JPH06283573A - バンプ加熱機構付シングルポイントｔａｂボンダー - Google Patents
バンプ加熱機構付シングルポイントｔａｂボンダーInfo
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- JPH06283573A JPH06283573A JP11557192A JP11557192A JPH06283573A JP H06283573 A JPH06283573 A JP H06283573A JP 11557192 A JP11557192 A JP 11557192A JP 11557192 A JP11557192 A JP 11557192A JP H06283573 A JPH06283573 A JP H06283573A
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Landscapes
- Wire Bonding (AREA)
- Die Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】シングルポイントＴＡＢボンダーにおいて、Ｔ
ＡＢテープ先端のバンプ加熱機構を備える事により、転
写バンプ方式のボンディングを可能にする。 【構成】ボンディング作業前のテープ部に、ＴＡＢテー
プ４のリード先端のバンプ部のみが露出し且つ他の部分
を取り囲む構造で、材質を断熱材とするＴＡＢテープ搬
送補助用レール３と、これを取り囲む熱風循環方式のエ
アーヒーター７を設ける。これによりＴＡＢテープ自体
を加熱する事なく、ボンディング前にＴＡＢリード先端
のバンプを加熱できるため、ＴＡＢテープやチップに悪
影響を与える事なく、バンプとパッドの温度差を小さく
し、転写バンプ方式のボンディングを可能にすることが
できる。
ＡＢテープ先端のバンプ加熱機構を備える事により、転
写バンプ方式のボンディングを可能にする。 【構成】ボンディング作業前のテープ部に、ＴＡＢテー
プ４のリード先端のバンプ部のみが露出し且つ他の部分
を取り囲む構造で、材質を断熱材とするＴＡＢテープ搬
送補助用レール３と、これを取り囲む熱風循環方式のエ
アーヒーター７を設ける。これによりＴＡＢテープ自体
を加熱する事なく、ボンディング前にＴＡＢリード先端
のバンプを加熱できるため、ＴＡＢテープやチップに悪
影響を与える事なく、バンプとパッドの温度差を小さく
し、転写バンプ方式のボンディングを可能にすることが
できる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はシングルポイントＴＡＢ
（Ｔａｐｅ Ａｕｔｏｍａｔｅｄ Ｂｏｎｄｉｎｇ）ボ
ンダーに関し、特に転写バンプ方式によるボンディング
を可能にするバンプ加熱機構付シングルポイントＴＡＢ
ボンダーに関する。
（Ｔａｐｅ Ａｕｔｏｍａｔｅｄ Ｂｏｎｄｉｎｇ）ボ
ンダーに関し、特に転写バンプ方式によるボンディング
を可能にするバンプ加熱機構付シングルポイントＴＡＢ
ボンダーに関する。
【０００２】
【従来の技術】従来のシングルポイントＴＡＢボンダー
は、図２に示す様に、チップ受台１とボンディングツー
ル２のみを加熱する構造となっている。まずチップをチ
ップ受台１に載せ、ＴＡＢテープ搬送補助用レール８に
より搬送されるＴＡＢテープ４のバンプとチップのパッ
ドの位置合わせを行う。そしてスタートボタンを押す
と、ボンディングツール２によってボンディングが始ま
る。ボンディング終了後、ＴＡＢテープ４は右へ搬送さ
れる。加熱はチップ受台１の下面全体を暖ため、さらに
ボンディングツール２全体をニクロム線で暖めて行うよ
うになっている。
は、図２に示す様に、チップ受台１とボンディングツー
ル２のみを加熱する構造となっている。まずチップをチ
ップ受台１に載せ、ＴＡＢテープ搬送補助用レール８に
より搬送されるＴＡＢテープ４のバンプとチップのパッ
ドの位置合わせを行う。そしてスタートボタンを押す
と、ボンディングツール２によってボンディングが始ま
る。ボンディング終了後、ＴＡＢテープ４は右へ搬送さ
れる。加熱はチップ受台１の下面全体を暖ため、さらに
ボンディングツール２全体をニクロム線で暖めて行うよ
うになっている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】図３に、シングルポイ
ントＴＡＢボンダーを用いて、転写バンプ方式でインナ
ーリードとチップの接続を行った実験結果を示す。接続
に影響を及ぼす因子は３つある。即ち、チップの下地加
熱温度（同図（ａ））、ボンディング荷重（同図
（ｂ））、ボンディング時間（同図（ｃ））であり、図
３はそれぞれを変えた時の不良発生率を示したものであ
る。図中、実線のＡ，Ｂ，ＣOK，ＣNG，Ｄ，Ｅは、同図
（ｄ）の説明図に対応した破壊モードを表しており、Ｃ
OKとＣNGは、強度が３０gf以上のものについてはＣOK、
３０gf以下のものをＣNGとした。また点線のｘは、不良
モードであるＡ，Ｂ，ＣNG，Ｅモードを合計した不良率
を示している。
ントＴＡＢボンダーを用いて、転写バンプ方式でインナ
ーリードとチップの接続を行った実験結果を示す。接続
に影響を及ぼす因子は３つある。即ち、チップの下地加
熱温度（同図（ａ））、ボンディング荷重（同図
（ｂ））、ボンディング時間（同図（ｃ））であり、図
３はそれぞれを変えた時の不良発生率を示したものであ
る。図中、実線のＡ，Ｂ，ＣOK，ＣNG，Ｄ，Ｅは、同図
（ｄ）の説明図に対応した破壊モードを表しており、Ｃ
OKとＣNGは、強度が３０gf以上のものについてはＣOK、
３０gf以下のものをＣNGとした。また点線のｘは、不良
モードであるＡ，Ｂ，ＣNG，Ｅモードを合計した不良率
を示している。
【０００４】図３（ａ）から、チップの下地加熱温度を
２００℃から３００℃に上げる事により、Ａモード破壊
（パッドとバンプ間で剥離）が５８％から８％に減少
し、ＣNG（バンブ端部で切断したもので強度が３０gf以
下）モードが１１％から０％に減少し、これにともない
全体の不良率ｘも７０％から１１％に減少している。こ
の不良率の減少は、他の因子であるボンディング荷重及
びボンディング時間に比べ、非常に影響が顕著であるこ
とがわかる。これは、チップのパッドからリード先端の
バンプへの熱伝導が、チップ加熱温度を上げることによ
り良好になったためである。このことは従来、チップ側
のパッドに予めバンプの付いているメッキバンプ及びス
タッドバンプ方式の接合が可能であったことからもわか
る。つまりメッキバンプ及びスタッドバンプ方式は、チ
ップのパッドに予めバンプが付いているため、十分にバ
ンプに熱が伝わっているために良好な接続が可能になる
ということである。
２００℃から３００℃に上げる事により、Ａモード破壊
（パッドとバンプ間で剥離）が５８％から８％に減少
し、ＣNG（バンブ端部で切断したもので強度が３０gf以
下）モードが１１％から０％に減少し、これにともない
全体の不良率ｘも７０％から１１％に減少している。こ
の不良率の減少は、他の因子であるボンディング荷重及
びボンディング時間に比べ、非常に影響が顕著であるこ
とがわかる。これは、チップのパッドからリード先端の
バンプへの熱伝導が、チップ加熱温度を上げることによ
り良好になったためである。このことは従来、チップ側
のパッドに予めバンプの付いているメッキバンプ及びス
タッドバンプ方式の接合が可能であったことからもわか
る。つまりメッキバンプ及びスタッドバンプ方式は、チ
ップのパッドに予めバンプが付いているため、十分にバ
ンプに熱が伝わっているために良好な接続が可能になる
ということである。
【０００５】以上、従来のメッキバンプ及びスタッドバ
ンプ接続技術と現地点までの実験結果からインナーリー
ドの接続を良好に行うためには、予めバンプを加熱して
おくことが必要であることがわかる。ところが、従来の
シングルポイントＴＡＢボンダーには、チップの下地加
熱機構のみを備える構造となっているため、バンプがリ
ード先端（テープ側）に付いている転写バンプ方式の場
合、バンプを予熱できないため、チップの下地加熱温度
をほぼ限界値に近い３００℃まで上げても、図３に示す
様に、Ａモードや、Ｅモード破壊等で十分な接合強度が
得られなかったり、チップのパッドにクラックが発生す
る等、良好な接続を行う事が困難であった。また、バン
プの予熱を、ボンディング作業前の部分で行うとして
も、現在のＴＡＢテープの主流である三層テープでは、
接着剤を用いてフィルムテープと銅箔を貼り合わせた構
成であるため、３００℃程度の高温にさらすと接着剤の
軟化が起こるという問題点があった。
ンプ接続技術と現地点までの実験結果からインナーリー
ドの接続を良好に行うためには、予めバンプを加熱して
おくことが必要であることがわかる。ところが、従来の
シングルポイントＴＡＢボンダーには、チップの下地加
熱機構のみを備える構造となっているため、バンプがリ
ード先端（テープ側）に付いている転写バンプ方式の場
合、バンプを予熱できないため、チップの下地加熱温度
をほぼ限界値に近い３００℃まで上げても、図３に示す
様に、Ａモードや、Ｅモード破壊等で十分な接合強度が
得られなかったり、チップのパッドにクラックが発生す
る等、良好な接続を行う事が困難であった。また、バン
プの予熱を、ボンディング作業前の部分で行うとして
も、現在のＴＡＢテープの主流である三層テープでは、
接着剤を用いてフィルムテープと銅箔を貼り合わせた構
成であるため、３００℃程度の高温にさらすと接着剤の
軟化が起こるという問題点があった。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明のバンプ加熱機構
付シングルポイントＴＡＢボンダーは、シングルポイン
トＴＡＢボンダーのボンディング作業前のテープ部分に
てＴＡＢテープを取り囲むように設けたエアーヒーター
と、このエアーヒーターの中に設けられ前記ＴＡＢテー
プのリード先端のバンプ部のみが露出し且つ他の部分を
取り囲む構造であって材質を断熱材とするＴＡＢテープ
搬送補助用レールとを備えている。
付シングルポイントＴＡＢボンダーは、シングルポイン
トＴＡＢボンダーのボンディング作業前のテープ部分に
てＴＡＢテープを取り囲むように設けたエアーヒーター
と、このエアーヒーターの中に設けられ前記ＴＡＢテー
プのリード先端のバンプ部のみが露出し且つ他の部分を
取り囲む構造であって材質を断熱材とするＴＡＢテープ
搬送補助用レールとを備えている。
【０００７】
【実施例】次に、本発明について図面を参照して説明す
る。
る。
【０００８】図１は本発明の一実施例を示し、（ａ）は
全体の斜視図、（ｂ）は同図（ａ）のＡ−Ａ線断面図で
ある。
全体の斜視図、（ｂ）は同図（ａ）のＡ−Ａ線断面図で
ある。
【０００９】本実施例は、ボンディング作業前のテープ
部分にてＴＡＢテープ４を取り囲むように熱風循環方式
のエアーヒーター７を設け、このエアーヒーター７の内
部に、ＴＡＢテープ４のリード先端のバンプ部分のみが
露出し、他の部分を取り囲む構造で、材質を断熱材とす
るＴＡＢテープ搬送補助用レール３を備えて構成され
る。即ち、ＴＡＢテープ搬送補助用レール３の周り
に、、熱風循環方式のエアーヒーター７を取り付ける。
詳細は図１（ｂ）の断面図に示す。ＴＡＢテープ先端補
助用レール３は断熱材で造られており、ＴＡＢリード先
端のバンプ部分が露出する程度に穴３ａが開いている。
そして、このレール３の周りを、エアーヒーター７が取
り囲んでいる。
部分にてＴＡＢテープ４を取り囲むように熱風循環方式
のエアーヒーター７を設け、このエアーヒーター７の内
部に、ＴＡＢテープ４のリード先端のバンプ部分のみが
露出し、他の部分を取り囲む構造で、材質を断熱材とす
るＴＡＢテープ搬送補助用レール３を備えて構成され
る。即ち、ＴＡＢテープ搬送補助用レール３の周り
に、、熱風循環方式のエアーヒーター７を取り付ける。
詳細は図１（ｂ）の断面図に示す。ＴＡＢテープ先端補
助用レール３は断熱材で造られており、ＴＡＢリード先
端のバンプ部分が露出する程度に穴３ａが開いている。
そして、このレール３の周りを、エアーヒーター７が取
り囲んでいる。
【００１０】以上の本実施例の構造を従来のシングルポ
イントＴＡＢボンダーに付加する事によって、テープ部
分を加熱することなく、リード先端のバンプ部分のみを
予熱する事ができるため、ＴＡＢテープ４の接着剤の軟
化を防ぐ事ができ、バンプを加熱できる分、チップの下
地加熱温度を下げることもでき、チップ自体の安全性を
確保することができ、さらには転写バンプ方式のボンデ
ィングを可能にすることができる。
イントＴＡＢボンダーに付加する事によって、テープ部
分を加熱することなく、リード先端のバンプ部分のみを
予熱する事ができるため、ＴＡＢテープ４の接着剤の軟
化を防ぐ事ができ、バンプを加熱できる分、チップの下
地加熱温度を下げることもでき、チップ自体の安全性を
確保することができ、さらには転写バンプ方式のボンデ
ィングを可能にすることができる。
【００１１】
【発明の効果】以上説明した様に、本発明は、ボンディ
ング作業前に、ＴＡＢテープ自体を加熱することなく、
ＴＡＢリード先端のバンプを加熱する事ができるため、
ＴＡＢテープやチップに悪影響を与えることなく、従来
ボンディング実績のあるメッキバンプ及びチップバンプ
方式の様に、バンプとパッドとの温度差を小さくするこ
とにより、転写バンプ方式のボンディングを可能にする
事ができる。
ング作業前に、ＴＡＢテープ自体を加熱することなく、
ＴＡＢリード先端のバンプを加熱する事ができるため、
ＴＡＢテープやチップに悪影響を与えることなく、従来
ボンディング実績のあるメッキバンプ及びチップバンプ
方式の様に、バンプとパッドとの温度差を小さくするこ
とにより、転写バンプ方式のボンディングを可能にする
事ができる。
【図１】本発明の一実施例を示し、（ａ）は全体の斜視
図、（ｂ）は同図（ａ）のＡ−Ａ線の断面図である。
図、（ｂ）は同図（ａ）のＡ−Ａ線の断面図である。
【図２】従来のシングルポイントＴＡＢボンダーの斜視
図である。
図である。
【図３】転写バンプ方式ボンディング実験引張試験結果
（各因子が不良率に与える影響）を示すグラフで、
（ａ）は下地加熱温度、（ｂ）はボンディング荷重、
（ｃ）はボンディング時間がそれぞれ因子のときを示
す。（ｄ）は各破壊モードの説明図である。
（各因子が不良率に与える影響）を示すグラフで、
（ａ）は下地加熱温度、（ｂ）はボンディング荷重、
（ｃ）はボンディング時間がそれぞれ因子のときを示
す。（ｄ）は各破壊モードの説明図である。
１ チップ受台 ２ ボンディングツール ３ ＴＡＢテープ搬送補助用レール（断熱材） ４ ＴＡＢテープ ５ 認識系 ６ クランプ ７ エアーヒーター ８ ＴＡＢテープ搬送補助用レール
Claims (2)
- 【請求項１】 シングルポイントＴＡＢボンダーのボン
ディング作業前のテープ部分にてＴＡＢテープを取り囲
むように設けたエアーヒーターと、このエアーヒーター
の中に設けられ前記ＴＡＢテープのリード先端のバンプ
部のみが露出し且つ他の部分を取り囲む構造であって材
質を断熱材とするＴＡＢテープ搬送補助用レールとを備
える事を特徴とするバンプ加熱機構付シングルポイント
ＴＡＢボンダー。 - 【請求項２】 前記エアーヒーターは熱風循環方式であ
ることを特徴とする請求項１記載のバンプ加熱機構付シ
ングルポイントＴＡＢボンダー。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11557192A JPH06283573A (ja) | 1992-05-08 | 1992-05-08 | バンプ加熱機構付シングルポイントｔａｂボンダー |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11557192A JPH06283573A (ja) | 1992-05-08 | 1992-05-08 | バンプ加熱機構付シングルポイントｔａｂボンダー |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06283573A true JPH06283573A (ja) | 1994-10-07 |
Family
ID=14665865
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11557192A Withdrawn JPH06283573A (ja) | 1992-05-08 | 1992-05-08 | バンプ加熱機構付シングルポイントｔａｂボンダー |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06283573A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB2288909A (en) * | 1994-04-30 | 1995-11-01 | Samsung Aerospace Ind | Attaching tape to lead frames involving pre-heating of the tape |
| WO2003012833A3 (en) * | 2001-08-01 | 2004-03-04 | Li Logix Inc D B A Rd Automati | Process and apparatus for mounting semiconductor components to substrates and parts therefor |
-
1992
- 1992-05-08 JP JP11557192A patent/JPH06283573A/ja not_active Withdrawn
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB2288909A (en) * | 1994-04-30 | 1995-11-01 | Samsung Aerospace Ind | Attaching tape to lead frames involving pre-heating of the tape |
| GB2288909B (en) * | 1994-04-30 | 1998-09-16 | Samsung Aerospace Ind | Tape attaching apparatus for semiconductor lead frame |
| WO2003012833A3 (en) * | 2001-08-01 | 2004-03-04 | Li Logix Inc D B A Rd Automati | Process and apparatus for mounting semiconductor components to substrates and parts therefor |
| US6818543B2 (en) | 2001-08-01 | 2004-11-16 | Lilogix, Inc. | Process and apparatus for mounting semiconductor components to substrates and parts therefor |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19990803 |