JPH0648884Y2 - 半導体装置の封止構造 - Google Patents
半導体装置の封止構造Info
- Publication number
- JPH0648884Y2 JPH0648884Y2 JP1987071846U JP7184687U JPH0648884Y2 JP H0648884 Y2 JPH0648884 Y2 JP H0648884Y2 JP 1987071846 U JP1987071846 U JP 1987071846U JP 7184687 U JP7184687 U JP 7184687U JP H0648884 Y2 JPH0648884 Y2 JP H0648884Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor device
- semiconductor element
- moisture
- prism
- sealing structure
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
Description
【考案の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本考案は、フォトダイオードとレーザーダイオードとプ
リズムなどで構成された光複合半導体装置に特に好適な
もので、半導体素子の耐湿性を向上させた半導体装置の
封止構造に関する。
リズムなどで構成された光複合半導体装置に特に好適な
もので、半導体素子の耐湿性を向上させた半導体装置の
封止構造に関する。
［考案の概要］ 本考案は、半導体装置の封止構造において、半導体素子
を覆うように形成するプリズムの一部に穿設された穴部
へ耐湿性樹脂を充填し、穴部の封止を、耐湿性樹脂を厚
く盛った状態にすることにより、 半導体素子の耐湿性を向上させることを可能にしたもの
である。
を覆うように形成するプリズムの一部に穿設された穴部
へ耐湿性樹脂を充填し、穴部の封止を、耐湿性樹脂を厚
く盛った状態にすることにより、 半導体素子の耐湿性を向上させることを可能にしたもの
である。
［従来の技術］ 従来より、LOP（レーザーオンフォトダイオード）など
の光複合半導体装置では、フォトダイオードが形成され
た半導体素子上にレーザーダイオードがマウントされ、
さらに一つ一つ研磨によって形成されたプリズムがいく
つかマウントされて必要な光路が構成されている。
の光複合半導体装置では、フォトダイオードが形成され
た半導体素子上にレーザーダイオードがマウントされ、
さらに一つ一つ研磨によって形成されたプリズムがいく
つかマウントされて必要な光路が構成されている。
上記のように半導体装置の半導体素子即ちシリコン素子
上には、外部と接続するための電極部が形成されてお
り、ワイヤボンドでリード端子などに配線されている。
このシリコン素子上の電極部は、素子の高密度化や小型
化に伴い狭いピッチで並び、湿気や電界などの影響で酸
化や腐食が起こると電極間が短絡したりするので、樹脂
を塗布したりして半導体素子を封止することが行われて
いる。
上には、外部と接続するための電極部が形成されてお
り、ワイヤボンドでリード端子などに配線されている。
このシリコン素子上の電極部は、素子の高密度化や小型
化に伴い狭いピッチで並び、湿気や電界などの影響で酸
化や腐食が起こると電極間が短絡したりするので、樹脂
を塗布したりして半導体素子を封止することが行われて
いる。
また他の従来例としては、実開昭59−107147号公報があ
る。この提案は、電極部の外周に沿ってその端部を、半
導体装置の印刷配線上を保護するレジストで被覆しその
後樹脂を塗布して、電極間の短絡を防止するものであっ
た。
る。この提案は、電極部の外周に沿ってその端部を、半
導体装置の印刷配線上を保護するレジストで被覆しその
後樹脂を塗布して、電極間の短絡を防止するものであっ
た。
［考案が解決しようとする問題点］ しかしながら、上記従来の技術における電極部の端部に
レジストを塗布する手段では、比較的形状の大きい印刷
配線上の電極部に対して実施可能であって、半導体素子
上の微細な電極部には実施が困難であり、一方樹脂を塗
布して封止する構造では、その樹脂を半導体素子の表面
から高く厚く盛ることが難しく、耐湿性を向上されるこ
とができないという問題点があった。また、その困難さ
に加えて樹脂の塗布を平坦に行おうとするとさらに困難
であり、制御性が悪いという問題点があった。
レジストを塗布する手段では、比較的形状の大きい印刷
配線上の電極部に対して実施可能であって、半導体素子
上の微細な電極部には実施が困難であり、一方樹脂を塗
布して封止する構造では、その樹脂を半導体素子の表面
から高く厚く盛ることが難しく、耐湿性を向上されるこ
とができないという問題点があった。また、その困難さ
に加えて樹脂の塗布を平坦に行おうとするとさらに困難
であり、制御性が悪いという問題点があった。
本考案は、上記問題点を解決するために創案されたもの
で、制御性良く耐湿性樹脂を半導体素子上に厚く盛るこ
とができ、その半導体素子の耐湿性を向上させることが
できる半導体装置の封止構造を提供することを目的とす
る。
で、制御性良く耐湿性樹脂を半導体素子上に厚く盛るこ
とができ、その半導体素子の耐湿性を向上させることが
できる半導体装置の封止構造を提供することを目的とす
る。
［問題点を解決するための手段］ 上記の目的を達成するための本考案の半導体装置の封止
構造の構成は、 光半導体素子を含む半導体素子を覆うように形成するプ
リズムの一部に穿設された電極取り出しの穴部へ耐湿性
樹脂を充填したことを特徴とする。
構造の構成は、 光半導体素子を含む半導体素子を覆うように形成するプ
リズムの一部に穿設された電極取り出しの穴部へ耐湿性
樹脂を充填したことを特徴とする。
［作用］ 本考案では、半導体装置を構成する半導体素子を覆うよ
うにプリズムを形成して光半導体素子に必要な光路を構
成し、ワイヤボンドによる電極部の配線のために必要な
部分に穴部を穿設し、その穴部へ耐湿性樹脂を流し込ん
で封止を行う。このプリズムには本来的に厚みがあり、
その厚みだけ耐湿性樹脂を容易に穴部へ充填することが
できる。従って、制御性良く耐湿性樹脂による十分な厚
みを有した封止ができ、その厚みによって半導体素子の
耐湿性が向上する。
うにプリズムを形成して光半導体素子に必要な光路を構
成し、ワイヤボンドによる電極部の配線のために必要な
部分に穴部を穿設し、その穴部へ耐湿性樹脂を流し込ん
で封止を行う。このプリズムには本来的に厚みがあり、
その厚みだけ耐湿性樹脂を容易に穴部へ充填することが
できる。従って、制御性良く耐湿性樹脂による十分な厚
みを有した封止ができ、その厚みによって半導体素子の
耐湿性が向上する。
［実施例］ 以下、本考案の実施例を図面に基づいて詳細に説明す
る。
る。
第１図は本考案の一実施例を示す半導体装置の平面図、
第２図はそのＡ−Ａ′断面図、第３図はそのＢ−Ｂ′断
面図である。この実施例は、LOP構成のレーザーカプラ
に適用したものである。レーザーカプラ１は、第３図に
示すように、シリコン素子２上に複数個のフォトダイオ
ードPD1，PD2，PD3が形成され、レーザーダイオードLD1
がマウントされて、それらの各ダイオードに必要な光路
を構成するためにプリズムウェハ３がマウントまたはモ
ールドにより形成されて成る。
第２図はそのＡ−Ａ′断面図、第３図はそのＢ−Ｂ′断
面図である。この実施例は、LOP構成のレーザーカプラ
に適用したものである。レーザーカプラ１は、第３図に
示すように、シリコン素子２上に複数個のフォトダイオ
ードPD1，PD2，PD3が形成され、レーザーダイオードLD1
がマウントされて、それらの各ダイオードに必要な光路
を構成するためにプリズムウェハ３がマウントまたはモ
ールドにより形成されて成る。
プリズムウェハ３はレーザーダイオードLD1のレーザー
光に対しプリズムとして作用するのに必要な角度を有し
た傾斜部3aを有する穴部3bが形成されて成る。この傾斜
部3aはエッチング加工や超音波加工などによって形成す
ることができる。また、レーザーカプラ１には、外部と
の接続のためのリード端子4,4…が備えられ、一方、シ
リコン素子２上には、リード端子4,4…やレーザーダイ
オードLD1とワイヤーボンド5,5…で接続するための電極
部6,6…を備えている。そこで、プリズムウェハ３に
は、これらの電極部6,6…を露出するために、穴部7,7を
前記と同様にエッチング加工や超音波加工などによって
穿設する。この穴部の形状は第１図のような溝状のもの
に限定するものではなく、電極部の配列に適した形状の
ものであれば良い。
光に対しプリズムとして作用するのに必要な角度を有し
た傾斜部3aを有する穴部3bが形成されて成る。この傾斜
部3aはエッチング加工や超音波加工などによって形成す
ることができる。また、レーザーカプラ１には、外部と
の接続のためのリード端子4,4…が備えられ、一方、シ
リコン素子２上には、リード端子4,4…やレーザーダイ
オードLD1とワイヤーボンド5,5…で接続するための電極
部6,6…を備えている。そこで、プリズムウェハ３に
は、これらの電極部6,6…を露出するために、穴部7,7を
前記と同様にエッチング加工や超音波加工などによって
穿設する。この穴部の形状は第１図のような溝状のもの
に限定するものではなく、電極部の配列に適した形状の
ものであれば良い。
この穴部7,7に対し、ワイヤーボンド5,5…による接続
後、絶縁性があり耐湿性の良い樹脂８をポッティングす
る。その結果、第２図に示すように、プリズムウェハ３
の厚みまたはその厚み以上に耐湿性樹脂8,8を穴部7,7に
容易に盛ることができ、穴部7,7は封止される。この厚
みによって、シリコン素子２の耐湿性や耐薬品性が向上
する。レーザーダイオードLD1は電極部が金電極である
など耐湿性が良く、フォワードバイアスであるため、耐
湿対策は特に不要である。しかし必要があれば、このレ
ーザーダイオードを露出している穴部3bにも耐湿性樹脂
をポッティングしても良い。
後、絶縁性があり耐湿性の良い樹脂８をポッティングす
る。その結果、第２図に示すように、プリズムウェハ３
の厚みまたはその厚み以上に耐湿性樹脂8,8を穴部7,7に
容易に盛ることができ、穴部7,7は封止される。この厚
みによって、シリコン素子２の耐湿性や耐薬品性が向上
する。レーザーダイオードLD1は電極部が金電極である
など耐湿性が良く、フォワードバイアスであるため、耐
湿対策は特に不要である。しかし必要があれば、このレ
ーザーダイオードを露出している穴部3bにも耐湿性樹脂
をポッティングしても良い。
この実施例のプリズムウェハ３は従来のような研磨によ
って１つ１つ形成したプリズムに比べ、格段にローコス
トに製作することができ、上記封止構造は、このような
プリズムウェハに最適なものと言える。
って１つ１つ形成したプリズムに比べ、格段にローコス
トに製作することができ、上記封止構造は、このような
プリズムウェハに最適なものと言える。
なお、本考案はシリコン素子に限らず、他の半導体素子
やレーザーカプラ以外の光半導体装置にも適用可能であ
ることはもちろんのことである。また、耐湿性樹脂の耐
湿性とは、樹脂や接着剤が通常示す液体や気体の透過を
阻止する程度と同等以上であれば良い。プリズムに穿設
する穴部も、配線のための穴部だけでなく、種々の目的
の穴部に適用できる。このように、本考案はその主旨に
沿って種々に応用され、実施態様を取り得るものであ
る。
やレーザーカプラ以外の光半導体装置にも適用可能であ
ることはもちろんのことである。また、耐湿性樹脂の耐
湿性とは、樹脂や接着剤が通常示す液体や気体の透過を
阻止する程度と同等以上であれば良い。プリズムに穿設
する穴部も、配線のための穴部だけでなく、種々の目的
の穴部に適用できる。このように、本考案はその主旨に
沿って種々に応用され、実施態様を取り得るものであ
る。
［考案の効果］ 以上の説明で明らかなように、本考案の半導体装置の封
止構造によれば、以下のような効果を奏する。
止構造によれば、以下のような効果を奏する。
（１）プリズムの電極取り出し部分に穴部を開けてそこ
へ樹脂をポッティングして封止するため、耐湿性のみ考
慮して封止用の樹脂を厚く盛ることができ、半導体素子
の耐湿性や耐薬品性を向上させることができる。
へ樹脂をポッティングして封止するため、耐湿性のみ考
慮して封止用の樹脂を厚く盛ることができ、半導体素子
の耐湿性や耐薬品性を向上させることができる。
（２）再現性良く簡単に封止を行うことができ、制御性
が良い。
が良い。
第１図は本考案の一実施例を示す半導体装置の平面図、
第２図は第１図のＡ−Ａ′断面図、第３図は第１図のＢ
−Ｂ′断面図である。 ２……シリコン素子（半導体素子）、３……プリズムウ
ェハ（プリズム）、７……穴部、８……耐湿性樹脂。
第２図は第１図のＡ−Ａ′断面図、第３図は第１図のＢ
−Ｂ′断面図である。 ２……シリコン素子（半導体素子）、３……プリズムウ
ェハ（プリズム）、７……穴部、８……耐湿性樹脂。
Claims (1)
- 【請求項１】光半導体素子を含む半導体素子を覆うよう
に形成するプリズムの一部に穿設された電極取り出しの
穴部へ耐湿性樹脂を充填したことを特徴とする半導体装
置の封止構造。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1987071846U JPH0648884Y2 (ja) | 1987-05-14 | 1987-05-14 | 半導体装置の封止構造 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1987071846U JPH0648884Y2 (ja) | 1987-05-14 | 1987-05-14 | 半導体装置の封止構造 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63180953U JPS63180953U (ja) | 1988-11-22 |
| JPH0648884Y2 true JPH0648884Y2 (ja) | 1994-12-12 |
Family
ID=30914769
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1987071846U Expired - Lifetime JPH0648884Y2 (ja) | 1987-05-14 | 1987-05-14 | 半導体装置の封止構造 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0648884Y2 (ja) |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57121285A (en) * | 1981-01-20 | 1982-07-28 | Fujitsu General Ltd | Light coupling device |
-
1987
- 1987-05-14 JP JP1987071846U patent/JPH0648884Y2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS63180953U (ja) | 1988-11-22 |
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