JPH065485A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
- Publication number
- JPH065485A JPH065485A JP16050292A JP16050292A JPH065485A JP H065485 A JPH065485 A JP H065485A JP 16050292 A JP16050292 A JP 16050292A JP 16050292 A JP16050292 A JP 16050292A JP H065485 A JPH065485 A JP H065485A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer substrate
- internal stress
- wafer
- semiconductor device
- manufacturing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 20
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 20
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 42
- 238000005452 bending Methods 0.000 abstract description 13
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 abstract description 5
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 16
- 238000000034 method Methods 0.000 description 7
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 3
- 230000006835 compression Effects 0.000 description 1
- 238000007906 compression Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 230000002040 relaxant effect Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 デバイス形成時の内部応力を緩和する。
【構成】 １は半導体装置を構成するウェハ基板で、こ
のウェハ基板１上にデバイスが形成される。このウェハ
基板１はウェハ基板１表面に対してのデバイスの内部応
力に応じて予め湾曲形成されている。すなわち、デバイ
スに圧縮方向の内部応力がある場合には、ウェハ基板１
を予め図１（ａ）のように湾曲させる。また、デバイス
に引張方向の内部応力がある場合には、ウェハ基板１を
予め図１（ｂ）のように湾曲させる。また、内部応力が
ない場合には、図１（ｃ）のように平坦状にしておく。
これにより、内部応力は湾曲部によって矯正される。
のウェハ基板１上にデバイスが形成される。このウェハ
基板１はウェハ基板１表面に対してのデバイスの内部応
力に応じて予め湾曲形成されている。すなわち、デバイ
スに圧縮方向の内部応力がある場合には、ウェハ基板１
を予め図１（ａ）のように湾曲させる。また、デバイス
に引張方向の内部応力がある場合には、ウェハ基板１を
予め図１（ｂ）のように湾曲させる。また、内部応力が
ない場合には、図１（ｃ）のように平坦状にしておく。
これにより、内部応力は湾曲部によって矯正される。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置の製造方法
に関し、特にウェハの製造方法に関する。
に関し、特にウェハの製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】図５は従来の半導体装置のウェハの全体
斜視図、図６は従来の半導体装置の全体斜視図である。
これらの図において、１はウェハ基板で、図５（ａ）〜
（ｃ）に示すように製造過程において湾曲方向および湾
曲率が種々にばらついている。２はウェハ基板１上に形
成された薄膜である。なお、図中矢印はウェハ基板１の
湾曲方向を示している。
斜視図、図６は従来の半導体装置の全体斜視図である。
これらの図において、１はウェハ基板で、図５（ａ）〜
（ｃ）に示すように製造過程において湾曲方向および湾
曲率が種々にばらついている。２はウェハ基板１上に形
成された薄膜である。なお、図中矢印はウェハ基板１の
湾曲方向を示している。
【０００３】次に、これら湾曲方向および湾曲率が種々
にばらついているウェハ基板１上に、内部応力が異なる
薄膜２を形成した場合を説明する。まず、薄膜２の内部
応力がウェハ基板１の表面に対して圧縮方向の薄膜２を
ウェハ基板１上に形成すると、図５（ａ）、（ｂ）、
（ｃ）のように湾曲していたウェハ基板１は図６
（ｃ）、（ｅ）、（ｂ）に示すように変形する。この場
合、薄膜２の内部応力が強いほど、ウェハ基板１の湾曲
は（ｅ）に示す方向となる。次に、薄膜２の内部応力が
ウェハ基板１の表面に対して引張方向の薄膜２をウェハ
基板１上に形成すると、図５（ａ）、（ｂ）、（ｃ）の
ように湾曲していたウェハ基板１は図６（ｄ）、
（ｃ）、（ａ）に示すように変形する。この場合、薄膜
２の内部応力が強いほど、ウェハ基板１の湾曲は（ｄ）
に示す方向となる。
にばらついているウェハ基板１上に、内部応力が異なる
薄膜２を形成した場合を説明する。まず、薄膜２の内部
応力がウェハ基板１の表面に対して圧縮方向の薄膜２を
ウェハ基板１上に形成すると、図５（ａ）、（ｂ）、
（ｃ）のように湾曲していたウェハ基板１は図６
（ｃ）、（ｅ）、（ｂ）に示すように変形する。この場
合、薄膜２の内部応力が強いほど、ウェハ基板１の湾曲
は（ｅ）に示す方向となる。次に、薄膜２の内部応力が
ウェハ基板１の表面に対して引張方向の薄膜２をウェハ
基板１上に形成すると、図５（ａ）、（ｂ）、（ｃ）の
ように湾曲していたウェハ基板１は図６（ｄ）、
（ｃ）、（ａ）に示すように変形する。この場合、薄膜
２の内部応力が強いほど、ウェハ基板１の湾曲は（ｄ）
に示す方向となる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】上記したように、従来
の半導体装置においては、ウェハ基板の湾曲方向および
湾曲率が種々にばらついているために、このウェハ基板
上に内部応力の異なるデバイスを形成すると、ウェハ基
板の湾曲方向および湾曲率は千差万別となり、このため
に露光時のズレを起こしたり、また内部応力が大きいと
きにはクラックが生じる等の問題があった。本発明は上
記した従来の問題点に鑑みてなされたものであり、その
目的とするところは、デバイス形成時におけるデバイス
の内部応力を緩和した半導体装置の製造方法を提供する
ことにある。
の半導体装置においては、ウェハ基板の湾曲方向および
湾曲率が種々にばらついているために、このウェハ基板
上に内部応力の異なるデバイスを形成すると、ウェハ基
板の湾曲方向および湾曲率は千差万別となり、このため
に露光時のズレを起こしたり、また内部応力が大きいと
きにはクラックが生じる等の問題があった。本発明は上
記した従来の問題点に鑑みてなされたものであり、その
目的とするところは、デバイス形成時におけるデバイス
の内部応力を緩和した半導体装置の製造方法を提供する
ことにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】この目的を達成するため
に、本発明は、ウェハ上にデバイスを形成する半導体装
置の製造方法であって、前記デバイスの内部応力に応じ
て予めこの内部応力を緩和する方向に前記ウェハを湾曲
形成したものである。
に、本発明は、ウェハ上にデバイスを形成する半導体装
置の製造方法であって、前記デバイスの内部応力に応じ
て予めこの内部応力を緩和する方向に前記ウェハを湾曲
形成したものである。
【０００６】
【作用】本発明においては、デバイスの内部応力をウェ
ハの湾曲形成により緩和することにより、ウェハの湾曲
率が常に一定で、かつ小さいものとなる。
ハの湾曲形成により緩和することにより、ウェハの湾曲
率が常に一定で、かつ小さいものとなる。
【０００７】
【実施例】以下、図に基づいて本発明の一実施例を説明
する。図１は本発明に係る半導体装置の製造方法におけ
るウェハ基板の全体斜視図、図２は同じく半導体装置の
全体斜視図、図３は同じくウェハ基板の製造方法を示す
側面図、図４は同じくウェハ基板の製造方法の第２の例
を示す側面図である。本発明の特徴とするところは、ウ
ェハ基板１上に形成するデバイスの内部応力の方向およ
び強さに応じて予めウェハ基板１を一定方向に湾曲させ
た点にある。すなわち、デバイスである薄膜２の内部応
力がウェハ基板１の表面に対して引張方向にある場合に
は、図１（ａ）に示すような湾曲をウェハ基板１に予め
付与しておく。ウェハ基板１に薄膜２を形成すると、薄
膜２の内部応力はウェハ基板１の湾曲によって緩和され
ると共に、ウェハ基板１の湾曲は薄膜２の内部応力によ
って矯正されて図２に示すように半導体装置は平坦状と
なる。また、薄膜２の内部応力がウェハ基板１の表面に
対して圧縮方向にある場合には、図１（ｂ）に示すよう
な湾曲をウェハ基板１に予め付与しておけば、引張応力
の場合と同様に、半導体装置は図２に示すように平坦状
となる。また、薄膜２に内部応力が発生していない場合
には、ウェハ基板１は図１（ｃ）に示すように平坦状に
形成しておけばよい。
する。図１は本発明に係る半導体装置の製造方法におけ
るウェハ基板の全体斜視図、図２は同じく半導体装置の
全体斜視図、図３は同じくウェハ基板の製造方法を示す
側面図、図４は同じくウェハ基板の製造方法の第２の例
を示す側面図である。本発明の特徴とするところは、ウ
ェハ基板１上に形成するデバイスの内部応力の方向およ
び強さに応じて予めウェハ基板１を一定方向に湾曲させ
た点にある。すなわち、デバイスである薄膜２の内部応
力がウェハ基板１の表面に対して引張方向にある場合に
は、図１（ａ）に示すような湾曲をウェハ基板１に予め
付与しておく。ウェハ基板１に薄膜２を形成すると、薄
膜２の内部応力はウェハ基板１の湾曲によって緩和され
ると共に、ウェハ基板１の湾曲は薄膜２の内部応力によ
って矯正されて図２に示すように半導体装置は平坦状と
なる。また、薄膜２の内部応力がウェハ基板１の表面に
対して圧縮方向にある場合には、図１（ｂ）に示すよう
な湾曲をウェハ基板１に予め付与しておけば、引張応力
の場合と同様に、半導体装置は図２に示すように平坦状
となる。また、薄膜２に内部応力が発生していない場合
には、ウェハ基板１は図１（ｃ）に示すように平坦状に
形成しておけばよい。
【０００８】次に、ウェハ基板１の製造方法を説明す
る。図３において、３は一対の圧力板で、この圧力板３
の互いに対向する面には、ある一定で同一の曲率を有す
る圧力面３ａが形成されている。圧力板３を加熱して一
対の圧力面３ａで、ウェハ基板１を挟み込むことによっ
て、ウェハ基板１を湾曲させることができる。ウェハ基
板１の湾曲率は圧力板３の圧力面３ａの曲率によって決
まる。図４はウェハ基板１の製造方法の第２の実施例
で、この実施例では、ある一定で同一の曲率を有する研
磨面４ａを有する研磨板４によって、厚みのあるウェハ
基板１を研磨して形成するものである。
る。図３において、３は一対の圧力板で、この圧力板３
の互いに対向する面には、ある一定で同一の曲率を有す
る圧力面３ａが形成されている。圧力板３を加熱して一
対の圧力面３ａで、ウェハ基板１を挟み込むことによっ
て、ウェハ基板１を湾曲させることができる。ウェハ基
板１の湾曲率は圧力板３の圧力面３ａの曲率によって決
まる。図４はウェハ基板１の製造方法の第２の実施例
で、この実施例では、ある一定で同一の曲率を有する研
磨面４ａを有する研磨板４によって、厚みのあるウェハ
基板１を研磨して形成するものである。
【０００９】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、デ
バイスの内部応力の方向および強さに応じて、この内部
応力を緩和する方向にウェハ基板を予め湾曲させたの
で、デバイスの内部応力はウェハの湾曲形成によって緩
和されることとなり、これにより半導体装置の製造時に
おけるクラック等の発生を防止できる。また、ウェハ基
板の湾曲が内部応力で矯正されることとなり、デバイス
の内部応力の強さに応じてウェハ基板の湾曲率を選択す
れば、ウェハ基板を常に一定の湾曲率で保持でき、この
ため露光時のズレを防止できる効果がある。
バイスの内部応力の方向および強さに応じて、この内部
応力を緩和する方向にウェハ基板を予め湾曲させたの
で、デバイスの内部応力はウェハの湾曲形成によって緩
和されることとなり、これにより半導体装置の製造時に
おけるクラック等の発生を防止できる。また、ウェハ基
板の湾曲が内部応力で矯正されることとなり、デバイス
の内部応力の強さに応じてウェハ基板の湾曲率を選択す
れば、ウェハ基板を常に一定の湾曲率で保持でき、この
ため露光時のズレを防止できる効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係る半導体装置の製造方法におけるウ
ェハ基板の全体斜視図である。
ェハ基板の全体斜視図である。
【図２】本発明に係る半導体装置の全体斜視図である。
【図３】本発明に係る半導体装置の製造方法におけるウ
ェハの製造方法を示す側面図である。
ェハの製造方法を示す側面図である。
【図４】本発明に係る半導体装置の製造方法におけるウ
ェハの製造方法の第２の実施例を示す側面図である。
ェハの製造方法の第２の実施例を示す側面図である。
【図５】従来の半導体装置のウェハの全体斜視図であ
る。
る。
【図６】従来の半導体装置の全体斜視図である。
１ ウェハ基板 ２ 薄膜 ３ 圧力板 ４ 研磨板
Claims (1)
- 【請求項１】 ウェハ上にデバイスを形成する半導体装
置の製造方法おいて、前記デバイスの内部応力に応じて
予めこの内部応力を緩和する方向に前記ウェハを湾曲形
成したことを特徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16050292A JPH065485A (ja) | 1992-06-19 | 1992-06-19 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16050292A JPH065485A (ja) | 1992-06-19 | 1992-06-19 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH065485A true JPH065485A (ja) | 1994-01-14 |
Family
ID=15716331
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16050292A Pending JPH065485A (ja) | 1992-06-19 | 1992-06-19 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH065485A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009152548A (ja) * | 2007-12-24 | 2009-07-09 | Samsung Electro-Mechanics Co Ltd | 化学気相蒸着用ウェーハ及びこれを製造する方法 |
| KR101040999B1 (ko) * | 2009-08-31 | 2011-06-16 | 신경철 | 회동식 창호용 스테이바 |
| CN111343950A (zh) * | 2017-11-15 | 2020-06-26 | 史密夫及内修公开有限公司 | 实施传感器的集成伤口监测和/或治疗敷料和系统 |
-
1992
- 1992-06-19 JP JP16050292A patent/JPH065485A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009152548A (ja) * | 2007-12-24 | 2009-07-09 | Samsung Electro-Mechanics Co Ltd | 化学気相蒸着用ウェーハ及びこれを製造する方法 |
| KR101040999B1 (ko) * | 2009-08-31 | 2011-06-16 | 신경철 | 회동식 창호용 스테이바 |
| CN111343950A (zh) * | 2017-11-15 | 2020-06-26 | 史密夫及内修公开有限公司 | 实施传感器的集成伤口监测和/或治疗敷料和系统 |
| US11559438B2 (en) | 2017-11-15 | 2023-01-24 | Smith & Nephew Plc | Integrated sensor enabled wound monitoring and/or therapy dressings and systems |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH098124A (ja) | 絶縁分離基板及びその製造方法 | |
| JPH065485A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH0963912A (ja) | 貼り合わせ基板製造方法 | |
| JPH10177938A (ja) | 層を形成する方法 | |
| JPH02135722A (ja) | 半導体基体の張り合わせ方法 | |
| JPH03250615A (ja) | 接合ウエーハの製造方法 | |
| JPS61296726A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS5932136Y2 (ja) | 半導体装置 | |
| JPH01241134A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH0450920A (ja) | 表示装置の製造方法 | |
| JPH01226166A (ja) | 半導体装置基板の製造方法 | |
| CN113299188B (zh) | 显示面板及其制作方法 | |
| CN1541413A (zh) | 包合薄板状基材之集成电路配置 | |
| KR100483837B1 (ko) | 포토리지스트와 곡선 구조를 이용한 멤스 구조물의 조립및 제작방법 | |
| JP2651040B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH06268084A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH02180052A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS61247017A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP2001007099A (ja) | 半導体基板の製造方法及び半導体基板 | |
| JPS6037724A (ja) | 薄膜半導体装置の製造方法 | |
| JPH11177228A (ja) | 樹脂製基板の製造方法 | |
| JPH1050913A (ja) | リードフレームの熱処理方法及びそれに用いる熱処理用治具 | |
| JPH02246117A (ja) | 薄膜形成方法 | |
| JPH0396236A (ja) | 半導体素子の製造方法 | |
| JP2762501B2 (ja) | 半導体基板の製法 |