JPH062936B2 - 炭素被膜の製造方法 - Google Patents
炭素被膜の製造方法Info
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- JPH062936B2 JPH062936B2 JP17300585A JP17300585A JPH062936B2 JP H062936 B2 JPH062936 B2 JP H062936B2 JP 17300585 A JP17300585 A JP 17300585A JP 17300585 A JP17300585 A JP 17300585A JP H062936 B2 JPH062936 B2 JP H062936B2
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- carbon coating
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
- C23C14/0605—Carbon
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- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
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- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
- Magnetic Record Carriers (AREA)
- Carbon And Carbon Compounds (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は炭素被膜の製造方法に関する。特に、耐久性に
優れ、しかも摺接する相手の部材および自身の下地に損
傷を与えない炭素被膜の製造方法に関する。
優れ、しかも摺接する相手の部材および自身の下地に損
傷を与えない炭素被膜の製造方法に関する。
本発明は、情報処理装置の磁気記録媒体、人工関節、電
磁弁摺動部その他に利用する。
磁弁摺動部その他に利用する。
〔概要〕 本発明は、他の部材と摺接する摺接部品の表面に被膜を
形成する炭素皮膜の製造方法において、ガラス状カーボ
ンを炭素源としてスパッタリングにより炭素被膜を形成
することにより、 耐久性に優れ、しかも摺接する他の部材との摩擦抵抗が
少ない被膜を形成するものである。
形成する炭素皮膜の製造方法において、ガラス状カーボ
ンを炭素源としてスパッタリングにより炭素被膜を形成
することにより、 耐久性に優れ、しかも摺接する他の部材との摩擦抵抗が
少ない被膜を形成するものである。
現在、シートやフィルム等に磁性体層を設けた記録媒体
を用いる記録再生装置や、紙を記録媒体として用いる記
録再生装置が各種市販されている。これらの記録再生装
置には、記録媒体と常時または一時的に摺接する部品が
多数含まれている。このような部品としては、例えばフ
レキシブルディスクのヘッドスライダ、ハードディスク
の浮上スライダ、磁気ヘッド等を挙げることができる。
これらの部品には、耐久性に優れ、しかも相対的に摺接
する記録媒体に損傷を与えないことが必要である。
を用いる記録再生装置や、紙を記録媒体として用いる記
録再生装置が各種市販されている。これらの記録再生装
置には、記録媒体と常時または一時的に摺接する部品が
多数含まれている。このような部品としては、例えばフ
レキシブルディスクのヘッドスライダ、ハードディスク
の浮上スライダ、磁気ヘッド等を挙げることができる。
これらの部品には、耐久性に優れ、しかも相対的に摺接
する記録媒体に損傷を与えないことが必要である。
また、メカニカルシール、電磁弁摺動部、人工関節等の
摺動性を機能の一つとしてもつ摺接部品において、その
構造材としての強度を有する部材の表面に摺動性を賦与
させることが必要である。機能としての摺動性とは、摩
擦係数が小さく、耐久性があり、しかも相対的に摺接す
る相手の材料に損傷を与えない性質をいう。
摺動性を機能の一つとしてもつ摺接部品において、その
構造材としての強度を有する部材の表面に摺動性を賦与
させることが必要である。機能としての摺動性とは、摩
擦係数が小さく、耐久性があり、しかも相対的に摺接す
る相手の材料に損傷を与えない性質をいう。
このような摺動性を得るために、界面科学的な研究が行
われてきた。フレキシブルディスク駆動装置やハードデ
ィスク駆動装置では、記録媒体表面に保護膜を設けた
り、記録媒体に潤滑剤を塗布したり、記録媒体と摺接す
る部品の表面に潤滑剤を塗布する等により、記録媒体の
損傷を防止する試みがなされている。
われてきた。フレキシブルディスク駆動装置やハードデ
ィスク駆動装置では、記録媒体表面に保護膜を設けた
り、記録媒体に潤滑剤を塗布したり、記録媒体と摺接す
る部品の表面に潤滑剤を塗布する等により、記録媒体の
損傷を防止する試みがなされている。
しかし、潤滑剤を用いる場合には、潤滑剤が経時的に失
われる問題がある。すなわち、潤滑作用を長時間持続さ
せることが困難であり、定期的に潤滑剤を塗布しなけれ
ばならない欠点があった。
われる問題がある。すなわち、潤滑作用を長時間持続さ
せることが困難であり、定期的に潤滑剤を塗布しなけれ
ばならない欠点があった。
保護膜を設けた例としては、磁気ヘッドにアルミナ（特
開昭56-83829）、シリカ、あるいはチタン酸バリウム
（特開昭56-83869）の被膜を形成した例が知られている
が、記録媒体の耐久性は不十分であった。
開昭56-83829）、シリカ、あるいはチタン酸バリウム
（特開昭56-83869）の被膜を形成した例が知られている
が、記録媒体の耐久性は不十分であった。
記録媒体表面に保護膜を形成した例も知られ、その材料
としてシリカや炭素が用いられている。しかし、これら
は、保護膜の下になる記録媒体の特性を劣化させ、摺動
性が不十分であるものが多い。
としてシリカや炭素が用いられている。しかし、これら
は、保護膜の下になる記録媒体の特性を劣化させ、摺動
性が不十分であるものが多い。
本発明は、耐久性に優れ、摺接する部材との摩擦抵抗が
少ない炭素被膜を形成することを目的とする。特に、磁
気記録媒体の表面に、磁性層およびその特性を損傷させ
ることなしに炭素被膜を形成することを目的とする。
少ない炭素被膜を形成することを目的とする。特に、磁
気記録媒体の表面に、磁性層およびその特性を損傷させ
ることなしに炭素被膜を形成することを目的とする。
本発明の炭素被膜の製造方法は、他の部材と摺接する摺
接部品の表面に炭素被膜を形成する炭素皮膜の製造方法
において、ガラス状カーボンを炭素源とし、スパッタリ
ングにより炭素被膜を形成することを特徴とする。
接部品の表面に炭素被膜を形成する炭素皮膜の製造方法
において、ガラス状カーボンを炭素源とし、スパッタリ
ングにより炭素被膜を形成することを特徴とする。
ここで「スパッタリング」とは、ターゲットに配置した
物質にイオンを衝突させてこのターゲット表面の原子ま
たは分子を蒸発させ、この蒸発した原子または分子を被
スパッタ物の表面に沈着させる方法をいう。本発明で
は、イオンの種類、反応雰囲気、イオンを生成する方法
などを限定するものではないが、形成される皮膜の純度
や形成速度の速さの点で、低ガス圧スパッタリング法を
用いることが望ましい。低ガス圧スパッタリング法と
は、反応中のガス圧が通常の冷陰極直流グロー放電維持
領域の10-1〜10-2Torrより低い状態でスパッタリングを
行う方法であり、３極直流グロー放電スパッタリング
法、２極高周波グロー放電スパッタリング法、マグネト
ロンスパッタリング法等が知られている。
物質にイオンを衝突させてこのターゲット表面の原子ま
たは分子を蒸発させ、この蒸発した原子または分子を被
スパッタ物の表面に沈着させる方法をいう。本発明で
は、イオンの種類、反応雰囲気、イオンを生成する方法
などを限定するものではないが、形成される皮膜の純度
や形成速度の速さの点で、低ガス圧スパッタリング法を
用いることが望ましい。低ガス圧スパッタリング法と
は、反応中のガス圧が通常の冷陰極直流グロー放電維持
領域の10-1〜10-2Torrより低い状態でスパッタリングを
行う方法であり、３極直流グロー放電スパッタリング
法、２極高周波グロー放電スパッタリング法、マグネト
ロンスパッタリング法等が知られている。
本発明では、炭素源として、熱硬化性樹脂を炭化して得
られるガラス状カーボン、共重合や共縮合等により熱硬
化するように変性された樹脂を炭素化して得られるガラ
ス状カーボン、硬化あるいは炭素化の過程で化学処理に
より結晶化を著しく妨げることにより得られるガラス状
カーボン、メタン、エチレン、ベンゼン等の低分子量炭
化水素類を気相で熱分解して得られるガラス状カーボン
等を用いる。具体的には、ポリアクリロニトリル系ガラ
ス状カーボン、レーヨン系ガラス状カーボン、ピッチ系
ガラス状カーボン、リグニン系ガラス状カーボン、フェ
ノール系ガラス状カーボン、フラン系ガラス状カーボ
ン、アルキッド樹脂系ガラス状カーボン、不飽和ポリエ
ステル系ガラス状カーボン、キシレン樹脂系ガラス状カ
ーボン等を用いることができる。
られるガラス状カーボン、共重合や共縮合等により熱硬
化するように変性された樹脂を炭素化して得られるガラ
ス状カーボン、硬化あるいは炭素化の過程で化学処理に
より結晶化を著しく妨げることにより得られるガラス状
カーボン、メタン、エチレン、ベンゼン等の低分子量炭
化水素類を気相で熱分解して得られるガラス状カーボン
等を用いる。具体的には、ポリアクリロニトリル系ガラ
ス状カーボン、レーヨン系ガラス状カーボン、ピッチ系
ガラス状カーボン、リグニン系ガラス状カーボン、フェ
ノール系ガラス状カーボン、フラン系ガラス状カーボ
ン、アルキッド樹脂系ガラス状カーボン、不飽和ポリエ
ステル系ガラス状カーボン、キシレン樹脂系ガラス状カ
ーボン等を用いることができる。
より好ましくは、フェノール、フルフリルアルコールお
よびホルマリンの３元系混合物を主成分とする樹脂硬化
物を焼成して得られたガラス状カーボンを用いる。
よびホルマリンの３元系混合物を主成分とする樹脂硬化
物を焼成して得られたガラス状カーボンを用いる。
摺接部品やその他の基板表面に炭素被膜を形成する方法
として、気相状態の炭化水素を炭素源として用いるもの
と、バルク状のカーボン材料を炭素源として用いるもの
とがある。
として、気相状態の炭化水素を炭素源として用いるもの
と、バルク状のカーボン材料を炭素源として用いるもの
とがある。
気相状態の炭化水素を炭素源として用いる例としては、
一般に、熱的平衡条件下で熱分解炭素を生じさせる化学
気相成長（ＣＶＤ）法や、何等かの方法で熱的平衡状態
を乱すかまたは強制的に非熱平衡状態にして炭素を分離
する方法がある。後者の例としては、メタン等の炭化水
素を用いたプラズマＣＶＤ法や、イオン化蒸着法があ
る。これらの方法では熱分解を起こすための温度域が60
0℃〜800℃以上であり、基板の耐熱性の問題や、磁気記
録媒体に被膜を形成する場合には磁性材料への熱の影響
の問題がある。さらに、この方法では大面積に均一に被
膜を形成することが困難である。また、プラズマＣＶＤ
法やイオン化蒸着法では、硬い炭素被膜を得ることがで
きるが、十分な均一性が得られず、高価な装置が必要と
なる。
一般に、熱的平衡条件下で熱分解炭素を生じさせる化学
気相成長（ＣＶＤ）法や、何等かの方法で熱的平衡状態
を乱すかまたは強制的に非熱平衡状態にして炭素を分離
する方法がある。後者の例としては、メタン等の炭化水
素を用いたプラズマＣＶＤ法や、イオン化蒸着法があ
る。これらの方法では熱分解を起こすための温度域が60
0℃〜800℃以上であり、基板の耐熱性の問題や、磁気記
録媒体に被膜を形成する場合には磁性材料への熱の影響
の問題がある。さらに、この方法では大面積に均一に被
膜を形成することが困難である。また、プラズマＣＶＤ
法やイオン化蒸着法では、硬い炭素被膜を得ることがで
きるが、十分な均一性が得られず、高価な装置が必要と
なる。
バルク状のカーボン材料を炭素源として用いる方法の例
としては、真空蒸着やスパッタリングを用いた方法があ
る。しかし、真空蒸着により被膜を形成する場合には、
蒸着する粒子の運動エネルギが比較的低いために、形成
された被膜は剥がれやすく耐久性に劣る欠点がある。ま
た、真空蒸着により得られる薄膜は、一般的に不均質で
あり膜圧も不均質である。
としては、真空蒸着やスパッタリングを用いた方法があ
る。しかし、真空蒸着により被膜を形成する場合には、
蒸着する粒子の運動エネルギが比較的低いために、形成
された被膜は剥がれやすく耐久性に劣る欠点がある。ま
た、真空蒸着により得られる薄膜は、一般的に不均質で
あり膜圧も不均質である。
この他に、イオンプレーティング法等が知られている
が、高価な装置が必要である。
が、高価な装置が必要である。
これに対して、スパッタリング法は膜厚が極めて均質な
被膜を形成することができる。本発明者らの研究によ
り、スパッタリング法により炭素被膜を形成すると、タ
ーゲット材料の構造と相関のある膜が形成され、ガラス
状カーボンをスパッタリングのターゲットに用いた場合
には、得られる炭素被膜は実質的に非晶質であり、均質
で、しかも耐久性に優れていることが判明した。さら
に、表面孔が極めて少ないガラス状カーボンを用いた場
合には、スパッタリングを行うための背景圧力１×10-7
Torrに到達するまでの時間を短縮でき、しかもスパッタ
リング時およびその前後での不純ガスおよびカーボン粉
末の発生を抑制することができる。
被膜を形成することができる。本発明者らの研究によ
り、スパッタリング法により炭素被膜を形成すると、タ
ーゲット材料の構造と相関のある膜が形成され、ガラス
状カーボンをスパッタリングのターゲットに用いた場合
には、得られる炭素被膜は実質的に非晶質であり、均質
で、しかも耐久性に優れていることが判明した。さら
に、表面孔が極めて少ないガラス状カーボンを用いた場
合には、スパッタリングを行うための背景圧力１×10-7
Torrに到達するまでの時間を短縮でき、しかもスパッタ
リング時およびその前後での不純ガスおよびカーボン粉
末の発生を抑制することができる。
本発明の方法により得られた炭素被膜は、摺接部品その
ものの耐久性を改善し、しかもこの部品と摺接する他の
部材との摩擦係数を低下させる効果がある。したがっ
て、このような炭素被膜をハードディスクの表面保護
膜、電磁弁摺動面、人工骨摺動面等に用いて大きな効果
がある。
ものの耐久性を改善し、しかもこの部品と摺接する他の
部材との摩擦係数を低下させる効果がある。したがっ
て、このような炭素被膜をハードディスクの表面保護
膜、電磁弁摺動面、人工骨摺動面等に用いて大きな効果
がある。
以下に本発明の実施例および比較例を示して本発明を詳
細に説明する。以下に示す例はあくまでも一例であり、
これにより本発明の技術的範囲を限定するものではな
い。また、以下の実施例および比較例では、磁気記憶装
置に用いられるハードディスクに炭素被膜を形成する場
合を例に説明するが、他の材料や他の部材でも本発明を
同様に実施できる。なお、実施例中で「部」とあるのは
すべて「重量部」を意味する。
細に説明する。以下に示す例はあくまでも一例であり、
これにより本発明の技術的範囲を限定するものではな
い。また、以下の実施例および比較例では、磁気記憶装
置に用いられるハードディスクに炭素被膜を形成する場
合を例に説明するが、他の材料や他の部材でも本発明を
同様に実施できる。なお、実施例中で「部」とあるのは
すべて「重量部」を意味する。
（実施例１） フルフリルアルコール、パラホルムアルデヒドおよびフ
ェノールをモル比で30：40：30になるように調節したフ
ェノール変性フラン樹脂を通常の方法により生成し、80
0cpsの液状樹脂を得た。この樹脂に、ｐ−トルエンスル
ホン酸60％水溶液を2.5部添加して十分に撹拌し、厚さ
3.5mmの円板状硬化物に成形した。この硬化物を、窒素
雰囲気中において２℃／hrの昇温速度で1100℃まで昇温
し、２時間保持した後に冷却してガラス状カーボンを得
た。
ェノールをモル比で30：40：30になるように調節したフ
ェノール変性フラン樹脂を通常の方法により生成し、80
0cpsの液状樹脂を得た。この樹脂に、ｐ−トルエンスル
ホン酸60％水溶液を2.5部添加して十分に撹拌し、厚さ
3.5mmの円板状硬化物に成形した。この硬化物を、窒素
雰囲気中において２℃／hrの昇温速度で1100℃まで昇温
し、２時間保持した後に冷却してガラス状カーボンを得
た。
このガラス状カーボンをバッキングプレートに装着し
て、スパッタリングのターゲット材とした。被膜を施す
基板は、住友軽金属製の直径5.25インチのアルミニウム
基板に0.5μｍの厚さのCo-Cr合金膜をスパッタリングで
形成したディスク基板を用いた。スパッタリング装置と
して日電アネルバ製SPF530を用い、通常のスパッタリン
グと同様に、背景圧力として１×10-7Torrの真空にした
後、放電ガスとしてアルゴンガスを２×10-3Torrまで導
入し、基板を水冷し、400Ｗの高周波電力を印加してス
パッタリングを行った。このとき、形成中の被膜の厚さ
を水晶発振式の膜圧計でモニタし、400Åの炭素被膜を
形成した。
て、スパッタリングのターゲット材とした。被膜を施す
基板は、住友軽金属製の直径5.25インチのアルミニウム
基板に0.5μｍの厚さのCo-Cr合金膜をスパッタリングで
形成したディスク基板を用いた。スパッタリング装置と
して日電アネルバ製SPF530を用い、通常のスパッタリン
グと同様に、背景圧力として１×10-7Torrの真空にした
後、放電ガスとしてアルゴンガスを２×10-3Torrまで導
入し、基板を水冷し、400Ｗの高周波電力を印加してス
パッタリングを行った。このとき、形成中の被膜の厚さ
を水晶発振式の膜圧計でモニタし、400Åの炭素被膜を
形成した。
薄膜Ｘ線回折、ラマン分光分析、透過型電子顕微鏡像か
ら、得られた炭素被膜は実質的に非晶質であることが判
明した。
ら、得られた炭素被膜は実質的に非晶質であることが判
明した。
（実施例２） ガラス状カーボン（花王石鹸製グラハードＳ）をターゲ
ット材とし、背景圧力１×10-7Torr、アルゴンガス圧３
×10-3Torrおよび高周波電力300Ｗの条件で実施例１と
同様にスパッタリングを行い、ディスク基板表面に膜厚
350Åの炭素被膜を形成した。実施例１と同様の測定に
よると、得られた炭素被膜は実質的に非晶質であった。
ット材とし、背景圧力１×10-7Torr、アルゴンガス圧３
×10-3Torrおよび高周波電力300Ｗの条件で実施例１と
同様にスパッタリングを行い、ディスク基板表面に膜厚
350Åの炭素被膜を形成した。実施例１と同様の測定に
よると、得られた炭素被膜は実質的に非晶質であった。
（実施例３） ガラス状カーボン（花王石鹸製グラハードＲ）をターゲ
ット材とし、背景圧力１×10-7Torr、アルゴンガス圧３
×10-3Torrおよび高周波電力500Ｗの条件で実施例１と
同様にスパッタリングを行い、ディスク基板表面に膜厚
400Åの炭素被膜を形成した。
ット材とし、背景圧力１×10-7Torr、アルゴンガス圧３
×10-3Torrおよび高周波電力500Ｗの条件で実施例１と
同様にスパッタリングを行い、ディスク基板表面に膜厚
400Åの炭素被膜を形成した。
（比較例１） 炭素被膜を形成するために、グラファイト（東北協和カ
ーボン製メタフェイトMF-301）をスパッタリングターゲ
ットに用いて、背景圧力１×10-7Torr、アルゴンガス圧
３×10-3Torrおよび高周波電力500Ｗの条件で実施例１
と同様にスパッタリングを行い、ディスク基板表面に膜
厚400Åの炭素被膜を形成した。この比較例では、被膜
の厚さを段差計を用いて測定した。
ーボン製メタフェイトMF-301）をスパッタリングターゲ
ットに用いて、背景圧力１×10-7Torr、アルゴンガス圧
３×10-3Torrおよび高周波電力500Ｗの条件で実施例１
と同様にスパッタリングを行い、ディスク基板表面に膜
厚400Åの炭素被膜を形成した。この比較例では、被膜
の厚さを段差計を用いて測定した。
（実施例４） モル比が35：40：35のフルフリルアルコール、パラホル
ムアルデヒドおよびフェノールからなる樹脂硬化物を原
料に、実施例１と同様に焼成およびスパッタリングを行
い、膜厚が400Åの炭素被膜を形成した。
ムアルデヒドおよびフェノールからなる樹脂硬化物を原
料に、実施例１と同様に焼成およびスパッタリングを行
い、膜厚が400Åの炭素被膜を形成した。
（実施例５） モル比が５：55：40のフルフリルアルコール、パラホル
ムアルデヒドおよびフェノールからなる樹脂硬化物を原
料に、実施例１と同様に焼成およびスパッタリングを行
い、膜厚が400Åの炭素被膜を形成した。
ムアルデヒドおよびフェノールからなる樹脂硬化物を原
料に、実施例１と同様に焼成およびスパッタリングを行
い、膜厚が400Åの炭素被膜を形成した。
（実施例６） モル比が50：30：20のフルフリルアルコール、パラホル
ムアルデヒドおよびフェノールからなる樹脂硬化物を原
料に、実施例１と同様に焼成およびスパッタリングを行
い、膜厚が400Åの炭素被膜を形成した。
ムアルデヒドおよびフェノールからなる樹脂硬化物を原
料に、実施例１と同様に焼成およびスパッタリングを行
い、膜厚が400Åの炭素被膜を形成した。
（実施例７） 実施例２で得られた樹脂硬化物を、窒素気流中２℃／hr
の昇温速度で600℃まで加熱し、これを２時間保持し
た。この焼成物の炭素比率を元素分析装置で定量したと
ころ92.5重量％であった。この焼成物を用いて、実施例
１と同様の方法でスパッタリングを行い、膜厚400Åの
炭素被膜を形成した。
の昇温速度で600℃まで加熱し、これを２時間保持し
た。この焼成物の炭素比率を元素分析装置で定量したと
ころ92.5重量％であった。この焼成物を用いて、実施例
１と同様の方法でスパッタリングを行い、膜厚400Åの
炭素被膜を形成した。
（比較例２） 市販のSiO2スパッタリングターゲット材料を用いて、背
景圧力１×10-7Torr、アルゴンガス圧３×10-3Torrの雰
囲気に酸素気流を導入して、高周波電力500Ｗでバイア
ススパッタリングを行い、ディスク基板表面にSiO2の被
膜を形成した。
景圧力１×10-7Torr、アルゴンガス圧３×10-3Torrの雰
囲気に酸素気流を導入して、高周波電力500Ｗでバイア
ススパッタリングを行い、ディスク基板表面にSiO2の被
膜を形成した。
（試験例） 実施例１〜７および比較例により得られた炭素被膜の摩
擦係数を、ピンオンディスク型の摩擦係数測定装置で測
定した。ピンとしては、磁気ヘッドの材料として用いら
れるＭｎ−Ｚｎフェライトのチップを用いた。
擦係数を、ピンオンディスク型の摩擦係数測定装置で測
定した。ピンとしては、磁気ヘッドの材料として用いら
れるＭｎ−Ｚｎフェライトのチップを用いた。
さらに、実施例１〜７および比較例１〜２により炭素被
膜が形成されたディスク基板をカートリッジ型ハードデ
ィスク駆動装置に装着して、一定のトラック上を磁気ヘ
ッドの浮上、着陸を繰り返すコンタクト・スタート・ス
トップ（ＣＳＳ）試験を２万回行い、互いに摺接する基
板面およびヘッド面の損傷状況を走査型電子顕微鏡によ
り観測した。この結果を表に示す。また、下地の磁性膜
の磁気特性（保磁力Ｈｃおよび異方性磁界の強さＨｋ）
が保護膜形成により変化するようすを示した。表から、
ガラス状カーボンをターゲットとしたスパッタリングに
より得られた被膜は、下地の磁性膜の特性劣化がなく、
耐久性に優れ、しかも摩擦係数が低いことがわかる。
膜が形成されたディスク基板をカートリッジ型ハードデ
ィスク駆動装置に装着して、一定のトラック上を磁気ヘ
ッドの浮上、着陸を繰り返すコンタクト・スタート・ス
トップ（ＣＳＳ）試験を２万回行い、互いに摺接する基
板面およびヘッド面の損傷状況を走査型電子顕微鏡によ
り観測した。この結果を表に示す。また、下地の磁性膜
の磁気特性（保磁力Ｈｃおよび異方性磁界の強さＨｋ）
が保護膜形成により変化するようすを示した。表から、
ガラス状カーボンをターゲットとしたスパッタリングに
より得られた被膜は、下地の磁性膜の特性劣化がなく、
耐久性に優れ、しかも摩擦係数が低いことがわかる。
Claims (6)
- 【請求項１】他の部材と摺接する摺接部品の表面に炭素
被膜を形成する炭素被膜の製造方法において、 ガラス状カーボンを炭素源としてスパッタリングにより
炭素被膜を形成すること を特徴とする炭素被膜の製造方法。 - 【請求項２】形成される炭素被膜は実質的に非晶質であ
る特許請求の範囲第(1)項に記載の炭素皮膜の製造方
法。 - 【請求項３】摺接部品は磁気記憶装置のハードディスク
である特許請求の範囲第(1)項に記載の炭素皮膜の製造
方法。 - 【請求項４】ガラス状カーボンは、フェノール、フルフ
リルアルコールおよびホルマリンの混合物を主成分とす
る樹脂硬化物の焼成物である特許請求の範囲第(1)項に
記載の炭素皮膜の製造方法。 - 【請求項５】ガラス状カーボンは、表面孔が極めて少な
いものを用いる特許請求の範囲第(1)項に記載の炭素皮
膜の製造方法。 - 【請求項６】スパッタリングは、冷陰極直流グロー放電
を維持できるガス圧より低い雰囲気下で行う特許請求の
範囲第(1)項に記載の炭素皮膜の製造方法。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
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| JP17300585A JPH062936B2 (ja) | 1985-08-05 | 1985-08-05 | 炭素被膜の製造方法 |
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Family Applications (1)
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