JPH0621116A - 半導体装置及びその製造方法 - Google Patents
半導体装置及びその製造方法Info
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- JPH0621116A JPH0621116A JP17555192A JP17555192A JPH0621116A JP H0621116 A JPH0621116 A JP H0621116A JP 17555192 A JP17555192 A JP 17555192A JP 17555192 A JP17555192 A JP 17555192A JP H0621116 A JPH0621116 A JP H0621116A
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- resin
- semiconductor device
- heating
- burn
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 本発明は半導体チップを樹脂封止する半導体
装置及びその製造方法に関し、酸化層を排除して透湿良
好なパッケージとすることを目的とする。 【構成】 樹脂モールドで形成されるパッケージ２７
を、樹脂モールド後の加熱による酸化層を形成させず
に、樹脂部２７ａのみで形成する。
装置及びその製造方法に関し、酸化層を排除して透湿良
好なパッケージとすることを目的とする。 【構成】 樹脂モールドで形成されるパッケージ２７
を、樹脂モールド後の加熱による酸化層を形成させず
に、樹脂部２７ａのみで形成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体チップを樹脂封
止する半導体装置及びその製造方法に関する。
止する半導体装置及びその製造方法に関する。
【０００２】近年の半導体装置は小型化、薄型化が図ら
れており、これに伴い樹脂性パッケージの肉厚は薄くな
る傾向にある。これに伴い、パッケージの機能的強度は
低下し、実装時において熱印加時に発生する水蒸気によ
りパッケージに割れが発生するおそれがある。
れており、これに伴い樹脂性パッケージの肉厚は薄くな
る傾向にある。これに伴い、パッケージの機能的強度は
低下し、実装時において熱印加時に発生する水蒸気によ
りパッケージに割れが発生するおそれがある。
【０００３】そこで、熱ストレスに強く、熱加熱時にお
いてもパッケージ割れが発生しない半導体装置が望まれ
ている。
いてもパッケージ割れが発生しない半導体装置が望まれ
ている。
【０００４】
【従来の技術】従来、樹脂パッケージの半導体装置の実
装までの製造工程のうち、樹脂モールド封止工程の後、
封止樹脂硬化のための加熱、捺印インク硬化のための加
熱、バーンインの加熱等種々の加熱工程が存在する。
装までの製造工程のうち、樹脂モールド封止工程の後、
封止樹脂硬化のための加熱、捺印インク硬化のための加
熱、バーンインの加熱等種々の加熱工程が存在する。
【０００５】この封止工程後の加熱工程で、樹脂パッケ
ージ外形を形成する封止樹脂の表面に、加熱時の酸素の
影響で透湿性の悪い酸化層が形成されるのが一般的であ
る。ここで、図９に、従来の半導体装置の断面構成図を
示す。図９において半導体装置１１は、リードフレーム
１２のステージ１３上に半導体チップ１４が搭載され、
リードフレーム１２のリード１５にワイヤ１６によりボ
ンディングされた後、樹脂モールドによりパッケージン
グされる。
ージ外形を形成する封止樹脂の表面に、加熱時の酸素の
影響で透湿性の悪い酸化層が形成されるのが一般的であ
る。ここで、図９に、従来の半導体装置の断面構成図を
示す。図９において半導体装置１１は、リードフレーム
１２のステージ１３上に半導体チップ１４が搭載され、
リードフレーム１２のリード１５にワイヤ１６によりボ
ンディングされた後、樹脂モールドによりパッケージン
グされる。
【０００６】そして、上述のパッケージング後の加熱工
程で、パッケージ１７表面に酸化層が形成される。この
場合のパッケージ１７を、樹脂コア部１７ａと酸化層１
７ｂとする。すなわち、一般に使用される封止樹脂は透
湿性の良好なものであり、透湿性の良好な樹脂コア部１
７ａの表面に透湿性の悪い酸化層１７ｂが形成されるこ
とになる。
程で、パッケージ１７表面に酸化層が形成される。この
場合のパッケージ１７を、樹脂コア部１７ａと酸化層１
７ｂとする。すなわち、一般に使用される封止樹脂は透
湿性の良好なものであり、透湿性の良好な樹脂コア部１
７ａの表面に透湿性の悪い酸化層１７ｂが形成されるこ
とになる。
【０００７】ところで、半導体装置１１は、パッケージ
ングの後にリード１５の外装めっきが行われ、その前処
理としてパッケージ１７とリード１５の境部分の樹脂バ
リを除去するためにブラスト処理を行う。このブラスト
処理はマスクを用いない状態ではパッケージ１７の表面
にも影響を及ぼすものであるが、上述の酸化層１７を除
去するまでには到らない。そのため、ブラスト処理を強
いエネルギで行うとすると、樹脂とリード（インナリー
ド）１５、半導体チップ１４、ステージ１３背面等との
接着を弱らせ、信頼性を低下させることとなる。
ングの後にリード１５の外装めっきが行われ、その前処
理としてパッケージ１７とリード１５の境部分の樹脂バ
リを除去するためにブラスト処理を行う。このブラスト
処理はマスクを用いない状態ではパッケージ１７の表面
にも影響を及ぼすものであるが、上述の酸化層１７を除
去するまでには到らない。そのため、ブラスト処理を強
いエネルギで行うとすると、樹脂とリード（インナリー
ド）１５、半導体チップ１４、ステージ１３背面等との
接着を弱らせ、信頼性を低下させることとなる。
【０００８】一方、上述のブラスト処理時に強いエネル
ギで酸化層を除去したとしても、その後の工程で上述の
何れかの加熱処理を行わなければならず、再び酸化層１
７ｂとが形成されてしまうことになる。
ギで酸化層を除去したとしても、その後の工程で上述の
何れかの加熱処理を行わなければならず、再び酸化層１
７ｂとが形成されてしまうことになる。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】しかし、上述のように
パッケージ１７の表面に透湿性の酸化層１７ｂが形成さ
れていると、樹脂コア部１７ａに吸湿されたままの状態
となる。従って、プリント基板等に高温雰囲気で半田実
装する際、パッケージ１７の内部で熱により急激に気化
した水蒸気がパッケージ１７の外部に放出され難い状態
となる。
パッケージ１７の表面に透湿性の酸化層１７ｂが形成さ
れていると、樹脂コア部１７ａに吸湿されたままの状態
となる。従って、プリント基板等に高温雰囲気で半田実
装する際、パッケージ１７の内部で熱により急激に気化
した水蒸気がパッケージ１７の外部に放出され難い状態
となる。
【００１０】そのため、パッケージ内圧が高くなり、パ
ッケージ割れを生じ、また樹脂とリード（インナリー
ド）、半導体チップ上面、ステージ背面等の界面で剥離
を生じることとなり、防湿梱包や、実装前にプリベイク
して脱水しなければならないという問題がある。
ッケージ割れを生じ、また樹脂とリード（インナリー
ド）、半導体チップ上面、ステージ背面等の界面で剥離
を生じることとなり、防湿梱包や、実装前にプリベイク
して脱水しなければならないという問題がある。
【００１１】そこで、本発明は上記課題に鑑みなされた
もので、酸化層を排除して透湿良好なパッケージの半導
体装置を提供することを目的とする。
もので、酸化層を排除して透湿良好なパッケージの半導
体装置を提供することを目的とする。
【００１２】
【課題を解決するための手段】上記課題は、半導体チッ
プが金属導体上に搭載されてリード部と接続され、樹脂
モールド工程によりパッケージが形成された後、実装前
に、封止樹脂硬化、バーンインその他種々の加熱工程を
含む工程で製造される半導体装置において、前記パッケ
ージは、前記樹脂モールド後の加熱による酸化層が非形
成の樹脂部のみで形成されることにより解決される。
プが金属導体上に搭載されてリード部と接続され、樹脂
モールド工程によりパッケージが形成された後、実装前
に、封止樹脂硬化、バーンインその他種々の加熱工程を
含む工程で製造される半導体装置において、前記パッケ
ージは、前記樹脂モールド後の加熱による酸化層が非形
成の樹脂部のみで形成されることにより解決される。
【００１３】この場合、前記樹脂モールド後実装前の前
記加熱工程を、前記パッケージの表面を非酸化状態にさ
せる温度及び加熱時間、又は酸素濃度の条件で加熱す
る。
記加熱工程を、前記パッケージの表面を非酸化状態にさ
せる温度及び加熱時間、又は酸素濃度の条件で加熱す
る。
【００１４】
【作用】上述のように、半導体装置の製造工程のうち、
樹脂モールド後実装前の加熱工程を、樹脂モールド後の
パッケージ表面を酸化させない状態の、温度及び加熱時
間の条件を設定し、又は酸素濃度の条件を設定して行
う。これにより、パッケージは酸化層の形成されない樹
脂部のみで形成されることになる。
樹脂モールド後実装前の加熱工程を、樹脂モールド後の
パッケージ表面を酸化させない状態の、温度及び加熱時
間の条件を設定し、又は酸素濃度の条件を設定して行
う。これにより、パッケージは酸化層の形成されない樹
脂部のみで形成されることになる。
【００１５】すなわち、酸化層が形成されないことか
ら、プリント基板等に高温雰囲気中で半田実装する場
合、パッケージ内部で熱により急激に気化した水蒸気が
外部に放出され易くなり、パッケージ内圧の上昇が抑制
される。
ら、プリント基板等に高温雰囲気中で半田実装する場
合、パッケージ内部で熱により急激に気化した水蒸気が
外部に放出され易くなり、パッケージ内圧の上昇が抑制
される。
【００１６】従って、パッケージのクラックや、樹脂と
リード部（インナリード）、半導体チップ表面、ステー
ジ背面等の境界の剥離を抑制することが可能となる。
リード部（インナリード）、半導体チップ表面、ステー
ジ背面等の境界の剥離を抑制することが可能となる。
【００１７】
【実施例】図１に、本発明の第１の実施例の断面構成図
を示す。図１における半導体装置２１A は、金属導体の
リードフレーム２２のステージ２３上に半導体チップ２
４が搭載され、リードフレーム２２のインナリード２５
ａとワイヤ２６によりボンディングされ、封止樹脂によ
りモールドされてパッケージ２７が形成される。
を示す。図１における半導体装置２１A は、金属導体の
リードフレーム２２のステージ２３上に半導体チップ２
４が搭載され、リードフレーム２２のインナリード２５
ａとワイヤ２６によりボンディングされ、封止樹脂によ
りモールドされてパッケージ２７が形成される。
【００１８】そして、パッケージ２７より外部に延出さ
れるアウタリード２５ｂには半田めっきが施されてお
り、また図示しないが、パッケージ２７表面には捺印等
が施される。
れるアウタリード２５ｂには半田めっきが施されてお
り、また図示しないが、パッケージ２７表面には捺印等
が施される。
【００１９】この場合、パッケージ２７は、図９のよう
に酸化層が形成されておらず、図９の樹脂コア部１７ａ
に相当する樹脂部２７ａのみで形成されるものである。
に酸化層が形成されておらず、図９の樹脂コア部１７ａ
に相当する樹脂部２７ａのみで形成されるものである。
【００２０】ここで、図２に、図１の製造方法を説明す
るための図を示し、図３に、図２におけるキュア工程、
研磨工程及びブラスト・ホーニング工程を説明するため
の図を示す。
るための図を示し、図３に、図２におけるキュア工程、
研磨工程及びブラスト・ホーニング工程を説明するため
の図を示す。
【００２１】図２において、まず、リードフレーム２２
のステージ２３上に半導体チップ２４を接着剤２３ａに
より搭載し、半導体チップ２４上の電極パッド（図示せ
ず）とステージ２３の近傍に配置されたインナリード２
５ａの先端とを、Ａｕ（金）のワイヤ２６によりボンデ
ィングして導電接合する。そして、シリカを充填材とし
たエポキシ樹脂でモールドによるトランスファ成形して
パッケージ２７を形成する（ステップ（ＳＴ）１）。こ
こまでの工程は従来と同様である。
のステージ２３上に半導体チップ２４を接着剤２３ａに
より搭載し、半導体チップ２４上の電極パッド（図示せ
ず）とステージ２３の近傍に配置されたインナリード２
５ａの先端とを、Ａｕ（金）のワイヤ２６によりボンデ
ィングして導電接合する。そして、シリカを充填材とし
たエポキシ樹脂でモールドによるトランスファ成形して
パッケージ２７を形成する（ステップ（ＳＴ）１）。こ
こまでの工程は従来と同様である。
【００２２】続いて、該エポキシ樹脂を充分硬化させる
ために、窒素（Ｎ2 ）ガス雰囲気で加熱する（ＳＴ
２）。この加熱は、図３（Ａ）に示す恒温槽３１内で行
われる。恒温槽３１にはガス供給部３２より窒素
（Ｎ2 ）ガスが供給され、槽内の酸素濃度をセンサ３３
により検出し、モニタ部３４によりモニタする。すなわ
ち、恒温槽３１では温度及び加熱時間、又は酸素濃度の
条件を設定し（後述する）、パッケージ２７表面に加熱
による酸化層の形成されない非酸化状態で加熱が行われ
る。
ために、窒素（Ｎ2 ）ガス雰囲気で加熱する（ＳＴ
２）。この加熱は、図３（Ａ）に示す恒温槽３１内で行
われる。恒温槽３１にはガス供給部３２より窒素
（Ｎ2 ）ガスが供給され、槽内の酸素濃度をセンサ３３
により検出し、モニタ部３４によりモニタする。すなわ
ち、恒温槽３１では温度及び加熱時間、又は酸素濃度の
条件を設定し（後述する）、パッケージ２７表面に加熱
による酸化層の形成されない非酸化状態で加熱が行われ
る。
【００２３】図２に戻って説明するに、ＳＴ２の加熱後
アウタリード２５ｂのめっきの前処理として、マスクな
しでブラスト・ホーニングを行って、アウタリード２５
ａとパッケージ２７との境界の樹脂バリを除去し、該ア
ウタリード２５ｂの半田めっきを行う（ＳＴ３）。
アウタリード２５ｂのめっきの前処理として、マスクな
しでブラスト・ホーニングを行って、アウタリード２５
ａとパッケージ２７との境界の樹脂バリを除去し、該ア
ウタリード２５ｂの半田めっきを行う（ＳＴ３）。
【００２４】ブラスト・ホーニングは、図３（Ｂ）に示
すように、パッケージ２７表面の前面に亘って、複数の
供給口３５より水流にのせてガラス玉３６（又は樹脂製
ビーズ）を吹き付けることによって行う。
すように、パッケージ２７表面の前面に亘って、複数の
供給口３５より水流にのせてガラス玉３６（又は樹脂製
ビーズ）を吹き付けることによって行う。
【００２５】なお、上述の樹脂バリの除去は、その境界
部分のみブラスト・ホーニングすれば足りるが、ＳＴ２
における加熱で酸化層が仮に形成された場合の補助とし
て行うものである。
部分のみブラスト・ホーニングすれば足りるが、ＳＴ２
における加熱で酸化層が仮に形成された場合の補助とし
て行うものである。
【００２６】また、半田めっき後、パッケージ２７の上
面及び背面を研磨し、ＵＶ（紫外線）硬化の捺印を行う
（ＳＴ４）。研磨は、図３（Ｃ）に示すように、パッケ
ージ２７の上面と背面を同時に研磨機３７ａ，３７ｂに
より行う。
面及び背面を研磨し、ＵＶ（紫外線）硬化の捺印を行う
（ＳＴ４）。研磨は、図３（Ｃ）に示すように、パッケ
ージ２７の上面と背面を同時に研磨機３７ａ，３７ｂに
より行う。
【００２７】そして、アウタリード２５ｂをトリミング
・フォーミングを行い、最終的に上述の恒温槽３１の窒
素ガス雰囲気中バーンインを行うものである（ＳＴ
５）。
・フォーミングを行い、最終的に上述の恒温槽３１の窒
素ガス雰囲気中バーンインを行うものである（ＳＴ
５）。
【００２８】ここで、図４に、加熱条件の関係のグラフ
を示す。図４のグラフは上述の樹脂硬化工程及びバーン
イン工程の恒温槽３１における温度、加熱時間、酸素濃
度の相対関係でパッケージ２７表面に酸化層が形成され
ない条件としたものである。図４中、△は３時間加熱、
○は５時間加熱、□は８時間加熱の場合の特性であり、
各グラフを臨界として右側の斜線部分以降でパッケージ
２７表面に酸化層が形成され（ひいては実装時にパッケ
ージクラックを生じる）、左側部分が酸化層の形成され
ない条件を示している。
を示す。図４のグラフは上述の樹脂硬化工程及びバーン
イン工程の恒温槽３１における温度、加熱時間、酸素濃
度の相対関係でパッケージ２７表面に酸化層が形成され
ない条件としたものである。図４中、△は３時間加熱、
○は５時間加熱、□は８時間加熱の場合の特性であり、
各グラフを臨界として右側の斜線部分以降でパッケージ
２７表面に酸化層が形成され（ひいては実装時にパッケ
ージクラックを生じる）、左側部分が酸化層の形成され
ない条件を示している。
【００２９】すなわち、温度、加熱時間、酸素濃度を図
４のグラフにより左側部分の条件に設定することによ
り、パッケージ２７に酸化層の形成を防止することがで
き、プリント基板等に高温雰囲気で半田実装する場合、
パッケージ内部で熱に急激に気化した水蒸気が外部に放
出され易くなりパッケージ内圧の上昇が抑制される。こ
れにより、パッケージのクラックや、樹脂とリード部
（インナリード）、半導体チップ表面、ステージ背面等
の境界の剥離を抑制することができるものである。次
に、図５に、第１の実施例の他の製造方法を説明するた
めの図を示す。図５において、ＳＴ１の樹脂モールドは
図２と同様である。樹脂モールド後、パッケージ表面に
ＵＶ硬化の捺印を行い、パッケージ２７の全面にレジス
トをディッピングして形成する（ＳＴ２）。
４のグラフにより左側部分の条件に設定することによ
り、パッケージ２７に酸化層の形成を防止することがで
き、プリント基板等に高温雰囲気で半田実装する場合、
パッケージ内部で熱に急激に気化した水蒸気が外部に放
出され易くなりパッケージ内圧の上昇が抑制される。こ
れにより、パッケージのクラックや、樹脂とリード部
（インナリード）、半導体チップ表面、ステージ背面等
の境界の剥離を抑制することができるものである。次
に、図５に、第１の実施例の他の製造方法を説明するた
めの図を示す。図５において、ＳＴ１の樹脂モールドは
図２と同様である。樹脂モールド後、パッケージ表面に
ＵＶ硬化の捺印を行い、パッケージ２７の全面にレジス
トをディッピングして形成する（ＳＴ２）。
【００３０】続いて、樹脂を充分に硬化させるために、
上述の恒温槽３１で特に条件を設定せずに従前と同様に
加熱を行う（ＳＴ３）。
上述の恒温槽３１で特に条件を設定せずに従前と同様に
加熱を行う（ＳＴ３）。
【００３１】樹脂硬化後、アウタリード２５ａの半田め
っき前処理として、該レジストを薬品で分解、除去し、
マスクなしで上述のブラスト・ホーニングを行い、材料
レジスト及び樹脂バリを除去する（ＳＴ４）。
っき前処理として、該レジストを薬品で分解、除去し、
マスクなしで上述のブラスト・ホーニングを行い、材料
レジスト及び樹脂バリを除去する（ＳＴ４）。
【００３２】そして、アウタリード２５ｂの半田めっき
を行った後、アウタリードのトリミング・フォーミング
を行い、最終加熱として、恒温槽３１内で上述の酸化槽
が形成されない条件下の窒素ガス雰囲気でバーンインを
行う（ＳＴ５）。
を行った後、アウタリードのトリミング・フォーミング
を行い、最終加熱として、恒温槽３１内で上述の酸化槽
が形成されない条件下の窒素ガス雰囲気でバーンインを
行う（ＳＴ５）。
【００３３】このように、レジストを用いる方法によっ
ても、パッケージ２７の表面に酸化層の形成を防止する
ことができるものである。
ても、パッケージ２７の表面に酸化層の形成を防止する
ことができるものである。
【００３４】次に、図６に、本発明の第２の実施例の断
面構成図を示す。図６における半導体装置２１B は、図
１における半導体装置２１A の樹脂部２７ａの表面に、
透湿性の保護層（例えばシリコン）２７ｂを形成したも
ので、他は図１と同様である。
面構成図を示す。図６における半導体装置２１B は、図
１における半導体装置２１A の樹脂部２７ａの表面に、
透湿性の保護層（例えばシリコン）２７ｂを形成したも
ので、他は図１と同様である。
【００３５】そこで、図７に、図６の製造方法を説明す
るための図を示す。図７において、ＳＴ１の樹脂モール
ドまでは、図２及び図６と同様である。樹脂モールド
後、パッケージ２７を形成する樹脂部２７ａの全面に保
護層２７ｂとなる高透湿性のシリコンをスクリーン印刷
して形成する（ＳＴ２）。
るための図を示す。図７において、ＳＴ１の樹脂モール
ドまでは、図２及び図６と同様である。樹脂モールド
後、パッケージ２７を形成する樹脂部２７ａの全面に保
護層２７ｂとなる高透湿性のシリコンをスクリーン印刷
して形成する（ＳＴ２）。
【００３６】その後に樹脂を充分硬化させるため、従前
と同様の加熱を行い、ＵＶ硬化の捺印を施す（ＳＴ
３）。続いて、アウタリード２５ｂの半田めっきの前処
理として、図３（Ｂ）に示すようなマスクなしのブラス
ト・ホーニングを行い樹脂バリを除去し、アウタリード
２５ｂを半田めっきする（ＳＴ４）。
と同様の加熱を行い、ＵＶ硬化の捺印を施す（ＳＴ
３）。続いて、アウタリード２５ｂの半田めっきの前処
理として、図３（Ｂ）に示すようなマスクなしのブラス
ト・ホーニングを行い樹脂バリを除去し、アウタリード
２５ｂを半田めっきする（ＳＴ４）。
【００３７】そして、アウタリード２５ｂのトリミング
・フォーミングを行った後に、従前と同様のバーンイン
を行う（ＳＴ５）。
・フォーミングを行った後に、従前と同様のバーンイン
を行う（ＳＴ５）。
【００３８】このように、樹脂部２７ａ表面に高透湿性
の保護層２７ｂが形成されることから、以降の加熱工程
で酸化層の形成を防止することができると共に、プリン
ト基板への実装時は、透湿性のためにパッケージのクラ
ックを防止することができるものである。
の保護層２７ｂが形成されることから、以降の加熱工程
で酸化層の形成を防止することができると共に、プリン
ト基板への実装時は、透湿性のためにパッケージのクラ
ックを防止することができるものである。
【００３９】ここで、図８に、第１及び第２の実施例に
おける効果比較を説明するための図を示す。図８は、従
来の半導体装置１１と本発明の半導体装置２１A ，２１
B の加熱試験を行い、プリント基板に実装したときの不
良数を示したものである。
おける効果比較を説明するための図を示す。図８は、従
来の半導体装置１１と本発明の半導体装置２１A ，２１
B の加熱試験を行い、プリント基板に実装したときの不
良数を示したものである。
【００４０】加熱試験は、例えば表面実装ＱＨＰ型で２
０８ピンの半導体装置を、最高２４５℃のリフロー前に
温度８５℃、湿度８５％で、９６時間、１６８時間、３
３６時間放置して吸湿させたものである。なお、不良検
査は、パッケージの外観及び内部を超音波探傷で行った
ものである。
０８ピンの半導体装置を、最高２４５℃のリフロー前に
温度８５℃、湿度８５％で、９６時間、１６８時間、３
３６時間放置して吸湿させたものである。なお、不良検
査は、パッケージの外観及び内部を超音波探傷で行った
ものである。
【００４１】図８に示すように、従来の半導体装置では
１６８時間で内部の不良発生が５０個中１８個確認さ
れ、３３６時間では外観で５個の不良、内部で１００％
の不良が確認された。これに対して、本発明の半導体装
置２１A ，２１B では何れの場合も不良は確認されなか
ったものである。
１６８時間で内部の不良発生が５０個中１８個確認さ
れ、３３６時間では外観で５個の不良、内部で１００％
の不良が確認された。これに対して、本発明の半導体装
置２１A ，２１B では何れの場合も不良は確認されなか
ったものである。
【００４２】なお、上記実施例における半導体装置は、
表面実装型に限らず、リード挿入型であっても同様の効
果を有するものである。
表面実装型に限らず、リード挿入型であっても同様の効
果を有するものである。
【００４３】
【発明の効果】以上のように本発明によれば、樹脂モー
ルドされるパッケージを酸化層が形成されない樹脂部の
みで形成し、又は該樹脂部表面に透湿性の保護層を形成
することにより、酸化層を排除して透湿良好なパッケー
ジとすることができ、実装時のクラックや剥離を防止す
ることができる。
ルドされるパッケージを酸化層が形成されない樹脂部の
みで形成し、又は該樹脂部表面に透湿性の保護層を形成
することにより、酸化層を排除して透湿良好なパッケー
ジとすることができ、実装時のクラックや剥離を防止す
ることができる。
【図１】本発明の第１の実施例の断面構成図である。
【図２】図１の製造方法を説明するための図である。
【図３】図２におけるキュア工程、研磨工程及びブラス
ト・ホーニング工程を説明するための図である。
ト・ホーニング工程を説明するための図である。
【図４】加熱条件の関係のグラフである。
【図５】第１の実施例の他の製造方法を説明するための
図である。
図である。
【図６】本発明の第２の実施例の断面構成図である。
【図７】図６の製造方法を説明するための図である。
【図８】第１及び第２の実施例における効果比較を説明
するための図である。
するための図である。
【図９】従来の半導体装置の断面構成図である。
２１A ，２１B 半導体装置 ２２ リードフレーム ２３ ステージ ２４ 半導体チップ ２５ａ インナリード ２５ｂ アウタリード ２６ ワイヤ ２７ パッケージ ２７ａ 樹脂部 ２７ｂ 保護層
Claims (5)
- 【請求項１】 半導体チップ（２４）が金属導体（２
２）上に搭載されてリード部（２５ａ）と接続され、樹
脂モールド工程によりパッケージ（２７）が形成された
後、実装前に、封止樹脂硬化、バーンインその他種々の
加熱工程を含む工程で製造される半導体装置において、 前記パッケージ（２７）は、前記樹脂モールド後の加熱
による酸化層が非形成の樹脂部（２７ａ）のみで形成さ
れることを特徴とする半導体装置。 - 【請求項２】 前記パッケージ（２７）を形成する前記
樹脂部（２７ａ）の表面に、透湿性の保護層（２７ｂ）
を形成することを特徴とする請求項１記載の半導体装
置。 - 【請求項３】 半導体チップ（２４）が金属導体（２
２）上に搭載されてリード部（２５ａ）と接続され、樹
脂モールド工程によりパッケージ（２７）が形成された
後、実装前に、封止樹脂硬化、バーンインその他種々の
加熱工程を含む工程を経る半導体装置の製造方法におい
て、 前記樹脂モールド後実装前の前記加熱工程を、前記パッ
ケージ（２７）の表面を非酸化状態にさせる温度及び加
熱時間、又は酸素濃度の条件下で加熱する半導体装置の
製造方法。 - 【請求項４】 半導体チップ（２４）が金属導体（２
２）上に搭載されてリード部（２５ａ）と接続され、樹
脂モールド工程によりパッケージ（２７）が形成された
後、実装前に、封止樹脂硬化、バーンインその他種々の
加熱工程を含む工程を経る半導体装置の製造方法におい
て、 前記樹脂モールド後前記バーンイン前の前記加熱工程前
に、前記パッケージ（２７）の表面にレジストを形成
し、該バーンイン前に該レジストを除去した後に、該パ
ッケージ（２７）の表面を非酸化状態にさせる温度及び
加熱時間、又は酸素濃度の条件で該バーンインを行うこ
とを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 【請求項５】 半導体チップ（２４）が金属導体（２
２）上に搭載されてリード部（２５ａ）と接続され、樹
脂モールド工程によりパッケージ（２７）が形成された
後、実装前に、封止樹脂硬化、バーンインその他種々の
加熱工程を含む工程を経る半導体装置の製造方法におい
て、 前記樹脂モールド後前記加熱工程前に、前記パッケージ
（２７）の表面に透湿性の保護層（２７ｂ）を形成する
工程を介在させることを特徴とする半導体装置の製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17555192A JPH0621116A (ja) | 1992-07-02 | 1992-07-02 | 半導体装置及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17555192A JPH0621116A (ja) | 1992-07-02 | 1992-07-02 | 半導体装置及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0621116A true JPH0621116A (ja) | 1994-01-28 |
Family
ID=15998061
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17555192A Withdrawn JPH0621116A (ja) | 1992-07-02 | 1992-07-02 | 半導体装置及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0621116A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN113394138A (zh) * | 2021-06-15 | 2021-09-14 | 深圳市劲拓自动化设备股份有限公司 | 一种半导体封装用加热装置及焊接设备 |
| CN115980538A (zh) * | 2023-02-17 | 2023-04-18 | 山东浪潮华光光电子股份有限公司 | 一种适于芯片厂进行的发光二极管芯片老化测试方法 |
-
1992
- 1992-07-02 JP JP17555192A patent/JPH0621116A/ja not_active Withdrawn
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN113394138A (zh) * | 2021-06-15 | 2021-09-14 | 深圳市劲拓自动化设备股份有限公司 | 一种半导体封装用加热装置及焊接设备 |
| CN115980538A (zh) * | 2023-02-17 | 2023-04-18 | 山东浪潮华光光电子股份有限公司 | 一种适于芯片厂进行的发光二极管芯片老化测试方法 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19991005 |