JPH0624264B2 - 電界効果トランジスタ - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 〈産業上の利用分野〉 本発明は電界効果トランジスタに関し、特に基本動作に
トンネル現象を利用した電界効果トランジスタに係る。

〈従来の技術〉 従来からも、通常のバイポーラ・トランジスタやＭＯＳ
型電界効果トランジスタに比し、高速度化、高密度化
等、さらなる性能の向上や低消費電力化を目指す試みと
して、トンネル現象を利用するトランジスタが提案され
ており、そのようなトランジスタとして、例えば第11図
に示されるような構造や、特開昭57-30368号公報の特に
第３図に示される構造のものがある。

前者は、金属−絶縁膜−金属−絶縁膜−金属（ＭＩＭＩ
Ｍ）構造を有し、例えば第11図中で最左端の金属領域Ｍ
から右側に向かい、順にそれぞれの金属領域をエミッ
タ、ベース、コレクタと規定して用いている。こうした
場合、素子電流は左側のＭＩＭ構造中の絶縁膜Ｉ、つま
りエミッタ−ベース間に挟まれた絶縁膜Ｉをトンネリン
グにより通過して流れる。

一方、上記公開公報に開示のトンネルＦＥＴは、金属−
絶縁膜−低濃度Ｎ型半導体層−高濃度Ｎ型半導体層の積
層構造を有し、金属層をソース、高濃度Ｎ型半導体層を
ドレインとして用いる外、低濃度Ｎ型半導体層の表面部
分に横方向に離間して一対の高濃度Ｐ型半導体領域を設
け、この一対の半導体領域をゲートとして用いている。
してみるに、このトンネルＦＥＴでは、その動作原理に
鑑みると、ゲートに印加する電圧によってソース電極下
の低濃度Ｎ型半導体層の電位を制御し、実質的にソース
電極のフェルミレベルを低濃度Ｎ型半導体層の禁制帯幅
内に位置させることにより、絶縁膜を介してソース電極
から流し込まれるトンネル電流を減少させており、ま
た、ソース電極から注入されたキャリアは低濃度Ｎ型半
導体層を走行した後、ドレイン（高濃度Ｎ型半導体層）
に至る。したがって、この構造の場合、その実質的なチ
ャネル領域は、低濃度Ｎ型半導体層にあって一対の高濃
度Ｐ型半導体ゲートにして挟まれた領域となる。

〈発明が解決しようとする問題点〉 第11図示のような従来のトンネル・トランジスタにおい
ては、ベース領域にトンネル現象により注入された電子
はいわゆるホット・エレクトロンとなる。そこでまず問
題となるのは、このホット・エレクトロンの当該ベース
領域中での散乱効果により、素子実動上、ベース接地電
流利得が小さくなるということである。

加えてまた、エミッタ−ベース間の容量が大きくなりが
ちなため、エミッタ充電時間も長くなり、したがって実
際上、本来なら改良の対象としたはずの通常のバイポー
ラ・トランジスタに比してさえ、むしろ特性が悪化して
しまう結果ともなる。

一方、上記公報開始の従来例では、その動作原理上から
も、またゲート、ドレイン間の絶縁耐圧を保つために
も、低濃度Ｎ型半導体層は必須であるが、それがために
欠点も多い。例えば、キャリアは相対的に低濃度は半導
体層中を走行せねばならないので走行時間遅れが見込ま
れ、したがって素子の動作速度を高めるという観点から
は望ましくないし、また、素子構造の微細化という観点
からしても、絶縁膜とキャリア走行用低濃度Ｎ型半導体
層の積層構造を必須とするためソース、ドレイン間距離
を小さくするには限界があり、トンネル酸化膜の膜厚そ
のものの程度にまで薄くすることは原理的にも不可能で
ある。

本発明はこうした点にかんがみて成されたもので、通常
のバイポーラ・トランジスタや絶縁ゲート型電界効果ト
ランジスタに比し、所期通りに十分な高速性と小型化、
そして低消費電力性を得ることができる新たな動作原理
に基づくトランジスタ素子を提供せんとするものであ
る。

〈問題点を解決するための手段〉 第11図示の従来のトンネル・トランジスタにおける欠点
は、端的に言えばエミッタ領域から注入された電子がベ
ース領域を通過することに起因している。

したがって仮に、エミッタとベースの間の絶縁膜を介し
て流れる電流がベース領域には注入されないように、当
該絶縁膜とベース領域との間に別途、電子の障壁領域を
設ければ、同じトンネル現象を利用するにしろ、上記欠
点は解消されるはずである。

もっともそうした場合、第11図示従来例のようなバイポ
ーラ・トランジスタに模した動作機構よりは、むしろ絶
縁ゲート型電界効果トランジスタに類した動作原理とな
る。

本発明はこうした知見に基づき、下記のような構成の電
界効果トランジスタを提供するものである。

ソース領域、チャネル領域、ドレイン領域、ゲート絶縁
膜、及びゲート電極を有する絶縁ゲート型電界効果トラ
ンジスタであって； 上記チャネル領域が、上記ソース領域を形成している材
料の仕事関数よりも小さな値の電子親和力を有する絶縁
材料から形成された絶縁物チャネル領域となっているこ
とを特徴とする電界効果トランジスタ。

〈作用及び効果〉 上記本発明の構成による電界効果トランジスタにおいて
は、ソース領域とドレイン領域間の素子電流を絶縁物チ
ャネル領域を介してのトンネル電流に求めることがで
き、しかも、当該トンネル電流の大きさは、ゲート電極
に印加する電位の大きさの如何によって制御することが
できる。

そしてこのように、トンネル現象に主たる動作機構を依
存させても、先に第11図に即して述べたような、あるい
はまた既掲の公開公報開示の従来例が持つような欠点
は、全てこれを解消することができる。

まず、第11図示の従来例と比べると、当該第11図示のト
ンネル・トランジスタのベース領域に相当する本発明電
界効果トランジスタのゲート電極には、簡単な設計的配
慮路や工夫によってホット・エレクトロンが拡散して行
かないようにすることができる。したがって電流利得の
低下を効果的に防ぐことがきる。従来においてはその構
造上、ベース領域へのホット・エレクトロンの拡散は本
質的に生じ得るものであり、程度において差こそあれ、
避けることができなかったことを考えると、これは大き
な飛躍である。

これに関しより具体的に言えば、本発明の構造において
もゲート絶縁膜を介してのゲート電極へのトンネリング
電流が見込まれそうなときには、例えばゲート絶縁膜に
チャネル領域材料の電子親和力よりも小さな電子親和力
を有する材料を用いると、これを未然に防ぐことができ
る。単にゲート絶縁膜の厚味を増しても同様の効果は期
待できるが、相互コンダクタンスの低下が起きる場合も
あるので、そうしたおそれのある時には前者の手法が有
利である。

また、既掲の公開公報開示の従来例と比べても、低濃度
半導体層であるチャネル領域とその上のソース電極との
間のトンネル絶縁膜とから成るような積層構造は本発明
の電界効果トランジスタでは必要なく、その結果、ソー
ス、ドレイン間距離はトンネル酸化膜の膜厚そのものに
まで薄くできるので、素子微細化の上でも極めて有利で
ある。

さらに、本発明の電解効果トランジスタでは、ゲート電
極とソース領域との平面的な重なり寸法の下限には、動
作原理上からの制限はないので、可能な限り任意に重な
り寸法を小さくして何等差支えなく、したがってゲート
−ソース間容量を有効に低下させ、高速動作を期待する
こともできる。

また、本発明電界効果トランジスタの製造に関し既存の
技術によっても、例えばフォト・リソグラフィの精度に
よらず、トンネル現象に有利な短チャネル長を得ること
も十分に可能なため、素子面積の低減や消費電力の低減
効果も得ることができる。

実際上、本発明の電界効果トランジスタは、昨今言われ
ている将来の 100Å寸法時代の性能素子として極めて有
利に働くものと考えられ、速度や消費電力、雑音、集積
密度等々の点での有利とされている三端子超電導素子
（ジョゼフソン増幅機能素子）に比しても何等遜色な
く、むしろ超電導性を動作原理の必須要件としないこと
から、室温から極低温の間で任意に動作させることがで
きる点で実用性は極めて高いものと思われる。

〈実施例〉 第１図には本発明によって構成された基本的な一実施例
のトンネル型電界効果トランジスタ10の構造断面が示さ
れている。

基板11は非良導電性材料、望ましいくは絶縁材料製であ
り、その一主面上には互いに距離Ｌだけ離間してソース
領域12、ドレイ領域13が形成され、当該距離Ｌを埋める
ようにチャネル領域14がある。

ソース領域12、ドレイン領域13は共に良導電性であるこ
とが望ましく、具体的には金属、高不純物濃度半導体、
金属硅化物等の材料がある。もちろん、両領域12，13に
共に同じ材料を用いる方が普通であるが、良導電性材料
である限り、異なっていても良い。

これに対しチャネル領域14は絶縁性材料から形成されて
いる。

これら領域12，13，14の表面にはゲート酸化膜15が形成
され、さらにその上には、ソース領域12の上方からドレ
イン領域13の上方に掛けてまたがるように、望ましくは
良導電性材料から成るゲート電極16が設けられている。

なお、本書で言う絶縁物とは、3eV 以上の禁制帯幅を有
する酸化シリコン、酸化アルミニウム、窒化シリコン等
の材料を指す。

このような静的構造において、ソース領域12及びドレイ
ン領域13の材料の仕事関数φm1，φm2に対し、絶縁物チ
ャネル領域14を形成している絶縁物材料の電子親和力χ
c を小さく設定すれば、第２図に示されるようなエネル
ギ・バンド構造が実現される。

すなわち、ソース領域12とチャネル領域14の界面には電
位障壁φbn1 が、チャネル領域14とドレイン領域13との
界面には電位障壁φbn2 が形成され、したがってゲート
電極16の影響がない場合にはソース領域12またはドレイ
ン領域13からチャネル領域14への電子の注入は防止され
る。

ソース領域12及びドレイン領域13の材料の仕事関数φm
1，φm2は、本発明の原理上は共に同じ値である必要は
ないが、同じ値であればソース領域12とドレイン領域13
との間に交換性が生じ、対称動作を期待することができ
る。また第２図中、レベル差Vapはソースi2に対するド
レイン・バイアス電圧であり、ｑは電子電荷である。

チャネル領域14の流さＬについては、適当な値範囲のVa
p に対し、ソース領域12からチャネル領域14、さらには
ドレイン領域13への電子の注入が極力小さくなるように
設定すれば良い。

こうした本発明による電界効果トランジスタ10おいてゲ
ート電極16に正の電位を印加すると、絶縁物チャネル領
域14の表面における電位分布は第２図に示された直線的
な形態から変化し、第３図に示されるように下に凹の形
状とすることができる。換言すれば絶縁物チャネル領域
14の電位障壁の平均高さをそれまでの状態よりは顕著に
小さくでき、障壁の実効厚味を等価的に狭めたことにな
って、ソース領域12からチャネル領域14を経てドレイン
領域13へのトンネル電流Jtを許し得るようになる。もち
ろん、当該トンネル電流Jtの大きさは、ゲート電極16に
印加する電位の大きさに依存させることができる。

しかるに、このような動作において実際的な配慮をする
と、場合によってはゲート絶縁膜15を介してゲート電極
16にトンネル電流が流れることがあるかも知れない。仮
にそうであると、第11図示従来例に即して述べたような
不都合が発生し、電流利得は大きく取り得ないことも考
えられるが、本発明の素子構造の場合、従来例と決定的
に異なることに、それは簡単に避けることができる。例
えばゲート絶縁膜15材料に、先掲のチャネル領域14を形
成している材料の電子親和力χc よりもさらに小さな電
子親和力χg を呈するものを選べば良い。

このようにすると、ソースまたはドレイン領域12，13と
ゲート電極16間、あるいは絶縁物チャネル領域14とゲー
ト電極16間の電位障壁の平均高さを、常にソース領域12
とドレイン領域13間の絶縁物チャネル領域14のそれより
大きくすることができ、当該チャネル領域14からゲート
電極16へのトンネル電流の流入は所期のルートであるソ
ース−ドレイン間電流Jtに比して無視できる程度に簡単
に迎え込み得る。

こうした関係を満たす材料の組合せ例としては、チャン
領域14に窒化シリコンを、ゲート絶縁膜15に酸化シリコ
ンを選ぶ組合せがある。

もっとも、ゲート絶縁膜材料を絶縁物チャネル領域１４
のそれと同じにしても、第１図に示されている絶縁膜厚
味toχを十分厚くすれば、チャネル領域14からのゲート
電極16へのトンネルによる電流流入は簡単かつ効果的に
防ぐことができるのでそれでも良い。

が、このようにすると、時として相互コンダクタンスを
犠牲にすることもあるので注意を要する。相互コンダク
タンスを高く採りたければ前者の手法によった方が賢明
ではある。

本発明による電界効果トランジスタ10の場合、動作原理
上からゲート電極16とソース領域12との平面的な重なり
寸法の下限を規定してしまうような要因はない。したが
って何の差し障りもなく、要すれば任意に、そして可能
な限り重なり寸法を小さくすることができる。そのた
め、第11図に挙げた従来素子のエミッタ−ベース間容量
に相当するゲートソース間容量は十分には小さくするこ
とができ、高速動作を期待することができる。

第４図は第１図に示した本発明電界効果トランジスタ10
を実際に作成する手順の一例を示したものである。

まず第４図(A) に示されるように、絶縁物基板11の上に
高濃度ｎ型シリコン膜17を形成し、さらにその上に酸化
シリコン膜18を形成した後、図示しない適当なリソグラ
フィにより、当該酸化シリコン膜18の所定部位に開口19
を開け、高濃度ｎ型シリコン膜17の表面を露出させる。
開口19の横寸法Ｌ′はこの実施例の場合、最終的に作成
された本実施例のトランジスタ10におけるチャネル長Ｌ
に対応する。

次いで第４図(B) に示されるように、残存させた酸化シ
リコン膜18をマスクとしてシリコン膜17の開口18に整合
する部分を熱窒化し、絶縁物チャネル領域14となる窒化
シリコン膜部分14形成する。これと同時に、その両側の
領域はソース領域12、ドレイン領域13として規定され
る。

この後、第４図(C) に示されるように、窒化シリコン膜
部分14の表面を熱酸化してゲート絶縁膜15となる酸化シ
リコン膜15形成し、続いて第４図(D) に示されるよう
に、上記形成した酸化シリコン膜15の上面に所定パター
ンに即してゲート電極16を形成し、この実施例による本
発明電界効果トランジスタ10の基本構造部分を完成す
る。

なお、絶縁物基板11の材料には、当該基板11を通して過
剰な電流が流れないようにするため、その電子親和力が
先に述べたチャネル領域材料のそれχc と同程度以下の
ものを選択することが望ましい。また、ゲート電極16材
料の仕事関数φg は、ゲート絶縁膜15の電子親和力χg
より大きければ良く、具体的な材料はしきい値電圧、抵
抗値などを考慮して選択すれば良い。ゲート電極16とゲ
ート絶縁膜15との障壁高さを、先にソースまたはドレイ
ン領域12，13とチャネル領域14とに関して述べた障壁高
さφbn1，φbn2 と同程度にするには、上記の仕事関数
φg はφm1-(χc-χg)、あるいはφm2-(χc-χg)と同程
度にすれば良い。

ところで、上記のような本発明の構造であると、ソース
領域12材料の仕事関数φm1が十分に大きく、電子に対す
る電位障壁φbn1 よりも正孔に対する電位障壁φbp1 の
方が小さくなる場合も考えられる。つまり第５図に示さ
れるようなバンド構造となることもある。

チャネル領域14のバンド・ギャップをEgc とすると、φ
bn1+φbp1=Egc,φbn1+χc =φm1であるから、φm1〉χc
+Egc/2 となるとこの状態となり、チャネル領域14を正
孔がトンネルすることによる動作が主となる。

こうした場合、ゲート絶縁膜15正孔に対する障壁となり
得るためには、そのバンド・ギャップをEgg とすると E
gg＞Egc+χc-χg が満たされれば良い。もっともこの条
件は、電子のトンネルによる場合にもゲート電極16とソ
ース領域12またはドレイン領域13との間を正孔によるト
ンネル電流が流れないようにする上で、実際上、満たし
て置いて損のない条件である。

上記した実施例はソース領域12とドレイン領域13との間
に原則として交換性を認めることができる。

これに対し、第６図に示される実施例は、ソース領域12
とドレイン領域13の交換性に関しては非対称な場合の一
構成例を開示するものである。ただし、第１図に示され
た本発明電界効果トランジスタ10の各部に対応する部分
には同一の符号を付して説明する。

絶縁物基板11の上にはソースまたはドレイン領域（ここ
ではドレイン領域として置く）13が形成され、さらにそ
の一部分の上には絶縁物チャネル領域14、ソース領域12
が順に高さ方向に積層的に形成されており、ソース領域
12とチャネル領域14の横方向露呈部分からドレイン領域
13の表面部分に掛けては一連にゲート絶縁膜15が形成さ
れている。

この実施例において絶縁物チャネル領域14のチャネル長
Ｌは高さ方向に規定されるので、ゲート電極16はゲート
絶縁膜上、当該チャネル領域14に対して電界効果を与え
得る位置に形成されている。

この実施例の構造は、現在のように、 1μｍ前後のリソ
グラフィ精度の技術でも、ソース−ドレイン間チャネル
長Ｌをトンネル電流を流すに最適な短チャネル長、例え
ば 100Å程度に容易に設定できる特徴がある。

こうした第６図に示される構造による本発明電界効果ト
ランジスタ10は、一例として第７図に示されるような工
程を経て得ることができる。

まず第７図(A) に示されるように、絶縁物基板11上に例
えば高不純物濃度シリコン膜13を形成し、これを将来の
ドレイン領域13とする（ただし先にも述べたがこの層を
ソース領域12としても良い）。

次いで第７図(B) に示されるように、ドレイン領域13の
上に窒化シリコン膜等の絶縁物層14′を熱窒化または化
学蒸着技術等により形成した後、さらにその上に高不純
物濃度シリコンかシリサイド、または金属の導電性層1
2′を形成する。

絶縁物層14′は将来、その一部分が絶縁物チャネル領域
14を形成するものであり、導電性層12′は同じく将来、
その一部がソース領域12を形成するものである。

こうした後、第７図(C) に示されるように、ソース領域
及びチャネル領域のそれぞれに平面的に見て必要な面
積、形状が得られるように、フォト・リソグラフィ技術
等の適当なリソグラフィ技術を援用して絶縁物層14′，
導電性層12′を成形し、チャネル領域14とソース領域12
とを形成する。このとき、後からエッチングされるチャ
ネル領域14の横方向露出端面は、先にエッチングされた
ソース領域12をマスクとして当該ソース領域12の端面と
自動整合的に形成されることが望ましい。

この後、第７図(D) に示されるように絶縁物チャネル領
域14の横方向露呈端面を覆うようにゲート絶縁膜15を形
成するが、その材料としては、絶縁物チャネル領域14よ
りもソース領域12からの電流注入の少ない材料、例えば
酸化シリコン、酸化アルミニウム等が望ましい。

これにより本発明電界効果トランジスタ10の基本構造が
完成したので、第７図(E) に示されるように、後は適当
にソース領域12、ドレイン領域13の各々の電気的な外部
引き出し端子Ts，Tdを形成するため、絶縁膜15の所定部
位を除去して適当な導電性材料を各領域12，13に対して
オーミックに付せば良い。

いづれにしても絶縁物チャネル領域14におけるチャネル
長Ｌを高さ方向に規定する上記実施例においては、当該
絶縁物チャネル領域14の厚味を既存の技術をしても 100
Å程度には容易にできるから、結局、トンネル現象に必
要な、ないし有効な極めて短いチャネル長Ｌを簡単に、
そして精度良く得ることができ、フォト・リソグラフィ
の精度には依存させないでも済むようになる。

ただ、ソース領域12のパターニングに関して考えると、
フォト・リソグラフィを援用した際の面積が大きいと、
当該ソース領域12とドレイン領域13とはそうした広い面
積に亘って絶縁物であるチャネル領域14を挟み対向する
ことになるから、ソース−ドレイン間容量が増すおそれ
もある。特に将来的に極端な微細寸法化が要求されてく
ると、ソース領域と既存の技術で極力小さく形成しても
なお、大きいとされることも十分にある。

こうした場合には、次の第８図に示される実施例が有効
である。

製作工程を経ながら説明すると、まず、第８図(A) に示
されるように、絶縁物基板11の上に将来、ソース領域を
形成する層となる高不純物濃度半導体、または金属、あ
るいはシリサイド等の導電性層12′を形成し、さらにそ
の上に絶縁用薄膜20を形成する。この絶縁用薄膜20の厚
さは将来形成されるゲート絶縁膜より厚くする。

こうした後、第８図(B) に示されるように、絶縁用薄膜
20及び導電性層12′の所定位置に開口21を形成し、熱窒
化工程または化学蒸着工程により、開口21内の面部分を
含めて表面に一様に窒化膜14′を形成する。

こうした構造体の上に、第８図(C) に示されるように、
将来ドレイン領域13を形成するための導電性層13′を蒸
着または化学蒸着により形成する。

次いで第８図(D) に示されるように、導電性層13′を開
口21内に埋め込まった部分を残してエッチングし、除去
する。これに関し、先の導電性層12′のエッチングによ
る開口21の形成過程において、当該開口21の幅を深さよ
りも小さくして置けば、導電性層13′はこの開口21の部
分で厚くなっているから、面倒な手間を掛けることな
く、簡単な表面からの等速度エッチングにより絶縁用薄
膜20の上の導電性層13′の部分をエッチングしつくして
も、所期通り、開口21内には導電性層13′の材料を残す
ことができる。この残余の部分がドレイン領域13となる
ものである。

したがって、断面的に見てこのドレイン領域13の横方向
両側の窒化膜14は絶縁物チャネル領域14となり、さらに
その外側の導電性層12，12は共にソース領域となる。

こうした構造が得られたならば、表面にゲート絶縁層15
を熱酸化または化学蒸着等によって形成し、絶縁物チャ
ネル領域14，14の上あたりにゲート電極16は形成する
と、第８図(E) に示されるように本発明に即した電界効
果トランジスタ10が得られる。

この第８図示の実施例の要部を拡大したものが第９図で
ある。本図から顕かなように、こうした実施例の電界効
果トランジスタ10では、ソースードレイン間の対向面積
部分はその厚さによって規定することでき、フォト・リ
ソグラフィの技術は影響することがない。したがってこ
の実施例において一つの目的としたように、ソース−ド
レイン間容量の低減、ないし増加の抑制を図ることがで
きる。

なお、第８図(B) に示された工程の後に、予め絶縁用薄
膜20の表面上の窒化膜14′を方向性エッチング、例えば
リアクティブ・イオン・エッチング等で除去して置き、
ゲート絶縁膜15をチャネル領域として残された窒化膜1
4′の熱酸化等で形成すれば、ゲート絶縁膜15も絶縁物
チャネル領域14の上のみが薄くなるように自己整合的に
形成することもできる。シリコン窒化膜の酸化速度はシ
リコンまたはシリサイドのそれに比して著しい遅いから
である。

上記第８図及び第９図に示された実施例では、ドレイン
領域13はソース領域12により取囲まれた格好になってい
る。こうした幾何構造は、配線等の実際の即すると不都
合が場合も考えられる。そこでドレイン領域13とソース
領域12とを左右に振り分けた構造も望まれる。

第10図はそうした要請に応えることができる実施例を示
している。先掲の第８図(B) に示される工程までは同一
の工程とした後、第10図(A) に示されるように、斜め方
向から反応性エッチング・ビームＢを照射し、開口21内
の片側の面に位置する窒化膜14′を除去する。

この工程を追加してから、第８図(C) に示される工程に
戻って導電性層13′を形成すると、最終的には開口内に
残された導電性層13′の部分と図中、右半分の導電性層
12の部分が電気的に接続し、第10図(B) に示されるよう
に一連のドレイン領域13が形成される。したがって各領
域用の電極形成も簡単になる。

なお、これまで述べてきたいづれの実施例の場合にも、
物理的な支持基板は別途に用意し、その表面に形成され
た絶縁層の上に本発明電界効果トランジスタ構造を形成
するようにしても良い。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の電界効果トランジスタの基本的実施例
の断面構造図、第２図及び第３図は第１図に示された電
界効果トランジスタのエネルギ・バンド・ダイアグラム
による動作説明図、第４図は第１図に示された電界効果
トランジスタの一製作例の工程図、第５図は本発明電界
効果トランジスタにおいて起こり得る状態である正孔ト
ンネル現象のエネルギ・バンド・ダイアグラムによる説
明図、第６図は本発明第二の実施例の断面構造図、第７
図は第６図に示された実施例の電界効果トランジスタを
得るための一製作例の工程図、第８図はさらに他の実施
例の電界効果トランジスタを得るための一製作例の工程
図、第９図は第８図に示された工程により得られた電界
効果トランジスタの要部を拡大した断面構造図、第10図
は第８図に示された工程を改変して得られた本発明のさ
らに他の実施例の説明図、第11図は従来におけるトンネ
ル現象を利用したトンネル・トランジスタの説明図、で
ある。 図中、10は本発明に即して構成され、トンネル現象を利
用する電界効果トランジスタ、11は非良導電性ないし絶
縁物基板、12はソース領域、13はドレイン領域、14は絶
縁物チャネル領域、15はゲート絶縁膜、16はゲート電
極、である。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】ソース領域、チャネル領域、ドレイン領
   域、ゲート絶縁膜、及びゲート電極を有する絶縁ゲート
   型電界効果トランジスタであって； 上記チャネル領域が、上記ソース領域を形成している材
   料の仕事関数よりも小さな値の電子親和力を有する絶縁
   材料から形成された絶縁物チャネル領域となっているこ
   とを特徴とする電界効果トランジスタ。