JPH081929B2 - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPH081929B2 JPH081929B2 JP16431187A JP16431187A JPH081929B2 JP H081929 B2 JPH081929 B2 JP H081929B2 JP 16431187 A JP16431187 A JP 16431187A JP 16431187 A JP16431187 A JP 16431187A JP H081929 B2 JPH081929 B2 JP H081929B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- bridge
- wiring
- air
- pile portion
- layer
- Prior art date
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- Expired - Lifetime
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- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は、半導体装置に係り、特に半導体基板上に
形成されるエアーブリッジ配線の機械的強度を向上させ
た配線構造に関するものである。
形成されるエアーブリッジ配線の機械的強度を向上させ
た配線構造に関するものである。
従来この種のエアーブリッジ配線構造の一例を第２図
（ａ）〜（ｆ）について説明する。
（ａ）〜（ｆ）について説明する。
第２図において、１は第１層配線、２はエアーブリッ
ジ配線の橋杭部分、３は同じく橋板部分、４は前記橋杭
部分２と橋板部分３が接触している面積、５は半導体基
板である。
ジ配線の橋杭部分、３は同じく橋板部分、４は前記橋杭
部分２と橋板部分３が接触している面積、５は半導体基
板である。
なお、第２図（ａ）〜（ｃ）はそれぞれ平面図であ
り、第２図（ａ）は第１層配線１を示し、第２図（ｂ）
は第１層配線１に橋杭部分２が形成された状態を示し、
第２図（ｃ）はエアーブリッジ配線の橋板部分３が配線
された状態を示す。また、第２図（ｄ）〜（ｆ）は、第
２図（ａ）〜（ｃ）にそれぞれ対応するＡ−Ａ′線,B−
Ｂ′線およびＣ−Ｃ′線による断面側面図である。
り、第２図（ａ）は第１層配線１を示し、第２図（ｂ）
は第１層配線１に橋杭部分２が形成された状態を示し、
第２図（ｃ）はエアーブリッジ配線の橋板部分３が配線
された状態を示す。また、第２図（ｄ）〜（ｆ）は、第
２図（ａ）〜（ｃ）にそれぞれ対応するＡ−Ａ′線,B−
Ｂ′線およびＣ−Ｃ′線による断面側面図である。
次にエアーブリッジ配線の形成要領について説明す
る。
る。
まず、半導体基板５上に第１層配線１を形成する。次
に第１層配線１上に配線幅より狭いサイズでエアーブリ
ッジ配線の橋杭部分２に相当するパターンを形成する。
その際の第１層配線１は、橋杭部分２がくる部分を通常
より太くしておく。次に、第２層上層配線である橋板部
分３をエアーブリッジの橋杭部分２の上に形成するが、
その際の配線は橋杭部分２の寸法より狭い寸法で形成す
る。
に第１層配線１上に配線幅より狭いサイズでエアーブリ
ッジ配線の橋杭部分２に相当するパターンを形成する。
その際の第１層配線１は、橋杭部分２がくる部分を通常
より太くしておく。次に、第２層上層配線である橋板部
分３をエアーブリッジの橋杭部分２の上に形成するが、
その際の配線は橋杭部分２の寸法より狭い寸法で形成す
る。
従来のエアーブリッジ配線の構造では、橋板部分３の
線幅が第１層配線１に比べて狭くなり、配線抵抗が上昇
してしまう。そのため、橋板部分３の線幅を広くする
か、または配線の厚みを厚くしなければならない。しか
し、線幅を広くしたり、厚みを厚くすると機械的強度の
問題から、橋杭部分２を太くしなければならず、最終的
には第１層配線１から設計しなおさなければならない等
の問題点があった。
線幅が第１層配線１に比べて狭くなり、配線抵抗が上昇
してしまう。そのため、橋板部分３の線幅を広くする
か、または配線の厚みを厚くしなければならない。しか
し、線幅を広くしたり、厚みを厚くすると機械的強度の
問題から、橋杭部分２を太くしなければならず、最終的
には第１層配線１から設計しなおさなければならない等
の問題点があった。
この発明は、上記のような問題点を解消するためにな
されたもので、第１層配線の線幅を変えずに、エアーブ
リッジ配線の配線抵抗を低減せしめた配線構造を得るこ
とを目的とする。
されたもので、第１層配線の線幅を変えずに、エアーブ
リッジ配線の配線抵抗を低減せしめた配線構造を得るこ
とを目的とする。
この発明に係るエアーブリッジ配線の配線構造は、エ
アーブリッジの橋杭部分を第１層配線より太く形成し、
この橋杭部分とエアーブリッジ配線の橋板部分との接触
を増大させたものである。
アーブリッジの橋杭部分を第１層配線より太く形成し、
この橋杭部分とエアーブリッジ配線の橋板部分との接触
を増大させたものである。
この発明におけるエアーブリッジ配線の配線構造は、
エアーブリッジ橋杭部分を第１層配線より太くしたこと
から、機械的強度が向上し、この上に配線される橋板部
分の線幅を広くすることが可能になり、エアーブリッジ
配線の配線抵抗が低減される。
エアーブリッジ橋杭部分を第１層配線より太くしたこと
から、機械的強度が向上し、この上に配線される橋板部
分の線幅を広くすることが可能になり、エアーブリッジ
配線の配線抵抗が低減される。
〔実施例〕 この発明の一実施例を第１図（ａ）〜（ｆ）について
説明する。なお、第１図の各図は、第２図の各図と同様
な図を表わしている。また、第１図における符号中、第
２図と同一のものは同一構成部分を示すものであり、20
は前記第１層配線１より太く形成した橋杭部分、30は線
幅を広く形成した橋板部分、40は前記橋杭部分20上に配
線された橋板部分30との接触面積を示すものである。
説明する。なお、第１図の各図は、第２図の各図と同様
な図を表わしている。また、第１図における符号中、第
２図と同一のものは同一構成部分を示すものであり、20
は前記第１層配線１より太く形成した橋杭部分、30は線
幅を広く形成した橋板部分、40は前記橋杭部分20上に配
線された橋板部分30との接触面積を示すものである。
なお、エアーブリッジ配線の形成要領は、第２図の従
来例と同じであるので、その説明は省略する。
来例と同じであるので、その説明は省略する。
このように橋杭部分20を太く形成することにより、機
械的強度が増大するとともに、上層配線になる橋板部分
30との接触面積40が増大することから、エアーブリッジ
配線の配線抵抗を低減させることができる。
械的強度が増大するとともに、上層配線になる橋板部分
30との接触面積40が増大することから、エアーブリッジ
配線の配線抵抗を低減させることができる。
以上説明したようにこの発明は、エアーブリッジ配線
の橋杭部分を第１層配線より太くしたので、機械的強度
が増大するとともに、その上に配線される橋板部分の線
幅を広くしたり、厚くしたりすることも基本的な設計を
変更せずに容易にできる。さらに、橋杭部分と橋板部分
の接触面積が増大するので、エアーブリッジの配線抵抗
を下げることができる等の効果がある。
の橋杭部分を第１層配線より太くしたので、機械的強度
が増大するとともに、その上に配線される橋板部分の線
幅を広くしたり、厚くしたりすることも基本的な設計を
変更せずに容易にできる。さらに、橋杭部分と橋板部分
の接触面積が増大するので、エアーブリッジの配線抵抗
を下げることができる等の効果がある。
第１図（ａ）〜（ｆ）はこの発明の一実施例によるエア
ーブリッジ配線を示すもので、第１図（ａ）〜（ｃ）は
平面図、第１図（ｄ）〜（ｆ）は第１図（ａ）〜（ｃ）
のＡ−Ａ′線,B−Ｂ′線およびＣ−Ｃ′線による断面側
面図、第２図（ａ）〜（ｆ）は従来例を示す第１図と同
様な平面図および断面側面図である。 図において、１は第１層配線、５は半導体基板、20は橋
杭部分、30は橋板部分、40は接触面積である。 なお、各図中の同一符号は同一または相当部分を示す。
ーブリッジ配線を示すもので、第１図（ａ）〜（ｃ）は
平面図、第１図（ｄ）〜（ｆ）は第１図（ａ）〜（ｃ）
のＡ−Ａ′線,B−Ｂ′線およびＣ−Ｃ′線による断面側
面図、第２図（ａ）〜（ｆ）は従来例を示す第１図と同
様な平面図および断面側面図である。 図において、１は第１層配線、５は半導体基板、20は橋
杭部分、30は橋板部分、40は接触面積である。 なお、各図中の同一符号は同一または相当部分を示す。
Claims (1)
- 【請求項１】半導体基板上に所要数の第１層配線が形成
され、これらの第１層配線のそれぞれに設けられた橋杭
部分に接触してエアーブリッジ配線の橋板部分が配線さ
れた配線構造において、前記橋杭部分を前記第１層配線
より太く形成し、前記橋板部分との接触面積を増大せし
めたことを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16431187A JPH081929B2 (ja) | 1987-06-30 | 1987-06-30 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16431187A JPH081929B2 (ja) | 1987-06-30 | 1987-06-30 | 半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS648646A JPS648646A (en) | 1989-01-12 |
| JPH081929B2 true JPH081929B2 (ja) | 1996-01-10 |
Family
ID=15790726
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16431187A Expired - Lifetime JPH081929B2 (ja) | 1987-06-30 | 1987-06-30 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH081929B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3882391T2 (de) * | 1987-02-27 | 1993-10-28 | Fuji Photo Film Co Ltd | Farbphotographisches Silberhalogenidmaterial. |
-
1987
- 1987-06-30 JP JP16431187A patent/JPH081929B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS648646A (en) | 1989-01-12 |
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