JPH0649239B2 - A▲l▼材料ろう付け用フラックス組成物 - Google Patents

A▲l▼材料ろう付け用フラックス組成物

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JPH0649239B2
JPH0649239B2 JP29024589A JP29024589A JPH0649239B2 JP H0649239 B2 JPH0649239 B2 JP H0649239B2 JP 29024589 A JP29024589 A JP 29024589A JP 29024589 A JP29024589 A JP 29024589A JP H0649239 B2 JPH0649239 B2 JP H0649239B2
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brazing
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圭三 難波
広 中西
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Sumitomo Light Metal Industries Ltd
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Sumitomo Light Metal Industries Ltd
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Description

【発明の詳細な説明】 (技術分野) 本発明は、アルミニウム(Al)若しくはそも合金から
なるAl材料のろう付けに用いられるフラックス組成物
に係り、特に500℃以下の低温度でのろう付けが可能
なフラックス組成物に関するものである。
(背景技術) Al材料のろう付けにおいては、材料の表面に形成され
ている酸化皮膜がろうの濡れ及び流動を妨害することと
なるところから、適当なフラックスを用いて、かかる酸
化皮膜を除去することが必要とされ、従来から、NaC
l−KCl−LiCl系のアルカリ金属の塩化物を主成
分とする塩化物系のフラックスが用いられている。しか
しながら、この塩化物系のフラックスを用いた場合にお
いては、ろう付け後、残留したフラックスがAl材料に
対して強く腐食性を有するために、ろう付けを行なった
後、フラックス残渣を除去しなければならず、面倒なも
のであった。
このため、非腐食性のフッ化物フラックスを用いたAl
材料のろう付け手法が種々検討され、例えば特公昭58
−27037号公報には、KAlF4とK3AlF6の混合物
からなるフラックス組成物が提案されているが、そのよ
うなフラックスにあっては、その溶融点が560℃程度
とかなり高いところから、必然的にろう付け温度が高く
なり、それによってろう付けし得るAl材料(母材)に
制限を受ける等の問題を内在していたのである。即ち、
材質、特にAl材料(母材)の溶融点からの制限、寸法
の点からの制限、特に薄肉化が出来ない等の問題を内在
しているのである。加えて、ろう付け温度が高くなるこ
とによって、ろう付け設備が高価なものとなったり、ろ
う付け時のエネルギー消費が大きい等の欠点も内在する
ものであった。
(解決課題) ここにおいて、本発明は、かる事情を背景にして為され
たものであって、その課題とするところは、低温度下で
のAl材料のろう付けを可能とする、新規なフラックス
組成物を提供することにある。
(解決手段) そして、本発明は、かる課題解決のために、46〜63
mol%のBiF3と54〜37mol%のLiFとから構成
されてなるAl材料ろう付け用フラックス組成物を、そ
の特徴とするものである。
なお、このようなフラックス組成物は、有利には、BiF3
とLiFとが粉末形態において混合せしめられているこ
とによって与えられ、またそれらBiF3とLiFとの
粉末混合物の溶融・凝固物によって形成されたものであ
る。
(具体的構成) このように、本発明に従うフラックス組成物は、BiF
3とLiFとの所定割合から構成されてなるものであ
り、そしてそのような割合を採用して初めて、その溶融
温度が500℃以下となって、ろう付け温度を500℃
以下とすることが出来、以てろう付け母材(Al材料)
の溶融点による制限がなくなり、全てのAl材料のろう
付けが可能となったのである。従って、フラックス組成
物を構成するBiF3やLiFの割合が上記範囲外とな
ると、その溶融温度が高くなり、本発明の目的を充分に
達成し得なくなるのである。
ところで、かかるBiF3とLiFとからなる本発明に
従うフラックス組成物は、公知の各種の配合手段に従っ
て調製されるものであるが、一般に、次のような手法が
有利に採用されるのである。即ち、その一つは、BiF
3とLiFとを粉末状態において均一に混合せしめる方
法であり、また他の一つは、それらBiF3とLiFの
粉末混合物を作製した後、それを溶融せしめ、均一化し
た後、冷却・凝固させる方法であり、その得られた溶融
凝固物は、一般に、粉末に粉砕して用いられることとな
る。
そして、このようにして得られた本発明に従うフラック
ス組成物は、従来と同様にして、ろう付けされるべきA
l若しくはその合金からなるAl材料に対して適用され
て、ろう付けが行なわれるのであるが、その際、本発明
に従うフラックス組成物は、その溶融温度が5.00℃以
下と低いものであるところから、ろう付け温度を500
℃以下の低温とすることが出来、それによってろう付け
されるべきAl材料の溶融点による制限がなくなり、全
てのAl材料のろう付けが可能となるのである。また、
そのような低温ろう付けが可能となることによって、高
強度Al合金からなるAl材料のろう付けが出来ること
となり、構成素材の薄肉化、軽量化を有効に図り得るこ
ととなったのであり、更にはろう付け温度が低いところ
から、ろう付け加熱によるAl材料(母材)の強度低下
も少ない等の特徴を発揮し得るのである。
(実施例) 以下に、本発明の実施例を示し、本発明を更に具体的に
明らかにすることとするが、本発明が、そのような実施
例の記載によって、何等の制約をも受けるものでないこ
とは、言うまでもないところである。
また、本発明には、以下の実施例の他にも、更には上記
の具体的記述以外にも、本発明の趣旨を逸脱しない限り
において、当業者の知識に基づいて種々なる変更、修
正、改良を加え得るものであることが、理解されるべき
である。
先ず、JIS−A−3003合金からなるAl板(厚
さ:1mm)を準備し、下記第1表に示されるBiF3
LiFの種々なる割合のフラックスを用いて、かかるA
l板を、逆T字型継手構造に組み付けて、ろう付けを行
なった。なお、それぞれのフラックスは、水:フラック
ス=1:1(重量比)で稀釈され、その稀釈物がそれぞ
れのAl板のろう付け部に塗布された。また、接合部に
は、ろう材としてAl−Znのはんだの1mmのものが
配置され、そして加熱温度:400℃〜500℃にて、
ろう付けが行なわれた。
下記第1表にフラックス成分の割合とろう付け結果を示
すが、本発明に従う割合のBiF3とLiFからなるフ
ラックスを用いた場合にあっては、500℃以下の低温
度下においても良好なろう付け継手を得ることが出来た
が、比較例として示される本発明範囲外の割合のフラッ
クスを用いた場合にあっては、500℃以下ではフラッ
クスが溶融せず、そのために有効なろう付けを行なうこ
とが出来なかった。
(発明の効果) 以上の説明から明らかなように、本発明に従うフラック
ス組成物を使用すれば、ろう付け温度が500℃以下と
なり、それによってAl材料の溶融点による制限がなく
なり、全てのAl材料のろう付けが可能となって、高強
度Al合金のろう付けも出来、それにより構成素材の薄
肉化や軽量化が図れ、またろう付け温度が低いところか
ら、ろう付け加熱によるAl材料の強度低下も少ない等
の効果も奏し得たのである。
また、本発明に従うフラックス組成物の使用により、ろ
う付け温度が低下せしめられるため、ろう付け加熱炉等
の諸設備が安価となる他、ろう付け加熱時のエネルギー
消費等も少なくすることが出来、それによってろう付け
コストの低減に寄与し得ることとなったのである。

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】46〜63mol%のBiF3と54〜37mo
    l%のLiFとから構成されてなるA材料ろう付け用
    フラックス組成物。
  2. 【請求項2】前記BiF3とLiFとが粉末形態において混
    合されている請求項(1)記載のA材料ろう付け用フラ
    ックス組成物。
  3. 【請求項3】前記BiF3とLiFとの粉末混合物の溶
    融・凝固物によって形成されている請求項(1)記載のA
    材料ろう付け用フラックス組成物。
JP29024589A 1989-11-08 1989-11-08 A▲l▼材料ろう付け用フラックス組成物 Expired - Fee Related JPH0649239B2 (ja)

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