JPH069273B2 - 半導体レ−ザの製造方法 - Google Patents
半導体レ−ザの製造方法Info
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- JPH069273B2 JPH069273B2 JP62056242A JP5624287A JPH069273B2 JP H069273 B2 JPH069273 B2 JP H069273B2 JP 62056242 A JP62056242 A JP 62056242A JP 5624287 A JP5624287 A JP 5624287A JP H069273 B2 JPH069273 B2 JP H069273B2
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
- H01S5/2054—Methods of obtaining the confinement
- H01S5/2059—Methods of obtaining the confinement by means of particular conductivity zones, e.g. obtained by particle bombardment or diffusion
- H01S5/2063—Methods of obtaining the confinement by means of particular conductivity zones, e.g. obtained by particle bombardment or diffusion obtained by particle bombardment
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- H01S5/32308—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser, InP-based laser emitting light at a wavelength less than 900 nm
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Description
【発明の詳細な説明】 (a)産業上の利用分野 この発明は、半導体レーザの製造方法に関する。
(b)従来の技術 従来より半導体レーザは光情報処理や光通信用の電子部
品として用いられており、その応用分野は多枝に渡ろう
としている。半導体レーザに要求される特性の一つとし
てしきい値電流すなわち自然発光状態からレーザ発振状
態に変化する半導体レーザの順方向電流をいかに低減す
るかが技術的課題の一つであった。
品として用いられており、その応用分野は多枝に渡ろう
としている。半導体レーザに要求される特性の一つとし
てしきい値電流すなわち自然発光状態からレーザ発振状
態に変化する半導体レーザの順方向電流をいかに低減す
るかが技術的課題の一つであった。
第６図（Ａ），（Ｂ）は従来の半導体レーザの製造方法
を表す断面図である。同図（Ａ）において１はｎ型Ｇａ
Ａｓの基板、２はｎ型ＡｌＧａＡｓのクラッド層、３は
不純物を含まないＡｌＧａＡｓの活性層、４はｐ型Ａｌ
ＧａＡｓのクラッド層、８はｐ型のＧａＡｓのキャップ
層をそれぞれ表している。このように基板上に各層を成
長させた後、同図（Ｂ）に示すようにプロトンなどを打
ち込むことにより電流阻止領域９を形成する。このよう
にして電流阻止領域間（以下ストライプという。）にお
ける活性層での電流の集中度を高めている。
を表す断面図である。同図（Ａ）において１はｎ型Ｇａ
Ａｓの基板、２はｎ型ＡｌＧａＡｓのクラッド層、３は
不純物を含まないＡｌＧａＡｓの活性層、４はｐ型Ａｌ
ＧａＡｓのクラッド層、８はｐ型のＧａＡｓのキャップ
層をそれぞれ表している。このように基板上に各層を成
長させた後、同図（Ｂ）に示すようにプロトンなどを打
ち込むことにより電流阻止領域９を形成する。このよう
にして電流阻止領域間（以下ストライプという。）にお
ける活性層での電流の集中度を高めている。
ところが、電流阻止領域をプロトンの打ち込みなどによ
り絶縁化したことにより、活性層の結晶性が乱れ、寿命
などに悪影響を及ぼしていた。そこでクラッド層の一部
分を逆の伝導型にすることにより電流阻止領域を形成す
れば、この問題を解消することができる。第７図
（Ａ），（Ｂ）はその例を表している。同図（Ａ）は第
６図（Ａ）に示したものと同様の構成であり、基板上に
各層を成長させた後、第７図（Ｂ）に示すようにストラ
イプを形成すべき個所以外に不純物を拡散またはイオン
打ち込みを行うことによりｎ型の電流阻止領域１０を形
成している。
り絶縁化したことにより、活性層の結晶性が乱れ、寿命
などに悪影響を及ぼしていた。そこでクラッド層の一部
分を逆の伝導型にすることにより電流阻止領域を形成す
れば、この問題を解消することができる。第７図
（Ａ），（Ｂ）はその例を表している。同図（Ａ）は第
６図（Ａ）に示したものと同様の構成であり、基板上に
各層を成長させた後、第７図（Ｂ）に示すようにストラ
イプを形成すべき個所以外に不純物を拡散またはイオン
打ち込みを行うことによりｎ型の電流阻止領域１０を形
成している。
(c)発明が解決しようとする問題点 とこらが、第７図（Ｂ）に示した従来の半導体レーザに
おいては、活性層において光励起が行われてレーザ発光
するため、活性層での電流の集中度を高める必要があ
る。そのためには図中ｔの寸法をできるだけ小さくしな
ければならない。一方、ｐ型クラッド層４は光の導波路
となるので例えば１．０〜１．５μｍ以上に厚くなけれ
ば光損失が大きくなる。また、キャップ層８はヒートシ
ンクとの半田付けの際半田材の活性層への影響を防止
し、さらに、電極金属の影響を防止するためある程度厚
くなければ実用上問題が発生する。そこでこれらの二つ
の層で３〜数μｍの厚さが必要である。ところが、拡
散，イオン打ち込みともに３〜数μｍの深さにおいて１
００Å程度の精度をもたせることは困難であり、したが
って活性層のごく近傍まで電流阻止領域１０を形成する
ことが困難である。
おいては、活性層において光励起が行われてレーザ発光
するため、活性層での電流の集中度を高める必要があ
る。そのためには図中ｔの寸法をできるだけ小さくしな
ければならない。一方、ｐ型クラッド層４は光の導波路
となるので例えば１．０〜１．５μｍ以上に厚くなけれ
ば光損失が大きくなる。また、キャップ層８はヒートシ
ンクとの半田付けの際半田材の活性層への影響を防止
し、さらに、電極金属の影響を防止するためある程度厚
くなければ実用上問題が発生する。そこでこれらの二つ
の層で３〜数μｍの厚さが必要である。ところが、拡
散，イオン打ち込みともに３〜数μｍの深さにおいて１
００Å程度の精度をもたせることは困難であり、したが
って活性層のごく近傍まで電流阻止領域１０を形成する
ことが困難である。
さらに、ｐ型クラッド層４とｐ型キャップ層８とで３〜
数μｍの厚さになり、電流の集中するストライプの層が
厚く、抵抗値が高くなる。
数μｍの厚さになり、電流の集中するストライプの層が
厚く、抵抗値が高くなる。
このような理由でしきい値電流は低減されず、動作電圧
の上昇および発熱の問題があった。この発明の目的は、
前述のｔの寸法を容易に小さくし、しきい値電流の低い
半導体レーザを得ることのできる半導体レーザの製造方
法を提供することにある。
の上昇および発熱の問題があった。この発明の目的は、
前述のｔの寸法を容易に小さくし、しきい値電流の低い
半導体レーザを得ることのできる半導体レーザの製造方
法を提供することにある。
(d)問題点を解決するための手段 この発明の半導体レーザの製造方法は、基板上に下部ク
ラッド層、活性層、上部第１クラッド層、および分子線
エミタキシャル成長室における蒸発速度が上部第１クラ
ッド層より大きな保護層をこの順に形成した後、下部ク
ラッド層に達しない深さに、前記保護層の表面から不純
物をイオン打ち込みまたは拡散して上部第１クラッド層
にストライプ部を形成する工程と、前記保護層を分子線
エピタキシャル成長室で蒸発させ、続いて上部第１クラ
ッド層上に上記ストライプ部と同伝導型の上部第２クラ
ッド層とキャップ層をこの順に分子線エピタキシャル成
長法により形成する工程とからなる。
ラッド層、活性層、上部第１クラッド層、および分子線
エミタキシャル成長室における蒸発速度が上部第１クラ
ッド層より大きな保護層をこの順に形成した後、下部ク
ラッド層に達しない深さに、前記保護層の表面から不純
物をイオン打ち込みまたは拡散して上部第１クラッド層
にストライプ部を形成する工程と、前記保護層を分子線
エピタキシャル成長室で蒸発させ、続いて上部第１クラ
ッド層上に上記ストライプ部と同伝導型の上部第２クラ
ッド層とキャップ層をこの順に分子線エピタキシャル成
長法により形成する工程とからなる。
(e)作用 この発明の半導体レーザの製造方法においては、基板上
に下部クラッド層、活性層、上部第１クラッド層をこの
順に形成した段階で、表面から下部クラッド層に達しな
い深さに不純物をイオン打ち込みまたは拡散することに
よりストライプ部が形成される。その後、上部第１クラ
ッド層上に上記ストライプ部と同伝導型の上部第２クラ
ッド層とキャップ層がこの順に形成される。このように
所定厚さの上部クラッド層とキャップ層を形成する前の
中間段階で、不純物のイオン打ち込みまたは拡散により
ストライプ部を形成するため、活性層の極近傍に、また
は活性層に接して厚みの薄いストライプ部が形成され
る。その結果、ストライプ部近傍において活性層に注入
される電流密度が高まり、レーザ発振に寄与しない無効
電流が減少し、しきい値電流の低い半導体レーザが得ら
れる。さらに、上部第１クラッド層の表面に保護層を形
成した状態で不純物イオンの打ち込みまたは拡散を行っ
て、上部第１クラッド層にストライプ部を形成し、前記
保護層を分子線エピタキシャル成長室で蒸発させるよう
にしたため、ストライプ部を形成する際に上部第１クラ
ッド層表面の損傷または汚損を防ぐことができ、しかも
上部第１クラッド層上に上部第２クラッド層を成長させ
る際に、上部第１クラッド層との界面を清浄な状態に保
ち得るので、特性の優れた半導体レーザが得られる。
に下部クラッド層、活性層、上部第１クラッド層をこの
順に形成した段階で、表面から下部クラッド層に達しな
い深さに不純物をイオン打ち込みまたは拡散することに
よりストライプ部が形成される。その後、上部第１クラ
ッド層上に上記ストライプ部と同伝導型の上部第２クラ
ッド層とキャップ層がこの順に形成される。このように
所定厚さの上部クラッド層とキャップ層を形成する前の
中間段階で、不純物のイオン打ち込みまたは拡散により
ストライプ部を形成するため、活性層の極近傍に、また
は活性層に接して厚みの薄いストライプ部が形成され
る。その結果、ストライプ部近傍において活性層に注入
される電流密度が高まり、レーザ発振に寄与しない無効
電流が減少し、しきい値電流の低い半導体レーザが得ら
れる。さらに、上部第１クラッド層の表面に保護層を形
成した状態で不純物イオンの打ち込みまたは拡散を行っ
て、上部第１クラッド層にストライプ部を形成し、前記
保護層を分子線エピタキシャル成長室で蒸発させるよう
にしたため、ストライプ部を形成する際に上部第１クラ
ッド層表面の損傷または汚損を防ぐことができ、しかも
上部第１クラッド層上に上部第２クラッド層を成長させ
る際に、上部第１クラッド層との界面を清浄な状態に保
ち得るので、特性の優れた半導体レーザが得られる。
(f)実施例 第１図（Ａ）〜（Ｄ）はこの発明の実施例である半導体
レーザの製造方法を表す各工程における断面図である。
レーザの製造方法を表す各工程における断面図である。
同図（Ａ）において１は縦２５０μｍ，横２５０μｍ，
厚さ２００μｍのｎ型ＧａＡｓ基板、２は厚さ１．５μ
ｍのｎ型Ａｌ0.6Ｇａ0.4Ａｓの下部クラッド層、３は厚
さ８００Åで不純物を含まないＡｌ0.15Ｇａ0.85Ａｓの
活性層、４は厚さ０．４μｍのｐ型Ａｌ0.6Ｇａ0.4Ａｓ
の上部第１クラッド層、５は厚さ４００Åの不純物を含
まないＧａＡｓの保護層をそれぞれ表している。これら
の各層は基板１の上部に分子線エピタキシャル法によっ
てそれぞれ順に成長させる。
厚さ２００μｍのｎ型ＧａＡｓ基板、２は厚さ１．５μ
ｍのｎ型Ａｌ0.6Ｇａ0.4Ａｓの下部クラッド層、３は厚
さ８００Åで不純物を含まないＡｌ0.15Ｇａ0.85Ａｓの
活性層、４は厚さ０．４μｍのｐ型Ａｌ0.6Ｇａ0.4Ａｓ
の上部第１クラッド層、５は厚さ４００Åの不純物を含
まないＧａＡｓの保護層をそれぞれ表している。これら
の各層は基板１の上部に分子線エピタキシャル法によっ
てそれぞれ順に成長させる。
次に同図(B)に示すように成長させたウエハを取り出
し、フォトリソグラフィにより、ストライプ部を形成す
べき上部に厚さ１．５μｍ幅４μｍのレジストを付着さ
せる。その後、Ｓｉイオンを加速電圧１５０ＫｅＶ，ド
ーズ量１×１０15cm-2の条件で打ち込む。この時の打ち
込み深さは０．４μｍである。この程度の浅いイオン打
ち込みまたは拡散であれば、約１００Åの正確さでｔを
制御することができる。このようにして上部第１クラッ
ド層にｎ型の電流阻止領域４ｂが形成される。この電流
阻止領域間４ａがストライプ部となる。このような保護
層５を設けたため、イオン打ち込み等のプロセスによる
上部第１クラッド層表面の汚れや損傷を防止することが
できる。
し、フォトリソグラフィにより、ストライプ部を形成す
べき上部に厚さ１．５μｍ幅４μｍのレジストを付着さ
せる。その後、Ｓｉイオンを加速電圧１５０ＫｅＶ，ド
ーズ量１×１０15cm-2の条件で打ち込む。この時の打ち
込み深さは０．４μｍである。この程度の浅いイオン打
ち込みまたは拡散であれば、約１００Åの正確さでｔを
制御することができる。このようにして上部第１クラッ
ド層にｎ型の電流阻止領域４ｂが形成される。この電流
阻止領域間４ａがストライプ部となる。このような保護
層５を設けたため、イオン打ち込み等のプロセスによる
上部第１クラッド層表面の汚れや損傷を防止することが
できる。
次に、有機洗浄によってレジスト６を除去した後、分子
線エピタキシャル成長室に入れる。ウエハに対してＡｓ
の分子線をあてながら、温度を７５０〜７６０℃で約３
０分間保持する。保護層であるＧａＡｓの蒸発速度は
０．７〜１．０μｍ／ｈであるのに対し、Ａｌ0.6Ｇａ
0.4Ａｓである上部第１クラッド層の蒸発速度は０．０
５μｍ／ｈ以下である。このため、第１図（Ｃ）に示す
ように保護層が選択的に蒸発される。また、このとき第
１図（Ｂ）に示した工程で打ち込まれたＳｉイオンがア
ニール効果で活性化して、ｐ型クラッド層のストライプ
部４ａ以外の領域４ｂがｎ型化する。なお、分子線エピ
タキシャル装置の成長室内は超高真空状態であり、クラ
ッド層のＡｌが酸化することなく、次に述べるようにこ
のクラッド層上に上部第２クラッド層をそのまま成長さ
せることができる。
線エピタキシャル成長室に入れる。ウエハに対してＡｓ
の分子線をあてながら、温度を７５０〜７６０℃で約３
０分間保持する。保護層であるＧａＡｓの蒸発速度は
０．７〜１．０μｍ／ｈであるのに対し、Ａｌ0.6Ｇａ
0.4Ａｓである上部第１クラッド層の蒸発速度は０．０
５μｍ／ｈ以下である。このため、第１図（Ｃ）に示す
ように保護層が選択的に蒸発される。また、このとき第
１図（Ｂ）に示した工程で打ち込まれたＳｉイオンがア
ニール効果で活性化して、ｐ型クラッド層のストライプ
部４ａ以外の領域４ｂがｎ型化する。なお、分子線エピ
タキシャル装置の成長室内は超高真空状態であり、クラ
ッド層のＡｌが酸化することなく、次に述べるようにこ
のクラッド層上に上部第２クラッド層をそのまま成長さ
せることができる。
第１図（Ｄ）に示すように上部第１クラッド層上にさら
にｐ型のＡｌ0.6Ｇａ0.4Ａｓの上部第２クラッド層７を
厚さ１．１μｍになるまで分子線エピタキシ成長させ、
さらにその表面にｐ型のＧａＡｓのキャップ層８を厚さ
２μｍになるまで分子線エピタキシ成長させる。
にｐ型のＡｌ0.6Ｇａ0.4Ａｓの上部第２クラッド層７を
厚さ１．１μｍになるまで分子線エピタキシ成長させ、
さらにその表面にｐ型のＧａＡｓのキャップ層８を厚さ
２μｍになるまで分子線エピタキシ成長させる。
以上のようにして活性層３と電流阻止領域４ｂとの隙間
ｔが小さく、しかも所定厚さの上部クラッド層が形成さ
れた半導体レーザが製造される。なお、この実施例にお
いては、電流阻止領域４ｂがクラッド層と同じ組成のＡ
ｌＧａＡｓであるため、活性量から広がる光がこの阻止
領域で吸収されることがなく、したがってストライプ部
の幅を狭くし、ｔを薄くすることによりしきい値電流な
どを容易に改善することができる。
ｔが小さく、しかも所定厚さの上部クラッド層が形成さ
れた半導体レーザが製造される。なお、この実施例にお
いては、電流阻止領域４ｂがクラッド層と同じ組成のＡ
ｌＧａＡｓであるため、活性量から広がる光がこの阻止
領域で吸収されることがなく、したがってストライプ部
の幅を狭くし、ｔを薄くすることによりしきい値電流な
どを容易に改善することができる。
上記実施例は上部第１クラッド層をＡｌＧａＡｓの均一
な組成から構成した例であったが、この部分を超格子構
造とすることにより新たな効果を付加することができ
る。第２図（Ａ），（Ｂ）はその例を表す断面図であ
る。同図（Ａ）において４はＡｌＧａＡｓとＧａＡｓの
異なる組成を持つ層を周期的に配列して超格子構造にし
た上部第１クラッド層を表している。前述の第１図
（Ｂ）に示したと同様にストライプ部を形成すべき個所
にレジスト６を付着させ、Ｓｉ，Ｚｎなどのイオンを打
ちこんで熱処理を行うことにより、レジストが付着され
ていない領域が混晶状態となり、同図（Ｂ）に示すよう
に屈折率の高いストライプ部４ａが屈折率の低い電流阻
止領域４ｂ間に挟まれた構造となり、その結果レーザ光
の導波路としての特性（遠視野像，非点収差）を独立に
制御することができる。
な組成から構成した例であったが、この部分を超格子構
造とすることにより新たな効果を付加することができ
る。第２図（Ａ），（Ｂ）はその例を表す断面図であ
る。同図（Ａ）において４はＡｌＧａＡｓとＧａＡｓの
異なる組成を持つ層を周期的に配列して超格子構造にし
た上部第１クラッド層を表している。前述の第１図
（Ｂ）に示したと同様にストライプ部を形成すべき個所
にレジスト６を付着させ、Ｓｉ，Ｚｎなどのイオンを打
ちこんで熱処理を行うことにより、レジストが付着され
ていない領域が混晶状態となり、同図（Ｂ）に示すよう
に屈折率の高いストライプ部４ａが屈折率の低い電流阻
止領域４ｂ間に挟まれた構造となり、その結果レーザ光
の導波路としての特性（遠視野像，非点収差）を独立に
制御することができる。
上記いずれの実施例も上部第１クラッド層に不純物を打
ち込み、所定個所に電流阻止領域を形成することによ
り、ストライプ部を設けた例であったが、ストライプ部
にイオンを打ち込むことによりあるいは拡散を行うこと
によりストライプ部を形成することも可能である。第３
図（Ａ）〜（Ｄ）はその例について表している。第１図
に示した場合と異なる点は、上記第１クラッド層４がｎ
型であり、ストライプ部となるべき領域に不純物をイオ
ン打ち込みまたは拡散する点である。すなわち第３図
（Ａ）に示すようにｎ型基板１上にｎ型の下部クラッド
層２，活性層３，ｎ型上部第１クラッド層４，保護層５
を順に成長させ、同図（Ｂ）に示すように電流阻止領域
の上部にレジスト６を付着させ、Ｍｇイオンを加速電圧
１２０ＫｅＶ，ドーズ量１×１０14cm-2の条件で打ち込
むことにより、活性層３までｐ型のストライプ部４ａを
形成する。その後は第１図（Ｃ），（Ｄ）に示したと同
様にレジスト６および保護層５を除去し、上部第２クラ
ッド層７とキャップ層８を成長させることにより、半導
体レーザを製造する。
ち込み、所定個所に電流阻止領域を形成することによ
り、ストライプ部を設けた例であったが、ストライプ部
にイオンを打ち込むことによりあるいは拡散を行うこと
によりストライプ部を形成することも可能である。第３
図（Ａ）〜（Ｄ）はその例について表している。第１図
に示した場合と異なる点は、上記第１クラッド層４がｎ
型であり、ストライプ部となるべき領域に不純物をイオ
ン打ち込みまたは拡散する点である。すなわち第３図
（Ａ）に示すようにｎ型基板１上にｎ型の下部クラッド
層２，活性層３，ｎ型上部第１クラッド層４，保護層５
を順に成長させ、同図（Ｂ）に示すように電流阻止領域
の上部にレジスト６を付着させ、Ｍｇイオンを加速電圧
１２０ＫｅＶ，ドーズ量１×１０14cm-2の条件で打ち込
むことにより、活性層３までｐ型のストライプ部４ａを
形成する。その後は第１図（Ｃ），（Ｄ）に示したと同
様にレジスト６および保護層５を除去し、上部第２クラ
ッド層７とキャップ層８を成長させることにより、半導
体レーザを製造する。
なお、上記実施例はいずれもイオン打ち込み又は拡散を
上部第１クラッド層や活性層まで行った例であるが、活
性層の結晶を損なわない限り、少なくとも下部クラッド
層に達しない深さまでイオン打ち込み又は拡散すること
ができる。
上部第１クラッド層や活性層まで行った例であるが、活
性層の結晶を損なわない限り、少なくとも下部クラッド
層に達しない深さまでイオン打ち込み又は拡散すること
ができる。
さらに、上記実施例においてはストライプ部のパターン
として所定幅の単純なパターンを形成する例であったが
ストライプ内に一部電流を阻止する領域を形成すること
により、ストライプ内の光励起の分布を制御することが
可能である。第４図（Ａ），（Ｂ）および第５図
（Ａ），（Ｂ）はそのいくつかの例について表してい
る。第４図（Ａ），（Ｂ）は半導体レーザの分解斜視図
を表し、同図（Ａ）に示すように４ａはストライプ部を
表し、その途中に電流を阻止する電流阻止領域４ｂが形
成されている。また第５図（Ａ），（Ｂ）はさらに他の
例を表す上面図（上部第２クラッド層およびキャップ層
を形成する前の状態）を表している。このような細かな
電流阻止領域をパターン化することが可能であり、これ
によりパルセーションモードが発生され、自己干渉せず
分光特性や雑音特性の改善が容易に実現できる。
として所定幅の単純なパターンを形成する例であったが
ストライプ内に一部電流を阻止する領域を形成すること
により、ストライプ内の光励起の分布を制御することが
可能である。第４図（Ａ），（Ｂ）および第５図
（Ａ），（Ｂ）はそのいくつかの例について表してい
る。第４図（Ａ），（Ｂ）は半導体レーザの分解斜視図
を表し、同図（Ａ）に示すように４ａはストライプ部を
表し、その途中に電流を阻止する電流阻止領域４ｂが形
成されている。また第５図（Ａ），（Ｂ）はさらに他の
例を表す上面図（上部第２クラッド層およびキャップ層
を形成する前の状態）を表している。このような細かな
電流阻止領域をパターン化することが可能であり、これ
によりパルセーションモードが発生され、自己干渉せず
分光特性や雑音特性の改善が容易に実現できる。
(g)発明の効果 以上のようにこの発明によれば、ストライプ部の厚みを
高い寸法精度により形成することができるため、活性層
の極近傍に、または活性層に接してストライプ部を形成
することができ、また、ストライプ部の厚みを薄くし、
且つ上部クラッド層の厚みを所定寸法に厚くすることが
できる。その結果、ストライプ部近傍において活性層が
注入される電流の密度が高まり、レーザ発振に寄与しな
い無効電流が減少して、しきい値電流の低い半導体レー
ザが得られる。
高い寸法精度により形成することができるため、活性層
の極近傍に、または活性層に接してストライプ部を形成
することができ、また、ストライプ部の厚みを薄くし、
且つ上部クラッド層の厚みを所定寸法に厚くすることが
できる。その結果、ストライプ部近傍において活性層が
注入される電流の密度が高まり、レーザ発振に寄与しな
い無効電流が減少して、しきい値電流の低い半導体レー
ザが得られる。
さらに、この発明によれば、上部第１クラッド層の表面
に保護層を形成した状態で不純物イオンの打ち込みまた
は拡散を行って、上部第１クラッド層にストライプ部を
形成し、前記保護層を分子線エピタキシャル成長室で蒸
発させるようにしたため、ストライプ部を形成する際に
上部第１クラッド層表面の損傷または汚損を防ぐことが
でき、しかも上部第１クラッド層上に上部第２クラッド
層を成長させる際に、上部第１クラッド層との界面を清
浄な状態に保ち得るので、特性の優れた半導体レーザを
製造することができる。
に保護層を形成した状態で不純物イオンの打ち込みまた
は拡散を行って、上部第１クラッド層にストライプ部を
形成し、前記保護層を分子線エピタキシャル成長室で蒸
発させるようにしたため、ストライプ部を形成する際に
上部第１クラッド層表面の損傷または汚損を防ぐことが
でき、しかも上部第１クラッド層上に上部第２クラッド
層を成長させる際に、上部第１クラッド層との界面を清
浄な状態に保ち得るので、特性の優れた半導体レーザを
製造することができる。
第１図（Ａ）〜（Ｄ）はこの発明の実施例である半導体
レーザの製造方法の各工程を表す断面図、第２図
（Ａ），（Ｂ）と第３図（Ａ）〜（Ｄ）は他の実施例に
係る半導体レーザの製造方法を表す断面図、第４図
（Ａ），（Ｂ）および第５図（Ａ），（Ｂ）はさらに他
の実施例に係る半導体レーザの構造を表す図、第６図
（Ａ），（Ｂ）および第７図（Ａ），（Ｂ）は従来の半
導体レーザの製造方法を表す断面図である。 １−基板 ２−下部クラッド層、 ３−活性層、 ４−上部第１クラッド層、 ４ａ−ストライプ部、 ４ｂ−電流阻止領域、 ７−上部第２クラッド層、 ８−キャップ層。
レーザの製造方法の各工程を表す断面図、第２図
（Ａ），（Ｂ）と第３図（Ａ）〜（Ｄ）は他の実施例に
係る半導体レーザの製造方法を表す断面図、第４図
（Ａ），（Ｂ）および第５図（Ａ），（Ｂ）はさらに他
の実施例に係る半導体レーザの構造を表す図、第６図
（Ａ），（Ｂ）および第７図（Ａ），（Ｂ）は従来の半
導体レーザの製造方法を表す断面図である。 １−基板 ２−下部クラッド層、 ３−活性層、 ４−上部第１クラッド層、 ４ａ−ストライプ部、 ４ｂ−電流阻止領域、 ７−上部第２クラッド層、 ８−キャップ層。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 楠 薫 京都府京都市右京区西院溝崎町21番地 ロ ーム株式会社内 (72)発明者 井川 克彦 京都府京都市右京区西院溝崎町21番地 ロ ーム株式会社内 (72)発明者 石田 祐士 京都府京都市右京区西院溝崎町21番地 ロ ーム株式会社内 (56)参考文献 特開 昭56−90586（ＪＰ，Ａ) 特開 昭57−112090（ＪＰ，Ａ) 特開 昭57−198684（ＪＰ，Ａ) 特開 昭61−150392（ＪＰ，Ａ) 実開 昭61−156258（ＪＰ，Ｕ)
Claims (1)
- 【請求項１】基板上に下部クラッド層、活性層、上部第
１クラッド層、および分子線エピタキシャル成長室にお
ける蒸発速度が上部第１クラッド層より大きな保護層を
この順に形成した後、下部クラッド層に達しない深さ
に、前記保護層の表面から不純物をイオン打ち込むまた
は拡散して上部第１クラッド層にストライプ部を形成す
る工程と、前記保護層を分子線エピタキシャル成長室で
蒸発させ、続いて上部第１クラッド層上に上記ストライ
プ部と同伝導型の上部第２クラッド層とキャップ層をこ
の順に分子線エピタキシャル成長法により形成する工程
とからなる半導体レーザの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62056242A JPH069273B2 (ja) | 1987-03-11 | 1987-03-11 | 半導体レ−ザの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62056242A JPH069273B2 (ja) | 1987-03-11 | 1987-03-11 | 半導体レ−ザの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63222488A JPS63222488A (ja) | 1988-09-16 |
| JPH069273B2 true JPH069273B2 (ja) | 1994-02-02 |
Family
ID=13021624
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62056242A Expired - Fee Related JPH069273B2 (ja) | 1987-03-11 | 1987-03-11 | 半導体レ−ザの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH069273B2 (ja) |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02194586A (ja) * | 1989-01-23 | 1990-08-01 | Rohm Co Ltd | 半導体レーザ |
| JPH02194682A (ja) * | 1989-01-24 | 1990-08-01 | Rohm Co Ltd | 半導体レーザの製造方法 |
| JPH07101769B2 (ja) * | 1989-01-24 | 1995-11-01 | ローム株式会社 | 半導体レーザ |
| US6996150B1 (en) | 1994-09-14 | 2006-02-07 | Rohm Co., Ltd. | Semiconductor light emitting device and manufacturing method therefor |
| JP5028640B2 (ja) * | 2004-03-26 | 2012-09-19 | 日亜化学工業株式会社 | 窒化物半導体レーザ素子 |
| DE102019102499A1 (de) * | 2019-01-31 | 2020-08-06 | Forschungsverbund Berlin E.V. | Vorrichtung zur Erzeugung von Laserstrahlung |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS537277B2 (ja) * | 1973-07-11 | 1978-03-16 | ||
| JPS5690586A (en) * | 1979-12-21 | 1981-07-22 | Seiji Yasu | Semiconductor laser and manufacture thereof |
| JPS57112090A (en) * | 1980-12-29 | 1982-07-12 | Fujitsu Ltd | Semiconductor laser |
| JPS57198684A (en) * | 1981-06-01 | 1982-12-06 | Fujitsu Ltd | Manufacture of semiconductor device having multilayer semiconductor crystal layer |
| JPS61156258U (ja) * | 1985-03-19 | 1986-09-27 |
-
1987
- 1987-03-11 JP JP62056242A patent/JPH069273B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS63222488A (ja) | 1988-09-16 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |