JPH0654826B2 - 半導体レーザの製造方法 - Google Patents
半導体レーザの製造方法Info
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- JPH0654826B2 JPH0654826B2 JP1013682A JP1368289A JPH0654826B2 JP H0654826 B2 JPH0654826 B2 JP H0654826B2 JP 1013682 A JP1013682 A JP 1013682A JP 1368289 A JP1368289 A JP 1368289A JP H0654826 B2 JPH0654826 B2 JP H0654826B2
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Description
【発明の詳細な説明】 （イ）産業上の利用分野 この発明は、ＭＢＥ装置を用いて製造されるAlGaAs系半
導体レーザの製造方法に関する。
導体レーザの製造方法に関する。
（ロ）従来の技術 第３図（Ａ）、第３図（Ｂ）、第３図（Ｃ）及び第３図
（Ｄ）は、従来の半導体レーザの製造方法を示す工程説
明図である。
（Ｄ）は、従来の半導体レーザの製造方法を示す工程説
明図である。
この半導体レーザの製造方法は、ＭＢＥ装置を使用し、
２回のＭＢＥ成長を行うことで半導体レーザを形成して
いる。
２回のＭＢＥ成長を行うことで半導体レーザを形成して
いる。
第３図（Ａ）は、半導体基板１に第１の成長層を形成す
る工程を示している。ＭＢＥ（モレキュラービームエピ
タキシー）装置内に装着したＮ型のGaAsからなる半導体
基板１を加熱し、蒸発源にそれぞれ入れられた原料物質
や不純物を分子線の形で蒸発させ、Ｎ型AlxGa1-xAsから
なる下部クラッド層２１、Alx′Ga1-x′Asから成る活性
層２２、Ｐ型AlxGa1-xAsから成る第１の上部クラッド層
２３、Ｎ型GaAsから成る光吸収層２４、Ｎ型Alx″G
a1-x″Asから成る蒸発防止層２５を、半導体基板１表面
に順次積層して第１の成長層２を成形する。
る工程を示している。ＭＢＥ（モレキュラービームエピ
タキシー）装置内に装着したＮ型のGaAsからなる半導体
基板１を加熱し、蒸発源にそれぞれ入れられた原料物質
や不純物を分子線の形で蒸発させ、Ｎ型AlxGa1-xAsから
なる下部クラッド層２１、Alx′Ga1-x′Asから成る活性
層２２、Ｐ型AlxGa1-xAsから成る第１の上部クラッド層
２３、Ｎ型GaAsから成る光吸収層２４、Ｎ型Alx″G
a1-x″Asから成る蒸発防止層２５を、半導体基板１表面
に順次積層して第１の成長層２を成形する。
次に第３図（Ｂ）は、第１の成長層２にストライプ溝を
形成するホトエッチング工程を示している。上記第１の
成長層２を形成した半導体基板１を、ＭＢＥ装置から取
り出し、ストライプ溝３を形成する部分以外の蒸発防止
層２５をホトレジスト６で覆う。このホトレジスト６を
マスクとして光吸収層２４が適宜残るように、蒸発防止
層２５と光吸収層２４とをエッチングして所望幅のスト
ライプ溝３を形成する。
形成するホトエッチング工程を示している。上記第１の
成長層２を形成した半導体基板１を、ＭＢＥ装置から取
り出し、ストライプ溝３を形成する部分以外の蒸発防止
層２５をホトレジスト６で覆う。このホトレジスト６を
マスクとして光吸収層２４が適宜残るように、蒸発防止
層２５と光吸収層２４とをエッチングして所望幅のスト
ライプ溝３を形成する。
更に、第３図（Ｃ）は、ストライプ溝の形成により前記
残された光吸収層を蒸発させる再蒸発工程を示してい
る。ホトレジスト６を除去した半導体基板（第１の成長
層２を形成した基板）１を有機洗浄する。その後、半導
体基板１を再度ＭＢＥ装置内に装着する。ここで、半導
体基板１にAs分子線を当てながら半導体基板１を加熱
し、半導体基板１の表面に付着している酸化物等の不純
物と、前記残された光吸収層２４とを蒸発させる。これ
により、光吸収層２４も選択的に蒸発されるため、第１
の上部クラッド層２３の表面が露出する。
残された光吸収層を蒸発させる再蒸発工程を示してい
る。ホトレジスト６を除去した半導体基板（第１の成長
層２を形成した基板）１を有機洗浄する。その後、半導
体基板１を再度ＭＢＥ装置内に装着する。ここで、半導
体基板１にAs分子線を当てながら半導体基板１を加熱
し、半導体基板１の表面に付着している酸化物等の不純
物と、前記残された光吸収層２４とを蒸発させる。これ
により、光吸収層２４も選択的に蒸発されるため、第１
の上部クラッド層２３の表面が露出する。
第３図（Ｄ）は、半導体基板１に第２の成長層４を形成
する工程を示している。上記不純物及び残された光吸収
層２４が蒸発された半導体基板１の表面に、Ｐ型AlYGa
1-YAsから成る第２の上部クラッド層４１と、Ｐ＋型GaA
sから成るキャップ層４２とを順次積層し、第２の成長
層４を形成する。そして、半導体基板１の裏面にＮ型電
極１ａ、キャップ層４２の表面にＰ型電極４２ａを設け
る。
する工程を示している。上記不純物及び残された光吸収
層２４が蒸発された半導体基板１の表面に、Ｐ型AlYGa
1-YAsから成る第２の上部クラッド層４１と、Ｐ＋型GaA
sから成るキャップ層４２とを順次積層し、第２の成長
層４を形成する。そして、半導体基板１の裏面にＮ型電
極１ａ、キャップ層４２の表面にＰ型電極４２ａを設け
る。
かくして得られた半導体レーザは、キヤリアーの注入に
より反転分布（誘導放出）が生じ、Ｐｎ接合でコヒーレ
ントな光が誘導放射される。
より反転分布（誘導放出）が生じ、Ｐｎ接合でコヒーレ
ントな光が誘導放射される。
（ハ）発明が解決しようとする課題 従来の半導体レーザの製造方法では、ストライプ溝部に
おいて、Ｐ型である第１の上部クラッド層２３と、Ｐ型
である第２の上部クラッド層４１とが接面するように形
成される。従って、Ｐ型電極４２ａ側から第２の成長層
４及び第１の成長層２を介してＮ型電極１ａ側へ電流を
流す時、電流はストライプ溝３、つまり狭い溝部を通じ
て流れることとなる。このため、狭幅のストライプ溝３
によって狭窄された電流が、第１の上部クラッド層２３
に到達した時、つまり狭幅のストライプ溝３を脱した
時、電流の一部が第１の上部クラッド層２３において横
方向（Ｎ型電極に対し平行方向）へ広がり無効電流とな
る結果、しきい値電流が高くなる不利がある。このた
め、従来方法では、しきい値電流が低く電流効率の良い
半導体レーザを製造することが困難であった。
おいて、Ｐ型である第１の上部クラッド層２３と、Ｐ型
である第２の上部クラッド層４１とが接面するように形
成される。従って、Ｐ型電極４２ａ側から第２の成長層
４及び第１の成長層２を介してＮ型電極１ａ側へ電流を
流す時、電流はストライプ溝３、つまり狭い溝部を通じ
て流れることとなる。このため、狭幅のストライプ溝３
によって狭窄された電流が、第１の上部クラッド層２３
に到達した時、つまり狭幅のストライプ溝３を脱した
時、電流の一部が第１の上部クラッド層２３において横
方向（Ｎ型電極に対し平行方向）へ広がり無効電流とな
る結果、しきい値電流が高くなる不利がある。このた
め、従来方法では、しきい値電流が低く電流効率の良い
半導体レーザを製造することが困難であった。
この発明は、上記課題を解消させ、しきい値電流が低く
電流効率のよい半導体レーザを得る製造方法を提供する
ことを目的とする。
電流効率のよい半導体レーザを得る製造方法を提供する
ことを目的とする。
（ニ）課題を解決するための手段及び作用 この半導体レーザの製造方法は、ＭＢＥ装置を使用して
製造される半導体レーザの製造方法であって、 半導体基板の表面に、下部クラッド層、活性層、第１の
上部クラッド層、Ｎ型若しくはアンドープ層、光吸収層
及び蒸発防止層を順次積層して第１の成長層を形成する
工程と、 この第１の成長層に対し、任意幅で前記光吸収層を残す
ような深さのストライプ溝を形成するホトエッチング工
程と、 前記光吸収層のストライプ溝対応部分に対し、Ｐ型ドー
パントとなり得るイオンを注入し、前記Ｎ型若しくはア
ンドープ層のストライプ溝対応部分にＰ型ドーパントイ
オン注入部を形成するイオン注入工程と、 前記ストライプ溝が形成された半導体基板の表面に付着
した不純物及び残された光吸収層を蒸発させる再蒸発工
程と、 前記光吸収層が蒸発された半導体基板の表面に、第２の
上部クラッド層とキャップ層とを順次積層して第２の成
長層を形成する工程とから成る。
製造される半導体レーザの製造方法であって、 半導体基板の表面に、下部クラッド層、活性層、第１の
上部クラッド層、Ｎ型若しくはアンドープ層、光吸収層
及び蒸発防止層を順次積層して第１の成長層を形成する
工程と、 この第１の成長層に対し、任意幅で前記光吸収層を残す
ような深さのストライプ溝を形成するホトエッチング工
程と、 前記光吸収層のストライプ溝対応部分に対し、Ｐ型ドー
パントとなり得るイオンを注入し、前記Ｎ型若しくはア
ンドープ層のストライプ溝対応部分にＰ型ドーパントイ
オン注入部を形成するイオン注入工程と、 前記ストライプ溝が形成された半導体基板の表面に付着
した不純物及び残された光吸収層を蒸発させる再蒸発工
程と、 前記光吸収層が蒸発された半導体基板の表面に、第２の
上部クラッド層とキャップ層とを順次積層して第２の成
長層を形成する工程とから成る。
このような工程から成る半導体レーザの製造方法では、
ストライプ溝において、Ｐ型の第１の上部クラッド層と
Ｐ型の第２の上部クラッド層との間に、Ｎ型若しくはア
ンドープ層が介在することとなる。そして、このＮ型若
しくはアンドープ層のＰ型ドーパントイオン注入部が、
Ｐ型の第２の上部クラッド層と接面することとなる。
ストライプ溝において、Ｐ型の第１の上部クラッド層と
Ｐ型の第２の上部クラッド層との間に、Ｎ型若しくはア
ンドープ層が介在することとなる。そして、このＮ型若
しくはアンドープ層のＰ型ドーパントイオン注入部が、
Ｐ型の第２の上部クラッド層と接面することとなる。
従って、いまキャップ層表面に形成したＰ型電極側か
ら、半導体基板裏面に形成したＮ型電極側へ電流を流す
時、電流はストライプ溝、つまり狭い溝部を通じて流れ
ることとなる。狭幅のストライプ溝によって狭窄された
電流は、Ｎ型若しくはアンドープ層において、狭窄状態
から脱し、Ｎ型若しくはアンドープ層内で、横方向（電
極に対し平行方向）へ広がろうとする。しかし、この層
はＮ型若しくはアンドープの層であり、Ｐ型の第２の上
部クラッド層とは導体パターンが異なる。従って、横方
向への広がりを防止する。このため、電流はＮ型若しく
はアンドープ層に形成されたＰ型イオン注入部を通じ
て、Ｐ型である第１の上部クラッド層へと流れることと
なり、無効電流の発生が大幅に低減される。従って、し
きい値電流が低くなり電流効率の高い半導体レーザが得
られる。
ら、半導体基板裏面に形成したＮ型電極側へ電流を流す
時、電流はストライプ溝、つまり狭い溝部を通じて流れ
ることとなる。狭幅のストライプ溝によって狭窄された
電流は、Ｎ型若しくはアンドープ層において、狭窄状態
から脱し、Ｎ型若しくはアンドープ層内で、横方向（電
極に対し平行方向）へ広がろうとする。しかし、この層
はＮ型若しくはアンドープの層であり、Ｐ型の第２の上
部クラッド層とは導体パターンが異なる。従って、横方
向への広がりを防止する。このため、電流はＮ型若しく
はアンドープ層に形成されたＰ型イオン注入部を通じ
て、Ｐ型である第１の上部クラッド層へと流れることと
なり、無効電流の発生が大幅に低減される。従って、し
きい値電流が低くなり電流効率の高い半導体レーザが得
られる。
（ホ）実施例 第１図（Ａ）、第１図（Ｂ）、第１図（Ｃ）及び第１図
（Ｄ）は、この発明に係る半導体レーザの製造方法を示
す工程説明図である。
（Ｄ）は、この発明に係る半導体レーザの製造方法を示
す工程説明図である。
この半導体レーザの製造方法は、ＭＢＥ装置（図示せ
ず）を使用し、２回のＭＢＥ成長を行うことで半導体レ
ーザを形成している。
ず）を使用し、２回のＭＢＥ成長を行うことで半導体レ
ーザを形成している。
第１図（Ａ）は、半導体基板１に第１の成長層を形成す
る工程を示している。ＭＢＥ（モレキュラービームエピ
タキシー）装置内に装着したＮ型のGaAsからなる半導体
基板１を加熱し、蒸発源にそれぞれ入れられた原料物質
や不純物を分子線の形で蒸発させ、Ｎ型AlxGa1-xAsから
なる下部クラッド層２１、Alx′Ga1-x′Asから成る活性
層２２、Ｐ型AlxGa1-xAsから成る第１の上部クラッド層
２３、及びＮ型若しくはアンドープ層２３ａ、更にＮ型
GaAsから成る光吸収層２４、Ｎ型Alx″Ga1-x″Asから成
る蒸発防止層２５を、半導体基板１表面に順次積層して
第１の成長層２を形成させる。
る工程を示している。ＭＢＥ（モレキュラービームエピ
タキシー）装置内に装着したＮ型のGaAsからなる半導体
基板１を加熱し、蒸発源にそれぞれ入れられた原料物質
や不純物を分子線の形で蒸発させ、Ｎ型AlxGa1-xAsから
なる下部クラッド層２１、Alx′Ga1-x′Asから成る活性
層２２、Ｐ型AlxGa1-xAsから成る第１の上部クラッド層
２３、及びＮ型若しくはアンドープ層２３ａ、更にＮ型
GaAsから成る光吸収層２４、Ｎ型Alx″Ga1-x″Asから成
る蒸発防止層２５を、半導体基板１表面に順次積層して
第１の成長層２を形成させる。
次に第１図（Ｂ）は、第１の成長層２にストライプ溝を
形成するホトエッチング工程と、この発明の特徴である
イオン注入工程とを示している。上記第１の成長層２を
形成した半導体基板１を、ＭＢＥ装置から取り出し、ス
トライプ溝３を形成する部分以外の蒸発防止層２５ホト
レジスト６で覆う。このホトレジスト６をマスクとして
光吸収層２４を若干（１０００Å程度）残すように、蒸
発防止層２５と光吸収層２４とをエッチングして所望幅
のストライプ溝３を形成する。
形成するホトエッチング工程と、この発明の特徴である
イオン注入工程とを示している。上記第１の成長層２を
形成した半導体基板１を、ＭＢＥ装置から取り出し、ス
トライプ溝３を形成する部分以外の蒸発防止層２５ホト
レジスト６で覆う。このホトレジスト６をマスクとして
光吸収層２４を若干（１０００Å程度）残すように、蒸
発防止層２５と光吸収層２４とをエッチングして所望幅
のストライプ溝３を形成する。
この状態において、ストライプ溝３の底部に若干残され
た光吸収層２４の下には、Ｎ型層（若しくはアンドープ
層）２３ａが臨出している。更に、この状態（ホトレジ
スト６を備えた状態）で、ストライプ溝３に対し、Ｐ型
ドーパントとなり得るイオン、例えばＺｎイオン、Ｂｅ
イオン、或いはＭｇイオン（実施例ではＺｎイオン）を
注入する。この注入作業は、イオン源、イオン加速器、
質量分離器、ビーム走査系及びターゲット・チェンジャ
ーから成るイオン注入装置（図示せず）を用いて行う。
つまり、イオン源で発生させたＺｎイオンはレンズ系で
加速され、収束して偏向用電磁石による質量分離器に入
る。ここで、イオンは偏向されて走査系に入る。そし
て、イオンはＮ型層（若しくはアンドープ層）２３ａ表
面に衝突し注入される。これにより、Ｎ型層（又はアン
ドープ層）２３ａのストライプ溝３対応部分に、Ｐ型ド
ーパントイオン注入部５が形成される。
た光吸収層２４の下には、Ｎ型層（若しくはアンドープ
層）２３ａが臨出している。更に、この状態（ホトレジ
スト６を備えた状態）で、ストライプ溝３に対し、Ｐ型
ドーパントとなり得るイオン、例えばＺｎイオン、Ｂｅ
イオン、或いはＭｇイオン（実施例ではＺｎイオン）を
注入する。この注入作業は、イオン源、イオン加速器、
質量分離器、ビーム走査系及びターゲット・チェンジャ
ーから成るイオン注入装置（図示せず）を用いて行う。
つまり、イオン源で発生させたＺｎイオンはレンズ系で
加速され、収束して偏向用電磁石による質量分離器に入
る。ここで、イオンは偏向されて走査系に入る。そし
て、イオンはＮ型層（若しくはアンドープ層）２３ａ表
面に衝突し注入される。これにより、Ｎ型層（又はアン
ドープ層）２３ａのストライプ溝３対応部分に、Ｐ型ド
ーパントイオン注入部５が形成される。
このイオン注入工程は、実施例では２回に分けて実施す
る。注入されたイオンは、Ｎ型層２３ａの原子と衝突を
繰り返しつつエネルギを失って停止するので、結晶面と
イオンの衝突の方向によってイオンが停止する深さが異
なる。１回の注入作業では深さ方向に対し所定の濃度分
布が得られない虞れがあるが、本実施例では２回に分け
てイオン注入作業を実行し〔第２図の破線、破線
〕、深さ方向に対するイオン濃度が所定の分布となる
ように図っている〔第２図の実線〕。
る。注入されたイオンは、Ｎ型層２３ａの原子と衝突を
繰り返しつつエネルギを失って停止するので、結晶面と
イオンの衝突の方向によってイオンが停止する深さが異
なる。１回の注入作業では深さ方向に対し所定の濃度分
布が得られない虞れがあるが、本実施例では２回に分け
てイオン注入作業を実行し〔第２図の破線、破線
〕、深さ方向に対するイオン濃度が所定の分布となる
ように図っている〔第２図の実線〕。
更に、第１図（Ｃ）は、ストライプ溝３の形成により前
記残された光吸収層を蒸発させる再蒸発工程を示してい
る。ホトレジスト６を除去した半導体基板（第１の成長
層２を形成した基板）１を有機洗浄する。その後、半導
体基板１を再度ＭＢＥ装置内に装着する。ここで、半導
体基板１にＡｓ分子線を当てながら半導体基板１を加熱
し、半導体基板１の表面に付着している酸化物等の不純
物と前記残された光吸収層を蒸発させる。これにより、
ストライプ溝３底部にＰ型ドーパントイオン注入部５表
面が露出する。
記残された光吸収層を蒸発させる再蒸発工程を示してい
る。ホトレジスト６を除去した半導体基板（第１の成長
層２を形成した基板）１を有機洗浄する。その後、半導
体基板１を再度ＭＢＥ装置内に装着する。ここで、半導
体基板１にＡｓ分子線を当てながら半導体基板１を加熱
し、半導体基板１の表面に付着している酸化物等の不純
物と前記残された光吸収層を蒸発させる。これにより、
ストライプ溝３底部にＰ型ドーパントイオン注入部５表
面が露出する。
第１図（Ｄ）は、半導体基板１に第２の成長層４を形成
する工程を示している。上記不純物及び残された光吸収
層２４が蒸発された半導体基板１の表面に、Ｐ型AlYGa
1-YAsから成る第２の上部クラッド層４１と、Ｐ＋型GaA
sから成るキャップ層４２とを順次積層し、第２の成長
層４を形成する。そして、半導体基板１の裏面にＮ型電
極１ａ、キャップ層４２の表面にＰ型電極４２ａを設け
る。
する工程を示している。上記不純物及び残された光吸収
層２４が蒸発された半導体基板１の表面に、Ｐ型AlYGa
1-YAsから成る第２の上部クラッド層４１と、Ｐ＋型GaA
sから成るキャップ層４２とを順次積層し、第２の成長
層４を形成する。そして、半導体基板１の裏面にＮ型電
極１ａ、キャップ層４２の表面にＰ型電極４２ａを設け
る。
このような製造方法によって得られる半導体レーザは、
ストライプ溝において、Ｐ型の第１の上部クラッド層２
３と、Ｐ型の第２の上部クラッド層４１との間に、Ｎ型
層（若しくはアンドープ層）２３ａが介在することとな
る。そして、このＮ型層２３ａのＰ型ドーパントイオン
注入部５が、Ｐ型の第２の上部クラッド層４１と接面す
ることとなる。
ストライプ溝において、Ｐ型の第１の上部クラッド層２
３と、Ｐ型の第２の上部クラッド層４１との間に、Ｎ型
層（若しくはアンドープ層）２３ａが介在することとな
る。そして、このＮ型層２３ａのＰ型ドーパントイオン
注入部５が、Ｐ型の第２の上部クラッド層４１と接面す
ることとなる。
これにより、Ｐ型電極４２ａ側からＮ型電極１ａ側へ、
つまり垂直方向へ電流を流す時、電流はストライプ溝
３、つまり狭い溝部を通じて流れることとなる。狭幅の
ストライプ溝３によって狭窄された電流は、Ｎ型層（若
しくはアンドープ層）２３ａにおいて、狭窄状態から脱
し、Ｎ型層（アンドープ層）２３ａ内で横方向（電極１
ａ、４２ａに対し平行方向）へ広がろうとする。しか
し、この層２３ａはＮ型若しくはアンドープの層であ
り、Ｐ型の第２の上部クラッド層４１とは導体パターン
が異なる。従って、横方向への広がりを防止する。この
ため、電流はＮ型層（アンドープ層）２３ａに形成され
たＰ型イオン注入部５を通じて、Ｐ型である第１の上部
クラッド層２３へと流れることとなり、無効電流の発生
が大幅に低減される。従って、しきい値電流が低く電流
効率の高い半導体レーザが得られる。
つまり垂直方向へ電流を流す時、電流はストライプ溝
３、つまり狭い溝部を通じて流れることとなる。狭幅の
ストライプ溝３によって狭窄された電流は、Ｎ型層（若
しくはアンドープ層）２３ａにおいて、狭窄状態から脱
し、Ｎ型層（アンドープ層）２３ａ内で横方向（電極１
ａ、４２ａに対し平行方向）へ広がろうとする。しか
し、この層２３ａはＮ型若しくはアンドープの層であ
り、Ｐ型の第２の上部クラッド層４１とは導体パターン
が異なる。従って、横方向への広がりを防止する。この
ため、電流はＮ型層（アンドープ層）２３ａに形成され
たＰ型イオン注入部５を通じて、Ｐ型である第１の上部
クラッド層２３へと流れることとなり、無効電流の発生
が大幅に低減される。従って、しきい値電流が低く電流
効率の高い半導体レーザが得られる。
（ヘ）発明の効果 以上のように、この発明の半導体レーザ製造方法では、
第１の上部クラッド層上にＮ型若しくはアンドープ層を
設け、このＮ型若しくはアンドープ層のストライプ溝対
応部分に、Ｐ型ドーパントとなり得るイオンを注入して
Ｐ型ドーパントイオン注入部を形成することとしたか
ら、ストライプ溝によって狭窄された電流の一部が、Ｎ
型層によって横方向への広がりが防止され、且つＰ型ド
ーパントイオン注入部を通じて第１の上部クラッド層へ
スムーズに流れる。従って、この製造方法により無効電
流が大幅に低減され、しきい値電流が低い半導体レーザ
が得られる等、発明目的を達成した優れた効果を有す
る。
第１の上部クラッド層上にＮ型若しくはアンドープ層を
設け、このＮ型若しくはアンドープ層のストライプ溝対
応部分に、Ｐ型ドーパントとなり得るイオンを注入して
Ｐ型ドーパントイオン注入部を形成することとしたか
ら、ストライプ溝によって狭窄された電流の一部が、Ｎ
型層によって横方向への広がりが防止され、且つＰ型ド
ーパントイオン注入部を通じて第１の上部クラッド層へ
スムーズに流れる。従って、この製造方法により無効電
流が大幅に低減され、しきい値電流が低い半導体レーザ
が得られる等、発明目的を達成した優れた効果を有す
る。
第１図（Ａ）、第１図（Ｂ）、第１図（Ｃ）及び第１図
（Ｄ）は、実施例半導体レーザの製造工程を示す説明図
であり、第１図（Ａ）は第１の成長層を形成する説明
図、第１図（Ｂ）はストライプ溝の形成およびＰ型ドー
パントイオン注入部を形成する説明図、第１図（Ｃ）は
再蒸発工程を示す説明図、第１図（Ｄ）は第２の成長層
を形成する説明図、第２図は、２回に分けて行うイオン
注入の深さと濃度の関係を示す説明図、第３図（Ａ）、
第３図（Ｂ）、第３図（Ｃ）、第３図（Ｄ）は、従来の
半導体レーザの製造工程を示す説明図であり、第３図
（Ａ）は第１の成長層を形成する説明図、第３図（Ｂ）
はホトエッチング工程を示す説明図、第３図（Ｃ）は再
蒸発工程を示す説明図、第３図（Ｄ）は第２の成長層を
形成する説明図である。 １：半導体基板、２：第１の成長層、 ３：ストライプ溝、４：第２の成長層、 ５：Ｐ型ドーパントイオン注入部、 23：第１の上部クラッド層、 23a：Ｎ型層（若しくはアンドープ層）。
（Ｄ）は、実施例半導体レーザの製造工程を示す説明図
であり、第１図（Ａ）は第１の成長層を形成する説明
図、第１図（Ｂ）はストライプ溝の形成およびＰ型ドー
パントイオン注入部を形成する説明図、第１図（Ｃ）は
再蒸発工程を示す説明図、第１図（Ｄ）は第２の成長層
を形成する説明図、第２図は、２回に分けて行うイオン
注入の深さと濃度の関係を示す説明図、第３図（Ａ）、
第３図（Ｂ）、第３図（Ｃ）、第３図（Ｄ）は、従来の
半導体レーザの製造工程を示す説明図であり、第３図
（Ａ）は第１の成長層を形成する説明図、第３図（Ｂ）
はホトエッチング工程を示す説明図、第３図（Ｃ）は再
蒸発工程を示す説明図、第３図（Ｄ）は第２の成長層を
形成する説明図である。 １：半導体基板、２：第１の成長層、 ３：ストライプ溝、４：第２の成長層、 ５：Ｐ型ドーパントイオン注入部、 23：第１の上部クラッド層、 23a：Ｎ型層（若しくはアンドープ層）。
Claims (1)
- 【請求項１】ＭＢＥ装置を使用して製造される半導体レ
ーザの製造方法であって、 半導体基板の表面に、下部クラッド層、活性層、第１の
上部クラッド層、Ｎ型若しくはアンドープ層、光吸収層
及び蒸発防止層を順次積層して第１の成長層を形成する
工程と、 この第１の成長層に対し、任意幅で前記光吸収層を残す
ような深さのストライプ溝を形成するホトエッチング工
程と、 前記光吸収層のストライプ溝対応部分に対し、Ｐ型ドー
パントとなり得るイオンを注入し、前記Ｎ型若しくはア
ンドープ層のストライプ溝対応部分にＰ型ドーパントイ
オン注入部を形成するイオン注入工程と、 前記ストライプ溝が形成された半導体基板の表面に付着
した不純物及び前記残された光吸収層を蒸発させる再蒸
発工程と、 前記光吸収層が蒸発された半導体基板の表面に、第２の
上部クラッド層とキャップ層とを順次積層して第２の成
長層を形成する工程とから成る半導体レーザの製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1013682A JPH0654826B2 (ja) | 1989-01-23 | 1989-01-23 | 半導体レーザの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1013682A JPH0654826B2 (ja) | 1989-01-23 | 1989-01-23 | 半導体レーザの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02194585A JPH02194585A (ja) | 1990-08-01 |
| JPH0654826B2 true JPH0654826B2 (ja) | 1994-07-20 |
Family
ID=11839956
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1013682A Expired - Fee Related JPH0654826B2 (ja) | 1989-01-23 | 1989-01-23 | 半導体レーザの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0654826B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2576766B2 (ja) * | 1993-07-08 | 1997-01-29 | 日本電気株式会社 | 半導体基板の製造方法 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6142987A (ja) * | 1984-08-06 | 1986-03-01 | Rohm Co Ltd | 半導体レ−ザの製造方法 |
| JPH069274B2 (ja) * | 1987-03-11 | 1994-02-02 | ロ−ム株式会社 | 半導体レ−ザの製造方法 |
-
1989
- 1989-01-23 JP JP1013682A patent/JPH0654826B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH02194585A (ja) | 1990-08-01 |
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Legal Events
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|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |