JPH0624220B2 - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPH0624220B2 JPH0624220B2 JP1198338A JP19833889A JPH0624220B2 JP H0624220 B2 JPH0624220 B2 JP H0624220B2 JP 1198338 A JP1198338 A JP 1198338A JP 19833889 A JP19833889 A JP 19833889A JP H0624220 B2 JPH0624220 B2 JP H0624220B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wiring layer
- connection hole
- wiring
- connection
- layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
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- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 ［発明の目的］ （産業上の利用分野） 本発明は、半導体装置に関する。
（従来の技術） 近年の半導体製造技術の向上は目覚しく、特に半導体装
置上の配線においては、２層から３層、更に４層以上の
多層化が実現されるに至っている。しかし、一方では配
線層の増加に伴い半導体表面の段差形状が益々複雑化し
ており、断線を含む配線特性の劣化や信頼性の低下等の
問題が表面化している。特に、所望の配線層間を接続す
るための接続孔に関しては、従来出来るだけ大きく開口
するのが一般的であり、かつ有利であると考えられてい
たが、このような接続孔では以下に述べるような不都合
があった。
置上の配線においては、２層から３層、更に４層以上の
多層化が実現されるに至っている。しかし、一方では配
線層の増加に伴い半導体表面の段差形状が益々複雑化し
ており、断線を含む配線特性の劣化や信頼性の低下等の
問題が表面化している。特に、所望の配線層間を接続す
るための接続孔に関しては、従来出来るだけ大きく開口
するのが一般的であり、かつ有利であると考えられてい
たが、このような接続孔では以下に述べるような不都合
があった。
第１図は従来の半導体装置の要部の構造を示す平面図
で、第２図は第１図の矢視Ａ−Ａ断面を示す図である。
図中１は半導体基板で、この基板１の表面には第１の配
線層としての拡散層２が形成されている。半導体基板１
上には第１の絶縁層３が設けられ、この絶縁層３の拡散
層２上には接続孔４が開孔されている。絶縁層３上には
Ａｌ膜からなる第２の配線層５が設けられており、この
配線層５は接続孔４を介して拡散層２と接続されてい
る。
で、第２図は第１図の矢視Ａ−Ａ断面を示す図である。
図中１は半導体基板で、この基板１の表面には第１の配
線層としての拡散層２が形成されている。半導体基板１
上には第１の絶縁層３が設けられ、この絶縁層３の拡散
層２上には接続孔４が開孔されている。絶縁層３上には
Ａｌ膜からなる第２の配線層５が設けられており、この
配線層５は接続孔４を介して拡散層２と接続されてい
る。
ここで、接続孔４を拡散層２と配線層５との間の接続を
確実にするため拡散層２、配線層５の重なる領域で比較
的大きく、かつ、配線層５の長さ方向に長く形成されて
いる。
確実にするため拡散層２、配線層５の重なる領域で比較
的大きく、かつ、配線層５の長さ方向に長く形成されて
いる。
また、第１の絶縁層３及び２の配線層５上には、第２の
絶縁層６を介してＡｌ膜からなる第３の配線層７が設け
られている。なお、この第３の配線層７は第１の配線層
５と交差する関係に形成され、かつ前記接続孔４上を通
過している。
絶縁層６を介してＡｌ膜からなる第３の配線層７が設け
られている。なお、この第３の配線層７は第１の配線層
５と交差する関係に形成され、かつ前記接続孔４上を通
過している。
（発明が解決しようとする課題） このような構成では、第３の配線層７は、第１の絶縁層
３の表面形状に起因する第２の絶縁層６の段差により、
絶縁層６への被覆性が悪くなり、段差部においてその膜
厚が極めて薄くなる。このため、第３の配線層７の段切
れや配線抵抗増大等の配線特性の劣化を招き、またマイ
グレーション等による信頼性低下を招くと言う問題があ
った。
３の表面形状に起因する第２の絶縁層６の段差により、
絶縁層６への被覆性が悪くなり、段差部においてその膜
厚が極めて薄くなる。このため、第３の配線層７の段切
れや配線抵抗増大等の配線特性の劣化を招き、またマイ
グレーション等による信頼性低下を招くと言う問題があ
った。
なお、上述した問題は第３の配線層７の幅よりも接続孔
４の長手方向の方が長く、配線層７が接続孔４にて完全
に横切られるために生じるものであり、これを避けるた
めには接続孔４を配線層７の幅より短く形成すればよ
い。しかしながら、この場合には接続孔４の面積が狭く
なり、拡散層２と第２の配線層５との接続が不確実とな
るため、好ましくない。
４の長手方向の方が長く、配線層７が接続孔４にて完全
に横切られるために生じるものであり、これを避けるた
めには接続孔４を配線層７の幅より短く形成すればよ
い。しかしながら、この場合には接続孔４の面積が狭く
なり、拡散層２と第２の配線層５との接続が不確実とな
るため、好ましくない。
本発明の目的は、配線層が接続孔上の段差を通過するこ
とに起因する該配線僧の段切れや抵抗増大化等を未然に
防止することができ、配線特性及び信頼性の向上をはか
り得る半導体装置を提供することにある。
とに起因する該配線僧の段切れや抵抗増大化等を未然に
防止することができ、配線特性及び信頼性の向上をはか
り得る半導体装置を提供することにある。
［発明の構成］ （課題を解決するための手段） 本発明の半導体第１乃至第３の配線層が絶縁層を挟んで
交互に積層された多層配線構造を有し、第１の配線層と
第２の配線層とが前記絶縁層に設けられた接続孔を通し
て相互接続され、この接続孔上を第３の配線層が通過す
る半導体装であって、この第３の配線層より幅広の前記
接続孔が、前記第３の配線層が通過する領域で、前記第
３の配線層の幅方向に並ぶ複数の接続孔と前記第３の配
線層の通過領域外に設けられた接続孔とに分割されてな
ることを特徴とする。
交互に積層された多層配線構造を有し、第１の配線層と
第２の配線層とが前記絶縁層に設けられた接続孔を通し
て相互接続され、この接続孔上を第３の配線層が通過す
る半導体装であって、この第３の配線層より幅広の前記
接続孔が、前記第３の配線層が通過する領域で、前記第
３の配線層の幅方向に並ぶ複数の接続孔と前記第３の配
線層の通過領域外に設けられた接続孔とに分割されてな
ることを特徴とする。
（作用） 上述の構成においては、接続孔の上を通る第３の配線層
が通過する領域で接続孔を複数に分割したことにより、
接続孔上の段差を横切らせていた第３の配線層の一部
が、段差の無い領域（分割された接続孔と接続孔との間
の領域）を通過するようになる。これにより、第３の配
線層の段切れや、抵抗増大化等が防止される。
が通過する領域で接続孔を複数に分割したことにより、
接続孔上の段差を横切らせていた第３の配線層の一部
が、段差の無い領域（分割された接続孔と接続孔との間
の領域）を通過するようになる。これにより、第３の配
線層の段切れや、抵抗増大化等が防止される。
また、第３の配線層より幅広の接続孔を複数に分割する
際に、接続孔を上を通る第３の配線層が通過する領域外
にも分割された接続孔が設けられている。このため、第
３の配線層が通過する領域で接続孔を複数に分割したこ
とに起因する、第１の配線層と第２の配線層との間のコ
ンタクト抵抗の増大という不都合は生じない。
際に、接続孔を上を通る第３の配線層が通過する領域外
にも分割された接続孔が設けられている。このため、第
３の配線層が通過する領域で接続孔を複数に分割したこ
とに起因する、第１の配線層と第２の配線層との間のコ
ンタクト抵抗の増大という不都合は生じない。
即ち、接続孔を介する配線層間の接続特性は、接続孔の
面積のみならず周囲長に依存する。本発明のように第３
の配線層が通過する領域で第３の配線層の幅方向に並ぶ
複数の接続孔と第３の配線層の通過領域外に設けられた
接続孔とに分割すると、面積は狭くなるが、周囲長が増
大するので、接続孔を小分割することによる接続特性の
劣化は殆ど問題とならない。
面積のみならず周囲長に依存する。本発明のように第３
の配線層が通過する領域で第３の配線層の幅方向に並ぶ
複数の接続孔と第３の配線層の通過領域外に設けられた
接続孔とに分割すると、面積は狭くなるが、周囲長が増
大するので、接続孔を小分割することによる接続特性の
劣化は殆ど問題とならない。
また、接続孔を分割することによるパターンの追加やパ
ターン面積の増大等を招くことがなく、さらに接続孔パ
ターンの分割には、プロセスの変更を伴わうこともな
い。従って、レイアウトやプロセス等の変更なしに、配
線特性および信頼性の向上が図られる。
ターン面積の増大等を招くことがなく、さらに接続孔パ
ターンの分割には、プロセスの変更を伴わうこともな
い。従って、レイアウトやプロセス等の変更なしに、配
線特性および信頼性の向上が図られる。
（実施例） 第３図は本発明の一実施例に係わる半導体装置の要部の
構造を示す平面図である。なお、第１図と同一部分には
同一符号を付して、その詳しい説明は省略する。この実
施例が先に説明した従来例と異なる点は、前記接続孔４
の代わりに複数の接続孔を形成したことである。即ち、
第１の絶縁層３には、第２の配線層５の長さ方向に沿っ
て４個の接続小孔８ａ，８ｂ，８ｃ，８ｄが直線状に配
列形成されている。
構造を示す平面図である。なお、第１図と同一部分には
同一符号を付して、その詳しい説明は省略する。この実
施例が先に説明した従来例と異なる点は、前記接続孔４
の代わりに複数の接続孔を形成したことである。即ち、
第１の絶縁層３には、第２の配線層５の長さ方向に沿っ
て４個の接続小孔８ａ，８ｂ，８ｃ，８ｄが直線状に配
列形成されている。
ここで、本実施例においては接続孔によって接続される
第１の配線層としての拡散層２と第２の配線層５より上
層側にある第３の配線層７が通過する領域で、この第３
の配線層７より幅広の接続孔が、第３の配線層７の幅方
向に並ぶ接続孔８ｂ，８ｃと第３の配線層７の通過領域
外に設けられた接続孔８ａあるいは接続孔８ｄとに分割
されていることが重要である。
第１の配線層としての拡散層２と第２の配線層５より上
層側にある第３の配線層７が通過する領域で、この第３
の配線層７より幅広の接続孔が、第３の配線層７の幅方
向に並ぶ接続孔８ｂ，８ｃと第３の配線層７の通過領域
外に設けられた接続孔８ａあるいは接続孔８ｄとに分割
されていることが重要である。
このような構成であれば、第３の配線層７の一部を段差
のない領域を通過させることができる。即ち、第３図の
孔８ｃを通る矢視Ｂ−Ｂ断面では、第２図に示す如く第
３の配線層７は段差を横切るが、第３図の孔８ｂと８ｃ
との間を通る矢視Ｃ−Ｃ断面では、第４図に示す如く段
差のない領域を横切ることになる。従って、段差部での
段切れや膜厚減少等に起因する第３の配線層７の断線や
抵抗増大化を防止でき、配線特性及び信頼性の向上を図
ることができる。
のない領域を通過させることができる。即ち、第３図の
孔８ｃを通る矢視Ｂ−Ｂ断面では、第２図に示す如く第
３の配線層７は段差を横切るが、第３図の孔８ｂと８ｃ
との間を通る矢視Ｃ−Ｃ断面では、第４図に示す如く段
差のない領域を横切ることになる。従って、段差部での
段切れや膜厚減少等に起因する第３の配線層７の断線や
抵抗増大化を防止でき、配線特性及び信頼性の向上を図
ることができる。
なお、本発明は上述した実施例に限定されるものではな
く、その要旨を逸脱しない範囲で、種々変形して実施す
ることができる。例えば、前記接続孔の分割数は４個に
限るものではなく、適宜増減できる。また、配線層の数
も３層に限るものではなく、４層以上であってもよいの
は勿論のことである。
く、その要旨を逸脱しない範囲で、種々変形して実施す
ることができる。例えば、前記接続孔の分割数は４個に
限るものではなく、適宜増減できる。また、配線層の数
も３層に限るものではなく、４層以上であってもよいの
は勿論のことである。
［発明の効果］ 本発明によれば、第１の配線と第２の配線層とを接続す
るための接続孔を、この接続孔の上を通る第３の配線層
が通過する領域で複数に分割したことにより、接続孔上
の段差を横切る第３の配線層の一部を段差の無い領域を
通過させることが可能となるので、第３の配線層の段切
れや抵抗増大化等を防止することができる。また、第３
の配線層よりも幅広の接続孔を複数に分割する際に、接
続孔の上を通る第３の配線層が通過する領域外にも分解
された接続孔が設けられている。このため、第３の配線
層が通過する領域で接続孔を複数に分割したことに起因
する、第１の配線層と第２の配線層との間のコンタクト
抵抗の増大という不都合は生じない。
るための接続孔を、この接続孔の上を通る第３の配線層
が通過する領域で複数に分割したことにより、接続孔上
の段差を横切る第３の配線層の一部を段差の無い領域を
通過させることが可能となるので、第３の配線層の段切
れや抵抗増大化等を防止することができる。また、第３
の配線層よりも幅広の接続孔を複数に分割する際に、接
続孔の上を通る第３の配線層が通過する領域外にも分解
された接続孔が設けられている。このため、第３の配線
層が通過する領域で接続孔を複数に分割したことに起因
する、第１の配線層と第２の配線層との間のコンタクト
抵抗の増大という不都合は生じない。
即ち、第１および第２の配線層間の接続特性は、接続孔
を面積のみならず周囲長に依存し、本発明のように第３
の配線層が通過する領域で第３の配線層の幅方向に並ぶ
複数の接続孔と第３の配線層の通過領域外に設けられた
接続孔とに分割すると、その面積は狭くなるが、周囲長
が増大するため、接続孔を小分割することによる接続特
性の劣化は殆ど問題とならない。
を面積のみならず周囲長に依存し、本発明のように第３
の配線層が通過する領域で第３の配線層の幅方向に並ぶ
複数の接続孔と第３の配線層の通過領域外に設けられた
接続孔とに分割すると、その面積は狭くなるが、周囲長
が増大するため、接続孔を小分割することによる接続特
性の劣化は殆ど問題とならない。
また、接続孔を分割することによるパターンの追加やパ
ターン面積の増大等を招くことがなく、さらに接続孔パ
ターンの分割であるのでプロセスの変更も伴わない。従
って、レイアウトやプロセス等の変更なしに、配線特性
および信頼性の向上を図ることができる。
ターン面積の増大等を招くことがなく、さらに接続孔パ
ターンの分割であるのでプロセスの変更も伴わない。従
って、レイアウトやプロセス等の変更なしに、配線特性
および信頼性の向上を図ることができる。
第１図は従来の半導体装置の要部の構造を示す平面図、
第２図は第１図の矢視Ａ−Ａ断面図、第３図は本発明の
一実施例に係わる半導体装置の要部の構造を示す平面
図、第４図は第３図の矢視Ｃ−Ｃ断面図である。 １……半導体基板、２……拡散層、３……第１の絶縁
層、４……接続孔、５……第２の配線層、６……第２の
絶縁層、７……第３の配線層、８ａ，８ｂ，８ｃ……接
続小孔。
第２図は第１図の矢視Ａ−Ａ断面図、第３図は本発明の
一実施例に係わる半導体装置の要部の構造を示す平面
図、第４図は第３図の矢視Ｃ−Ｃ断面図である。 １……半導体基板、２……拡散層、３……第１の絶縁
層、４……接続孔、５……第２の配線層、６……第２の
絶縁層、７……第３の配線層、８ａ，８ｂ，８ｃ……接
続小孔。
Claims (1)
- 【請求項１】第１乃至第３の配線層が絶縁層が挟んで交
互に積層された多層配線構造を有し、第１の配線層と第
２の配線層とが前記絶縁層に設けられた接続孔を通して
相互接続され、この接続孔上を第３の配線層が通過する
半導体装置であって、この第３の配線層より幅広の前記
接続孔が、前記第３の配線層が通過する領域で、前記第
３の配線層の幅方向に並ぶ複数の接続孔と前記第３の配
線層の通過領域外に設けられた接続孔とに分割されてな
ることを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1198338A JPH0624220B2 (ja) | 1989-07-31 | 1989-07-31 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1198338A JPH0624220B2 (ja) | 1989-07-31 | 1989-07-31 | 半導体装置 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57096032A Division JPS58213450A (ja) | 1982-06-04 | 1982-06-04 | 半導体装置の多層配線構造 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5240153A Division JPH0783054B2 (ja) | 1993-09-27 | 1993-09-27 | 半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0277139A JPH0277139A (ja) | 1990-03-16 |
| JPH0624220B2 true JPH0624220B2 (ja) | 1994-03-30 |
Family
ID=16389457
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1198338A Expired - Lifetime JPH0624220B2 (ja) | 1989-07-31 | 1989-07-31 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0624220B2 (ja) |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5839380B2 (ja) * | 1977-02-28 | 1983-08-30 | 沖電気工業株式会社 | 半導体集積回路装置 |
| JPS558082A (en) * | 1978-07-03 | 1980-01-21 | Nec Corp | Multi-wiring semiconductor device |
-
1989
- 1989-07-31 JP JP1198338A patent/JPH0624220B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0277139A (ja) | 1990-03-16 |
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