JPH0633725Y2 - 発光素子バイアス電流モニタ−回路 - Google Patents
発光素子バイアス電流モニタ−回路Info
- Publication number
- JPH0633725Y2 JPH0633725Y2 JP1986063428U JP6342886U JPH0633725Y2 JP H0633725 Y2 JPH0633725 Y2 JP H0633725Y2 JP 1986063428 U JP1986063428 U JP 1986063428U JP 6342886 U JP6342886 U JP 6342886U JP H0633725 Y2 JPH0633725 Y2 JP H0633725Y2
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- 238000000034 method Methods 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
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Landscapes
- Amplifiers (AREA)
- Optical Communication System (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本考案は、発光素子に印加される直流バイアス電流のモ
ニター方式に関し、特に発光素子バイアス電流がしゃ断
された場合に吸収電流を完全にしゃ断し、発光出力を完
全に消光する発光素子バイアス電流モニター回路に関す
る。
ニター方式に関し、特に発光素子バイアス電流がしゃ断
された場合に吸収電流を完全にしゃ断し、発光出力を完
全に消光する発光素子バイアス電流モニター回路に関す
る。
光通信装置における電気光変換回路では、通常発光素子
としてレーザーダイオード（以下LDと略す）が使用され
る。その代表的な発光素子駆動回路を第４図に、又、第
５図にその動作時における電流の関係を示す。第５図に
よると、発光素子の駆動回路はLDの発光出力POに対し、
しきい値電流ITHを有し、そのしきい値電流ITHの近くに
直流バイアス電流IBを流した状態で電気信号電流ISを印
加し、発光出力POを得るように設計される。通常、直流
バイアス電流IBは、しきい値ITHに対して、一定の割合
を保って供給されるように制御されるため、LDの直流バ
イアス電流IBを正しくモニターすることがLDの状態を知
るための重要な事項となっている。
としてレーザーダイオード（以下LDと略す）が使用され
る。その代表的な発光素子駆動回路を第４図に、又、第
５図にその動作時における電流の関係を示す。第５図に
よると、発光素子の駆動回路はLDの発光出力POに対し、
しきい値電流ITHを有し、そのしきい値電流ITHの近くに
直流バイアス電流IBを流した状態で電気信号電流ISを印
加し、発光出力POを得るように設計される。通常、直流
バイアス電流IBは、しきい値ITHに対して、一定の割合
を保って供給されるように制御されるため、LDの直流バ
イアス電流IBを正しくモニターすることがLDの状態を知
るための重要な事項となっている。
第４図の回路構成によれば、直流バイアス電流IBは直流
バイアス電流モニター抵抗７の両端の電圧降下VBを知る
ことにより求める方法によっている。又、通常、発光出
力POは、LDの発光特性に合わせて電気信号電流ISを調整
し所要の大きさを得る必要があり、これを満足させる手
段として複数の抵抗で構成される直流過形インピーダン
ス回路５である。しかし、この直流通過形インピーダン
ス回路５を付加したときの直流バイアス電流モニター抵
抗に流れる直流バイアス電流IBは、直流通過形インピー
ダンス回路５から流れ込む直流電流IIとLDに流れるLD電
流I0′との和となり、直流バイアス電流モニター抵抗７
に流れる電流値はLDに流れる真のLD電流I0′とは異な
り、正しくモニターすることが不可能となる。そこで、
従来考案されている代表的なモニター回路として第６図
に示すように電流吸収回路18を付加した発光素子バイア
ス電流モニター回路がある。この回路によれば、直流バ
イアス電流モニター抵抗RMに流れる直流バイアス電流IB
はLD電圧降下分Vfと直流通過形インピーダンス回路５に
よって決まる直流電流I1と、直流バイアス電流I0′との
合成値であるから、LDに流れる真のLD電流I0′をモニタ
ーするために、発光素子バイアス電流供給回路に供され
る直流バイアス電流モニター抵抗７に直流電流I1とLD電
流I0′の電流が流れる以前に直流電流I1分だけ側路させ
るようにしている。つまり、LDに並列接続される直流通
過形インピーダンス回路５に流れる直流電流I1に対し、
それと等しい吸収電流I2を得るようにトランジスタ10の
ベース電位V2を調整するのである。この時、吸収電流I2
が直流バイアス電流モニター抵抗７に流れ込む以前に側
路されるためベース電位V1によって制御されるトランジ
スタ８の直流電流I3はLDのLD電流I0′と等しくなり、そ
のときの直流バイアス電流モニター抵抗７における電圧
降下VBを測定することにより、正しくLDのLD電流I0′モ
ニターできるのである。
バイアス電流モニター抵抗７の両端の電圧降下VBを知る
ことにより求める方法によっている。又、通常、発光出
力POは、LDの発光特性に合わせて電気信号電流ISを調整
し所要の大きさを得る必要があり、これを満足させる手
段として複数の抵抗で構成される直流過形インピーダン
ス回路５である。しかし、この直流通過形インピーダン
ス回路５を付加したときの直流バイアス電流モニター抵
抗に流れる直流バイアス電流IBは、直流通過形インピー
ダンス回路５から流れ込む直流電流IIとLDに流れるLD電
流I0′との和となり、直流バイアス電流モニター抵抗７
に流れる電流値はLDに流れる真のLD電流I0′とは異な
り、正しくモニターすることが不可能となる。そこで、
従来考案されている代表的なモニター回路として第６図
に示すように電流吸収回路18を付加した発光素子バイア
ス電流モニター回路がある。この回路によれば、直流バ
イアス電流モニター抵抗RMに流れる直流バイアス電流IB
はLD電圧降下分Vfと直流通過形インピーダンス回路５に
よって決まる直流電流I1と、直流バイアス電流I0′との
合成値であるから、LDに流れる真のLD電流I0′をモニタ
ーするために、発光素子バイアス電流供給回路に供され
る直流バイアス電流モニター抵抗７に直流電流I1とLD電
流I0′の電流が流れる以前に直流電流I1分だけ側路させ
るようにしている。つまり、LDに並列接続される直流通
過形インピーダンス回路５に流れる直流電流I1に対し、
それと等しい吸収電流I2を得るようにトランジスタ10の
ベース電位V2を調整するのである。この時、吸収電流I2
が直流バイアス電流モニター抵抗７に流れ込む以前に側
路されるためベース電位V1によって制御されるトランジ
スタ８の直流電流I3はLDのLD電流I0′と等しくなり、そ
のときの直流バイアス電流モニター抵抗７における電圧
降下VBを測定することにより、正しくLDのLD電流I0′モ
ニターできるのである。
これまでの説明で従来の発光素子バイアス電流モニター
回路によるLD直流バイアス電流のモニター方法について
述べてきたが、近年この種の発光素子駆動回路におい
て、入力電気信号の有無によってLDの発光状態を完全に
消光させる手段をつけ加える必要が生じてきている。こ
のため、従来の回路では電気信号電流ISと直流バイアス
電流IBをしゃ断するような回路構成に行なっているが、
この方法を前述した発光素子バイアス電流モニター回路
に適用させると、発光出力POが完全に消光されない事態
が起こる場合があった。すなわち、上述した従来の発光
素子バイアス電流モニター回路（第６図）は、LDの直流
バイアス電流IBが完全にしゃ断された状態となった場合
においては吸収電流回路に流れ込む吸収電流I2がトラン
ジスタ８のベース電位V1によって制御されることなく常
時流れ込んでいるため、この吸収電流I2が直流通過形イ
ンピーダンス回路５から流れる直流電流I1と等しい場合
にLDの発光出力POは完全に消光される。しかし、温度変
化及びベース電位V2の調整不具合等によって各直流電流
I1と吸収電流I2がI1＜I2という関係になる状態が生じた
場合には、LDの発光出力POを完全に消光することができ
なくなり、LDの寿命やモニター電流の測定に悪影響を与
える欠点があった。
回路によるLD直流バイアス電流のモニター方法について
述べてきたが、近年この種の発光素子駆動回路におい
て、入力電気信号の有無によってLDの発光状態を完全に
消光させる手段をつけ加える必要が生じてきている。こ
のため、従来の回路では電気信号電流ISと直流バイアス
電流IBをしゃ断するような回路構成に行なっているが、
この方法を前述した発光素子バイアス電流モニター回路
に適用させると、発光出力POが完全に消光されない事態
が起こる場合があった。すなわち、上述した従来の発光
素子バイアス電流モニター回路（第６図）は、LDの直流
バイアス電流IBが完全にしゃ断された状態となった場合
においては吸収電流回路に流れ込む吸収電流I2がトラン
ジスタ８のベース電位V1によって制御されることなく常
時流れ込んでいるため、この吸収電流I2が直流通過形イ
ンピーダンス回路５から流れる直流電流I1と等しい場合
にLDの発光出力POは完全に消光される。しかし、温度変
化及びベース電位V2の調整不具合等によって各直流電流
I1と吸収電流I2がI1＜I2という関係になる状態が生じた
場合には、LDの発光出力POを完全に消光することができ
なくなり、LDの寿命やモニター電流の測定に悪影響を与
える欠点があった。
本考案の発光素子バイアス電流モニター回路は、直流通
過形インピーダンス回路が並列に接続される発光素子に
直列に発光素子バイアス電流供給回路が接続され、かつ
その発光素子バイアス電流供給回路内の抵抗の発光素子
側に電流吸収回路と該電流吸収回路に接続されるしゃ断
回路とが接続されてなる構成において、該抵抗の電圧降
下を検出することにより発光素子の直流バイアス電流を
モニターし、かつ発光素子バイアス電流がしゃ断された
ときに該電流吸収回路の吸収電流をしゃ断し完全に発光
出力を消光するように構成される。
過形インピーダンス回路が並列に接続される発光素子に
直列に発光素子バイアス電流供給回路が接続され、かつ
その発光素子バイアス電流供給回路内の抵抗の発光素子
側に電流吸収回路と該電流吸収回路に接続されるしゃ断
回路とが接続されてなる構成において、該抵抗の電圧降
下を検出することにより発光素子の直流バイアス電流を
モニターし、かつ発光素子バイアス電流がしゃ断された
ときに該電流吸収回路の吸収電流をしゃ断し完全に発光
出力を消光するように構成される。
次に本考案の実施例について図面を参照して説明する。
本考案の実施例の回路構成は第１図に示すとおりであ
り、第６図に示す従来の発光素子バイアス電流モニター
回路にしゃ断回路19を付加した構成となっている。LDの
直流バイアス電流IBが通常流れている場合のモニター方
法は、前述した従来の発光素子バイアス電流モニター回
路と同様の方法であってLDの直流バイアス電流IBをモニ
ターするのでその部分説明は除くが、入力信号の断等に
よってLDの直流バイアス電流IBがしゃ断されるような回
路動作において発光出力POを完全に消光させる本考案の
回路動作の実施例を説明する。
り、第６図に示す従来の発光素子バイアス電流モニター
回路にしゃ断回路19を付加した構成となっている。LDの
直流バイアス電流IBが通常流れている場合のモニター方
法は、前述した従来の発光素子バイアス電流モニター回
路と同様の方法であってLDの直流バイアス電流IBをモニ
ターするのでその部分説明は除くが、入力信号の断等に
よってLDの直流バイアス電流IBがしゃ断されるような回
路動作において発光出力POを完全に消光させる本考案の
回路動作の実施例を説明する。
第１図によれば、トランジスタ８のベース電位V1がLDバ
イアス電流IBを完全にしゃ断するように制御されたと
き、LDに並列接続される直流通過形インピーダンス回路
５から流れる直流電流I1とその電流分を吸収する吸収電
流I2の間においてI1≧I2の関係となっている状態ではIB
＝（I2−I1）＋I0′＝０という関係式が成り立つ。つま
りこの状態においては、LDの直流バイアス電流IBは完全
にしゃ断され、かつ、吸収電流I2が直流通過形インピー
ダンス回路５から流れる直流電流I1となるためにLDのLD
電流I0′は流れずLDの発光出力POは完全に消光される。
イアス電流IBを完全にしゃ断するように制御されたと
き、LDに並列接続される直流通過形インピーダンス回路
５から流れる直流電流I1とその電流分を吸収する吸収電
流I2の間においてI1≧I2の関係となっている状態ではIB
＝（I2−I1）＋I0′＝０という関係式が成り立つ。つま
りこの状態においては、LDの直流バイアス電流IBは完全
にしゃ断され、かつ、吸収電流I2が直流通過形インピー
ダンス回路５から流れる直流電流I1となるためにLDのLD
電流I0′は流れずLDの発光出力POは完全に消光される。
しかし、I1＜I2の関係となっている状態においては、IB
＝（I2−I1）＋I0′＝０という関係式を満足せず、つま
り、この状態ではLDの直流バイアス電流IBが完全にしゃ
断されたときでも吸収電流I2は直流電流I1より多く電流
が流れる状態にあり、これより、直流電流I1による電圧
降下がLDの順方向電圧Vfに致る電流値以上になってしま
うため、LDのLD電流I0′がI2−I1分だけ流れるようにな
る。それによって発光出力POは、わずかながらではある
が発光してしまうのである。そこで、例えばSW1を含む
しゃ断回路を第１図のように発光素子バイアス電流モニ
ター回路付加し、LDバイアス電流IBが完全にしゃ断する
ように制御するトランジスタ８のベース電位V1と同時
に、トラジスタ10のベース電位V2を外部制御電圧V3によ
って吸収電流I2を完全にしゃ断するように制御すると、
LDバイアス電流IBは、IB＝I1＋I0′＝０となり、つまり
直流電流I1及びLD電流I0′は流れなくなり完全に発光出
力POは消光されるのである。なお、スイッチSW1の代わ
りに第２図、第３図のようにトランジスタ13と抵抗14、
トランジスタ８と抵抗９によるカットオフ回路でも実施
される。
＝（I2−I1）＋I0′＝０という関係式を満足せず、つま
り、この状態ではLDの直流バイアス電流IBが完全にしゃ
断されたときでも吸収電流I2は直流電流I1より多く電流
が流れる状態にあり、これより、直流電流I1による電圧
降下がLDの順方向電圧Vfに致る電流値以上になってしま
うため、LDのLD電流I0′がI2−I1分だけ流れるようにな
る。それによって発光出力POは、わずかながらではある
が発光してしまうのである。そこで、例えばSW1を含む
しゃ断回路を第１図のように発光素子バイアス電流モニ
ター回路付加し、LDバイアス電流IBが完全にしゃ断する
ように制御するトランジスタ８のベース電位V1と同時
に、トラジスタ10のベース電位V2を外部制御電圧V3によ
って吸収電流I2を完全にしゃ断するように制御すると、
LDバイアス電流IBは、IB＝I1＋I0′＝０となり、つまり
直流電流I1及びLD電流I0′は流れなくなり完全に発光出
力POは消光されるのである。なお、スイッチSW1の代わ
りに第２図、第３図のようにトランジスタ13と抵抗14、
トランジスタ８と抵抗９によるカットオフ回路でも実施
される。
以上説明したように本考案によれば、簡単な方法で発光
素子に加えられる電流バイアス電流を正しくモニターで
き、かつLDバイアス電流がしゃ断された場合においても
しゃ断回路によって完全に吸収電流をしゃ断しLDの発光
出力を完全に消光できる効果がある。
素子に加えられる電流バイアス電流を正しくモニターで
き、かつLDバイアス電流がしゃ断された場合においても
しゃ断回路によって完全に吸収電流をしゃ断しLDの発光
出力を完全に消光できる効果がある。
【図面の簡単な説明】 第１図は本考案の実施例の回路図、第２図、第３図はそ
れぞれ本考案の他の実施例を示す回路図、第４図は直流
通過形インピーダンス回路がLDに並列に接続されてなる
従来のLD駆動回路の回路図、第５図は第４図の動作状況
を説明する図、第６図は従来の発光素子バイアス電流モ
ニター回路を有する従来のLD駆動回路の回路図である。 1,2……電流切換回路を構成するトランジスタ、３……
トランジスタ１の負荷抵抗、４……トランジスタ1,2の
電流を安定化するための抵抗、５……直流通過形インピ
ーダンス回路、６……レーザーダイオード、７……直流
バイアス電流モニター抵抗、８……バイアス供給用トラ
ンジスタ、９……バイアス電流安定化のための抵抗、10
……電流側路に供するトランジスタ、11……電流安定化
する抵抗、SW1……トランジスタ10をしゃ断するスイッ
チ、13,15……トランジスタ10をしゃ断するトランジス
タ、14,16……電流安定化する抵抗、17……発光素子バ
イアス電流供給回路、18……電流吸収回路、19……しゃ
断回路。
れぞれ本考案の他の実施例を示す回路図、第４図は直流
通過形インピーダンス回路がLDに並列に接続されてなる
従来のLD駆動回路の回路図、第５図は第４図の動作状況
を説明する図、第６図は従来の発光素子バイアス電流モ
ニター回路を有する従来のLD駆動回路の回路図である。 1,2……電流切換回路を構成するトランジスタ、３……
トランジスタ１の負荷抵抗、４……トランジスタ1,2の
電流を安定化するための抵抗、５……直流通過形インピ
ーダンス回路、６……レーザーダイオード、７……直流
バイアス電流モニター抵抗、８……バイアス供給用トラ
ンジスタ、９……バイアス電流安定化のための抵抗、10
……電流側路に供するトランジスタ、11……電流安定化
する抵抗、SW1……トランジスタ10をしゃ断するスイッ
チ、13,15……トランジスタ10をしゃ断するトランジス
タ、14,16……電流安定化する抵抗、17……発光素子バ
イアス電流供給回路、18……電流吸収回路、19……しゃ
断回路。
Claims (1)
- 【請求項１】直流通過形インピーダンス回路が並列に接
続される発光素子に直列に接続された発光素子バイアス
電流供給回路と、前記発光素子から前記発光素子バイア
ス電流供給回路内の直流バイアス電流モニター抵抗に流
れる電流のうち、前記直流通過形インピーダンス回路に
流れる電流分を吸収する電流吸収回路と、前記電流吸収
回路に接続されるしゃ断回路とを含み、前記モニター抵
抗の電圧降下を検出することにより前記発光素子の直流
バイアス電流をモニターし、かつ前記発光素子バイアス
電流供給回路がしゃ断されたときに前記しゃ断回路を動
作し、完全に発光出力を消光することを特徴とする発光
素子バイアス電流モニター回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1986063428U JPH0633725Y2 (ja) | 1986-04-25 | 1986-04-25 | 発光素子バイアス電流モニタ−回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1986063428U JPH0633725Y2 (ja) | 1986-04-25 | 1986-04-25 | 発光素子バイアス電流モニタ−回路 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62177143U JPS62177143U (ja) | 1987-11-10 |
| JPH0633725Y2 true JPH0633725Y2 (ja) | 1994-08-31 |
Family
ID=30898645
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1986063428U Expired - Lifetime JPH0633725Y2 (ja) | 1986-04-25 | 1986-04-25 | 発光素子バイアス電流モニタ−回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0633725Y2 (ja) |
-
1986
- 1986-04-25 JP JP1986063428U patent/JPH0633725Y2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS62177143U (ja) | 1987-11-10 |
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