JPS60150657A - レジンモ−ルド半導体装置 - Google Patents

レジンモ−ルド半導体装置

Info

Publication number
JPS60150657A
JPS60150657A JP59005570A JP557084A JPS60150657A JP S60150657 A JPS60150657 A JP S60150657A JP 59005570 A JP59005570 A JP 59005570A JP 557084 A JP557084 A JP 557084A JP S60150657 A JPS60150657 A JP S60150657A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
aluminum
resin
moisture
semiconductor device
aluminum electrode
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP59005570A
Other languages
English (en)
Inventor
Toru Yoshida
亨 吉田
Kiyoshi Matsui
清 松井
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Ltd filed Critical Hitachi Ltd
Priority to JP59005570A priority Critical patent/JPS60150657A/ja
Publication of JPS60150657A publication Critical patent/JPS60150657A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W70/00—Package substrates; Interposers; Redistribution layers [RDL]
    • H10W70/40—Leadframes
    • H10W70/464—Additional interconnections in combination with leadframes
    • H10W70/465—Bumps or wires
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/01—Manufacture or treatment
    • H10W72/015—Manufacture or treatment of bond wires
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/01—Manufacture or treatment
    • H10W72/015—Manufacture or treatment of bond wires
    • H10W72/01515—Forming coatings
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/071—Connecting or disconnecting
    • H10W72/075—Connecting or disconnecting of bond wires
    • H10W72/07541—Controlling the environment, e.g. atmosphere composition or temperature
    • H10W72/07551—Controlling the environment, e.g. atmosphere composition or temperature characterised by changes in properties of the bond wires during the connecting
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/50—Bond wires
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/50—Bond wires
    • H10W72/521—Structures or relative sizes of bond wires
    • H10W72/522—Multilayered bond wires, e.g. having a coating concentric around a core
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/50—Bond wires
    • H10W72/531—Shapes of wire connectors
    • H10W72/536—Shapes of wire connectors the connected ends being ball-shaped
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/50—Bond wires
    • H10W72/531—Shapes of wire connectors
    • H10W72/5363—Shapes of wire connectors the connected ends being wedge-shaped
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/50—Bond wires
    • H10W72/551—Materials of bond wires
    • H10W72/552—Materials of bond wires comprising metals or metalloids, e.g. silver
    • H10W72/5522—Materials of bond wires comprising metals or metalloids, e.g. silver comprising gold [Au]
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/50—Bond wires
    • H10W72/551—Materials of bond wires
    • H10W72/552—Materials of bond wires comprising metals or metalloids, e.g. silver
    • H10W72/5524—Materials of bond wires comprising metals or metalloids, e.g. silver comprising aluminium [Al]
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/50—Bond wires
    • H10W72/551—Materials of bond wires
    • H10W72/555—Materials of bond wires of outermost layers of multilayered bond wires, e.g. material of a coating
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/50—Bond wires
    • H10W72/59—Bond pads specially adapted therefor
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/90—Bond pads, in general
    • H10W72/951—Materials of bond pads
    • H10W72/952—Materials of bond pads comprising metals or metalloids, e.g. PbSn, Ag or Cu
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W74/00—Encapsulations, e.g. protective coatings
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W90/00—Package configurations
    • H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
    • H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
    • H10W90/756—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked lead frame, conducting package substrate or heat sink

Landscapes

  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
  • Wire Bonding (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の利用分野〕 本発明は半導体素子をレジンで覆ってなる半導体装置に
関する。
〔発明の背景〕
従来レジンモールド半導体装置は半導体素子領域を有す
る半導体基体上にアルミニウム電極を形成後、基体全体
を外気や湿気から保護するためエポキシ樹脂々どのレジ
ンによりモールドすることが行われている。第１図は従
来公知のレジンモールド半導体装置の一例の断面を示す
。
同図において１は半導体基体、２はアルミニウム電極、
３はリードフレーム、４は金線、５はレジンである。
この様な構成のレジンモールド半導体装置においては、
レジン５が本質的に透湿、吸湿性を有すること、異種材
料の組合せのため、熱的、機械的ストレスにより異種材
料間の界面剥離が生じ易く、その界面より水分が侵入す
る危険性を有すること等の欠点がある。このため侵入し
た水分により、アルミニウム電極２が腐食し、断線不良
が発生し易い。
この様なレジンモールド半導体装置の欠点を解決する方
法として、アルミニウム電極２の上に保護膜を形成する
手段が一般に用いられている。この保護膜は例えばプラ
ズマＣＶＤ（ＣｈｅｍｉｃａｌＶａｐｅｒ　Ｄｅｐｏｓ
ｉｔｉｏｎ　）　テ成長さセタシリコン窒化膜であり、
透湿率が極めて小さいため、下地のアルミニウム電極の
腐食防止に有効である。しかし、第２図に示す様に金線
４をアルミニウム電極２にボンディングする部分は上記
保護膜６をエツチングによシ除去するため、アルミニウ
ム電極２の一部が露出し、侵入水分により腐食する危険
性を有する。特に近年半導体基体１が大形化するのに対
し、レジンモールド半導体装置全体の外形は変らないた
めに、第１図において、レジン５とリードフレーム３、
金線４との界面を水分が侵入する際の侵入経路が短くな
ってお□す、上記アルミニウム電極の金線ボンディング
部分の腐食は従来のレジンモールド半導体装置の最大の
欠点となっている。
〔発明の目的〕
本発明の目的は、上記した従来技術の欠点を３なくシ、
レジンモールド半導体装置の耐湿信頼性を改善する方法
を提供するにある。
〔発明の概要〕 上記従来技術の欠点をなくシ、上記目的を達成するため
に、本発明は水分侵入の重要な経路であるレジンと金線
との界面に着目し、金線の表面にアルミニウムを被覆し
た細線を用いることによシ、水分侵入途中で水分中にア
ルミニウムイオンが飽和量含まれる様にして、上記アル
ミニウム電極に到達した水分のアルミニウム腐食を無く
するようにしたものである。
〔発明の実施例〕
以下、本発明の一実施例を第３図により説明する。
半導体基体１上には従来技術を用いてアルミニウム電極
２、シリコン窒化膜６を施し、ボンディング部分のシリ
コン窒化膜を除去する。かかる半導体素子を第１図の如
くリードフレーム３上に固着した後、金線４０表面にア
ルミニウム７を蒸着した細線をボンディングする。その
後レジンでモールドする。
本実施例に示した構成を持つレジンモールド半導体装置
においては、外部よりレジンとＩＪ−ドフレームとの界
面に侵入した水分がレジンとアルミニウム７を被覆した
金線との界面に到達すると、アルミニウム７が溶解し、
水分はアルミニウムイオンを飽和量含むようになる。従
ってさらに水分がアルミニウム電極２に到達するときは
十分な飽和状態となっているためにアルミニウム電極の
腐食は生じない。
〔発明の効果〕
本発明ｌこよれば、レジンとボンディング細線との界面
よりアルミニウム電極へと侵入する水分中にアルミニー
ラムイオンを飽和量含ませることができるため、アルミ
ニウム電極の腐食を防止し、レジンモールド半導体装置
の耐湿信頼性を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
第１図は従来技術によるレジンモールド半導体装置の断
面図、第２図は従来技術による金線ボンディング部の断
面図、第３図は本発明の一実施例の細線ポンディング部
の断面図である。 １・・半導体基体、　２・・・アルミニウム電極、３・
・・リードフレーム、　４　・ＩＪｍ、ｓ・・・レジン
、第　１図 躬２層 第」

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. １、　アルミニウム電極を有するレジンモールド半導体
    装置において、上記アルミニウム電極とリードフレーム
    とを電気的に接続するために、金線の表面にＭを被覆し
    たワイヤを用いることにより、レジンと上記ワイヤとの
    界面よシ侵入する水分が、前記アルミニウム電極に到達
    するまでにアルミニウムイオンを飽和量含むように構成
    したことを特徴とするレジンモールド半導体装置。
JP59005570A 1984-01-18 1984-01-18 レジンモ−ルド半導体装置 Pending JPS60150657A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP59005570A JPS60150657A (ja) 1984-01-18 1984-01-18 レジンモ−ルド半導体装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP59005570A JPS60150657A (ja) 1984-01-18 1984-01-18 レジンモ−ルド半導体装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS60150657A true JPS60150657A (ja) 1985-08-08

Family

ID=11614870

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP59005570A Pending JPS60150657A (ja) 1984-01-18 1984-01-18 レジンモ−ルド半導体装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS60150657A (ja)

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5073210A (en) * 1989-05-26 1991-12-17 The General Electric Company, P.L.C. Method of making electrical conductors
US5917707A (en) * 1993-11-16 1999-06-29 Formfactor, Inc. Flexible contact structure with an electrically conductive shell
US6150186A (en) * 1995-05-26 2000-11-21 Formfactor, Inc. Method of making a product with improved material properties by moderate heat-treatment of a metal incorporating a dilute additive
US6680545B2 (en) 2000-07-31 2004-01-20 Koninklijke Philips Electronics N.V. Semiconductor devices
US6727579B1 (en) 1994-11-16 2004-04-27 Formfactor, Inc. Electrical contact structures formed by configuring a flexible wire to have a springable shape and overcoating the wire with at least one layer of a resilient conductive material, methods of mounting the contact structures to electronic components, and applications for employing the contact structures

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5073210A (en) * 1989-05-26 1991-12-17 The General Electric Company, P.L.C. Method of making electrical conductors
US5917707A (en) * 1993-11-16 1999-06-29 Formfactor, Inc. Flexible contact structure with an electrically conductive shell
US6727579B1 (en) 1994-11-16 2004-04-27 Formfactor, Inc. Electrical contact structures formed by configuring a flexible wire to have a springable shape and overcoating the wire with at least one layer of a resilient conductive material, methods of mounting the contact structures to electronic components, and applications for employing the contact structures
US6150186A (en) * 1995-05-26 2000-11-21 Formfactor, Inc. Method of making a product with improved material properties by moderate heat-treatment of a metal incorporating a dilute additive
US6680545B2 (en) 2000-07-31 2004-01-20 Koninklijke Philips Electronics N.V. Semiconductor devices

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPS60150657A (ja) レジンモ−ルド半導体装置
JPS5917252A (ja) 半導体装置の製造方法
JPH0567069B2 (ja)
JPS61120958A (ja) ガラス応答膜を有するイオンセンサ
JPS59161852A (ja) 半導体装置
JPS5891651A (ja) 半導体装置
JPS6224650A (ja) 半導体装置
JPS58166748A (ja) 半導体装置
JPS63114242A (ja) 半導体装置
JPS6025902B2 (ja) 樹脂封止型半導体装置
JPS6394640A (ja) 半導体素子の製造方法
JPH04125438A (ja) 半導体式圧力センサ
JPS59107547A (ja) 半導体装置
JPH01244624A (ja) 半導体装置
JPH0331384B2 (ja)
JPS6232636A (ja) 半導体装置
JPS6181658A (ja) プラスチツクパツケ−ジ形半導体装置
JPH02117162A (ja) 半導体装置
JPH01318240A (ja) 半導体装置の製造方法
JPS5967663A (ja) 半導体装置
JPS5891654A (ja) 半導体装置
JPS62105447A (ja) 半導体構造物の製造方法
JPS62291127A (ja) 半導体装置
JPH01183126A (ja) 半導体装置
JPS58142533A (ja) 半導体装置