタリング装置に装填し、この薄板に平行に
６０ｍｍの間隔を置いて円形（直径２００ｍｍ）の、組
成Ａｌ70Ｓｉ30のターゲットを設置した。このスパッタ
リング装置の真空室を５×１０-7ミリバールに減圧し、
基板温度２００℃においてＣｕ薄板をまずＲＦ電圧の賦
課によりスパッタリング処理した。この場合Ｃｕ薄板に
対し、−９０Ｖから３０Ｖごとに段階的に、それぞれ２
分の間隔を置いて−１８０Ｖまで負のバイアス電圧を賦
課した。スパッタリング処理後、アルゴン圧を５×１０
-3まで減圧し、ＤＣ電圧（５００Ｗ）をＡｌ70Ｓｉ30タ
ーゲットに掛けて、Ｃｕ薄板上に厚さ３．５μｍの接着
層を施した。この場合基板温度を２００℃、基板のＲＦ
バイアス電圧を−９０Ｖに維持した。
を陰極スパッタリング装置に装填し、この薄板に平行に
６０ｍｍの間隔を置いて円形（直径２００ｍｍ）の、組
成Ａｌ70Ｓｉ30のターゲットを設置した。このスパッタ
リング装置の真空室を５×１０-7ミリバールに減圧し、
基板温度２００℃においてＣｕ薄板をまずＲＦ電圧の賦
課によりスパッタリング処理した。この場合Ｃｕ薄板に
対し、−９０Ｖから３０Ｖごとに段階的に、それぞれ２
分の間隔を置いて−１８０Ｖまで負のバイアス電圧を賦
課した。スパッタリング処理後、アルゴン圧を５×１０
-3まで減圧し、ＤＣ電圧（５００Ｗ）をＡｌ70Ｓｉ30タ
ーゲットに掛けて、Ｃｕ薄板上に厚さ３．５μｍの接着
層を施した。この場合基板温度を２００℃、基板のＲＦ
バイアス電圧を−９０Ｖに維持した。
【００２４】このアルミニウム／シリコン接着層を、２
５℃において１０％の水酸化ナトリウム溶液中に１分間
浸漬してエッチング処理し、蒸留水で洗浄し、乾燥し
た。
５℃において１０％の水酸化ナトリウム溶液中に１分間
浸漬してエッチング処理し、蒸留水で洗浄し、乾燥し
た。
【００２５】（Ｂ）重合体／担体重層体の形成、シンク
ロトロン放射線被曝および現像 平均分子量３０００００の市販ポリメチルメタクリレー
ト顆粒を、表面粗さ０．２μｍ、厚さ８ｍｍの銅板上に
プレスして厚さ２００μｍの層とした。このために使用
された銅板は、上記（Ａ）に述べたように後処理したア
ルミニウム／シリコン合金を重層したものである。
ロトロン放射線被曝および現像 平均分子量３０００００の市販ポリメチルメタクリレー
ト顆粒を、表面粗さ０．２μｍ、厚さ８ｍｍの銅板上に
プレスして厚さ２００μｍの層とした。このために使用
された銅板は、上記（Ａ）に述べたように後処理したア
ルミニウム／シリコン合金を重層したものである。
【００２６】円筒形パターン（直径４５μｍから５μ
ｍ）を有するＸ線用マスクを経てシンクロトロン放射線
に被曝し、現像液（ＧＧ現像液、西独特許出願公開３０
３９１１０号公報参照）で処理して、ポリメチルメタク
リレートから成る微小パターン成形体を得た。この各パ
ターンは直径４５μｍと１８μｍの円筒から成り、さら
に直径８μｍのものが６０％、直径５μｍのものが２５
％含まれる。
ｍ）を有するＸ線用マスクを経てシンクロトロン放射線
に被曝し、現像液（ＧＧ現像液、西独特許出願公開３０
３９１１０号公報参照）で処理して、ポリメチルメタク
リレートから成る微小パターン成形体を得た。この各パ
ターンは直径４５μｍと１８μｍの円筒から成り、さら
に直径８μｍのものが６０％、直径５μｍのものが２５
％含まれる。
【００２７】さらにＬＩＧＡ法によるその後の処理、す
なわち電鍍成形およびモールド成形した。
なわち電鍍成形およびモールド成形した。
【００２８】対比例 同様に平均分子３０００００の市販ポリメチルメタクリ
レート顆粒を、表面粗さ０．２μｍ、厚さ８ｍｍの銅板
上にプレスして厚さ２００μｍの層とした。このために
使用された銅板は、約３．５μｍのチタンで重層され、
表面は過酸化水素により酸化されたものである。
レート顆粒を、表面粗さ０．２μｍ、厚さ８ｍｍの銅板
上にプレスして厚さ２００μｍの層とした。このために
使用された銅板は、約３．５μｍのチタンで重層され、
表面は過酸化水素により酸化されたものである。
【００２９】円筒形パターン（直径４５μｍから３μ
ｍ）を有するＸ線用マスクを経てシンクロトロン放射線
に被曝し、現像液（同上）で処理して、ポリメチルメタ
クリレートから成る微小パターン成形体を得た。円筒形
パターンは直径４５μｍのものがわずかに４０％形成さ
れ、直径１８μｍのパターンは５％のみ、それ以下の直
径のパターンは認められなかった。
ｍ）を有するＸ線用マスクを経てシンクロトロン放射線
に被曝し、現像液（同上）で処理して、ポリメチルメタ
クリレートから成る微小パターン成形体を得た。円筒形
パターンは直径４５μｍのものがわずかに４０％形成さ
れ、直径１８μｍのパターンは５％のみ、それ以下の直
径のパターンは認められなかった。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ゲールハルト、ホフマン ドイツ連邦共和国、6701、オターシュタッ ト、パペルシュトラーセ、22 (72)発明者 ハルトムート、ヒブスト ドイツ連邦共和国、6905、シュリースハイ ム、ブラニッヒシュトラーセ、23
Claims (7)
- 【請求項１】 接着層により導電性担体上に装着された
重合体を、シンクロトロン放射線により画像形成露出
し、画像形成露出された部分を除去することにより、数
μｍからｍｍ領域のパターン深さを有する微小パターン
成形体を製造する方法であって、少なくとも２種類の相
違する化学元素から成る接着層が、同時に蒸散もしくは
陰極スパッタリングにより導電性担体上に施され、次い
で導電性担体上に施された化学元素の少なくとも一方
が、重合体積層前に、選択的もしくは部分的に除去され
ることを特徴とする方法。 - 【請求項２】 化学元素の除去がエッチングにより行わ
れることを特徴とする、請求項（１）による方法。 - 【請求項３】 接着層の化学元素として、ベリリウム、
硼素、マグネシウムあるいはアルミニウムが、炭素、珪
素、チタンあるいはクロムとの組合わせで使用されるこ
とを特徴とする請求項（１）もしくは（２）による方
法。 - 【請求項４】 接着層化学元素の一方の全体的ないし部
分的除去が、無機酸、塩基性化合物で化学的に、あるい
はプラズマエッチング法により行われることを特徴とす
る、請求項（１）から（３）のいずれかによる方法。 - 【請求項５】 接着層化学元素の一方の全体的もしくは
部分的除去が、亜鉛酸塩液の併用下に塩基性化合物によ
り行われることを特徴とする、請求項（４）による方
法。 - 【請求項６】 導電性担体の代りにシリコンウエハが使
用されることを特徴とする、請求項（１）から（５）の
いずれかによる方法。 - 【請求項７】 パターン深さが３μｍから２０００μ
ｍ、横方向寸法が１０μｍ以下の感Ｘ線性重合体微小パ
ターン成形体が製造され、次いで必要に応じ、ＬＩＧＡ
法に慣用の電気的成形およびモールド成形の各処理が行
われ、金属もしくは合成樹脂から微小パターン成形体が
製造されることを特徴とする、請求項（１）から（６）
のいずれかによる方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE4223886.2 | 1992-07-21 | ||
| DE4223886A DE4223886A1 (de) | 1992-07-21 | 1992-07-21 | Verfahren zur Herstellung von Mikrostrukturkörpern |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06207277A true JPH06207277A (ja) | 1994-07-26 |
Family
ID=6463670
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5171516A Withdrawn JPH06207277A (ja) | 1992-07-21 | 1993-07-12 | 微小パターン成形体の製造方法 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP0580036A2 (ja) |
| JP (1) | JPH06207277A (ja) |
| KR (1) | KR940006210A (ja) |
| DE (1) | DE4223886A1 (ja) |
| TW (1) | TW228033B (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE4324079A1 (de) * | 1993-07-19 | 1995-01-26 | Basf Ag | Verfahren zur Herstellung von Mikrostrukturkörpern |
| JP3428123B2 (ja) * | 1994-03-11 | 2003-07-22 | 住友電気工業株式会社 | 表面改質フッ素樹脂の製造方法 |
| DE19858531C1 (de) * | 1998-12-18 | 2000-03-23 | Inst Mikrotechnik Mainz Gmbh | Verfahren zur Herstellung eines hochpräzisen keramischen oder/und metallischen Bauteils sowie danach hergestelltes Bauteil |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4431685A (en) * | 1982-07-02 | 1984-02-14 | International Business Machines Corporation | Decreasing plated metal defects |
-
1992
- 1992-07-21 DE DE4223886A patent/DE4223886A1/de not_active Withdrawn
-
1993
- 1993-07-09 EP EP93110992A patent/EP0580036A2/de not_active Withdrawn
- 1993-07-12 JP JP5171516A patent/JPH06207277A/ja not_active Withdrawn
- 1993-07-21 KR KR1019930013738A patent/KR940006210A/ko not_active Withdrawn
- 1993-07-23 TW TW082105878A patent/TW228033B/zh active
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| TW228033B (ja) | 1994-08-11 |
| DE4223886A1 (de) | 1994-01-27 |
| EP0580036A3 (ja) | 1994-03-23 |
| EP0580036A2 (de) | 1994-01-26 |
| KR940006210A (ko) | 1994-03-23 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
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