JPH0783054B2 - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPH0783054B2 JPH0783054B2 JP5240153A JP24015393A JPH0783054B2 JP H0783054 B2 JPH0783054 B2 JP H0783054B2 JP 5240153 A JP5240153 A JP 5240153A JP 24015393 A JP24015393 A JP 24015393A JP H0783054 B2 JPH0783054 B2 JP H0783054B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wiring layer
- connection hole
- layer
- wiring
- connection
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
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- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年の半導体製造技術の向上は目覚し
く、特に半導体装置上の配線においては、２層から３
層、更に４層以上の多層化が実現されるに至っている。
しかし、一方では配線層の増加に伴い半導体表面の段差
形状が益々複雑化しており、断線を含む配線特性の劣化
や信頼性の低下等の問題が表面化している。特に、所望
の配線層間を接続するための接続孔に関しては、従来出
来るだけ大きく開口するのが一般的であり、かつ有利で
あると考えられていたが、このような接続孔では以下に
述べるような不都合があった。
く、特に半導体装置上の配線においては、２層から３
層、更に４層以上の多層化が実現されるに至っている。
しかし、一方では配線層の増加に伴い半導体表面の段差
形状が益々複雑化しており、断線を含む配線特性の劣化
や信頼性の低下等の問題が表面化している。特に、所望
の配線層間を接続するための接続孔に関しては、従来出
来るだけ大きく開口するのが一般的であり、かつ有利で
あると考えられていたが、このような接続孔では以下に
述べるような不都合があった。
【０００３】図１は従来の半導体装置の要部の構造を示
す平面図で、図２は図１の矢視Ａ−Ａ断面を示す図であ
る。図中１は半導体基板で、この基板１の表面には拡散
層２が形成されている。半導体基板１上には第１の絶縁
層３が設けられ、この絶縁層３の拡散層２上には接続孔
４が開孔されている。絶縁層３上にはＡｌ膜からなる第
１の配線層５が設けられており、この配線層５は接続孔
４を介して拡散層２と接続されている。
す平面図で、図２は図１の矢視Ａ−Ａ断面を示す図であ
る。図中１は半導体基板で、この基板１の表面には拡散
層２が形成されている。半導体基板１上には第１の絶縁
層３が設けられ、この絶縁層３の拡散層２上には接続孔
４が開孔されている。絶縁層３上にはＡｌ膜からなる第
１の配線層５が設けられており、この配線層５は接続孔
４を介して拡散層２と接続されている。
【０００４】ここで、接続孔４は拡散層２と配線層５と
の間の接続を確実にするため拡散層２、配線層５の重な
る領域で比較的大きく、かつ、配線層５の長さ方向に長
く形成されている。
の間の接続を確実にするため拡散層２、配線層５の重な
る領域で比較的大きく、かつ、配線層５の長さ方向に長
く形成されている。
【０００５】また、第１の絶縁層３及び第１の配線層５
上には、第２の絶縁層６を介してＡｌ膜からなる第２の
配線層７が設けられている。なお、この第２の配線層７
は第１の配線層５と交差する関係に形成され、かつ前記
接続孔４上を通過している。
上には、第２の絶縁層６を介してＡｌ膜からなる第２の
配線層７が設けられている。なお、この第２の配線層７
は第１の配線層５と交差する関係に形成され、かつ前記
接続孔４上を通過している。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】このような構成では、
第２の配線層７は、第１の絶縁層３の表面形状に起因す
る第２の絶縁層６の段差により、絶縁層６への被覆性が
悪くなり、段差部においてその膜厚が極めて薄くなる。
このため、第２の配線層７の段切れや配線抵抗増大等の
配線特性の劣化を招き、またマイグレーション等による
信頼性低下を招くと言う問題があった。
第２の配線層７は、第１の絶縁層３の表面形状に起因す
る第２の絶縁層６の段差により、絶縁層６への被覆性が
悪くなり、段差部においてその膜厚が極めて薄くなる。
このため、第２の配線層７の段切れや配線抵抗増大等の
配線特性の劣化を招き、またマイグレーション等による
信頼性低下を招くと言う問題があった。
【０００７】なお、上述した問題は第２の配線層７の幅
よりも接続孔４の長手方向の方が長く、配線層７が接続
孔４にて完全に横切られるために生じるものであり、こ
れを避けるためには接続孔４を配線層７の幅より短く形
成すればよい。しかしながら、この場合には接続孔４の
面積が狭くなり、拡散層２と第１の配線層５との接続が
不確実となるため、好ましくない。
よりも接続孔４の長手方向の方が長く、配線層７が接続
孔４にて完全に横切られるために生じるものであり、こ
れを避けるためには接続孔４を配線層７の幅より短く形
成すればよい。しかしながら、この場合には接続孔４の
面積が狭くなり、拡散層２と第１の配線層５との接続が
不確実となるため、好ましくない。
【０００８】本発明の目的は、配線層が接続孔上の段差
を通過することに起因する該配線僧の段切れや抵抗増大
化等を未然に防止することができ、配線特性及び信頼性
の向上をはかり得る半導体装置を提供することにある。
を通過することに起因する該配線僧の段切れや抵抗増大
化等を未然に防止することができ、配線特性及び信頼性
の向上をはかり得る半導体装置を提供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに本発明の半導体装置は、表面に拡散層を有する半導
体基板上に絶縁層と配線層が交互に積層された多層配線
構造を有し、前記拡散層と第１の配線層とが前記絶縁層
に設けられた接続孔を通して相互接続され、この接続孔
上を第２の配線層が通過するものであって、この第２の
配線層より幅広の前記接続孔が、前記第２の配線層が通
過する領域で、前記第２の配線層の幅方向に並ぶ複数の
接続孔と前記第２の配線層の通過領域外に設けられた接
続孔とに分割されてなることを特徴とする。
めに本発明の半導体装置は、表面に拡散層を有する半導
体基板上に絶縁層と配線層が交互に積層された多層配線
構造を有し、前記拡散層と第１の配線層とが前記絶縁層
に設けられた接続孔を通して相互接続され、この接続孔
上を第２の配線層が通過するものであって、この第２の
配線層より幅広の前記接続孔が、前記第２の配線層が通
過する領域で、前記第２の配線層の幅方向に並ぶ複数の
接続孔と前記第２の配線層の通過領域外に設けられた接
続孔とに分割されてなることを特徴とする。
【００１０】
【作用】上述の構成においては、接続孔の上を通る第２
の配線層が通過する領域で接続孔を複数に分割したこと
により、接続孔上の段差を横切らせていた第２の配線層
の一部が、段差の無い領域（分割された接続孔と接続孔
との間の領域）を通過するようになる。これにより、第
２の配線層の段切れや、抵抗増大化等が防止される。
の配線層が通過する領域で接続孔を複数に分割したこと
により、接続孔上の段差を横切らせていた第２の配線層
の一部が、段差の無い領域（分割された接続孔と接続孔
との間の領域）を通過するようになる。これにより、第
２の配線層の段切れや、抵抗増大化等が防止される。
【００１１】また、第２の配線層より幅広の接続孔を複
数に分割する際に、接続孔の上を通る第２の配線層が通
過する領域外にも分割された接続孔が設けられている。
このため、第２の配線層が通過する領域で接続孔を複数
に分割したことに起因する、拡散層と第１の配線層との
間のコンタクト抵抗の増大という不都合は生じない。即
ち、接続孔を介する配線層間の接続特性は、接続孔の面
積のみならず周囲長に依存する。本発明のように、第２
の配線層が通過する領域で第２の配線層の幅方向に並ぶ
複数の接続孔と第２の配線層の通過領域外に設けられた
接続孔とに分割すると、面積は狭くなるが、周囲長が増
大するので、接続孔を小分割することによる接続特性の
劣化は殆ど問題とならない。
数に分割する際に、接続孔の上を通る第２の配線層が通
過する領域外にも分割された接続孔が設けられている。
このため、第２の配線層が通過する領域で接続孔を複数
に分割したことに起因する、拡散層と第１の配線層との
間のコンタクト抵抗の増大という不都合は生じない。即
ち、接続孔を介する配線層間の接続特性は、接続孔の面
積のみならず周囲長に依存する。本発明のように、第２
の配線層が通過する領域で第２の配線層の幅方向に並ぶ
複数の接続孔と第２の配線層の通過領域外に設けられた
接続孔とに分割すると、面積は狭くなるが、周囲長が増
大するので、接続孔を小分割することによる接続特性の
劣化は殆ど問題とならない。
【００１２】また、接続孔を分割することによるパター
ンの追加やパターン面積の増大等を招くことがなく、さ
らに接続孔パターンの分割には、プロセスの変更を伴わ
うこともない。従って、レイアウトやプロセス等の変更
なしに、配線特性および信頼性の向上が図られる。
ンの追加やパターン面積の増大等を招くことがなく、さ
らに接続孔パターンの分割には、プロセスの変更を伴わ
うこともない。従って、レイアウトやプロセス等の変更
なしに、配線特性および信頼性の向上が図られる。
【００１３】
【実施例】図３は本発明の一実施例に係わる半導体装置
の要部の構造を示す平面図である。なお、図１と同一部
分には同一符号を付して、その詳しい説明は省略する。
この実施例が先に説明した従来例と異なる点は、前記接
続孔４の代わりに複数の接続孔を形成したことである。
即ち、第１の絶縁層３には、第１の配線層５の長さ方向
に沿って４個の接続小孔８ａ，８ｂ，８ｃ，８ｄが直線
状に配列形成されている。
の要部の構造を示す平面図である。なお、図１と同一部
分には同一符号を付して、その詳しい説明は省略する。
この実施例が先に説明した従来例と異なる点は、前記接
続孔４の代わりに複数の接続孔を形成したことである。
即ち、第１の絶縁層３には、第１の配線層５の長さ方向
に沿って４個の接続小孔８ａ，８ｂ，８ｃ，８ｄが直線
状に配列形成されている。
【００１４】ここで、本実施例においては接続孔によっ
て接続される拡散層２と第１の配線層５より上層側にあ
る第２の配線層７が通過する領域で、この第２の配線層
７より幅広の接続孔が、第２の配線層７の幅方向に並ぶ
接続孔８ｂ，８ｃと第２の配線層７の通過領域外に設け
られた接続孔８ａあるいは接続孔８ｄとに分割されてい
ることが重要である。
て接続される拡散層２と第１の配線層５より上層側にあ
る第２の配線層７が通過する領域で、この第２の配線層
７より幅広の接続孔が、第２の配線層７の幅方向に並ぶ
接続孔８ｂ，８ｃと第２の配線層７の通過領域外に設け
られた接続孔８ａあるいは接続孔８ｄとに分割されてい
ることが重要である。
【００１５】このような構成であれば、第２の配線層７
の一部を段差のない領域を通過させることができる。即
ち、図３の孔８ｃを通る矢視Ｂ−Ｂ断面では、図２に示
す如く第２の配線層７は段差を横切るが、図３の孔８ｂ
と８ｃとの間を通る矢視Ｃ−Ｃ断面では、図４に示す如
く段差のない領域を横切ることになる。従って、段差部
での段切れや膜厚減少等に起因する第２の配線層７の断
線や抵抗増大化を防止でき、配線特性及び信頼性の向上
を図ることができる。
の一部を段差のない領域を通過させることができる。即
ち、図３の孔８ｃを通る矢視Ｂ−Ｂ断面では、図２に示
す如く第２の配線層７は段差を横切るが、図３の孔８ｂ
と８ｃとの間を通る矢視Ｃ−Ｃ断面では、図４に示す如
く段差のない領域を横切ることになる。従って、段差部
での段切れや膜厚減少等に起因する第２の配線層７の断
線や抵抗増大化を防止でき、配線特性及び信頼性の向上
を図ることができる。
【００１６】なお、本発明は上述した実施例に限定され
るものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で、種々変
形して実施することができる。例えば、前記接続孔の分
割数は４個に限るものではなく、適宜増減できる。
るものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で、種々変
形して実施することができる。例えば、前記接続孔の分
割数は４個に限るものではなく、適宜増減できる。
【００１７】
【発明の効果】本発明によれば、拡散層と第１の配線層
とを接続するための接続孔を、この接続孔の上を通る第
２の配線層が通過する領域で複数に分割したことによ
り、接続孔上の段差を横切る第２の配線層の一部を段差
の無い領域を通過させることが可能となるので、第２の
配線層の段切れや抵抗増大化等を防止することができ
る。また、第２の配線層より幅広の接続孔を複数に分割
する際に、接続孔の上を通る第２の配線層が通過する領
域外にも分割された接続孔が設けられている。このた
め、第２の配線層が通過する領域で接続孔を複数に分割
したことに起因する、拡散層と第１の配線層との間のコ
ンタクト抵抗の増大という不都合は生じない。すなわ
ち、拡散層と第１の配線層間の接続特性は、接続孔の面
積のみならず周囲長に依存し、本発明のように、第２の
配線層が通過する領域で第２の配線層の幅方向に並ぶ複
数の接続孔と第２の配線層の通過領域外に設けられた接
続孔とに分割すると、その面積は狭くなるが、周囲長が
増大するため、接続孔を小分割することによる接続特性
の劣化は殆ど問題とならない。
とを接続するための接続孔を、この接続孔の上を通る第
２の配線層が通過する領域で複数に分割したことによ
り、接続孔上の段差を横切る第２の配線層の一部を段差
の無い領域を通過させることが可能となるので、第２の
配線層の段切れや抵抗増大化等を防止することができ
る。また、第２の配線層より幅広の接続孔を複数に分割
する際に、接続孔の上を通る第２の配線層が通過する領
域外にも分割された接続孔が設けられている。このた
め、第２の配線層が通過する領域で接続孔を複数に分割
したことに起因する、拡散層と第１の配線層との間のコ
ンタクト抵抗の増大という不都合は生じない。すなわ
ち、拡散層と第１の配線層間の接続特性は、接続孔の面
積のみならず周囲長に依存し、本発明のように、第２の
配線層が通過する領域で第２の配線層の幅方向に並ぶ複
数の接続孔と第２の配線層の通過領域外に設けられた接
続孔とに分割すると、その面積は狭くなるが、周囲長が
増大するため、接続孔を小分割することによる接続特性
の劣化は殆ど問題とならない。
【００１８】また、接続孔を分割することによるパター
ンの追加やパターン面積の増大等を招くことがなく、さ
らに接続孔パターンの分割であるのでプロセスの変更も
伴わない。従って、レイアウトやプロセス等の変更なし
に、配線特性および信頼性の向上を図ることができる。
ンの追加やパターン面積の増大等を招くことがなく、さ
らに接続孔パターンの分割であるのでプロセスの変更も
伴わない。従って、レイアウトやプロセス等の変更なし
に、配線特性および信頼性の向上を図ることができる。
【図１】従来の半導体装置の要部の構造を示す平面図
【図２】図１の矢視Ａ−Ａ断面図
【図３】本発明の一実施例に係わる半導体装置の要部の
構造を示す平面図
構造を示す平面図
【図４】図３の矢視Ｃ−Ｃ断面図
１…半導体基板 ２…拡散層 ３…第１の絶縁層 ４…接続孔 ５…第１の配線層 ６…第２の絶縁層 ７…第２の配線層 ８ａ，８ｂ，８ｃ，８ｄ…接続小孔
Claims (1)
- 【請求項１】表面に拡散層を有する半導体基板上に絶縁
層と配線層が交互に積層された多層配線構造を有し、前
記拡散層と第１の配線層とが前記絶縁層に設けられた接
続孔を通して相互接続され、この接続孔上を第２の配線
層が通過する半導体装置であって、この第２の配線層よ
り幅広の前記接続孔が、前記第２の配線層が通過する領
域で、前記第２の配線層の幅方向に並ぶ複数の接続孔と
前記第２の配線層の通過領域外に設けられた接続孔とに
分割されてなることを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5240153A JPH0783054B2 (ja) | 1993-09-27 | 1993-09-27 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5240153A JPH0783054B2 (ja) | 1993-09-27 | 1993-09-27 | 半導体装置 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1198338A Division JPH0624220B2 (ja) | 1989-07-31 | 1989-07-31 | 半導体装置 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21762296A Division JP2693750B2 (ja) | 1996-08-19 | 1996-08-19 | 半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06283608A JPH06283608A (ja) | 1994-10-07 |
| JPH0783054B2 true JPH0783054B2 (ja) | 1995-09-06 |
Family
ID=17055289
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5240153A Expired - Lifetime JPH0783054B2 (ja) | 1993-09-27 | 1993-09-27 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0783054B2 (ja) |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5947474B2 (ja) * | 1975-10-31 | 1984-11-19 | 株式会社東芝 | ハンドウタイソウチ |
| JPS5556667A (en) * | 1978-10-20 | 1980-04-25 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Semiconductor integrated circuit |
-
1993
- 1993-09-27 JP JP5240153A patent/JPH0783054B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH06283608A (ja) | 1994-10-07 |
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