JPH06209070A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPH06209070A JPH06209070A JP50A JP160893A JPH06209070A JP H06209070 A JPH06209070 A JP H06209070A JP 50 A JP50 A JP 50A JP 160893 A JP160893 A JP 160893A JP H06209070 A JPH06209070 A JP H06209070A
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
- H10W90/756—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked lead frame, conducting package substrate or heat sink
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 狭ピッチ化実現のためインナーリードとアウ
ターリードを別々に製造しそれらを接合したリードフレ
ームにおいて、リードフォーミング時のリード接合部の
機械的接合強度を保持するとともに、インナーリードの
取扱い等での変形を防止し、信頼性の高い半導体装置を
製造する。 【構成】 インナーリード６をポリイミドテープ３で固
定し、樹脂１０によりモールディングされるインナーリ
ード６のタイバー部をカットした後、インナーリード６
とアウターリード７の接合部を樹脂１０によりモールデ
ィングして、樹脂１０によりモールディングされていな
いタイバー部をカットする。
ターリードを別々に製造しそれらを接合したリードフレ
ームにおいて、リードフォーミング時のリード接合部の
機械的接合強度を保持するとともに、インナーリードの
取扱い等での変形を防止し、信頼性の高い半導体装置を
製造する。 【構成】 インナーリード６をポリイミドテープ３で固
定し、樹脂１０によりモールディングされるインナーリ
ード６のタイバー部をカットした後、インナーリード６
とアウターリード７の接合部を樹脂１０によりモールデ
ィングして、樹脂１０によりモールディングされていな
いタイバー部をカットする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、狭ピッチ化をおこなう
ためのリードフレームを使用した半導体装置の製造方法
に関するものである。
ためのリードフレームを使用した半導体装置の製造方法
に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来から、半導体装置のリードフレーム
の製造方法は、半導体素子を搭載するダイパッド部と、
半導体素子とボンディングワイヤーで接続するインナー
リードと配線基板に装着するアウターリードとを一括し
て、スタンピング，エッチング等の方法により銅や４２
合金等の金属板を加工している。近年、リードフレーム
の多ピン化に伴い、リードピッチの狭いインナーリード
をＴＡＢ等で製造し、比較的リードピッチの広いアウタ
ーリードをスタンピング，エッチング等の別方式で製造
し、両者を熱圧着等により接合することで狭ピッチ化を
実現している。
の製造方法は、半導体素子を搭載するダイパッド部と、
半導体素子とボンディングワイヤーで接続するインナー
リードと配線基板に装着するアウターリードとを一括し
て、スタンピング，エッチング等の方法により銅や４２
合金等の金属板を加工している。近年、リードフレーム
の多ピン化に伴い、リードピッチの狭いインナーリード
をＴＡＢ等で製造し、比較的リードピッチの広いアウタ
ーリードをスタンピング，エッチング等の別方式で製造
し、両者を熱圧着等により接合することで狭ピッチ化を
実現している。
【０００３】以下に従来の別方式で製造したインナーリ
ードとアウターリードの接合によるリードフレームを用
いた半導体装置の製造方法について説明する。
ードとアウターリードの接合によるリードフレームを用
いた半導体装置の製造方法について説明する。
【０００４】図１２は従来の半導体装置の製造方法によ
り製造されたインナーリードとアウターリードの接合に
よるリードフレームを用いてリードフォーミング工程を
行なった半導体装置の断面図、図１３は従来の半導体装
置の製造方法により製造された図１２に示す半導体装置
のインナーリードフレーム及びアウターリードフレーム
の斜視図、図１４は従来の半導体装置の製造方法により
製造された図１２に示す半導体装置のインナーリードと
アウターリードとの接合時の断面図、図１５は従来の半
導体装置の製造方法により製造された図１２に示す半導
体装置のリードフレームに半導体素子を実装して樹脂に
よりモールディングした断面図、図１６は従来の半導体
装置の製造方法により製造された図１２に示す半導体装
置のリードフレームのタイバー部カット後の断面図であ
る。以下、従来の半導体装置の製造方法について説明す
る。まず、エッチング，アディティブ法により作製した
図１３に示すインナーリードフレーム１とスタンピン
グ，エッチング法により作製したアウターリードフレー
ム２の各リードの位置合わせを精度良く行なうため、タ
イバー部４とタイバー部５を図１４に示すように熱圧着
等により接合後、図１５に示すように半導体素子８をダ
イパッド２１上に実装後、インナーリード６とボンディ
ングワイヤー９で接続する。この後、半導体素子８とイ
ンナーリード６を樹脂１０でモールディングし、接合部
のタイバー部４，タイバー部５をカットして図１６に示
すように各インナーリード６とアウターリード７を独立
させる。最後にこの半導体装置を配線基板へ実装するた
め、このアウターリード７を図１２に示すようにＪやＬ
字等の形状にフォーミングを行う。
り製造されたインナーリードとアウターリードの接合に
よるリードフレームを用いてリードフォーミング工程を
行なった半導体装置の断面図、図１３は従来の半導体装
置の製造方法により製造された図１２に示す半導体装置
のインナーリードフレーム及びアウターリードフレーム
の斜視図、図１４は従来の半導体装置の製造方法により
製造された図１２に示す半導体装置のインナーリードと
アウターリードとの接合時の断面図、図１５は従来の半
導体装置の製造方法により製造された図１２に示す半導
体装置のリードフレームに半導体素子を実装して樹脂に
よりモールディングした断面図、図１６は従来の半導体
装置の製造方法により製造された図１２に示す半導体装
置のリードフレームのタイバー部カット後の断面図であ
る。以下、従来の半導体装置の製造方法について説明す
る。まず、エッチング，アディティブ法により作製した
図１３に示すインナーリードフレーム１とスタンピン
グ，エッチング法により作製したアウターリードフレー
ム２の各リードの位置合わせを精度良く行なうため、タ
イバー部４とタイバー部５を図１４に示すように熱圧着
等により接合後、図１５に示すように半導体素子８をダ
イパッド２１上に実装後、インナーリード６とボンディ
ングワイヤー９で接続する。この後、半導体素子８とイ
ンナーリード６を樹脂１０でモールディングし、接合部
のタイバー部４，タイバー部５をカットして図１６に示
すように各インナーリード６とアウターリード７を独立
させる。最後にこの半導体装置を配線基板へ実装するた
め、このアウターリード７を図１２に示すようにＪやＬ
字等の形状にフォーミングを行う。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら上記従来
の半導体装置の製造方法ではインナーリードフレーム１
はリードピッチが狭くインナーリード６が細くなるた
め、ライン搬送、接合工程、タイバー部４，タイバー部
５のカット工程での取扱いにおいてインナーリード６が
変形し易い。また、このインナーリードフレーム１とア
ウターリードフレーム２の接合方法では、リード接合部
が樹脂１０の外部に出るため外観が悪く、タイバー部
４，タイバー部５のカットやアウターリード７のフォー
ミング工程の際にリード接合部の剥がれ，折れ等が発生
し、十分な機械的強度を保持できないという問題点を有
していた。
の半導体装置の製造方法ではインナーリードフレーム１
はリードピッチが狭くインナーリード６が細くなるた
め、ライン搬送、接合工程、タイバー部４，タイバー部
５のカット工程での取扱いにおいてインナーリード６が
変形し易い。また、このインナーリードフレーム１とア
ウターリードフレーム２の接合方法では、リード接合部
が樹脂１０の外部に出るため外観が悪く、タイバー部
４，タイバー部５のカットやアウターリード７のフォー
ミング工程の際にリード接合部の剥がれ，折れ等が発生
し、十分な機械的強度を保持できないという問題点を有
していた。
【０００６】本発明は上記従来の問題点を解決するもの
で、ライン搬送，接合工程，タイバー部４，タイバー部
５のカット工程での取扱いにおいてリード変形を起こさ
ず、インナーリードフレーム１とアウターリードフレー
ム２との接合部がフォーミング加工等に対し十分な機械
的接合強度を持つような半導体装置の製造方法を提供す
ることを目的としている。
で、ライン搬送，接合工程，タイバー部４，タイバー部
５のカット工程での取扱いにおいてリード変形を起こさ
ず、インナーリードフレーム１とアウターリードフレー
ム２との接合部がフォーミング加工等に対し十分な機械
的接合強度を持つような半導体装置の製造方法を提供す
ることを目的としている。
【０００７】
【課題を解決するための手段】この上記目的を達成する
ために本発明は、インナーリードとアウターリードとを
別々に製造し、インナーリードとアウターリードとの接
合および半導体素子のリードフレームへの実装後、イン
ナーリードとアウターリードとの接合部を樹脂でモール
ドする。
ために本発明は、インナーリードとアウターリードとを
別々に製造し、インナーリードとアウターリードとの接
合および半導体素子のリードフレームへの実装後、イン
ナーリードとアウターリードとの接合部を樹脂でモール
ドする。
【０００８】
【作用】本発明は上記した製造方法によりインナーリー
ドフレームとアウターリードフレームの接合部を樹脂で
モールドするため、リード外観を損なわず、樹脂モール
ド後のタイバーのカットやリードフォーミング等の曲げ
加工に対する接合部の十分な機械的接合強度を保持する
ことができる。
ドフレームとアウターリードフレームの接合部を樹脂で
モールドするため、リード外観を損なわず、樹脂モール
ド後のタイバーのカットやリードフォーミング等の曲げ
加工に対する接合部の十分な機械的接合強度を保持する
ことができる。
【０００９】
（実施例１）以下本発明の第１の実施例について図面を
参照しながら説明する。図１は本発明の第１の実施例に
おける半導体装置の製造方法により製造された半導体装
置のリードフォーミング後の透視図である。図２は本発
明の第１の実施例における半導体装置の製造方法により
製造された図１に示す半導体装置のテーピング後のイン
ナーリードフレームとアウターリードフレームの斜視
図、図３は本発明の第１の実施例における半導体装置の
製造方法により製造された図１に示す半導体装置のイン
ナーリードとアウターリードとの接合時の断面図、図４
は本発明の第１の実施例における半導体装置の製造方法
により製造された図１に示す半導体装置のインナーリー
ドフレームのタイバー部カット後の断面図、図５は本発
明の第１の実施例における半導体装置の製造方法により
製造された図１に示す半導体装置のリードフレームに半
導体素子を実装した断面図、図６は本発明の第１の実施
例における半導体装置の製造方法により製造された図１
に示す半導体装置のリードフレームに樹脂によりモール
ディングした断面図、図７は本発明の第１の実施例にお
ける半導体装置の製造方法により製造された図１に示す
半導体装置のアウターリードフレームのタイバー部カッ
ト後の断面図である。各図に示すように、１はインナー
リードフレーム、４はインナーリードフレーム１に形成
されたタイバー部であり、６はインナーリードである。
１２はアウターリードフレーム、１５はアウターリード
フレーム１２に形成されたタイバー部であり、７はアウ
ターリードである。また、３はポリイミドテープ、２１
は半導体素子８を搭載するダイパッド、９は半導体素子
８とインナーリード６を接続するボンディングワイヤー
である。１０は半導体素子８とインナーリード６をモー
ルドする樹脂である。
参照しながら説明する。図１は本発明の第１の実施例に
おける半導体装置の製造方法により製造された半導体装
置のリードフォーミング後の透視図である。図２は本発
明の第１の実施例における半導体装置の製造方法により
製造された図１に示す半導体装置のテーピング後のイン
ナーリードフレームとアウターリードフレームの斜視
図、図３は本発明の第１の実施例における半導体装置の
製造方法により製造された図１に示す半導体装置のイン
ナーリードとアウターリードとの接合時の断面図、図４
は本発明の第１の実施例における半導体装置の製造方法
により製造された図１に示す半導体装置のインナーリー
ドフレームのタイバー部カット後の断面図、図５は本発
明の第１の実施例における半導体装置の製造方法により
製造された図１に示す半導体装置のリードフレームに半
導体素子を実装した断面図、図６は本発明の第１の実施
例における半導体装置の製造方法により製造された図１
に示す半導体装置のリードフレームに樹脂によりモール
ディングした断面図、図７は本発明の第１の実施例にお
ける半導体装置の製造方法により製造された図１に示す
半導体装置のアウターリードフレームのタイバー部カッ
ト後の断面図である。各図に示すように、１はインナー
リードフレーム、４はインナーリードフレーム１に形成
されたタイバー部であり、６はインナーリードである。
１２はアウターリードフレーム、１５はアウターリード
フレーム１２に形成されたタイバー部であり、７はアウ
ターリードである。また、３はポリイミドテープ、２１
は半導体素子８を搭載するダイパッド、９は半導体素子
８とインナーリード６を接続するボンディングワイヤー
である。１０は半導体素子８とインナーリード６をモー
ルドする樹脂である。
【００１０】以上のように構成された本発明の半導体装
置の製造方法について、以下に説明する。
置の製造方法について、以下に説明する。
【００１１】まず図２に示すようにエッチング，アディ
ティブ法等により作製したインナーリードフレーム１の
インナーリード６をポリイミドテープ３で固定し、タイ
バー部４をスタンピング，エッチング法等により作製し
たアウターリードフレーム１２の板厚の半分程度段落と
ししたアウターリード７の内側先端に載せ、図３に示す
ようにはんだや金めっき層等を介して熱圧着等によりこ
れらのタイバー部４とアウターリード７との接合を行
う。この後、インナーリード６をお互いに接続している
タイバー部４をカットして図４の状態となり、図５に示
すようにダイパッド２１上に半導体素子８を実装し、ボ
ンディングワイヤー９によりインナーリード６と接続す
る。次に、図６に示すようにインナーリード６と半導体
素子８をインナーリード６とアウターリード７との接合
部が外部に出ないように、かつタイバー部１５より内側
を樹脂１０によりモールディングし、タイバー部１５を
カット工程にてカットして図７の状態となり、さらにリ
ードフォーミングを行い図１の状態となる。
ティブ法等により作製したインナーリードフレーム１の
インナーリード６をポリイミドテープ３で固定し、タイ
バー部４をスタンピング，エッチング法等により作製し
たアウターリードフレーム１２の板厚の半分程度段落と
ししたアウターリード７の内側先端に載せ、図３に示す
ようにはんだや金めっき層等を介して熱圧着等によりこ
れらのタイバー部４とアウターリード７との接合を行
う。この後、インナーリード６をお互いに接続している
タイバー部４をカットして図４の状態となり、図５に示
すようにダイパッド２１上に半導体素子８を実装し、ボ
ンディングワイヤー９によりインナーリード６と接続す
る。次に、図６に示すようにインナーリード６と半導体
素子８をインナーリード６とアウターリード７との接合
部が外部に出ないように、かつタイバー部１５より内側
を樹脂１０によりモールディングし、タイバー部１５を
カット工程にてカットして図７の状態となり、さらにリ
ードフォーミングを行い図１の状態となる。
【００１２】このように本発明の第１の実施例によれ
ば、製造したインナーリードフレーム１のインナーリー
ド６をポリイミドテープ３で固定することでライン搬
送、接合工程、タイバー部４のカット工程での取扱いに
おいてインナーリード６の変形を防止し、また、インナ
ーリードフレーム１とアウターリードフレーム１２を接
合し、タイバー部４をカットして、半導体素子８を実装
後、インナーリード６とアウターリード７との接合部が
外部に出ないように樹脂１０によりモールディングする
ことにより、この後のリードフォーミング等に対するイ
ンナーリード６とアウターリード７との接合部の機械的
強度を保持することができる。
ば、製造したインナーリードフレーム１のインナーリー
ド６をポリイミドテープ３で固定することでライン搬
送、接合工程、タイバー部４のカット工程での取扱いに
おいてインナーリード６の変形を防止し、また、インナ
ーリードフレーム１とアウターリードフレーム１２を接
合し、タイバー部４をカットして、半導体素子８を実装
後、インナーリード６とアウターリード７との接合部が
外部に出ないように樹脂１０によりモールディングする
ことにより、この後のリードフォーミング等に対するイ
ンナーリード６とアウターリード７との接合部の機械的
強度を保持することができる。
【００１３】（実施例２）以下本発明の第２の実施例に
ついて図面を参照しながら説明する。図８は本発明の第
２の実施例における半導体装置の製造方法により製造さ
れた半導体装置のリードフォーミング後の断面図であ
る。図９は本発明の第２の実施例における半導体装置の
製造方法により製造された図８に示す半導体装置のテー
ピング後のインナーリードフレームとアウターリードフ
レームの斜視図、図１０は本発明の第２の実施例におけ
る半導体装置の製造方法により製造された図８に示す半
導体装置のインナーリードとアウターリードとの接合時
の断面図、図１１は本発明の第２の実施例における半導
体装置の製造方法により製造された図８に示す半導体装
置のリードフレームに樹脂によりモールディングした断
面図である。各図に示すように、１はインナーリードフ
レーム、４はインナーリードフレーム１に形成されたタ
イバー部であり、６はインナーリードである。２２はア
ウターリードフレーム、１５はアウターリードフレーム
２２に形成されたタイバー部であり、７はアウターリー
ドである。また、３はポリイミドテープを示し、１０は
半導体素子８とインナーリード６をモールドする樹脂
で、以上は図１，図２，図３，図４，図５，図６，図７
に示す本発明の第１の実施例の構成と同様なものであ
り、異なるのはアウターリードフレーム２２のタイバー
部１５の内側にインナータイバー部１１を設けた点であ
る。
ついて図面を参照しながら説明する。図８は本発明の第
２の実施例における半導体装置の製造方法により製造さ
れた半導体装置のリードフォーミング後の断面図であ
る。図９は本発明の第２の実施例における半導体装置の
製造方法により製造された図８に示す半導体装置のテー
ピング後のインナーリードフレームとアウターリードフ
レームの斜視図、図１０は本発明の第２の実施例におけ
る半導体装置の製造方法により製造された図８に示す半
導体装置のインナーリードとアウターリードとの接合時
の断面図、図１１は本発明の第２の実施例における半導
体装置の製造方法により製造された図８に示す半導体装
置のリードフレームに樹脂によりモールディングした断
面図である。各図に示すように、１はインナーリードフ
レーム、４はインナーリードフレーム１に形成されたタ
イバー部であり、６はインナーリードである。２２はア
ウターリードフレーム、１５はアウターリードフレーム
２２に形成されたタイバー部であり、７はアウターリー
ドである。また、３はポリイミドテープを示し、１０は
半導体素子８とインナーリード６をモールドする樹脂
で、以上は図１，図２，図３，図４，図５，図６，図７
に示す本発明の第１の実施例の構成と同様なものであ
り、異なるのはアウターリードフレーム２２のタイバー
部１５の内側にインナータイバー部１１を設けた点であ
る。
【００１４】以上のように構成された本発明の半導体装
置の製造方法について、以下に説明する。
置の製造方法について、以下に説明する。
【００１５】まず図９に示すようにエッチング，アディ
ティブ法等により作製したインナーリードフレーム１の
インナーリード６をポリイミドテープ３で固定し、タイ
バー部４をスタンピング，エッチング法等により作製し
たアウターリードフレーム２２の板厚の半分程度段落と
ししたインナータイバー部１１上に載せ、図１０に示す
ようにはんだや金めっき層等を介して熱圧着等によりこ
れらのタイバー部４とインナータイバー部１１との接合
を行う。この後、本発明の第１の実施例で説明した、図
４，図５，図６の場合と同様に接合部のタイバー部４，
インナータイバー部１１をカットし、ダイパッド２１上
に半導体素子８を実装し、ボンディングワイヤー９によ
りインナーリード６と接続する。次に、インナーリード
６と半導体素子８をインナーリード６とアウターリード
７との接合部が外部に出ないように、かつタイバー部１
５より内側を樹脂１０によりモールディングを行い図１
１の状態となる。最後に本発明の第１の実施例で説明し
た図７の場合と同様にタイバー部１５をカット工程にて
カットし、リードフォーミングを行い図８の状態とな
る。
ティブ法等により作製したインナーリードフレーム１の
インナーリード６をポリイミドテープ３で固定し、タイ
バー部４をスタンピング，エッチング法等により作製し
たアウターリードフレーム２２の板厚の半分程度段落と
ししたインナータイバー部１１上に載せ、図１０に示す
ようにはんだや金めっき層等を介して熱圧着等によりこ
れらのタイバー部４とインナータイバー部１１との接合
を行う。この後、本発明の第１の実施例で説明した、図
４，図５，図６の場合と同様に接合部のタイバー部４，
インナータイバー部１１をカットし、ダイパッド２１上
に半導体素子８を実装し、ボンディングワイヤー９によ
りインナーリード６と接続する。次に、インナーリード
６と半導体素子８をインナーリード６とアウターリード
７との接合部が外部に出ないように、かつタイバー部１
５より内側を樹脂１０によりモールディングを行い図１
１の状態となる。最後に本発明の第１の実施例で説明し
た図７の場合と同様にタイバー部１５をカット工程にて
カットし、リードフォーミングを行い図８の状態とな
る。
【００１６】このように本発明の第２の実施例によれ
ば、製造したインナーリードフレーム１のインナーリー
ド６をポリイミドテープ３で固定することでライン搬
送、接合工程、タイバー部４，インナータイバー部１１
のカット工程での取扱いにおいてインナーリード６の変
形を防止し、また、インナーリードフレーム１とアウタ
ーリードフレーム２２をタイバー部４とインナータイバ
ー部１１とで接合し、接合部のタイバー部４，インナー
タイバー部１１をカット、半導体素子８を実装後、イン
ナーリード６とアウターリード７との接合部が外部に出
ないように樹脂１０によりモールディングすることによ
り、インナーリード６とアウターリード７との接合部の
位置合わせ精度を大幅に緩和することができ、接合後の
リードフォーミング等に対するインナーリード６とアウ
ターリード７との接合部の機械的強度を保持することが
できる。
ば、製造したインナーリードフレーム１のインナーリー
ド６をポリイミドテープ３で固定することでライン搬
送、接合工程、タイバー部４，インナータイバー部１１
のカット工程での取扱いにおいてインナーリード６の変
形を防止し、また、インナーリードフレーム１とアウタ
ーリードフレーム２２をタイバー部４とインナータイバ
ー部１１とで接合し、接合部のタイバー部４，インナー
タイバー部１１をカット、半導体素子８を実装後、イン
ナーリード６とアウターリード７との接合部が外部に出
ないように樹脂１０によりモールディングすることによ
り、インナーリード６とアウターリード７との接合部の
位置合わせ精度を大幅に緩和することができ、接合後の
リードフォーミング等に対するインナーリード６とアウ
ターリード７との接合部の機械的強度を保持することが
できる。
【００１７】
【発明の効果】本発明は、インナーリードとアウターリ
ードとを別々に製造し、インナーリードとアウターリー
ドとの接合および半導体素子のリードフレームへの実装
後、インナーリードとアウターリードとの接合部を樹脂
でモールドすることによりインナーリードフレームとア
ウターリードフレームの接合部を樹脂でモールドするた
め、リード外観を損なわず、樹脂モールド後のタイバー
のカットやリードフォーミング等の曲げ加工に対する接
合部の十分な機械的接合強度を保持することができるの
で、狭ピッチ化されたリードフレームを持つ半導体装置
の製造を容易に行うことができる。
ードとを別々に製造し、インナーリードとアウターリー
ドとの接合および半導体素子のリードフレームへの実装
後、インナーリードとアウターリードとの接合部を樹脂
でモールドすることによりインナーリードフレームとア
ウターリードフレームの接合部を樹脂でモールドするた
め、リード外観を損なわず、樹脂モールド後のタイバー
のカットやリードフォーミング等の曲げ加工に対する接
合部の十分な機械的接合強度を保持することができるの
で、狭ピッチ化されたリードフレームを持つ半導体装置
の製造を容易に行うことができる。
【図１】本発明の第１の実施例における半導体装置の製
造方法により製造された半導体装置のリードフォーミン
グ後の透視図
造方法により製造された半導体装置のリードフォーミン
グ後の透視図
【図２】本発明の第１の実施例における半導体装置の製
造方法により製造された図１に示す半導体装置のテーピ
ング後のインナーリードフレームとアウターリードフレ
ームの斜視図
造方法により製造された図１に示す半導体装置のテーピ
ング後のインナーリードフレームとアウターリードフレ
ームの斜視図
【図３】本発明の第１の実施例における半導体装置の製
造方法により製造された図１に示す半導体装置のインナ
ーリードとアウターリードとの接合時の断面図
造方法により製造された図１に示す半導体装置のインナ
ーリードとアウターリードとの接合時の断面図
【図４】本発明の第１の実施例における半導体装置の製
造方法により製造された図１に示す半導体装置のインナ
ーリードフレームのタイバー部カット後の断面図
造方法により製造された図１に示す半導体装置のインナ
ーリードフレームのタイバー部カット後の断面図
【図５】本発明の第１の実施例における半導体装置の製
造方法により製造された図１に示す半導体装置のリード
フレームに半導体素子を実装した断面図
造方法により製造された図１に示す半導体装置のリード
フレームに半導体素子を実装した断面図
【図６】本発明の第１の実施例における半導体装置の製
造方法により製造された図１に示す半導体装置のリード
フレームに樹脂によりモールディングした断面図
造方法により製造された図１に示す半導体装置のリード
フレームに樹脂によりモールディングした断面図
【図７】本発明の第１の実施例における半導体装置の製
造方法により製造された図１に示す半導体装置のアウタ
ーリードフレームのタイバー部カット後の断面図
造方法により製造された図１に示す半導体装置のアウタ
ーリードフレームのタイバー部カット後の断面図
【図８】本発明の第２の実施例における半導体装置の製
造方法により製造された半導体装置のリードフォーミン
グ後の断面図
造方法により製造された半導体装置のリードフォーミン
グ後の断面図
【図９】本発明の第２の実施例における半導体装置の製
造方法により製造された図８に示す半導体装置のテーピ
ング後のインナーリードフレームとアウターリードフレ
ームの斜視図
造方法により製造された図８に示す半導体装置のテーピ
ング後のインナーリードフレームとアウターリードフレ
ームの斜視図
【図１０】本発明の第２の実施例における半導体装置の
製造方法により製造された図８に示す半導体装置のイン
ナーリードとアウターリードとの接合時の断面図
製造方法により製造された図８に示す半導体装置のイン
ナーリードとアウターリードとの接合時の断面図
【図１１】本発明の第２の実施例における半導体装置の
製造方法により製造された図８に示す半導体装置のリー
ドフレームに樹脂によりモールディングした断面図
製造方法により製造された図８に示す半導体装置のリー
ドフレームに樹脂によりモールディングした断面図
【図１２】従来の半導体装置の製造方法により製造され
たインナーリードとアウターリードの接合によるリード
フレームを用いてリードフォーミング工程を行った半導
体装置の断面図
たインナーリードとアウターリードの接合によるリード
フレームを用いてリードフォーミング工程を行った半導
体装置の断面図
【図１３】従来の半導体装置の製造方法により製造され
た図１２に示す半導体装置のインナーリードフレーム及
びアウターリードフレームの斜視図
た図１２に示す半導体装置のインナーリードフレーム及
びアウターリードフレームの斜視図
【図１４】従来の半導体装置の製造方法により製造され
た図１２に示す半導体装置のインナーリードとアウター
リードとの接合時の断面図
た図１２に示す半導体装置のインナーリードとアウター
リードとの接合時の断面図
【図１５】従来の半導体装置の製造方法により製造され
た図１２に示す半導体装置のリードフレームに半導体素
子を実装して樹脂によりモールディングした断面図
た図１２に示す半導体装置のリードフレームに半導体素
子を実装して樹脂によりモールディングした断面図
【図１６】従来の半導体装置の製造方法により製造され
た図１２に示す半導体装置のリードフレームのタイバー
部カット後の断面図
た図１２に示す半導体装置のリードフレームのタイバー
部カット後の断面図
１ インナーリードフレーム ３ ポリイミドテープ ４，１５ タイバー部 ６ インナーリード ７ アウターリード ８ 半導体素子 ９ ボンディングワイヤー １０ 樹脂 １１ インナータイバー部 １２，２２ アウターリードフレーム ２１ ダイパッド
Claims (2)
- 【請求項１】半導体素子を搭載するリードフレームのイ
ンナーリードと、前記リードフレームのアウターリード
とを別々に製造し、前記インナーリードと前記アウター
リードとの接合および半導体素子の前記リードフレーム
への実装後、前記インナーリードと前記アウターリード
との接合部を樹脂でモールドすることを特徴とする半導
体装置の製造方法。 - 【請求項２】前記インナーリードのお互いの位置を絶縁
部材で固定したことを特徴とする請求項１記載の半導体
装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP50A JPH06209070A (ja) | 1993-01-08 | 1993-01-08 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP50A JPH06209070A (ja) | 1993-01-08 | 1993-01-08 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06209070A true JPH06209070A (ja) | 1994-07-26 |
Family
ID=11506220
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP50A Pending JPH06209070A (ja) | 1993-01-08 | 1993-01-08 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06209070A (ja) |
-
1993
- 1993-01-08 JP JP50A patent/JPH06209070A/ja active Pending
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