JPH054195B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH054195B2 JPH054195B2 JP29024789A JP29024789A JPH054195B2 JP H054195 B2 JPH054195 B2 JP H054195B2 JP 29024789 A JP29024789 A JP 29024789A JP 29024789 A JP29024789 A JP 29024789A JP H054195 B2 JPH054195 B2 JP H054195B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- brazing
- flux
- present
- naf
- lif
- Prior art date
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- Ceramic Products (AREA)
Description
（技術分野）
本発明は、アルミニウム（Al）若しくはその
合金からなるAl材料のろう付けに用いられるフ
ラツクス組成物に係り、特に、500℃以下の低温
度でろう付けが可能なフラツクス組成物に関する
ものである。 （背景技術） Al材料のろう付けにおいては、材料の表面に
形成されている酸化皮膜（Al2O3）がろうの濡れ
及び流動を妨害することとなるところから、適当
なフラツクスを用いて、かかる酸化皮膜を除去す
ることが必要とされ、そして、かかる酸化皮膜が
緻密で強固なものであるところから、従来から、
NaCl−KCl−LiCl系のアルカリ金属の塩化物を
主成分とする塩化物系のフラツクスが用いられて
いる。しかしながら、この塩化物系のフラツクス
を用いた場合においては、ろう付け後に残留した
フラツクスがAl材料に対して強い腐食性を有す
るために、ろう付けを行なつた後、フラツクス残
渣を除去しなければならず、面倒なものであつ
た。 このため、非腐食性のフツ化物フラツクスを用
いたAl材料のろう付け手法が種々検討され、例
えば、特公昭58−27037号公報には、KAlF4とK3
AlF6の混合物からなるフラツクス組成物が提案
されているが、そのようなフラツクスにあつて
は、その溶融点が560℃程度とかなり高いところ
から、必然的にろう付け温度が高くなり、それに
よつてろう付けし得るAl材料（母材）に制限を
受ける等の問題を内在していたのである。例え
ば、母材の材質上、特に溶融点から制限を受ける
こととなり、また、寸法の点からも、特に薄肉化
が出来ない等の問題が生じているのである。加え
て、高温に加熱しなければならないところから、
ろう付け設備が高価なものとなつたり、ろう付け
時のエネルギー消費が大きい等の欠点も内在する
ものであつた。 （解決課題） ここにおいて、本発明は、かかる事情を背景に
して為されたものであつて、その課題とするとこ
ろは、低温度下でのAl材料のろう付けを可能と
する、新規なフラツクス組成物を提供することに
ある。 （解決手段） そして、本発明は、かかる課題解決のために、
10〜37mol％のLiFと25〜52mol％のNaFと27〜
45mol％のZrF4とから構成されてなるAl材料ろ
う付け用フラツクス組成物を、その特徴とするも
のである。 なお、このようなフラツクス組成物は、有利に
は、LiFとNaFとZrF4とが粉末形態において混合
せしめられることによつて与えられ、またそれら
LiFとNaFとZrF4との粉末混合物が溶融、凝固せ
しめられることによつて形成されることとなる。 （具体的構成） このように、本発明に従うフラツクス組成物
は、LiFとNaFとZrF4との所定割合から構成され
てなるものであり、そしてそのような割合を採用
して初めて、その溶融温度が500℃以下となつて、
ろう付け温度を500℃以下することが出来たもの
である。従つて、フラツクス組成物を構成する
LiFとNaFやZrF4の割合が上記範囲外となると、
その溶融温度が高くなり、本発明の目的を充分に
達成し得なくなるものである。 ところで、かかるLiFとNaFとZrF4とからなる
本発明に従うフラツクス組成物は、公知の各種の
配合手法に従つて調製されるものであるが、一般
に、次のような手法が有利に採用されるのであ
る。即ち、その一つは、LiFとNaFとZrF4とを粉
末状態において均一に混合せしめる方法であり、
また他の一つは、それらLiFとNaFとZrF4の粉末
混合物を作製した後、それを溶融せしめ、均一化
した後、冷却・凝固させる方法であり、その得ら
れた溶融凝固物は、一般に粉末に粉砕して用いら
れることとなる。 そして、このようにして得られた本発明に従う
フラツクス組成物は、従来と同様にして、ろう付
けされるべきAl若しくはその合金からなるAl材
料に対して適用されて、ろう付けが行なわれるの
であるが、その際、本発明に従うフラツクス組成
物は、その溶融温度が500℃以下と低いものであ
るところから、ろう付け温度を500℃以下の低温
とすることが出来、それによつてろう付けされる
べきAl材料の溶融点による制限がなくなり、全
てのAl材料のろう付けが可能となるのである。 また、そのような低温ろう付けが可能となるこ
とによつて、高強度Al合金からなるAl材料のろ
う付けが出来ることとなり、構成素材の薄肉化、
軽量化を有効に図り得ることとなつたのであり、
更にはろう付け温度が低いところから、ろう付け
加熱によるAl材料（母材）の強度低下も少ない
等の特徴を発揮し得るのである。 そして、本発明に従うフラツクス組成物にあつ
ては、当然のことながら、Al材料に対して非腐
食性であるところから、ろう付け後のフラツクス
除去が不要であることは、言うまでもないところ
である。 （実施例） 以下に、本発明の幾つかの実施例を示し、本発
明を更に具体的に明らかにすることとするが、本
発明が、そのような実施例の記載によつて、何等
の制約をも受けるものでないことは、言うまでも
ないところである。 また、本発明には、以下の実施例の他にも、更
には上記の具体的記述以外にも、本発明の趣旨を
逸脱しない限りにおいて、当業者の知識に基づい
て種々なる変更、修正、改良等を加え得るもので
あることが、理解されるべきである。 先ず、JIS−Ａ−3003合金からなるAl板（厚
さ：１mm）を準備し、下記第１表に示されるLiF
とNaFとZrF4の種々なる割合のフラツクスを用
いて、かかるAl板を逆Ｔ字型継手構造に組み付
けて、ろう付けを行なつた。なお、それぞれのフ
ラツクスは、水：フラツクス＝１：１（重量比）
で希釈され、その希釈物がそれぞれのAl板のろ
う付け部に塗布された。また、接合部には、ろう
材としてAl−Znはんだの１mm□ のものが配置さ
れ、そして加熱温度：400〜500℃にて、ろう付け
が行なわれた。 下記第１表にフラツクス成分の割合とろう付け
結果を示すが、本発明に従う割合のLiFとNaFと
ZrF4からなるフラツクスを用いた場合にあつて
は、500℃以下の低温度下においても良好なろう
付け継手を得ることが出来たが、比較例として示
される本発明範囲外の割合のフラツクスを用いた
場合にあつては、500℃以下ではフラツクスが溶
融せず、そのために有効なろう付けを行なうこと
が出来なかつた。
合金からなるAl材料のろう付けに用いられるフ
ラツクス組成物に係り、特に、500℃以下の低温
度でろう付けが可能なフラツクス組成物に関する
ものである。 （背景技術） Al材料のろう付けにおいては、材料の表面に
形成されている酸化皮膜（Al2O3）がろうの濡れ
及び流動を妨害することとなるところから、適当
なフラツクスを用いて、かかる酸化皮膜を除去す
ることが必要とされ、そして、かかる酸化皮膜が
緻密で強固なものであるところから、従来から、
NaCl−KCl−LiCl系のアルカリ金属の塩化物を
主成分とする塩化物系のフラツクスが用いられて
いる。しかしながら、この塩化物系のフラツクス
を用いた場合においては、ろう付け後に残留した
フラツクスがAl材料に対して強い腐食性を有す
るために、ろう付けを行なつた後、フラツクス残
渣を除去しなければならず、面倒なものであつ
た。 このため、非腐食性のフツ化物フラツクスを用
いたAl材料のろう付け手法が種々検討され、例
えば、特公昭58−27037号公報には、KAlF4とK3
AlF6の混合物からなるフラツクス組成物が提案
されているが、そのようなフラツクスにあつて
は、その溶融点が560℃程度とかなり高いところ
から、必然的にろう付け温度が高くなり、それに
よつてろう付けし得るAl材料（母材）に制限を
受ける等の問題を内在していたのである。例え
ば、母材の材質上、特に溶融点から制限を受ける
こととなり、また、寸法の点からも、特に薄肉化
が出来ない等の問題が生じているのである。加え
て、高温に加熱しなければならないところから、
ろう付け設備が高価なものとなつたり、ろう付け
時のエネルギー消費が大きい等の欠点も内在する
ものであつた。 （解決課題） ここにおいて、本発明は、かかる事情を背景に
して為されたものであつて、その課題とするとこ
ろは、低温度下でのAl材料のろう付けを可能と
する、新規なフラツクス組成物を提供することに
ある。 （解決手段） そして、本発明は、かかる課題解決のために、
10〜37mol％のLiFと25〜52mol％のNaFと27〜
45mol％のZrF4とから構成されてなるAl材料ろ
う付け用フラツクス組成物を、その特徴とするも
のである。 なお、このようなフラツクス組成物は、有利に
は、LiFとNaFとZrF4とが粉末形態において混合
せしめられることによつて与えられ、またそれら
LiFとNaFとZrF4との粉末混合物が溶融、凝固せ
しめられることによつて形成されることとなる。 （具体的構成） このように、本発明に従うフラツクス組成物
は、LiFとNaFとZrF4との所定割合から構成され
てなるものであり、そしてそのような割合を採用
して初めて、その溶融温度が500℃以下となつて、
ろう付け温度を500℃以下することが出来たもの
である。従つて、フラツクス組成物を構成する
LiFとNaFやZrF4の割合が上記範囲外となると、
その溶融温度が高くなり、本発明の目的を充分に
達成し得なくなるものである。 ところで、かかるLiFとNaFとZrF4とからなる
本発明に従うフラツクス組成物は、公知の各種の
配合手法に従つて調製されるものであるが、一般
に、次のような手法が有利に採用されるのであ
る。即ち、その一つは、LiFとNaFとZrF4とを粉
末状態において均一に混合せしめる方法であり、
また他の一つは、それらLiFとNaFとZrF4の粉末
混合物を作製した後、それを溶融せしめ、均一化
した後、冷却・凝固させる方法であり、その得ら
れた溶融凝固物は、一般に粉末に粉砕して用いら
れることとなる。 そして、このようにして得られた本発明に従う
フラツクス組成物は、従来と同様にして、ろう付
けされるべきAl若しくはその合金からなるAl材
料に対して適用されて、ろう付けが行なわれるの
であるが、その際、本発明に従うフラツクス組成
物は、その溶融温度が500℃以下と低いものであ
るところから、ろう付け温度を500℃以下の低温
とすることが出来、それによつてろう付けされる
べきAl材料の溶融点による制限がなくなり、全
てのAl材料のろう付けが可能となるのである。 また、そのような低温ろう付けが可能となるこ
とによつて、高強度Al合金からなるAl材料のろ
う付けが出来ることとなり、構成素材の薄肉化、
軽量化を有効に図り得ることとなつたのであり、
更にはろう付け温度が低いところから、ろう付け
加熱によるAl材料（母材）の強度低下も少ない
等の特徴を発揮し得るのである。 そして、本発明に従うフラツクス組成物にあつ
ては、当然のことながら、Al材料に対して非腐
食性であるところから、ろう付け後のフラツクス
除去が不要であることは、言うまでもないところ
である。 （実施例） 以下に、本発明の幾つかの実施例を示し、本発
明を更に具体的に明らかにすることとするが、本
発明が、そのような実施例の記載によつて、何等
の制約をも受けるものでないことは、言うまでも
ないところである。 また、本発明には、以下の実施例の他にも、更
には上記の具体的記述以外にも、本発明の趣旨を
逸脱しない限りにおいて、当業者の知識に基づい
て種々なる変更、修正、改良等を加え得るもので
あることが、理解されるべきである。 先ず、JIS−Ａ−3003合金からなるAl板（厚
さ：１mm）を準備し、下記第１表に示されるLiF
とNaFとZrF4の種々なる割合のフラツクスを用
いて、かかるAl板を逆Ｔ字型継手構造に組み付
けて、ろう付けを行なつた。なお、それぞれのフ
ラツクスは、水：フラツクス＝１：１（重量比）
で希釈され、その希釈物がそれぞれのAl板のろ
う付け部に塗布された。また、接合部には、ろう
材としてAl−Znはんだの１mm□ のものが配置さ
れ、そして加熱温度：400〜500℃にて、ろう付け
が行なわれた。 下記第１表にフラツクス成分の割合とろう付け
結果を示すが、本発明に従う割合のLiFとNaFと
ZrF4からなるフラツクスを用いた場合にあつて
は、500℃以下の低温度下においても良好なろう
付け継手を得ることが出来たが、比較例として示
される本発明範囲外の割合のフラツクスを用いた
場合にあつては、500℃以下ではフラツクスが溶
融せず、そのために有効なろう付けを行なうこと
が出来なかつた。
【表】
（発明の効果）
以上の説明から明らかなように、本発明に従う
フラツクス組成物を使用すれば、500℃以下の低
温でのろう付けが可能となるのであり、それによ
つて全てのAl材料が、溶融点により制限される
ことなく、ろう付けされ得ることとなるのであ
る。従つて、高強度Al合金のろう付けも出来る
ようになり、構成素材の薄肉化や軽量化が図れ、
またろう付け温度が低いところから、ろう付け加
熱によるAl材料の強度低下も少ない等の効果も
奏し得たのである。 また、本発明に従うフラツクス組成物の使用に
より、ろう付け温度が低下せしめられるため、ろ
う付け加熱炉等の諸設備費が安価となる他、ろう
付け加熱時のエネルギー消費量も少なくすること
が出来、それによつてろう付けコストの低減に寄
与し得ることとなつたのである。
フラツクス組成物を使用すれば、500℃以下の低
温でのろう付けが可能となるのであり、それによ
つて全てのAl材料が、溶融点により制限される
ことなく、ろう付けされ得ることとなるのであ
る。従つて、高強度Al合金のろう付けも出来る
ようになり、構成素材の薄肉化や軽量化が図れ、
またろう付け温度が低いところから、ろう付け加
熱によるAl材料の強度低下も少ない等の効果も
奏し得たのである。 また、本発明に従うフラツクス組成物の使用に
より、ろう付け温度が低下せしめられるため、ろ
う付け加熱炉等の諸設備費が安価となる他、ろう
付け加熱時のエネルギー消費量も少なくすること
が出来、それによつてろう付けコストの低減に寄
与し得ることとなつたのである。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 10〜37mol％のLiFと25〜52mol％のNaFと
27〜45mol％のZrF4とから構成されてなるAl材
料ろう付け用フラツクス組成物。 ２ 前記LiFとNaFとZrF4とが粉末形態において
混合されている請求項１記載のAl材料ろう付け
用フラツクス組成物。 ３ 前記LiFとNaFとZrF4との粉末混合物の溶
融・凝固物によつて形成されている請求項１記載
のAl材料ろう付け用フラツクス組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29024789A JPH03151195A (ja) | 1989-11-08 | 1989-11-08 | Ａｌ材料ろう付け用フラックス組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29024789A JPH03151195A (ja) | 1989-11-08 | 1989-11-08 | Ａｌ材料ろう付け用フラックス組成物 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03151195A JPH03151195A (ja) | 1991-06-27 |
| JPH054195B2 true JPH054195B2 (ja) | 1993-01-19 |
Family
ID=17753667
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP29024789A Granted JPH03151195A (ja) | 1989-11-08 | 1989-11-08 | Ａｌ材料ろう付け用フラックス組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03151195A (ja) |
-
1989
- 1989-11-08 JP JP29024789A patent/JPH03151195A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH03151195A (ja) | 1991-06-27 |
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