JPH0648193B2 - 距離測定装置 - Google Patents
距離測定装置Info
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- JPH0648193B2 JPH0648193B2 JP27350286A JP27350286A JPH0648193B2 JP H0648193 B2 JPH0648193 B2 JP H0648193B2 JP 27350286 A JP27350286 A JP 27350286A JP 27350286 A JP27350286 A JP 27350286A JP H0648193 B2 JPH0648193 B2 JP H0648193B2
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、距離測定装置に関するものである。
従来この種の装置として第３図に示すような方式のもの
が知られている。
が知られている。
即ち従来方式の場合、被測距体５３の像は、受光レンズ
５４，５５によってそれぞれ受光素子列５６，５７上に
結像される。このとき、受光素子列５６，５７は無限遠
の被測距体５３に対してその像が受光素子列５６，５７
上のそれぞれの対応する位置に結像するようにセツトさ
れる。
５４，５５によってそれぞれ受光素子列５６，５７上に
結像される。このとき、受光素子列５６，５７は無限遠
の被測距体５３に対してその像が受光素子列５６，５７
上のそれぞれの対応する位置に結像するようにセツトさ
れる。
ここで受光レンズ５４，５５から被測距体５３までの距
離がＤのとき、受光素子列５６，５７上の被測距体像が
両受光素子５６と５７の間で受光素子のＮ画素だけずれ
て結像された場合、光学系の基線長をＬ、受光レンズの
焦点距離をｆ、受光素子の画素のピツチをλとすると、
三角測量の原理により、 から距離Ｄが求められる。
離がＤのとき、受光素子列５６，５７上の被測距体像が
両受光素子５６と５７の間で受光素子のＮ画素だけずれ
て結像された場合、光学系の基線長をＬ、受光レンズの
焦点距離をｆ、受光素子の画素のピツチをλとすると、
三角測量の原理により、 から距離Ｄが求められる。
この受光素子上の被測距体像のずれ量λ×Ｎを検出する
手段として受光素子列５６，５７からの出力をデイジタ
ル値に量子化し、これをマイコンなどによって演算する
方式が一般的である。
手段として受光素子列５６，５７からの出力をデイジタ
ル値に量子化し、これをマイコンなどによって演算する
方式が一般的である。
このように被測距体像を量子化する方式として受光素子
列上の受光強度の最大値を基準にする方式が特開昭５９
−２０４７０４号公報で既に提案されている。
列上の受光強度の最大値を基準にする方式が特開昭５９
−２０４７０４号公報で既に提案されている。
この提案によれば、２つの受光素子列のそれぞれにおい
て、受光強度の最大値を基準に量子化を行っている。こ
の方式による量子化について第４図を用いて説明する。
て、受光強度の最大値を基準に量子化を行っている。こ
の方式による量子化について第４図を用いて説明する。
まず、２つの受光素子列を左と右というように区別す
る。この左右の受光素子列上の受光強度が第４図（ａ）
のような場合、これを受光強度の最大値（図にＭＡＸと
示した）を基準にして４値化すると、第４図（ｂ）のよ
うになる。
る。この左右の受光素子列上の受光強度が第４図（ａ）
のような場合、これを受光強度の最大値（図にＭＡＸと
示した）を基準にして４値化すると、第４図（ｂ）のよ
うになる。
第４図の様に受光強度の最大値が左右の受光素子列で等
しければ量子化上何ら問題がないが、この最大値が異な
る場合適切な量子化ができなくなることがある。
しければ量子化上何ら問題がないが、この最大値が異な
る場合適切な量子化ができなくなることがある。
同じ被測距体に対しても距離測定装置との方向，距離に
よってその受光素子列上の像の位置、ずれ量は変化す
る。第４図（ａ）と同じ被測距体の像が第５図（ａ）の
ように結像した場合を考える。第５図（ａ）の右の像に
おける受光強度最大の部分（ＭＡＸ参照）は左側では受
光素子列上からはずれており、左の受光素子列における
最大値はＭＡＸａの部分である。ここで左右のそれぞれ
の最大受光強度（左ではＭＡＸａ、右ではＭＡＸの部
分）を基準に４値化を行うと第５図（ｂ）のようにな
る。左右の像は量子化の基準となる値が異なるため全く
異なる像に量子化され、ずれ量の検出ができなくなり距
離測定は不能、あるいは誤測定となる。
よってその受光素子列上の像の位置、ずれ量は変化す
る。第４図（ａ）と同じ被測距体の像が第５図（ａ）の
ように結像した場合を考える。第５図（ａ）の右の像に
おける受光強度最大の部分（ＭＡＸ参照）は左側では受
光素子列上からはずれており、左の受光素子列における
最大値はＭＡＸａの部分である。ここで左右のそれぞれ
の最大受光強度（左ではＭＡＸａ、右ではＭＡＸの部
分）を基準に４値化を行うと第５図（ｂ）のようにな
る。左右の像は量子化の基準となる値が異なるため全く
異なる像に量子化され、ずれ量の検出ができなくなり距
離測定は不能、あるいは誤測定となる。
このような欠点を除くため、基準となる値を左右の受光
素子列全体における最大値とした場合の結果を第５図
（ｃ）に示す。第５図（ａ）の場合左右の受光素子列上
で最も受光強度の強い部分は右のＭＡＸの部分である。
この値を基準に量子化を行うと、量子化のダイナミック
レンジが左右の受光強度の差（ＭＡＸとＭＡＸａの差）
よりも小さいため、左の像のコントラストは検出できな
くなる。この様な場合量子化のダイナミツクレンジを広
げればよいがこれはコストアツプ、ずれ検出演算の複雑
化を生ずる。
素子列全体における最大値とした場合の結果を第５図
（ｃ）に示す。第５図（ａ）の場合左右の受光素子列上
で最も受光強度の強い部分は右のＭＡＸの部分である。
この値を基準に量子化を行うと、量子化のダイナミック
レンジが左右の受光強度の差（ＭＡＸとＭＡＸａの差）
よりも小さいため、左の像のコントラストは検出できな
くなる。この様な場合量子化のダイナミツクレンジを広
げればよいがこれはコストアツプ、ずれ検出演算の複雑
化を生ずる。
本発明の目的はかかる欠点を解決せんとするもので、そ
の特長とする処はそれぞれ複数の受光部を有する第一及
び第二の受光素子列にて、被写体からの光束をそれぞれ
受光させるとともに、第一及び第二の受光素子列の各受
光部における光電流を量子化手段にて量子化し、該量子
化手段の各出力の前記第一の受光素子列に対するものと
前記第二の受光素子列に対するものの相関関係から被写
体距離に応じて変化する測定値を求める測定装置におい
て、各受光部における各光電流の量子化に際し、第一の
受光素子列内の受光部での光電流の最大値と第二の受光
素子列内の受光部での光電流の最大値のうち小さい方の
値を基準にして各受光部の光電流を量子化することによ
り、上述従来例のような量子化の基準値が不適正なため
に生ずる欠点を除去するものである。
の特長とする処はそれぞれ複数の受光部を有する第一及
び第二の受光素子列にて、被写体からの光束をそれぞれ
受光させるとともに、第一及び第二の受光素子列の各受
光部における光電流を量子化手段にて量子化し、該量子
化手段の各出力の前記第一の受光素子列に対するものと
前記第二の受光素子列に対するものの相関関係から被写
体距離に応じて変化する測定値を求める測定装置におい
て、各受光部における各光電流の量子化に際し、第一の
受光素子列内の受光部での光電流の最大値と第二の受光
素子列内の受光部での光電流の最大値のうち小さい方の
値を基準にして各受光部の光電流を量子化することによ
り、上述従来例のような量子化の基準値が不適正なため
に生ずる欠点を除去するものである。
第１図は本発明の一実施例を示す電気回路図であり、第
２図はこの回路によって受光素子列上の像がどのように
量子化されるかを示すものである。
２図はこの回路によって受光素子列上の像がどのように
量子化されるかを示すものである。
第１図において１〜６は受光素子であるフオトダイオー
ドである。該フオトダイオード１〜３および４〜６はそ
れぞれ帯状に並べられて受光素子列を構成し、この２つ
の受光素子列上の像のずれ量によって被測距体までの距
離を測ることができる。尚この例ではそれぞれの受光素
子列の素子数を３としたが、これは一例であって、これ
に限定されるものではない。
ドである。該フオトダイオード１〜３および４〜６はそ
れぞれ帯状に並べられて受光素子列を構成し、この２つ
の受光素子列上の像のずれ量によって被測距体までの距
離を測ることができる。尚この例ではそれぞれの受光素
子列の素子数を３としたが、これは一例であって、これ
に限定されるものではない。
フオトダイオード１〜６のカソードはそれぞれ電源電圧
Ｖccに接続され、アノードのそれぞれは直列に接続され
たスイツチングトランジスタ７〜１２、コンデンサ１９
〜２４を介してＧＮＤに接続されている。スイツチング
トランジスタ１３〜１８はそれぞれコンデンサ１９〜２
４に並列に接続されている。またスイツチングトランジ
スタ１３〜１８の入力端は信号線ＣＬＥＡＲに接続さ
れ、スイツチングトランジスタ７〜１２の入力端は信号
線Ｄに接続されている。
Ｖccに接続され、アノードのそれぞれは直列に接続され
たスイツチングトランジスタ７〜１２、コンデンサ１９
〜２４を介してＧＮＤに接続されている。スイツチング
トランジスタ１３〜１８はそれぞれコンデンサ１９〜２
４に並列に接続されている。またスイツチングトランジ
スタ１３〜１８の入力端は信号線ＣＬＥＡＲに接続さ
れ、スイツチングトランジスタ７〜１２の入力端は信号
線Ｄに接続されている。
スイツチングトランジスタ７〜１２とコンデンサ１９〜
２４のそれぞれの接続点にはインバータ２５〜３０が接
続され、インバータ２５〜２７の出力はそれぞれＮＯＲ
ゲート３１〜３３、ＮＡＮＤゲート３７に接続され、イ
ンバータ２８〜３０の出力はそれぞれＮＯＲゲート３４
〜３６、ＮＡＮＤゲート３８に接続されている。
２４のそれぞれの接続点にはインバータ２５〜３０が接
続され、インバータ２５〜２７の出力はそれぞれＮＯＲ
ゲート３１〜３３、ＮＡＮＤゲート３７に接続され、イ
ンバータ２８〜３０の出力はそれぞれＮＯＲゲート３４
〜３６、ＮＡＮＤゲート３８に接続されている。
ＮＡＮＤゲート３７，３８の出力はＡＮＤゲート４１に
入力され、その出力はインバータ４２を介してＲＳフリ
ツプフロツプ（以下ＲＳ−ＦＦと略す）３９のセツト入
力に入力されている。
入力され、その出力はインバータ４２を介してＲＳフリ
ツプフロツプ（以下ＲＳ−ＦＦと略す）３９のセツト入
力に入力されている。
ＲＳ−ＦＦ３９の出力ＱはＡＮＤゲート４３に信号φと
共に入力され、ＡＮＤゲート４３の出力カウンタ４４の
ＣＬＫ入力されている。カウンタ４４の出力Ｑ０〜Ｑ２
はＮＡＮＤゲート４５に入力され、その入力はＮＯＲゲ
ート３１〜３６の入力されている。カウンタ４４の出力
Ｑ３，Ｑ４はＮＡＮＤゲート４６に入力され、その出力
はＲＳ−ＦＦ４０の入力に入力されており、ＲＳ−Ｆ
Ｆ４０のＱ出力はＮＯＲゲート３１〜３６に入力されて
いる。また、ＲＳ−ＦＦ３９，４０およびカウンタ４４
のそれぞれのＲＥＳＥＴ入力には信号▲▼
が入力されている。さらに、ＮＯＲゲート３１〜３６の
出力はそれぞれカウンタ４７〜５２に入力されている。
共に入力され、ＡＮＤゲート４３の出力カウンタ４４の
ＣＬＫ入力されている。カウンタ４４の出力Ｑ０〜Ｑ２
はＮＡＮＤゲート４５に入力され、その入力はＮＯＲゲ
ート３１〜３６の入力されている。カウンタ４４の出力
Ｑ３，Ｑ４はＮＡＮＤゲート４６に入力され、その出力
はＲＳ−ＦＦ４０の入力に入力されており、ＲＳ−Ｆ
Ｆ４０のＱ出力はＮＯＲゲート３１〜３６に入力されて
いる。また、ＲＳ−ＦＦ３９，４０およびカウンタ４４
のそれぞれのＲＥＳＥＴ入力には信号▲▼
が入力されている。さらに、ＮＯＲゲート３１〜３６の
出力はそれぞれカウンタ４７〜５２に入力されている。
次にこの回路の動作を説明する。まず信号線ＣＬＥＡＲ
に信号ＣＬＥＡＲ信号が入力することによってスイツチ
ングトランジスタ１３〜１８がオンし、コンデンサ１９
〜２４の電荷が放電される。またこれと同じタイミング
でＲＳ−ＦＦ３９，４０、カウンタ４４及びカウンタ４
７〜５２が▲▼信号によってリセツトされ
る。この▲▼信号は、動作開始時にＬｏｗレ
ベル（以下Ｌｏｗと略す）となり、その後Ｈｉｇｈレベ
ル（以下Ｈｉｇｈと略す）に固定される。ＲＳ−ＦＦ３
９のＱ出力はこの状態ではＬｏｗであるため、ＡＮＤゲ
ート４３は信号φを出力せず、カウンタ４４の出力Ｑ０
〜Ｑ４はＬｏｗのままである。
に信号ＣＬＥＡＲ信号が入力することによってスイツチ
ングトランジスタ１３〜１８がオンし、コンデンサ１９
〜２４の電荷が放電される。またこれと同じタイミング
でＲＳ−ＦＦ３９，４０、カウンタ４４及びカウンタ４
７〜５２が▲▼信号によってリセツトされ
る。この▲▼信号は、動作開始時にＬｏｗレ
ベル（以下Ｌｏｗと略す）となり、その後Ｈｉｇｈレベ
ル（以下Ｈｉｇｈと略す）に固定される。ＲＳ−ＦＦ３
９のＱ出力はこの状態ではＬｏｗであるため、ＡＮＤゲ
ート４３は信号φを出力せず、カウンタ４４の出力Ｑ０
〜Ｑ４はＬｏｗのままである。
次に、ＣＬＥＡＲ入力によりスイツチングトランジスタ
１３〜１８をオフさせた後、信号線Ｄに信号Ｄを印加す
ることによりスイツチングトランジスタ７〜１２をオン
させる。これにより、各フオトダイオード１〜６から光
電流がコンデンサ１９〜２４に流れ込み、インバータ２
５〜３０への入力電圧が増加していき、この電圧がイン
バータ２５〜３０のしきい値を越えると、その出力はＨ
ｉｇｈからＬｏｗに反転する。このコンデンサ１９〜２
４の充電が始まってからインバータ２５〜３０が反転す
るまでの時間は、フォトダイオード１〜６からの光電流
がその受光強度に比例するため、受光強度に反比例し、
受光強度が強いほど短くなる。
１３〜１８をオフさせた後、信号線Ｄに信号Ｄを印加す
ることによりスイツチングトランジスタ７〜１２をオン
させる。これにより、各フオトダイオード１〜６から光
電流がコンデンサ１９〜２４に流れ込み、インバータ２
５〜３０への入力電圧が増加していき、この電圧がイン
バータ２５〜３０のしきい値を越えると、その出力はＨ
ｉｇｈからＬｏｗに反転する。このコンデンサ１９〜２
４の充電が始まってからインバータ２５〜３０が反転す
るまでの時間は、フォトダイオード１〜６からの光電流
がその受光強度に比例するため、受光強度に反比例し、
受光強度が強いほど短くなる。
従って、受光強度の最も強い部分に対応するインバータ
２５〜３０からその出力は反転していくことになるが、
インバータ２５〜２７のうちいずれか１つでもＨｉｇｈ
からＬｏｗに反転するとＮＡＮＤゲート３７の出力がＬ
ｏｗからＨｉｇｈに反転し、インバータ２８〜３０のい
ずれか１つでもＨｉｇｈからＬｏｗに反転するとＮＡＮ
Ｄゲート３８の出力はＬｏｗからＨｉｇｈに反転する。
２５〜３０からその出力は反転していくことになるが、
インバータ２５〜２７のうちいずれか１つでもＨｉｇｈ
からＬｏｗに反転するとＮＡＮＤゲート３７の出力がＬ
ｏｗからＨｉｇｈに反転し、インバータ２８〜３０のい
ずれか１つでもＨｉｇｈからＬｏｗに反転するとＮＡＮ
Ｄゲート３８の出力はＬｏｗからＨｉｇｈに反転する。
このＮＡＮＤゲート３７，３８の出力の反転のタイミン
グは、従来例の場合で第４図，第５図に示したように２
つの受光素子列上の受光強度はさまざまに異なるため、
同時になるとは限らない。しかしＡＮＤゲート４１の出
力はＮＡＮＤゲート３７，３８の双方の出力がＨｉｇｈ
になってはじめてＬｏｗからＨｉｇｈへ反転する。すな
わち、受光素子列１〜３および受光素子列４〜６のそれ
ぞれにおいて１つ以上のインバータの出力が反転した場
合ＡＮＤゲート４１の出力がＨｉｇｈとなり、インバー
タ４２の出力がＬｏｗとなってＲＳ−ＦＦ３９の入力
がＬｏｗとなりＲＳ−ＦＦ３９はセツトされ、そのＱ出
力がＨｉｇｈになり信号φがＡＮＤゲート４３を介して
カウンタ４４のＣＬＫ入力に入力される。
グは、従来例の場合で第４図，第５図に示したように２
つの受光素子列上の受光強度はさまざまに異なるため、
同時になるとは限らない。しかしＡＮＤゲート４１の出
力はＮＡＮＤゲート３７，３８の双方の出力がＨｉｇｈ
になってはじめてＬｏｗからＨｉｇｈへ反転する。すな
わち、受光素子列１〜３および受光素子列４〜６のそれ
ぞれにおいて１つ以上のインバータの出力が反転した場
合ＡＮＤゲート４１の出力がＨｉｇｈとなり、インバー
タ４２の出力がＬｏｗとなってＲＳ−ＦＦ３９の入力
がＬｏｗとなりＲＳ−ＦＦ３９はセツトされ、そのＱ出
力がＨｉｇｈになり信号φがＡＮＤゲート４３を介して
カウンタ４４のＣＬＫ入力に入力される。
ＮＡＮＤゲート４５の出力はカウンタ４４の出力Ｑ０〜
Ｑ２の出力が全てＨｉｇｈになるごとにＬｏｗとなる。
従って、ＮＯＲゲート３１〜３６のうちこの時点でイン
バータ２５〜３０からＬｏｗ信号を受けているものの出
力はＬｏｗからＨｉｇｈに立ち上がる。この動作は、カ
ウンタ４４の出力Ｑ３，Ｑ４が共にＨｉｇｈになり、Ｎ
ＡＮＤゲート４６の出力がＬｏｗになり、ＲＳ−ＦＦ４
０がセツトされてそのＱ出力であるＨｉｇｈがＮＯＲゲ
ート３１〜３６に入力されるまで続く。
Ｑ２の出力が全てＨｉｇｈになるごとにＬｏｗとなる。
従って、ＮＯＲゲート３１〜３６のうちこの時点でイン
バータ２５〜３０からＬｏｗ信号を受けているものの出
力はＬｏｗからＨｉｇｈに立ち上がる。この動作は、カ
ウンタ４４の出力Ｑ３，Ｑ４が共にＨｉｇｈになり、Ｎ
ＡＮＤゲート４６の出力がＬｏｗになり、ＲＳ−ＦＦ４
０がセツトされてそのＱ出力であるＨｉｇｈがＮＯＲゲ
ート３１〜３６に入力されるまで続く。
この動作時間中に各ＮＯＲゲート３１〜３６の出力は最
大３回立ち上がる。すなわち、カウンタ４７〜５２の係
数値は“００”，“０１”，“１０”，“１１”（２進
数）のいずれかをとり、２つの受光素子列に対応するカ
ウンタ４７〜４９およびカウンタ５０〜５２のそれぞれ
のグループにおいて少なくとも１つは“１１”をとる。
このため、フオトダイオード１〜６の出力（光電流）
は、２つの受光素子列フオトダイオード１〜３および４
〜６の出力の最大値の小さい方を基準に４値化されるこ
とになる。
大３回立ち上がる。すなわち、カウンタ４７〜５２の係
数値は“００”，“０１”，“１０”，“１１”（２進
数）のいずれかをとり、２つの受光素子列に対応するカ
ウンタ４７〜４９およびカウンタ５０〜５２のそれぞれ
のグループにおいて少なくとも１つは“１１”をとる。
このため、フオトダイオード１〜６の出力（光電流）
は、２つの受光素子列フオトダイオード１〜３および４
〜６の出力の最大値の小さい方を基準に４値化されるこ
とになる。
第２図は第１図示電気回路によって被測距体像が４値化
される例であり、その受光素子上の像は第５図における
ものと同じ場合である。左側の受光素子列では受光強度
の最大値はＭＡＸａの部分、右側においてはＭＡＸの部
分であるが、第１図のＡＮＤゲート４１によって論理積
をとるため、左右それぞれの受光素子列上の受光強度は
左右の２つの最大値ＭＡＸａ，ＭＡＸの部分のうち、小
さい方のＭＡＸａの部分の受光強度を基準に４値化され
る。このため第５図（ｂ）のように左右の基準値が異な
るために異なるコントラスト像に４値化されたり、第５
図（ｃ）のように片側のコントラストが検出されなくな
ることはなく、左右同じレベルでコントラストが検出さ
れることになる。
される例であり、その受光素子上の像は第５図における
ものと同じ場合である。左側の受光素子列では受光強度
の最大値はＭＡＸａの部分、右側においてはＭＡＸの部
分であるが、第１図のＡＮＤゲート４１によって論理積
をとるため、左右それぞれの受光素子列上の受光強度は
左右の２つの最大値ＭＡＸａ，ＭＡＸの部分のうち、小
さい方のＭＡＸａの部分の受光強度を基準に４値化され
る。このため第５図（ｂ）のように左右の基準値が異な
るために異なるコントラスト像に４値化されたり、第５
図（ｃ）のように片側のコントラストが検出されなくな
ることはなく、左右同じレベルでコントラストが検出さ
れることになる。
以上説明したように、２つの受光素子列のそれぞれにお
ける光電流の最大値のうち、小さい方の値を基準にして
光電流を量子化しているので、片方の受光素子例にのみ
極端に受光強度の強い部分がある場合でも、２つの受光
素子例で、レベルの異なる量子化を行ったり、距離測定
に必要なコントラスト情報を消してしまうことなく、距
離測定に有効なコントラスト情報を得る量子化を行うこ
とができる。
ける光電流の最大値のうち、小さい方の値を基準にして
光電流を量子化しているので、片方の受光素子例にのみ
極端に受光強度の強い部分がある場合でも、２つの受光
素子例で、レベルの異なる量子化を行ったり、距離測定
に必要なコントラスト情報を消してしまうことなく、距
離測定に有効なコントラスト情報を得る量子化を行うこ
とができる。
第１図は本発明の一実施例を示す電気回路図、第２図は
本発明による受光素子列上の像の量子化を説明する図、
第３図は距離測定装置の測定原理を示す説明図、第４
図，第５図は従来の量子化手段による受光素子列上の像
の量子化を説明する図である。 １〜６……フオトダイオード ７〜１８……スイツチングトランジスタ ２５〜３０……インバータ １９〜２４……コンデンサ ３７，３８……ＮＡＮＤゲート ４１……ＡＮＤゲート ４４，４７〜５２……カウンタ ５３……被測距体 ５４，５５……受光レンズ ５６，５７……受光素子列
本発明による受光素子列上の像の量子化を説明する図、
第３図は距離測定装置の測定原理を示す説明図、第４
図，第５図は従来の量子化手段による受光素子列上の像
の量子化を説明する図である。 １〜６……フオトダイオード ７〜１８……スイツチングトランジスタ ２５〜３０……インバータ １９〜２４……コンデンサ ３７，３８……ＮＡＮＤゲート ４１……ＡＮＤゲート ４４，４７〜５２……カウンタ ５３……被測距体 ５４，５５……受光レンズ ５６，５７……受光素子列
Claims (1)
- 【請求項１】それぞれ複数の受光部を有する第一及び第
二の受光素子列にて、被写体からの光束をそれぞれ受光
させるとともに、第一及び第二の受光素子列の各受光部
における光電流を量子化手段にて量子化し、該量子化手
段の各出力の前記第一の受光素子列に対するものと前記
第二の受光素子列に対するものの相関関係から被写体距
離に応じて変化する測定値を求める測定装置において、
各受光部における各光電流の量子化に際し、第一の受光
素子列内の受光部での光電流の最大値と第二の受光素子
列内の受光部での光電流の最大値のうち小さい方の値を
基準にして各受光部の光電流を量子化することを特徴と
する測定装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27350286A JPH0648193B2 (ja) | 1986-11-17 | 1986-11-17 | 距離測定装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27350286A JPH0648193B2 (ja) | 1986-11-17 | 1986-11-17 | 距離測定装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63127111A JPS63127111A (ja) | 1988-05-31 |
| JPH0648193B2 true JPH0648193B2 (ja) | 1994-06-22 |
Family
ID=17528787
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27350286A Expired - Fee Related JPH0648193B2 (ja) | 1986-11-17 | 1986-11-17 | 距離測定装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0648193B2 (ja) |
-
1986
- 1986-11-17 JP JP27350286A patent/JPH0648193B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS63127111A (ja) | 1988-05-31 |
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