JPH0621348A - 半導体素子 - Google Patents
半導体素子Info
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- JPH0621348A JPH0621348A JP17737191A JP17737191A JPH0621348A JP H0621348 A JPH0621348 A JP H0621348A JP 17737191 A JP17737191 A JP 17737191A JP 17737191 A JP17737191 A JP 17737191A JP H0621348 A JPH0621348 A JP H0621348A
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- Japan
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- semiconductor element
- resistor
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 37
- 239000010408 film Substances 0.000 claims abstract description 21
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims abstract description 12
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 9
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims abstract description 5
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 7
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 3
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 1
Landscapes
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 素子チップ単独で値の大きな抵抗やコンデン
サ等の受動素子を含む回路の構成が可能な半導体素子を
得る。 【構成】 半導体素子チップ１の裏面に絶縁膜３、薄膜
導体４、或いは薄膜抵抗５を用いて受動素子を一体形成
し、これら受動素子を利用して回路を構成することで、
受動素子を含む回路を半導体素子チップ単独で構成でき
る。
サ等の受動素子を含む回路の構成が可能な半導体素子を
得る。 【構成】 半導体素子チップ１の裏面に絶縁膜３、薄膜
導体４、或いは薄膜抵抗５を用いて受動素子を一体形成
し、これら受動素子を利用して回路を構成することで、
受動素子を含む回路を半導体素子チップ単独で構成でき
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体素子に関し、特に
外付け部品として抵抗、コンデンサ等の受動素子が必要
とされる半導体素子に関する。
外付け部品として抵抗、コンデンサ等の受動素子が必要
とされる半導体素子に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の半導体素子は半導体基板に不純物
を導入してダイオードやトランジスタ等の能動素子を構
成しているが、抵抗値の大きな抵抗や大容量のコンデン
サを形成するには所要の面積が必要とされるため、これ
ら受動素子を含む回路を実現することは困難であった。
このため、従来では図３に示すようなハイブリッド構造
として所要の回路を構成している。即ち、配線基板１１
上に導体膜で回路パターン１２を形成し、この回路パタ
ーン１２上に半導体素子チップ１を搭載し、或いはチッ
プコンデンサ１３を搭載し、ボンディングワイヤ１４や
半田１５により回路パターン１２への電気接続を行って
いる。又、回路パターン１２の一部に抵抗膜を形成する
ことで抵抗１６を構成している。
を導入してダイオードやトランジスタ等の能動素子を構
成しているが、抵抗値の大きな抵抗や大容量のコンデン
サを形成するには所要の面積が必要とされるため、これ
ら受動素子を含む回路を実現することは困難であった。
このため、従来では図３に示すようなハイブリッド構造
として所要の回路を構成している。即ち、配線基板１１
上に導体膜で回路パターン１２を形成し、この回路パタ
ーン１２上に半導体素子チップ１を搭載し、或いはチッ
プコンデンサ１３を搭載し、ボンディングワイヤ１４や
半田１５により回路パターン１２への電気接続を行って
いる。又、回路パターン１２の一部に抵抗膜を形成する
ことで抵抗１６を構成している。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】このような従来の構成
では、抵抗値の大きな抵抗や大容量のコンデンサ等の受
動素子を含む回路を構成する場合には必ずハイブリッド
構造にしなければならないため、半導体装置の全体構造
が複雑になるとともに外形が大きくなり、しかも高価に
なるという問題がある。本発明の目的は、素子チップ単
独で値の大きな受動素子を含む回路の構成が可能な半導
体素子を提供することにある。
では、抵抗値の大きな抵抗や大容量のコンデンサ等の受
動素子を含む回路を構成する場合には必ずハイブリッド
構造にしなければならないため、半導体装置の全体構造
が複雑になるとともに外形が大きくなり、しかも高価に
なるという問題がある。本発明の目的は、素子チップ単
独で値の大きな受動素子を含む回路の構成が可能な半導
体素子を提供することにある。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体素子は、
半導体素子チップの裏面に絶縁膜、薄膜導体、薄膜抵抗
等を用いて受動素子を一体形成している。この受動素子
としては抵抗或いはコンデンサが構成される。
半導体素子チップの裏面に絶縁膜、薄膜導体、薄膜抵抗
等を用いて受動素子を一体形成している。この受動素子
としては抵抗或いはコンデンサが構成される。
【０００５】
【作用】本発明によれば、半導体素子チップの裏面に抵
抗やコンデンサ等の受動素子が一体に形成されるため、
受動素子を含む回路を半導体素子チップ単独で構成する
ことが可能となる。
抗やコンデンサ等の受動素子が一体に形成されるため、
受動素子を含む回路を半導体素子チップ単独で構成する
ことが可能となる。
【０００６】
【実施例】次に、本発明について図面を参照して説明す
る。図１は本発明の第１実施例を示す断面図である。半
導体素子チップ１は半導体基板の表面側に所定の不純物
を拡散して素子を形成し、かつ表面上に形成した絶縁膜
や内部配線により所要の回路を構成している。そして、
その回路の一部にはボンディングパッド２を形成し、半
導体素子チップ１の表面に露出させている。一方、半導
体素子チップ１の裏面にはシリコン酸化膜等の絶縁膜３
を形成し、この絶縁膜３によって半導体基板とは絶縁さ
れた状態でタンタル薄膜によりタンタル抵抗５を形成
し、これらタンタル抵抗５を所要パターンに形成した回
路パターン４により相互に電気接続した構成としてい
る。
る。図１は本発明の第１実施例を示す断面図である。半
導体素子チップ１は半導体基板の表面側に所定の不純物
を拡散して素子を形成し、かつ表面上に形成した絶縁膜
や内部配線により所要の回路を構成している。そして、
その回路の一部にはボンディングパッド２を形成し、半
導体素子チップ１の表面に露出させている。一方、半導
体素子チップ１の裏面にはシリコン酸化膜等の絶縁膜３
を形成し、この絶縁膜３によって半導体基板とは絶縁さ
れた状態でタンタル薄膜によりタンタル抵抗５を形成
し、これらタンタル抵抗５を所要パターンに形成した回
路パターン４により相互に電気接続した構成としてい
る。
【０００７】この構成によれば、半導体素子チップ１の
裏面に抵抗が構成でき、この抵抗は半導体素子チップ１
の裏面の略全面積を使用することができるため、大きな
抵抗値の抵抗を構成することが容易となる。このため、
大抵抗値の抵抗を含む半導体回路を半導体素子チップ単
独で構成することができる。
裏面に抵抗が構成でき、この抵抗は半導体素子チップ１
の裏面の略全面積を使用することができるため、大きな
抵抗値の抵抗を構成することが容易となる。このため、
大抵抗値の抵抗を含む半導体回路を半導体素子チップ単
独で構成することができる。
【０００８】図２は本発明の第２実施例の断面図であ
る。この実施例は、第１実施例と同様に、半導体素子チ
ップ１の表面にボンディングパッド２を形成する一方、
半導体素子チップ１の裏面の絶縁膜３上にタンタル抵抗
５を形成し、更に回路パターン４と、誘電体膜６、及び
上部金属膜７を形成している。この構成では、回路パタ
ーン４或いはタンタル抵抗５と、誘電体膜６と、上部金
属膜７とでコンデンサが構成できるため、半導体素子チ
ップ１の裏面に大抵抗値の抵抗と大容量のコンデンサが
構成でき、これら受動素子を含む回路を半導体素子チッ
プ単独で構成することができる。
る。この実施例は、第１実施例と同様に、半導体素子チ
ップ１の表面にボンディングパッド２を形成する一方、
半導体素子チップ１の裏面の絶縁膜３上にタンタル抵抗
５を形成し、更に回路パターン４と、誘電体膜６、及び
上部金属膜７を形成している。この構成では、回路パタ
ーン４或いはタンタル抵抗５と、誘電体膜６と、上部金
属膜７とでコンデンサが構成できるため、半導体素子チ
ップ１の裏面に大抵抗値の抵抗と大容量のコンデンサが
構成でき、これら受動素子を含む回路を半導体素子チッ
プ単独で構成することができる。
【０００９】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、半導体素
子チップの裏面に絶縁膜、薄膜抵抗、薄膜導体等により
大きな値の抵抗や大容量のコンデンサを一体形成するの
で、大抵抗及び大容量コンデンサの半導体素子への取込
みが可能となり、半導体素子チップ単独で所要の回路が
構成でき、半導体装置のハイブリッド化を不要とするこ
とができる。
子チップの裏面に絶縁膜、薄膜抵抗、薄膜導体等により
大きな値の抵抗や大容量のコンデンサを一体形成するの
で、大抵抗及び大容量コンデンサの半導体素子への取込
みが可能となり、半導体素子チップ単独で所要の回路が
構成でき、半導体装置のハイブリッド化を不要とするこ
とができる。
【図１】本発明の第１実施例の断面図である。
【図２】本発明の第２実施例の断面図である。
【図２】従来のハイブリッド半導体装置の断面図であ
る。
る。
１ 半導体素子チップ ２ ボンディングパ
ッド ３ 絶縁膜 ４ 回路パターン ５ タンタル抵抗 ６ 誘電体膜 ７ 上部金属膜
ッド ３ 絶縁膜 ４ 回路パターン ５ タンタル抵抗 ６ 誘電体膜 ７ 上部金属膜
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成５年７月１４日
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】図面の簡単な説明
【補正方法】変更
【補正内容】
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１実施例の断面図である。
【図２】本発明の第２実施例の断面図である。
【図３】 従来のハイブリッド半導体装置の断面図であ
る。
る。
【符号の説明】 １ 半導体素子チップ ２ ボンディングパッド ３ 絶縁膜 ４ 回路パターン ５ タンタル抵抗 ６ 誘電体膜 ７ 上部金属膜
Claims (2)
- 【請求項１】 半導体素子チップの裏面に形成した絶縁
膜、薄膜導体、薄膜抵抗等を用いて受動素子を一体形成
したことを特徴とする半導体素子。 - 【請求項２】 受動素子は抵抗或いはコンデンサである
請求項１の半導体素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17737191A JPH0621348A (ja) | 1991-06-22 | 1991-06-22 | 半導体素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17737191A JPH0621348A (ja) | 1991-06-22 | 1991-06-22 | 半導体素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0621348A true JPH0621348A (ja) | 1994-01-28 |
Family
ID=16029788
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17737191A Pending JPH0621348A (ja) | 1991-06-22 | 1991-06-22 | 半導体素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0621348A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100443954B1 (ko) * | 2000-08-11 | 2004-08-11 | 가시오게산키 가부시키가이샤 | 반도체장치 |
| JP2009524917A (ja) * | 2006-03-06 | 2009-07-02 | インテル・コーポレーション | チップレベルの集積化高周波受動素子、その製造方法、および、それを含むシステム |
| US7675210B2 (en) | 2005-03-11 | 2010-03-09 | Panasonic Corporation | Hydrodynamic bearing and method for manufacturing the same, and spindle motor and method for manufacturing the same |
-
1991
- 1991-06-22 JP JP17737191A patent/JPH0621348A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100443954B1 (ko) * | 2000-08-11 | 2004-08-11 | 가시오게산키 가부시키가이샤 | 반도체장치 |
| US7675210B2 (en) | 2005-03-11 | 2010-03-09 | Panasonic Corporation | Hydrodynamic bearing and method for manufacturing the same, and spindle motor and method for manufacturing the same |
| JP2009524917A (ja) * | 2006-03-06 | 2009-07-02 | インテル・コーポレーション | チップレベルの集積化高周波受動素子、その製造方法、および、それを含むシステム |
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