JPH062282Y2 - 放射線検出器 - Google Patents

放射線検出器

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JPH062282Y2
JPH062282Y2 JP1987152130U JP15213087U JPH062282Y2 JP H062282 Y2 JPH062282 Y2 JP H062282Y2 JP 1987152130 U JP1987152130 U JP 1987152130U JP 15213087 U JP15213087 U JP 15213087U JP H062282 Y2 JPH062282 Y2 JP H062282Y2
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radiation detector
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JP1987152130U
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ライナー、エフ、シユルツ
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シーメンス、アクチエンゲゼルシヤフト
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Description

【考案の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ この考案は放射線検出器に関する。
［従来の技術］ 放射線方向に相前後して配置された複数の検出器要素を
備え、放射線検出器が放射線方向にほぼ平行に延びる面
を備えた一つの半導体から一体に構成され、隣接領域よ
り低い導電率を有し放射線方向に直角に延びる少なくと
も一つの部分により、半導体が複数の検出器要素に分割
されている放射線検出器が知られている。
この種の放射線検出器は、撮影対象物から出て来るＸ線
の検出のためにコンピュータトモグラフの検出器アレイ
において用いることができる。その際放射線方向に前置
された検出器要素はそれぞれ後置された検出器要素のた
めのフィルタとして働く。個々に検出される検出器要素
の出力信号から、受けた放射線の平均エネルギーが求め
られる。こうして撮影対象物の中での放射線硬化に応じ
た修正、検出器要素の種々のスペクトル感度の修正及び
前置フィルタ効果を含む放射線源から放射されたスペク
トルの平均エネルギーの変動の修正が可能である。
特開昭60-78376号公報から前記の種類の放射線検出器が
知られており、この検出器では低導電率の部分が放射線
方向に直角に延びる溝により形成されている。この公知
の放射線検出器の個々の検出器要素は放射線に感応する
抵抗として、すなわち放射線強度に関係してその抵抗値
が変化する抵抗として働く。従って放射線を検出するた
めには、個々の検出器要素をそれぞれ電圧源に接続し、
検出器要素を通って流れる電流を測定することが必要で
ある。このことは実地において欠点となる。
［考案が解決しようとする問題点］ この考案は、検出器要素が無電圧で運転できるように、
前記の種類の放射線検出器を構成することを目的とす
る。
［問題点を解決するための手段］ この目的はこの考案に基づき、半導体が放射線方向に平
行に延びるその一面上にｐ導電形の領域を有し、また反
対側の面上にｎ導電形の領域を有し、これらの領域のう
ちの少なくとも一つの領域が低導電率の部分により中断
されていることにより達成される。
［考案の効果］ この考案によれば個々の検出器要素は、無電圧で運転で
きる放射線感応性ダイオードにより構成される。なぜな
らば検出器要素が放射線を受けると、直ちにそれは放射
線強度に対する尺度としての電流又は電圧を供給するか
らである。従って従来技術に必要であった電圧源が省略
できる。
個々の検出器要素を接触できるように、ｐ導電形の領域
及びｎ導電形の領域にそれぞれ電極を設けるのが合目的
であり、その際低導電率の部分が相応する電極を個々の
検出器要素のための個々の電極に分割する。その結果前
記領域のうちの一つの領域だけが低導電率の部分により
中断されているときには、これらの検出器要素はすべて
の検出器要素に共通な一つの電極を有し、一方この考案
の実施態様に基づきｐ導電形の領域もｎ導電形の領域も
それぞれ低導電率の部分により中断され、低導電率の部
分が相対して配置されているときには、個々の検出器要
素のための電極が相互に完全に分離されて構成されてい
る。
この考案の実施態様に基づき、低導電率の部分は溝又は
ドープされていない材料により形成される。
［実施例］ 次にこの考案に基づく放射線検出器の一実施例を示す図
面により、この考案を詳細に説明する。
図面には放射線検出器１が示され、この放射線検出器
は、二つの半導体ダイオードから構成された二つの検出
器要素２，３から成る。検出される放射線は矢印４の方
向に導かれるので、検出器要素２，３は放射線方向に相
前後して置かれている。放射線検出器１は一つの半導体
から一体に構成され、この半導体は、検出器要素２，３
に分割するための放射線方向４に対して直交する二つの
溝５，６を有する。
放射線検出器１の製造は、例えばゲルマニウム又はシリ
コンから成りドープされていない半導体が放射線方向に
対し平行に置かれた一面上をドープされ、それによりｐ
導電形の領域が発生するという方法で行われる。反対側
の面上では半導体は、ｎ導電形の領域が生じるようにド
ープされる。続いてこれらの領域は溝５，６により中断
される。こうしてドープされていない真性領域７上に二
つのｐ領域８，９と二つのｎ領域１０，１１とが生じ、
これらの領域は図示されていないが信号取り出しのため
に用いられ、ダイオードを形成する。
溝６を省略して連続するただ一つのｎ領域が放射線検出
器の一面上に設けられるように、図示の実施例を変更す
ることもできる。この場合には放射線検出器は共通の接
地電極を有する。
溝５，６の代わりに両検出器要素を分離するための低導
電率を有する部分として、真性領域７に相当するドープ
されていない材料を用いることもでき、破線でハッチン
グして示したようにこの材料が溝５，６を充填する。
【図面の簡単な説明】
図面はこの考案に基づく放射線検出器の一実施例の断面
図である。 １・・・放射線検出器、２，３・・・検出器要素、５，
６・・・低導電率部分、８，９・・・ｐ導電形領域、１
０，１１・・・ｎ導電形領域。

Claims (4)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 【請求項１】放射線方向に相前後して配置された複数の
    検出器要素（２，３）を備え、放射線検出器が放射線方
    向にほぼ平行に延びる面を備えた一つの半導体から一体
    に構成され、隣接領域より低い導電率を有し放射線方向
    に直交する少なくとも一つの部分（５，６）により、半
    導体が複数の検出器要素（２，３）に分割されている放
    射線検出器において、半導体が放射線方向に平行に延び
    るその一面上にｐ導電形の領域（８，９）を有し、また
    反対側の面上にｎ導電形の領域（１０，１１）を有し、
    これらの領域（８，９又は１０，１１）のうちの少なく
    とも一つの領域が低導電率の部分（５又は６）により中
    断されていることを特徴とする放射線検出器。
  2. 【請求項２】ｐ導電形領域（８，９）もｎ導電形領域
    （１０，１１）もそれぞれ低導電率部分（５又は６）に
    より中断され、その際低導電率部分（５，６）が相対し
    て配置されていることを特徴とする実用新案登録請求の
    範囲第１項記載の放射線検出器。
  3. 【請求項３】低導電率部分が溝（５，６）により構成さ
    れていることを特徴とする実用新案登録請求の範囲第１
    項又は第２項記載の放射線検出器。
  4. 【請求項４】低導電率部分がドープされていない材料に
    より形成されていることを特徴とする実用新案登録請求
    の範囲第１項又は第２項記載の放射線検出器。
JP1987152130U 1986-10-06 1987-10-02 放射線検出器 Expired - Lifetime JPH062282Y2 (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE19863633998 DE3633998A1 (de) 1986-10-06 1986-10-06 Strahlendetektor
DE3633998.9 1986-10-06

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Publication Number Publication Date
JPS6362732U JPS6362732U (ja) 1988-04-25
JPH062282Y2 true JPH062282Y2 (ja) 1994-01-19

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Family Applications (1)

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JP1987152130U Expired - Lifetime JPH062282Y2 (ja) 1986-10-06 1987-10-02 放射線検出器

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JPS6362732U (ja) 1988-04-25
DE3633998A1 (de) 1988-04-14
US4901126A (en) 1990-02-13

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